晶圓上芯片參數(shù)的修調方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種晶圓上芯片參數(shù)的修調方法，包括以下步驟：第一步，將測試晶圓上的所有芯片分為多個測試單位；第二步，通過探針卡測量某一測試單位內各芯片需要修調的某一參數(shù)，得到該測試單位內全部芯片的該參數(shù)的本征值；第三步，對該測試單位內全部芯片的參數(shù)本征值取平均值，將該參數(shù)平均值作為該測試單位內所有芯片的修調目標值，同時寫到芯片中供芯片在后續(xù)的測試以及正常工作中使用，從而完成測試晶圓上某一測試單位的修調；第四步，重復第二步至第三步，直至完成整枚測試晶圓上全部測試單位的修調。本發(fā)明能夠在保證大規(guī)模量產(chǎn)的同時提高修調的準確度。
【專利說明】晶圓上芯片參數(shù)的修調方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種大規(guī)模集成電路的測試方法，具體涉及一種晶圓上芯片參數(shù)的修調方法。
【背景技術】
[0002]大規(guī)模集成電路在進行測試時，經(jīng)常出現(xiàn)芯片的某些參數(shù)需要修調的現(xiàn)象。每個芯片可能會有多個不同的參數(shù)需要進行修調，如包括芯片的基準電壓值、芯片的功能電壓值、芯片的電流值、芯片頻率。因為生產(chǎn)的原因，芯片的這些參數(shù)的本征值可能不在該參數(shù)的使用范圍以內，需要將芯片的參數(shù)值修調至其使用范圍以內，才能滿足使用要求。
[0003]修調時，有的芯片需要進行負的修調，而有的芯片則需要進行正的修調；根據(jù)其本征值的不同，每個芯片的修調值也各不相同。
[0004]但是，大型邏輯測試儀器在測試芯片時，從生產(chǎn)的角度考慮，往往采用大規(guī)模的同時測試，無法分別對每個芯片施以不同的修調值，導致大規(guī)模量產(chǎn)時修調的準確度過低。要想提高修調的準確度，只能分別對每個芯片的各參數(shù)進行修調，這樣又導致測試時間的成倍增長，無法滿足大規(guī)模量產(chǎn)的需要。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種晶圓上芯片參數(shù)的修調方法，它可以縮短測試時間。
[0006]為解決上述技術問題，本發(fā)明晶圓上芯片參數(shù)的修調方法的技術解決方案為:
[0007]包括以下步驟:
[0008]第一步，以探針卡每次能夠覆蓋的所有芯片為一個測試單位，將測試晶圓上的所有芯片分為多個測試單位；
[0009]第二步，通過探針卡測量某一測試單位內各芯片需要修調的某一參數(shù)，得到該測試單位內全部芯片的該參數(shù)的本征值；
[0010]所述芯片的參數(shù)為芯片的基準電壓值、芯片的功能電壓值、芯片的電流值、芯片頻率。
[0011]第三步，對該測試單位內全部芯片的參數(shù)本征值取平均值，將該參數(shù)平均值作為該測試單位內所有芯片的修調目標值，同時寫到芯片中供芯片在后續(xù)的測試以及正常工作中使用，從而完成測試晶圓上某一測試單位的修調；
[0012]取平均值時，如果測試單位內的芯片數(shù)目足夠多，去掉一個最大值和一個最小值之后，再計算該測試單位的平均值。
[0013]第四步，重復第二步至第三步，完成測試晶圓上另一測試單位的修調；直至完成整枚測試晶圓上全部測試單位的修調。
[0014]或者，包括以下步驟:
[0015]第一步，以探針卡每次能夠覆蓋的所有芯片為一個測試單位，選擇測試晶圓上的多塊區(qū)域作為測試代表單位；
[0016]所述測試晶圓上的多塊區(qū)域代表晶圓面內的分布特征；所述多塊區(qū)域按晶圓面內的上、下、左、右、中的位置分布，或者多塊區(qū)域均位于測試晶圓的周邊。
[0017]第二步，通過探針卡分別測量全部測試代表單位內各芯片需要修調的某一參數(shù)，得到測試代表單位內全部芯片的該參數(shù)的本征值；
[0018]所述芯片的參數(shù)為芯片的基準電壓值、芯片的功能電壓值、芯片的電流值、芯片頻率。
[0019]第三步，對測試代表單位內全部芯片的參數(shù)本征值取平均值，將該參數(shù)平均值作為該測試晶圓的修調目標值，同時寫到芯片中供芯片在后續(xù)的測試以及正常工作中使用，完成整枚測試晶圓的修調。
[0020]本發(fā)明可以達到的技術效果是:
[0021]本發(fā)明將所有測試單位內部的每個參數(shù)修調的目標值統(tǒng)一，在將其寫入到芯片中時，可以采用并行寫入的方式，而非一個一個串行寫入，大大縮短了測試時間。
[0022]本發(fā)明能夠在保證大規(guī)模量產(chǎn)的同時提高修調的準確度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]下面結合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細的說明:
[0024]圖1是本發(fā)明晶圓上芯片參數(shù)的修調方法的示意圖；
[0025]圖2是每個測試單位內包含16個芯片的示意圖；
`[0026]圖3是本發(fā)明另一實施例的示意圖。
[0027]圖中附圖標記說明:
[0028]I為測試單位，10為測試晶圓，
[0029]2為測試代表單位。
【具體實施方式】
[0030]如圖1所示，本發(fā)明晶圓上芯片參數(shù)的修調方法，包括以下步驟:
[0031]第一步，以探針卡每次能夠覆蓋的所有芯片為一個測試單位，將測試晶圓10上的所有芯片分為多個測試單位(圖1中分為14個測試單位I)；
[0032]如圖2所示，如果探針卡一次能夠扎到16個芯片，則每個測試單位內最多包含16個芯片，這樣探針卡每扎一次可以測量到測試單位內全部芯片的參數(shù)本征值；
[0033]第二步，通過探針卡測量某一測試單位內各芯片需要修調的某一參數(shù)，得到該測試單位內全部芯片的該參數(shù)的本征值；
[0034]芯片的參數(shù)可以是芯片的基準電壓值、芯片的功能電壓值、芯片的電流值、芯片頻率；
[0035]第三步，對該測試單位內全部芯片的參數(shù)本征值取平均值，將該參數(shù)平均值作為該測試單位內所有芯片的修調目標值，同時寫到芯片中供芯片在后續(xù)的測試以及正常工作中使用，從而完成測試晶圓10上某一測試單位的修調；
[0036]如果測試單位內的芯片數(shù)目足夠多，如超過32個芯片以上，可以去掉一個最大值和一個最小值之后，再計算該測試單位的平均值；[0037]第四步，重復第二步至第三步，完成測試晶圓10上另一測試單位的修調；直至完成整枚測試晶圓10上全部測試單位的修調。
[0038]本發(fā)明將測試晶圓分為多個測試單位，對每個測試單位內的所有被測芯片采用同一修調值，一個測試單位進行一次修調，以縮短測試時間。
[0039]作為本發(fā)明的另一實施例，如圖3所示，本發(fā)明包括以下步驟:
[0040]第一步，以探針卡每次能夠覆蓋的所有芯片為一個測試單位，選擇測試晶圓10上的多塊區(qū)域作為測試代表單位(圖3中選擇5個測試代表單位2)；
[0041]該測試晶圓10上的多塊區(qū)域能夠代表晶圓面內的分布特征，多塊區(qū)域可以按晶圓面內的上、下、左、右、中的位置分布；
[0042]考慮到晶圓在加工時周邊特性要比中間特性差的情況，中間測試代表單位的數(shù)據(jù)也可以僅供參考，而只取周邊幾個測試代表單位的數(shù)據(jù)作為目標值的數(shù)據(jù)源；或者周邊測試代表單位的采樣數(shù)繼續(xù)增加到適當數(shù)目；
[0043]第二步，通過探針卡分別測量全部(五個)測試代表單位內各芯片需要修調的某一參數(shù)，得到測試代表單位內全部芯片的該參數(shù)的本征值；
[0044]芯片的參數(shù)可以是芯片的基準電壓值、芯片的功能電壓值、芯片的電流值、芯片頻率；
[0045]第三步，對測試代表單位內全部芯片的參數(shù)本征值取平均值，將該參數(shù)平均值作為該測試晶圓10的修調目標值，同時寫到芯片中，供芯片在后續(xù)的測試以及正常工作中使用，完成整枚測試晶圓10的修調。
[0046]本發(fā)明對整枚測試晶圓內的所有被測芯片采用同一修調目標值，能夠將修調目標值的分析次數(shù)降低到一定程度(如五次)，以縮短測試時間。
[0047]本發(fā)明將整枚晶圓的修調測試實現(xiàn)同時進行。
【權利要求】
1.一種晶圓上芯片參數(shù)的修調方法，其特征在于，包括以下步驟: 第一步，以探針卡每次能夠覆蓋的所有芯片為一個測試單位，將測試晶圓上的所有芯片分為多個測試單位； 第二步，通過探針卡測量某一測試單位內各芯片需要修調的某一參數(shù)，得到該測試單位內全部芯片的該參數(shù)的本征值； 第三步，對該測試單位內全部芯片的參數(shù)本征值取平均值，將該參數(shù)平均值作為該測試單位內所有芯片的修調目標值，同時寫到芯片中供芯片在后續(xù)的測試以及正常工作中使用，從而完成測試晶圓上某一測試單位的修調； 第四步，重復第二步至第三步，完成測試晶圓上另一測試單位的修調；直至完成整枚測試晶圓上全部測試單位的修調。
2.根據(jù)權利要求1所述的晶圓上芯片參數(shù)的修調方法，其特征在于，所述芯片的參數(shù)為芯片的基準電壓值、芯片的功能電壓值、芯片的電流值、芯片頻率。
3.根據(jù)權利要求1所述的晶圓上芯片參數(shù)的修調方法，其特征在于，所述第三步取平均值時，如果測試單位內的芯片數(shù)目足夠多，去掉一個最大值和一個最小值之后，再計算該測試單位的平均值。
4.一種晶圓上芯片參數(shù)的修調方法，其特征在于，包括以下步驟: 第一步，以探針卡每次能夠覆蓋的所有芯片為一個測試單位，選擇測試晶圓上的多塊區(qū)域作為測試代表單位； 第二步，通過探針卡分別測量全部測試代表單位內各芯片需要修調的某一參數(shù)，得到測試代表單位內全部芯片的該參數(shù)的本征值； 第三步，對測試代表單位內全部芯片的參數(shù)本征值取平均值，將該參數(shù)平均值作為該測試晶圓的修調目標值，同時寫到芯片中供芯片在后續(xù)的測試以及正常工作中使用，完成整枚測試晶圓的修調。
5.根據(jù)權利要求4所述的晶圓上芯片參數(shù)的修調方法，其特征在于，所述測試晶圓上的多塊區(qū)域代表晶圓面內的分布特征；所述多塊區(qū)域按晶圓面內的上、下、左、右、中的位置分布，或者多塊區(qū)域均位于測試晶圓的周邊。
6.根據(jù)權利要求4所述的晶圓上芯片參數(shù)的修調方法，其特征在于，所述芯片的參數(shù)為芯片的基準電壓值、芯片的功能電壓值、芯片的電流值、芯片頻率。
【文檔編號】H01L21/66GK103855045SQ201210499889
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2012年11月29日 優(yōu)先權日:2012年11月29日
【發(fā)明者】辛吉升, ?？Ｖ? 申請人:上海華虹宏力半導體制造有限公司