專利名稱：一種主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的n型太陽(yáng)能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及光伏行業(yè)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)能電池是一種能夠?qū)⒐饽苻D(zhuǎn)化為電能的組件，太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換是通過組件中的硅晶體通過光伏效應(yīng)實(shí)現(xiàn)的，其轉(zhuǎn)化原理為光照射在物質(zhì)上時(shí)，部份的光會(huì)被物質(zhì)吸收，當(dāng)電子從外界獲得能量時(shí)(吸收太陽(yáng)光能量)將會(huì)跳到較高的能階，獲得的能量越多跳的能階也越高，電子處在較高的能階時(shí)并不穩(wěn)定，很快就會(huì)把獲得的能量釋放回到原來的能階。如果電子獲得的能量夠高就擺脫原子核的束縛成為自由電子，電子空出來的位置則稱為空穴。自由電子可能會(huì)因?yàn)槟Σ粱蚺鲎驳纫蛩負(fù)p失能量，最后受到空穴的吸引而復(fù)合。在上述的空穴形成以及空穴與電子的復(fù)合過程中，自由電子的流動(dòng)可以認(rèn)為是電流的流動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)光能與電能的轉(zhuǎn)化。請(qǐng)參考圖1，圖I為現(xiàn)有技術(shù)中太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。一般情況下，主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池中用于產(chǎn)生電能的硅晶體為長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)的硅片，當(dāng)硅片接受光束的照射時(shí)，硅片上能夠通過上述原理產(chǎn)生電能。硅片上設(shè)置有導(dǎo)電涂層，導(dǎo)電涂層分為細(xì)柵和主柵，細(xì)柵較為擴(kuò)散地分布硅片的表面上，用于收集硅片上電能。主柵與各個(gè)細(xì)柵連接，主柵將細(xì)柵收集的電能匯總。單片硅片產(chǎn)生的電能較弱，為了加強(qiáng)主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池所輸出的電能，在一個(gè)主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池中通常設(shè)置了多塊硅片通過焊帶串聯(lián)，從而將多片硅片上的電能匯總輸出。焊帶與硅片的具體連接形式為焊帶與主柵相連接，一般采用點(diǎn)焊形式實(shí)現(xiàn)連接。作為常識(shí)可知，在進(jìn)行點(diǎn)焊的過程中，焊接點(diǎn)處應(yīng)力將會(huì)增加，這種應(yīng)力是以焊接點(diǎn)為圓心向周圍擴(kuò)散，圓心處應(yīng)力最大。傳統(tǒng)的電池主柵距硅片的邊距大約在I. 5mm左右，這樣焊帶與電池主柵第一焊接點(diǎn)也在I. 5mm左右。在相同力的作用下接觸面積越小，受到的壓強(qiáng)就越大，所以主柵距硅片的邊距越小，越容易使電池片破碎或隱裂。請(qǐng)參考圖2，圖2為現(xiàn)有技術(shù)中太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。為了解決上述焊接容易造成硅片損壞的問題，現(xiàn)有技術(shù)中提供了這樣一種解決方法將主柵的端部設(shè)計(jì)為梯形結(jié)構(gòu)。如此設(shè)計(jì)雖然能夠降低硅片的焊接損壞率，但是如此設(shè)置不僅增加了主柵的印刷難度，還使得增加了焊帶的焊接難度。綜上所述，如何解決硅片在焊接中容易發(fā)生損壞的問題，成為了本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題為提供一種主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池，該主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池通過對(duì)硅片上主柵的結(jié)構(gòu)優(yōu)化，能夠?qū)崿F(xiàn)解決硅片在焊接中容易發(fā)生損壞的問題的目的。[0009]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池，包括硅片主體，所述硅片主體上設(shè)置有焊帶，所述硅片主體上覆蓋有導(dǎo)電涂層，所述導(dǎo)電涂層包括主柵和細(xì)柵，所述主柵與所述細(xì)柵交錯(cuò)連接，所述主柵上連接有所述焊帶，所述主柵的端部為具有開口結(jié)構(gòu)的端部。 優(yōu)選地，所述主柵的端部的開口為矩形開口。優(yōu)選地，所述主柵的端部的開口長(zhǎng)度為2mm至5mm;所述主柵的端部的開口寬度為1mm 至 4mm n優(yōu)選地，所述主柵的端部的開口為漸縮型開口。優(yōu)選地，所述主柵的端部的開口為梯形開口。本實(shí)用新型提供了一種主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池，用于實(shí)現(xiàn)光電的轉(zhuǎn)化，包括硅片主體和焊帶，硅片主體(簡(jiǎn)稱為硅片)上覆蓋有導(dǎo)電涂層，導(dǎo)電涂層包括主柵和細(xì)柵，主柵與細(xì)柵交錯(cuò)連接，主柵上連接有焊帶。由現(xiàn)有技術(shù)可知，細(xì)柵用于收集硅片上分散的電能，主柵用于將細(xì)柵上的電能匯總，焊帶與主柵相連接用于將硅片上的電能輸出。為了解決焊帶與硅片的焊接問題，本實(shí)用新型將焊帶做出了如下結(jié)構(gòu)優(yōu)化主柵的端部為具有開口結(jié)構(gòu)的端部。該結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)能夠增加焊帶與電池主柵第一焊接點(diǎn)與硅片邊緣的距離，從而減小焊接時(shí)硅片邊緣的焊接應(yīng)力，有效降低了硅片與焊帶進(jìn)行焊接時(shí)由焊接引起的硅片損壞的情況。并且，采用開口結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)還能夠減少主柵涂層的漿料。本實(shí)用新型所提供的主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池，通過對(duì)硅片上主柵的結(jié)構(gòu)優(yōu)化，能夠?qū)崿F(xiàn)解決硅片在焊接中容易發(fā)生損壞的問題的目的。

圖I為現(xiàn)有技術(shù)中太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中改造后的太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)不意圖；圖3為本實(shí)用新型一種實(shí)施例中主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖；圖I和圖2中，部件名稱與附圖標(biāo)記的對(duì)應(yīng)關(guān)系為硅片主體I'；主柵2';主柵的端部2' a；細(xì)柵3'；圖3中部件名稱與附圖標(biāo)記的對(duì)應(yīng)關(guān)系為；硅片主體I ;主柵2;主柵的端部2a;細(xì)柵3 ;
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型的核心為提供一種主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池，該主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池通過對(duì)硅片上主柵的結(jié)構(gòu)優(yōu)化，能夠?qū)崿F(xiàn)解決硅片在焊接中容易發(fā)生損壞的問題的目的。為了使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。請(qǐng)參考圖3，圖3為本實(shí)用新型一種實(shí)施例中主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)用新型提供了一種主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池，用于實(shí)現(xiàn)光電的轉(zhuǎn)化，包括硅片主體I和焊帶，硅片主體I (下述簡(jiǎn)稱為硅片)上覆蓋有導(dǎo)電涂層，導(dǎo)電涂層包括主柵2和細(xì)柵3，主柵2與細(xì)柵3交錯(cuò)連接，主柵2上連接有焊帶。由現(xiàn)有技術(shù)可知，細(xì)柵3用于收集硅片上分散的電能，主柵2用于將細(xì)柵3上的電能匯總，焊帶與主柵2相連接用于將硅片上的電能輸出。為了解決焊帶與硅片的焊接問題，本實(shí)用新型將焊帶做出了如下結(jié)構(gòu)優(yōu)化主柵的端部2a為具有開口結(jié)構(gòu)的端部。該結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)能夠增加焊帶與電池主柵2第一焊接點(diǎn)與硅片邊緣的距離，從而減小焊接時(shí)硅片邊緣的焊接應(yīng)力，有效降低了硅片與焊帶進(jìn)行焊接時(shí)由焊接引起的硅片損壞的情況。并且，采用開口結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)還能夠減少主柵2涂層的漿料。在采用主柵的端部2a為開口結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)，如果開口采用規(guī)則的細(xì)線結(jié)構(gòu)形成開口，或者直接采用細(xì)柵3形成主柵的端部2a開口，還降低主柵2的印刷操作難度，從提間 接地提高主柵2的印刷效率。本實(shí)用新型所提供的主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池，通過對(duì)硅片上主柵2的結(jié)構(gòu)優(yōu)化，能夠?qū)崿F(xiàn)解決硅片在焊接中容易發(fā)生損壞的問題的目的。由于主柵2端部為開口結(jié)構(gòu)，所以為了便于主柵2的印刷，在本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施方式
中，主柵的端部2a的開口為矩形開口。采用矩形開口的規(guī)則開口結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能夠方便印刷的操作與實(shí)現(xiàn)。在上述主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型將主柵的端部2a的開口長(zhǎng)度設(shè)計(jì)為2mm至5mm ;主柵的端部2a的開口寬度設(shè)計(jì)為Imm至4mm?；谏鲜鰧?shí)施例中解決問題的設(shè)計(jì)思想將主柵的端部2a設(shè)計(jì)為開口結(jié)構(gòu)的端部，本實(shí)用新型在另一個(gè)具體實(shí)施方式
中，將主柵的端部2a的開口為漸縮型開口。具體地，主柵的端部2a的開口為梯形開口。以上對(duì)本實(shí)用新型所提供的一種主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池進(jìn)行了詳細(xì)介紹。本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本實(shí)用新型的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本實(shí)用新型的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池，包括硅片主體(I)，所述硅片主體(I)上設(shè)置有焊帶，所述硅片主體(I)上覆蓋有導(dǎo)電涂層，所述導(dǎo)電涂層包括主柵(2)和細(xì)柵(3)，所述主柵(2)與所述細(xì)柵(3)交錯(cuò)連接，所述主柵(2)上連接有所述焊帶，其特征在于， 所述主柵的端部(2a)為具有開口結(jié)構(gòu)的端部。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述主柵的端部(2a)的開口為矩形開口。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述主柵的端部(2a)的開口長(zhǎng)度為2mm至5mm ;所述主柵的端部(2a)的開口寬度為Imm至4mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述主柵的端部(2a)的開口為漸縮型開口。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述主柵的端部(2a)的開口為梯形開口。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池，包括硅片主體和焊帶，硅片主體(簡(jiǎn)稱為硅片)上覆蓋有導(dǎo)電涂層，導(dǎo)電涂層包括主柵和細(xì)柵，主柵與細(xì)柵交錯(cuò)連接，主柵上連接有焊帶。細(xì)柵用于收集硅片上分散的電能，主柵用于將細(xì)柵上的電能匯總，焊帶與主柵相連接用于將硅片上的電能輸出。主柵的端部為具有開口結(jié)構(gòu)的端部。該結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)能夠增加焊帶與電池主柵第一焊接點(diǎn)與硅片邊緣的距離，從而減小焊接時(shí)硅片邊緣的焊接應(yīng)力，有效降低了硅片與焊帶進(jìn)行焊接時(shí)由焊接引起的硅片損壞的情況。本實(shí)用新型所提供的主柵具有凹槽結(jié)構(gòu)的N型太陽(yáng)能電池，通過對(duì)硅片上主柵的結(jié)構(gòu)優(yōu)化，能夠?qū)崿F(xiàn)解決硅片在焊接中容易發(fā)生損壞的問題的目的。
文檔編號(hào)H01L31/042GK202423321SQ201220027409
公開日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2012年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月20日
發(fā)明者李高非, 熊景峰, 王紅芳, 王英超, 胡志巖 申請(qǐng)人:英利集團(tuán)有限公司