專利名稱：一種陣列基板及顯示設備的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及液晶顯示器技術領域，具體涉及一種陣列基板及顯示設備。
背景技術：
薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-IXD)面板一般是由控制液晶旋轉的TFT陣列基板以及設有三原色(R、G、B)濾光片的彩膜基板構成，然后在兩層基板之間填充液晶層。其中，TFT陣列基板通過各層膜的沉積、刻蝕以后形成柵金屬層(包括柵極線、TFT柵極)、源漏金屬層(包括TFT源/漏極和數(shù)據(jù)線)以及像素電極層等結構?，F(xiàn)有高級超維場轉換(ADvancedSuper Dimension Switch,簡稱 ADS)模式TFT-LCD陣列基板像素結構中，柵極線和公共電極線采用同一層金屬層鋪設，通過刻蝕等 加工工藝形成柵極線和公共電極線，公共電極線與同樣形成在襯底基板上的第一透明電極(可以是氧化銦錫ITO電極)直接搭接，共同構成ADS型陣列基板的公共電極；然后在形成有柵極線、公共電極線和第一透明電極的基板上覆蓋一層柵極絕緣層。由于現(xiàn)有柵極線和公共電極線是對同一金屬層通過刻蝕等加工工藝形成的，這可能導致柵極線和公共電極線之間存在殘留的金屬，從而易導致柵極線和公共電極線(即公共電極)之間發(fā)生短路(GCS)。

實用新型內容本實用新型提供一種陣列基板及顯示設備，從而確保陣列基板中的柵極線和公共電極之間不會出現(xiàn)短路的情況。為解決上述技術問題，本實用新型提供方案如下本實用新型實施例提供了一種陣列基板，包括基板；設置于所述基板上的柵金屬層，該柵金屬層包括柵極線和柵極；設置于所述基板以及所述柵極線和柵極上的柵極絕緣層；設置于所述柵極絕緣層上的源漏金屬層，該源漏金屬層包括源極、漏極、數(shù)據(jù)線以及多個公共電極線段，所述公共電極線段與所述數(shù)據(jù)線之間無連接，并且，每一個像素區(qū)域內存在一公共電極線段；設置于所述柵極絕緣層上的多個第一透明電極，位于同一像素區(qū)域內的第一透明電極和公共電極線段相連接，共同形成該像素區(qū)域內的公共電極。優(yōu)選的，所述的陣列基板還包括設置于所述源漏金屬層和所述第一透明電極上方的鈍化層，在所述鈍化層上形成有多個過孔。優(yōu)選的，所述的陣列基板還包括用于實現(xiàn)位于數(shù)據(jù)線左右兩側相鄰的兩個像素區(qū)域內公共電極之間電連接的第一連接電極；[0017]所述第一連接電極設置于所述鈍化層上方；所述第一連接電極通過過孔，分別與位于數(shù)據(jù)線左右兩側相鄰的兩個像素區(qū)域內的公共電極線段電連接。優(yōu)選的，所述的陣列基板還包括設置于所述鈍化層上方 第二透明電極，所述第二透明電極通過過孔與所述漏極相連；所述第一連接電極為透明電極，且與所述第二透明電極同層設置。優(yōu)選的，所述的陣列基板還包括用于實現(xiàn)位于柵極線上下兩側相鄰的兩個像素區(qū)域內公共電極之間電連接的第二連接電極；所述第二連接電極設置于所述鈍化層上方；所述第二連接電極的一端通過過孔與位于柵極線上側像素區(qū)域內的第一透明電極電連接，所述第二連接電極的另一端通過過孔與位于柵極線下側像素區(qū)域內的公共電極線段電連接。優(yōu)選的，所述的陣列基板還包括還包括設置于所述鈍化層上方的第二透明電極，所述第二透明電極通過過孔與所述漏極相連；所述第二連接電極為透明電極，且與所述第二透明電極同層設置。優(yōu)選的，所述源漏金屬層還包括用于減小第二連接電極與第一透明電極的接觸電阻的接觸電極。優(yōu)選的，所述接觸電極與所述公共電極線段同層設置且采用相同材料。優(yōu)選的，所述公共電極線段與所述數(shù)據(jù)線垂直設置。本實用新型實施例還提供了一種顯示設備，其包括上述本實用新型實施例提供的陣列基板。從以上所述可以看出，本實用新型提供了一種陣列基板及顯示設備，該陣列基板包括基板；設置于所述基板上的柵金屬層，該柵金屬層包括柵極線和柵極；設置于所述基板以及所述柵極線和柵極上的柵極絕緣層；設置于所述柵極絕緣層上的源漏金屬層，該源漏金屬層包括源極、漏極、數(shù)據(jù)線以及多個公共電極線段，所述公共電極線段與所述數(shù)據(jù)線之間無連接，并且，每一個像素區(qū)域內存在一公共電極線段；設置于所述柵極絕緣層上的多個第一透明電極，位于同一像素區(qū)域內的第一透明電極和公共電極線段相連接，共同形成該像素區(qū)域內的公共電極。在本實用新型提供的方案中，通過將柵極線與公共電極分層設置，且在柵極線和公共電極之間設置有柵極絕緣層，以避免柵極線和公共電極之間出現(xiàn)短路的情況。

圖I為本實用新型實施例提供的陣列基板俯視圖；圖2為本實用新型實施例提供的陣列基板在附圖I中A-A’線處剖視圖；圖3為本實用新型實施例提供的陣列基板在附圖I中B-B’線處剖視圖。
具體實施方式
本實用新型實施例提供了一種陣列基板，如附圖1、2、3所示，該陣列基板具體可以包括基板I ;設置于基板I上的柵金屬層，該柵金屬層包括柵極線2和柵極(附圖中未示出)；設置于基板I以及柵極線2和柵極上的柵極絕緣層3 ；設置于柵極絕緣層3上的源漏金屬層，該源漏金屬層包括源極(附圖中未示出)、漏極(附圖中未示出)、數(shù)據(jù)線4以及多個公共電極線段5，公共電極線段5與所述數(shù)據(jù)線4之間無連接，并且，每一個像素區(qū)域內存在一公共電極線段5 ；設置于柵極絕緣層3上的多個第一透明電極6，位于同一像素區(qū)域內的第一透明電極6和公共電極線段5相連接，共同形成該像素區(qū)域內的公共電極。本實用新型實施例提供了的陣列基板，通過將柵極線與公共電極(包括公共電極線段5、第一透明電極6)分層設置，從而可避免柵極線與公共電極之間出現(xiàn)短路(GCS)的情況。本實用新型實施例中所涉及的公共電極線段，在具體實現(xiàn)時，可與數(shù)據(jù)線4垂直設置，即可與柵極線2水平設置。在一具體實施例中，本實用新型實施例提供的陣列基板，具體還可以包括設置于源漏金屬層和第一透明電極6上方的鈍化層7(PVX)，且在鈍化層7上形成有多個過孔8，具體可如附圖1、2、3所示。同時，為了使位于數(shù)據(jù)線4左右兩側相鄰的兩個像素區(qū)域內公共電極之間實現(xiàn)電連接，本實用新型實施例所提供的陣列基板中，還可以包括用于實現(xiàn)位于數(shù)據(jù)線4左右兩側相鄰的兩個像素區(qū)域內公共電極之間電連接的第一連接電極9 ；第一連接電極9具體可設置于鈍化層7上方，具體可如附圖1、3所示；在具體實現(xiàn)時，第一連接電極9可通過設置于鈍化層7中的過孔8，分別與位于數(shù)據(jù)線4左右兩側相鄰的兩個像素區(qū)域內的公共電極線段5電連接，從而實現(xiàn)位于數(shù)據(jù)線4左右兩側相鄰的兩個像素區(qū)域內公共電極之間的電連接。本實用新型實施例中，第一連接電極9具體可為透明電極。而在另一具體實施例中，上述第一連接電極9也可設置于基板I與柵極絕緣層3之間，即第一連接電極與柵極線2同層設置，并可通過設置于柵極絕緣層3的過孔，分別與位于數(shù)據(jù)線4左右兩側相鄰的兩個像素區(qū)域內的公共電極線段5電連接，從而也可實現(xiàn)位于數(shù)據(jù)線4左右兩側相鄰的兩個像素區(qū)域內公共電極之間的電連接。另外，為了使位于柵極線2上下兩側相鄰的兩個像素區(qū)域內公共電極之間實現(xiàn)電連接，本實用新型實施例所提供的陣列基板中，還可以包括用于實現(xiàn)位于柵極線2上下兩側相鄰的兩個像素區(qū)域內公共電極之間電連接的第二連接電極10 ；第二連接電極10具體可設置于鈍化層7上方，具體可如附圖1、2所示；在具體實現(xiàn)時，第二連接電極10的一端可通過設置于鈍化層7中過孔8，與位于柵極線2上側像素區(qū)域內的第一透明電極6電連接，而第二連接電極10的另一端可通過設置于鈍化層7中的過孔8，與位于柵極線2下側像素區(qū)域內的公共電極線段5電連接，從而實現(xiàn)位于柵極線2上下兩側相鄰的兩個像素區(qū)域內公共電極之間的電連接。本實用新型實施例中，第二連接電極10具體可為透明電極。通過上述描述可以看出，本實用新型實施例中，第二連接電極10的一端可通過設置于鈍化層7中過孔8，與位于柵極線2上側像素區(qū)域內的第一透明電極電6連接，那么，為了減小第二連接電極10與第一透明電極6之間的接觸電阻，本實用新型實施例所提供的陣列基板中，具體還可以包括接觸電極11，設置于第二連接電極10與第一透明電極6之間，以用于減小第二連接電極10與第一透明電極6之間的接觸電阻。并且，該接觸電極11可與公共電極線段5同層設置，且采用的材料也可與公共電極線段5相同，從而可通過一次構圖工藝，生成公共電極線段5和接觸電極11。本實用新型實施例中，接觸電極11可為一具有一定厚度的正方形金屬塊，當然其 他幾何形狀的金屬條或金屬塊也可。在一具體實施例中，本實用新型實施例所提供的陣列基板中，還可以包括設置于鈍化層7上方的第二透明電極即像素電極(附圖中未示出)，所述第二透明電極可通過設置于鈍化層7中的過孔8，與設置于源漏金屬層中的漏極相連。由于第二透明電極設置于鈍化層7之上，因此，本實用新型實施例中，第二透明電極可與第一連接電極9和第二連接電極10同層設置。通過以上描述可以看出，由于本實用新型實施例提供的陣列基板中，通過將位于源漏金屬層的公共電極(包括公共電極線段5、第一透明電極6、接觸電極11等)，與柵極線分層設置，且在柵極線與公共電極之間設置有柵極絕緣層3，因此可基本消除了柵極線與公共電極之間發(fā)生短路的可能性。而且，由于本實用新型實施例提供了的陣列基板中，柵極線與公共電極分設于不同圖層中，因此可以縮小柵極線與公共電極線之間的距離，從而提高像素區(qū)域的開口率。另外，本實用新型實施例中的公共電極之間可以采用矩陣電極(Matrix Vcom)設計，在通過外圍電路向公共電極施加公共電壓(Vcom)時，由于過孔8只涉及穿過一層絕緣層即鈍化層7，從而更好的保證了過孔8接觸電阻的均勻性，從而避免出現(xiàn)現(xiàn)有技術中，過孔8需要涉及穿透兩層絕緣層，從而可能由于過孔8刻蝕不均勻而導致增大過孔8與絕緣層接觸處的接觸電阻的技術問題。本實用新型實施例提供的陣列基板，在基板I上通過各層膜的沉積、掩模曝光、刻蝕等工藝以后形成柵金屬層(包括柵極線2、TFT柵極)、源漏金屬層(包括TFT源/漏極和數(shù)據(jù)線4)以及像素電極層等結構。該過程具體可以包括；I、在基板I上沉積柵金屬薄膜，經(jīng)過第一次構圖工藝形成柵金屬層的圖案，包括柵極線2和柵極。2、在柵極層2上形成柵極絕緣層(GI) 3。3、在形成有柵極絕緣層的基板上沉積源漏金屬薄膜，并通過第二次構圖工藝在柵極絕緣層3上形成源漏金屬層的圖案，包括附圖中未示出的源極、漏極，以及數(shù)據(jù)線4、多個公共電極線段5、多個接觸電極11等。4、在形成有源極、漏極和數(shù)據(jù)線等結構的基板上沉積透明電極薄膜，比如IT0，并通過第三次構圖工藝在柵極絕緣層3上形成第一透明電極6，且該第一透明電極6可分別與同一像素區(qū)域內的公共電極線段5和接觸電極11連接，連接后的三者共同形成一個像素區(qū)域內的公共電極。5、在形成有上述結構的基板上形成鈍化層7，并通過第四次構圖工藝，在鈍化層7中形成過孔8 ;該過孔8可為多個，且設置的位置基于需要設定，例如公共電極線段5和接觸電極11上方的鈍化層7中。6、在鈍化層7上方沉積透明電極薄膜，比如IT0，并通過第五次構圖工藝在鈍化層7上形成第一連接電極9、第二連接電極10以及第二透明電極。該第二透明電極，即像素電極，通過鈍化層過孔8與TFT漏極相連。在上述步驟中所提及的構圖工藝，至少包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等一系列工藝過程。 通過以上步驟，即可生成本實用新型實施例提供的陣列基板?；谝陨媳緦嵱眯滦蛯嵤├峁┑年嚵谢澹緦嵱眯滦蛯嵤├€可以提供一種顯示設備，該顯示設備具體可以包括本實用新型實施例提供的、如附圖1、2、3所示的陣列基板。所述顯示設備可以為液晶面板、電子紙、OLED (有機發(fā)光二極管)面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。以上所述僅是本實用新型的實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本實用新型的保護范圍。
權利要求1.一種陣列基板，其特征在于，包括 基板； 設置于所述基板上的柵金屬層，該柵金屬層包括柵極線和柵極； 設置于所述基板以及所述柵極線和柵極上的柵極絕緣層； 設置于所述柵極絕緣層上的源漏金屬層，該源漏金屬層包括源極、漏極、數(shù)據(jù)線以及多個公共電極線段，所述公共電極線段與所述數(shù)據(jù)線之間無連接，并且，每一個像素區(qū)域內存在一公共電極線段； 設置于所述柵極絕緣層上的多個第一透明電極，位于同一像素區(qū)域內的第一透明電極和公共電極線段相連接，共同形成該像素區(qū)域內的公共電極。
2.如權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，還包括 設置于所述源漏金屬層和所述第一透明電極上方的鈍化層，在所述鈍化層上形成有多個過孔。
3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括 用于實現(xiàn)位于數(shù)據(jù)線左右兩側相鄰的兩個像素區(qū)域內公共電極之間電連接的第一連接電極； 所述第一連接電極設置于所述鈍化層上方； 所述第一連接電極通過過孔，分別與位于數(shù)據(jù)線左右兩側相鄰的兩個像素區(qū)域內的公共電極線段電連接。
4.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，還包括 設置于所述鈍化層上方的第二透明電極，所述第二透明電極通過過孔與所述漏極相連； 所述第一連接電極為透明電極，且與所述第二透明電極同層設置。
5.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括 用于實現(xiàn)位于柵極線上下兩側相鄰的兩個像素區(qū)域內公共電極之間電連接的第二連接電極； 所述第二連接電極設置于所述鈍化層上方； 所述第二連接電極的一端通過過孔與位于柵極線上側像素區(qū)域內的第一透明電極電連接，所述第二連接電極的另一端通過過孔與位于柵極線下側像素區(qū)域內的公共電極線段電連接。
6.如權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，還包括 設置于所述鈍化層上方的第二透明電極，所述第二透明電極通過過孔與所述漏極相連； 所述第二連接電極為透明電極，且與所述第二透明電極同層設置。
7.如權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述源漏金屬層還包括 用于減小第二連接電極與第一透明電極的接觸電阻的接觸電極。
8.如權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述接觸電極與所述公共電極線段同層設置且采用相同材料。
9.如權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線段與所述數(shù)據(jù)線垂直設置。
10.一種顯示 設備，其特征在于，包括如權利要求I至9任一項所述的陣列基板。
專利摘要本實用新型提供了一種陣列基板及顯示設備，該陣列基板包括基板；設置于所述基板上的柵金屬層，該柵金屬層包括柵極線和柵極；設置于所述基板以及所述柵極線和柵極上的柵極絕緣層；設置于所述柵極絕緣層上的源漏金屬層，該源漏金屬層包括源極、漏極、數(shù)據(jù)線以及多個公共電極線段，所述公共電極線段與所述數(shù)據(jù)線之間無連接，并且，每一個像素區(qū)域內存在一公共電極線段；設置于所述柵極絕緣層上的多個第一透明電極，位于同一像素區(qū)域內的第一透明電極和公共電極線段相連接，共同形成該像素區(qū)域內的公共電極。通過將柵極線與公共電極分層設置，且在柵極線和公共電極之間設置有柵極絕緣層，以避免柵極線和公共電極之間出現(xiàn)短路的情況。
文檔編號H01L27/12GK202533686SQ20122020839
公開日2012年11月14日 申請日期2012年5月9日 優(yōu)先權日2012年5月9日
發(fā)明者高玉杰 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司