專利名稱：一種共陽極小功率可控硅模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及可控硅技術(shù)領(lǐng)域，具體地說是一種生產(chǎn)效率高、成本低的共陽極小功率可控硅模塊。
背景技術(shù)：
目前，對小電流可控硅廣泛應(yīng)用于小家電行業(yè)，如電風扇等，由于一塊線路板中需應(yīng)用多個相同的小電流插件式可控硅，線路板的裝配只能用人工進行操作，效率低下；并且現(xiàn)有的插件式可控硅在線路板中占用的面積較大，生產(chǎn)成本高。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是針對現(xiàn)有小功率可控硅生產(chǎn)效率低下、原材料耗費大和生產(chǎn)成本聞的缺陷，提供一種生廣效率聞、成本低的共陽極小功率可控娃|旲塊。本實用新型的目的是通過以下技術(shù)方案解決的:一種共陽極小功率可控硅模塊，包括引線框架和可控硅芯片，其特征在于所述的可控硅芯片構(gòu)成芯片組焊接在引線框架上，可控硅芯片下側(cè)面的陽極朝向引線框架，可控硅芯片上側(cè)面的陰極和控制極分別通過連線與對應(yīng)的引腳焊接相連；上述引線框架、芯片組和連線的外側(cè)設(shè)有覆蓋保護引線框架、芯片組和連線的環(huán)氧料。所述連線的兩端與可控硅芯片上側(cè)面的陰極、控制極和與可控硅芯片上側(cè)面的陰極、控制極對應(yīng)的引腳之間采用超聲波焊接相連。所述的芯片組由兩塊或兩塊以上相互之間獨立設(shè)置的可控硅芯片構(gòu)成。所述的弓丨線框架采用銅制成。所述的連線采用銅線或者鋁線制成。一種共陽極小功率可控硅模塊制作工藝，其特征在于所述的制作工藝步驟如下:(a)、首先將兩塊或兩塊以上相互之間獨立設(shè)置的可控硅芯片構(gòu)成芯片組，并將芯片組中的可控硅芯片的陽極所在面朝向引線框架并焊接在引線框架上；(b)、接著用連線將每個可控硅芯片的陰極、控制極與對應(yīng)的引腳用超聲波進行焊接相連；(C)、然后采用環(huán)氧料將引線框架、芯片組和連線進行覆蓋對引線框架、芯片組和連線進行保護，制成共陽極小功率可控硅模塊。所述引腳的一端位于環(huán)氧料的外側(cè)。本實用新型相比現(xiàn)有技術(shù)有如下優(yōu)點:本實用新型采用機械化進行裝配操作，解決了線路安裝的效率并降低了線路裝配成本；同時制成的可控硅模塊體積小，節(jié)省了線路板面積并降低了線路板的制作成本。

附圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；[0018]附圖2為本實用新型的剖面示意圖。其中:1 一引線框架；2—可控娃芯片；3—芯片組；4一連線；5—引腳；6—環(huán)氧料。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖與實施例對本實用新型作進一步的說明。如圖1-2所示:一種共陽極小功率可控硅模塊，包括采用銅制成的引線框架1、可控硅芯片2，由兩塊或兩塊以上相互之間獨立設(shè)置的可控硅芯片2構(gòu)成芯片組3焊接在引線框架I上，可控硅芯片2下側(cè)面的陽極朝向引線框架1，可控硅芯片2上側(cè)面的陰極和控制極分別通過連線4與對應(yīng)的引腳5焊接相連，即連線4的兩端與可控硅芯片2上側(cè)面的陰極、控制極和與可控硅芯片2上側(cè)面的陰極、控制極對應(yīng)的引腳5之間采用超聲波焊接相連，上述連線4可采用銅線或者鋁線制成；引線框架1、芯片組3和連線4的外側(cè)設(shè)有覆蓋保護引線框架1、芯片組3和連線4的環(huán)氧料6。一種共陽極小功率可控硅模塊制作工藝，其制作工藝步驟如下:(a)、首先將兩塊或兩塊以上相互之間獨立設(shè)置的可控硅芯片2構(gòu)成芯片組3，并將芯片組3中的可控硅芯片3的陽極所在面朝向引線框架I并焊接在引線框架I上；(b)、接著用連線4將每個可控硅芯片2的陰極、控制極與對應(yīng)的引腳5用超聲波進行焊接相連；(C)、然后采用環(huán)氧料6將引線框架1、芯片組3和連線4進行覆蓋對引線框架1、芯片組3和連線4進行保護，制成共陽極小功率可控硅模塊。經(jīng)上述步驟制成的共陽極小功率可控硅模塊中引腳5的一端位于環(huán)氧料6的外側(cè)。本實用新型采用機械化進行裝配操作，解決了線路安裝的效率并降低了線路裝配成本；同時制成的可控硅模塊體積小，節(jié)省了線路板面積并降低了線路板的制作成本。以上實施例僅為說明本實用新型的技術(shù)思想，不能以此限定本實用新型的保護范圍，凡是按照本實用新型提出的技術(shù)思想，在技術(shù)方案基礎(chǔ)上所做的任何改動，均落入本實用新型保護范圍之內(nèi)；本實用新型未涉及的技術(shù)均可通過現(xiàn)有技術(shù)加以實現(xiàn)。
權(quán)利要求1.一種共陽極小功率可控硅模塊，包括引線框架(I)和可控硅芯片(2)，其特征在于所述的可控硅芯片(2)構(gòu)成芯片組(3)焊接在引線框架(I)上，可控硅芯片(2)下側(cè)面的陽極朝向引線框架(1)，可控硅芯片(2)上側(cè)面的陰極和控制極分別通過連線(4)與對應(yīng)的引腳(5)焊接相連；上述引線框架(I)、芯片組(3)和連線(4)的外側(cè)設(shè)有覆蓋保護引線框架(I)、芯片組(3)和連線(4)的環(huán)氧料(6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共陽極小功率可控硅模塊，其特征在于所述連線(4)的兩端與可控硅芯片(2)上側(cè)面的陰極、控制極和與可控硅芯片(2)上側(cè)面的陰極、控制極對應(yīng)的引腳(5)之間采用超聲波焊接相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共陽極小功率可控硅模塊，其特征在于所述的芯片組(3)由兩塊或兩塊以上相互之間獨立設(shè)置的可控硅芯片(2)構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共陽極小功率可控硅模塊，其特征在于所述的引線框架(I)采用銅制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共陽極小功率可控硅模塊，其特征在于所述的連線(4)采用銅線或者鋁線制成。
專利摘要本實用新型公開了一種共陽極小功率可控硅模塊，包括引線框架(1)和可控硅芯片(2)，可控硅芯片(2)構(gòu)成芯片組(3)焊接在引線框架(1)上，可控硅芯片(2)下側(cè)面的陽極朝向引線框架(1)，可控硅芯片(2)上側(cè)面的陰極和控制極分別通過連線(4)與對應(yīng)的引腳(5)焊接相連；引線框架(1)、芯片組(3)和連線(4)的外側(cè)設(shè)有覆蓋保護的環(huán)氧料(6)。其制作工藝如下芯片組(3)焊接在引線框架(1)上后用連線(4)將每個可控硅芯片(2)的陰極、控制極與對應(yīng)的引腳(5)焊接相連；最后用環(huán)氧料(6)對引線框架(1)、芯片組(3)和連線(4)進行覆蓋保護，制成共陽極小功率可控硅模塊。本實用新型效率高且成本低。
文檔編號H01L23/495GK202930374SQ20122061351
公開日2013年5月8日 申請日期2012年11月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月20日
發(fā)明者潘建英, 伍林, 左亞兵 申請人:宜興市環(huán)洲微電子有限公司