半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的技術(shù)問(wèn)題是提供能夠使在帶剝離后的被粘附體的表面殘留的粘附劑的量充分地減少的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶。本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶（100）具備基材層（200）和粘附層（300）。粘附層（300）形成在基材層（200）的至少一面上。另外，粘附層（300）主要由含羧基聚合物構(gòu)成。含羧基聚合物含有放射線聚合化合物（特別是聚氨酯丙烯酸酯）。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶。
[0002]本申請(qǐng)基于2011年3月30日在日本申請(qǐng)的特愿2011-075003號(hào)和2012年I月11日在日本申請(qǐng)的特愿2012-003125號(hào)主張優(yōu)先權(quán)，在此援用其內(nèi)容。
【背景技術(shù)】
[0003]一直以來(lái)，提出了各種在半導(dǎo)體晶片和封裝品的切割加工中使用的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶(以下稱為“切割帶”)。一般而言，在切割帶中，在基材層(基層)上形成有粘附層，利用該粘附層將半導(dǎo)體晶片等固定。在粘附層中通常添加有放射線聚合化合物(光固化型樹(shù)脂)、放射線聚合引發(fā)劑(光聚合引發(fā)劑)和交聯(lián)劑等，使得在半導(dǎo)體晶片等的切割加工后，能夠容易地拾取半導(dǎo)體芯片。也就是說(shuō)，在切割加工后，當(dāng)向粘附層照射紫外線等放射線(光)時(shí)，這些成分固化，粘附層的粘附性降低，半導(dǎo)體芯片的拾取變得容易。
[0004]但是，在使切割帶從被粘附體剝離的工序中，存在發(fā)生構(gòu)成粘附層的粘附劑的一部分殘留在被粘附體表面的、所謂的粘附劑殘留的問(wèn)題。另外，在利用切割帶保持被粘附體的工序中，存在切割帶不能穩(wěn)定地保持具有凹凸的被粘附體的問(wèn)題。因此，例如，專利文獻(xiàn)1、2中公開(kāi)了為了解決上述問(wèn)題而適當(dāng)選擇粘附層的材料的切割帶。這些切割帶能夠穩(wěn)定地保持具有凹凸的被粘附體。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:日 本特開(kāi)2005-136298號(hào)公報(bào)
[0008]專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2003-105283號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0010]但是，這些切割帶不能使在帶剝離后的被粘附體的表面殘留的粘附劑的量充分地減少。
[0011]本發(fā)明的目的是提供能夠使在帶剝離后的被粘附體的表面殘留的粘附劑的量減少的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶。
[0012]用于解決技術(shù)問(wèn)題的手段
[0013]上述目的可通過(guò)以下的(I)?(9)中記載的本發(fā)明來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0014](I) 一種半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶，其特征在于，具備:基材層；和在上述基材層的至少一面上形成的粘附層，上述粘附層含有:含羧基聚合物；放射線聚合化合物；和交聯(lián)劑，上述放射線聚合化合物的重均分子量為500以上20000以下，并且官能團(tuán)數(shù)為5個(gè)官能團(tuán)以上，相對(duì)于含羧基聚合物100重量份，上述交聯(lián)劑的含量為3重量份以上14重量份以下。
[0015](2)如上述(I)所述的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶，其特征在于:上述放射線聚合化合物的重均分子量為1000以上20000以下，并且官能團(tuán)數(shù)為10個(gè)官能團(tuán)以上。
[0016](3)如上述(I)或(2)所述的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶，其特征在于:上述含羧基聚合物還含有酯基，上述含羧基聚合物的上述酯基的個(gè)數(shù)與上述羧基的個(gè)數(shù)的比(酯基/羧基)為80 / 20以上95 / 5以下。
[0017](4)如上述(I)?(3)中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶，其特征在于:上述放射線聚合化合物的重均分子量為500以上3000以下，并且官能團(tuán)數(shù)為15個(gè)官能團(tuán)以下。
[0018](5)如上述(I)?(4)中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶，其特征在于:上述官能團(tuán)為乙烯基。
[0019](6)如上述(I)?(5)中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶，其特征在于:相對(duì)于上述含羧基聚合物100重量份，上述放射線聚合化合物的含量為30重量份以上70重量份以下。
[0020](7)如上述(I)?(6)中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶，其特征在于:上述放射線聚合化合物為聚氨酯丙烯酸酯。
[0021](8)如上述(I)?(7)中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶，其特征在于:上述交聯(lián)劑含有異氰酸酯基。
[0022](9)如上述(I)?(8)中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶，其特征在于:上述含羧基聚合物為丙烯酸酯與丙烯酸的共聚物。
[0023]通過(guò)具備上述特征，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶能夠更穩(wěn)定地保持具有凹凸的被粘附體。
`[0024]另外，本發(fā)明的切割帶以對(duì)被粘附體具有良好的粘附力、并且提高拾取性為目的，成為不在粘附層上設(shè)置芯片粘接膜等的結(jié)構(gòu)。
[0025]由于這樣的結(jié)構(gòu)，不需要考慮在粘附層上疊層有芯片粘接膜等的情況下發(fā)生的下述不良情況(I)?(IV)等。
[0026](I)在切割時(shí)，芯片粘接膜熔融，由此，切片品質(zhì)降低，由于粘附層與芯片粘接膜的粘接，拾取性降低。(II)由于芯片粘接膜與粘附層的密合，在長(zhǎng)時(shí)間保管時(shí)，拾取性降低。
(III)為了疊層芯片粘接膜，制造工序增加。(IV)芯片粘接膜與粘附層有可能發(fā)生反應(yīng)，因此不能常溫輸送。
[0027]發(fā)明效果
[0028]本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶能夠使在帶剝離后的被粘附體的表面殘留的粘附劑的量減少。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0029]圖1為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的切割帶的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]以下，基于具體的實(shí)施方式，對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0031]本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶的特征在于，具備:基材層；和在上述基材層的至少一面上形成的粘附層，上述粘附層含有含羧基聚合物和放射線聚合化合物，上述放射線聚合化合物的重均分子量為500以上3000以下，并且官能團(tuán)數(shù)為5個(gè)官能團(tuán)以上15個(gè)官能團(tuán)以下。
[0032]圖1為用于對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶(以下稱為“粘附帶”或“切割帶”)100的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的圖。如圖1所示，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的粘附帶100構(gòu)成為包括基材層200和粘附層300。以下，對(duì)粘附帶被作為切割帶使用的情況下的基材層200和粘附層300，分別進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0033]<基材層(基層)>
[0034]基材層200主要含有材料樹(shù)脂，承擔(dān)支撐粘附層300的作用。另外，該基材層200具有在切割工序后實(shí)施的擴(kuò)張工序中能耐受拉伸的強(qiáng)度。所謂擴(kuò)張工序，是拉伸粘附帶100、使芯片間隔擴(kuò)張的工序。該擴(kuò)張工序的目的是:在拾取時(shí)提高芯片的識(shí)別性；和防止由相鄰的芯片彼此的接觸引起的器件的破損。
[0035]上述材料樹(shù)脂通過(guò)通常的膜成形方法成形為膜。作為該材料樹(shù)脂，只要是使放射線(可見(jiàn)光線、近紅外線、紫外線、X射線、電子射線等)透過(guò)的樹(shù)脂，就沒(méi)有特別限定，例如，可以使用:聚氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等聚烯烴類樹(shù)脂；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等烯烴類共聚物；聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯等聚對(duì)苯二甲酸亞烷基酯類樹(shù)脂；苯乙烯類熱塑性彈性體、烯烴類熱塑性彈性體、聚乙烯基異戊二烯、聚碳酸酯等熱塑性樹(shù)脂、和這些熱塑性樹(shù)脂的混合物。
[0036]特別地，作為材料樹(shù)脂，優(yōu)選使用聚丙烯與彈性體的混合物、或者聚乙烯與彈性體的混合物。另外，作為該彈性體，優(yōu)選含有由通式(I)表示的聚苯乙烯鏈段和由通式(2)表示的乙烯基聚異戊二烯鏈段的嵌段共聚物。另外，從耐候性的觀點(diǎn)出發(fā)，聚異戊二烯鏈段優(yōu)選被氫化。
[0037]
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶，其特征在于: 具備:基材層；和在所述基材層的至少一面上形成的粘附層， 所述粘附層含有:含羧基聚合物；放射線聚合化合物；和交聯(lián)劑， 所述放射線聚合化合物的重均分子量為500以上20000以下，并且官能團(tuán)數(shù)為5個(gè)官能團(tuán)以上， 相對(duì)于含羧基聚合物100重量份，所述交聯(lián)劑的含量為3重量份以上14重量份以下。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶，其特征在于: 所述放射線聚合化合物的重均分子量為1000以上20000以下，并且官能團(tuán)數(shù)為10個(gè)官能團(tuán)以上。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶，其特征在于: 所述含羧基聚合物還含有酯基， 所述含羧基聚合物的所述酯基的個(gè)數(shù)與所述羧基的個(gè)數(shù)的比(酯基/羧基)為80 / 20以上95/5以下。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶，其特征在于: 所述放射線聚合化合物的 重均分子量為500以上3000以下，并且官能團(tuán)數(shù)為15個(gè)官能團(tuán)以下。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶，其特征在于: 所述官能團(tuán)為乙烯基。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶，其特征在于: 相對(duì)于所述含羧基聚合物100重量份，所述放射線聚合化合物的含量為30重量份以上70重量份以下。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶，其特征在于: 所述放射線聚合化合物為聚氨酯丙烯酸酯。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶，其特征在于: 所述交聯(lián)劑含有異氰酸酯基。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片等加工用粘附帶，其特征在于: 所述含羧基聚合物為丙烯酸酯與丙烯酸的共聚物。
【文檔編號(hào)】H01L21/301GK103443229SQ201280015419
【公開(kāi)日】2013年12月11日 申請(qǐng)日期:2012年3月27日 優(yōu)先權(quán)日:2011年3月30日
【發(fā)明者】石破彰浩, 磯部雅俊, 長(zhǎng)尾佳典 申請(qǐng)人:住友電木株式會(huì)社