晶片加工用帶的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及晶片加工用帶，特別是設(shè)及具有忍片切割帶和忍片接合膜的2個(gè)功能 的晶片加工用帶。
【背景技術(shù)】
[0002] 最近，正在開發(fā)一種忍片切割-忍片接合帶，其兼具將半導(dǎo)體晶片切斷分離（忍片 切割）為各個(gè)忍片時(shí)用于固定半導(dǎo)體晶片的忍片切割帶、和用于將切斷后的半導(dǎo)體忍片粘 接于引線框或封裝基板等、或者在堆疊封裝中用于將半導(dǎo)體忍片彼此層疊、粘接的忍片接 合膜(也稱為忍片貼裝膜)的2個(gè)功能。
[0003] 作為運(yùn)樣的忍片切割-忍片接合帶，考慮到向晶片的貼附、忍片切割時(shí)的向貼片環(huán) 框的安裝等的操作性，有時(shí)實(shí)施了預(yù)切割加工。
[0004] 在圖4和圖5中示出預(yù)切割加工后的忍片切害d-忍片接合帶的例子。圖4是表示將忍 片切割-忍片接合帶卷繞為卷筒狀的狀態(tài)的圖，圖5(a)是忍片切割-忍片接合帶的俯視圖， 圖5(b)是基于圖5(a)的線B-B的剖面圖。忍片切割-忍片接合帶50包含脫模膜51、膠粘劑層 52和粘合膜53。膠粘劑層52加工為與晶片的形狀對應(yīng)的圓形，具有圓形標(biāo)簽形狀。粘合膜53 中除去了與忍片切割用的貼片環(huán)框的形狀對應(yīng)的圓形部分的周邊區(qū)域，如圖所示，具有圓 形標(biāo)簽部53a和包圍其外側(cè)的周邊部53b。膠粘劑層52與粘合膜53的圓形標(biāo)簽部53aW將其 中屯、對齊的方式層疊，另外，粘合膜53的圓形標(biāo)簽部53a覆蓋膠粘劑層52且在其周圍與脫模 膜51接觸。
[0005] 將晶片忍片切割時(shí)，從層疊狀態(tài)的膠粘劑層52和粘合膜53剝離脫模膜51，如圖6所 示，在膠粘劑層52上貼附半導(dǎo)體晶片W的背面，在粘合膜53的圓形標(biāo)簽部53a的外周部粘合 固定忍片切割用貼片環(huán)框R。在該狀態(tài)下將半導(dǎo)體晶片W忍片切割，之后，對粘合膜53實(shí)施紫 外線照射等固化處理后拾取半導(dǎo)體忍片。此時(shí)，粘合膜53由于固化處理而粘合力降低，因此 容易從膠粘劑層52剝離，在背面附著了膠粘劑層52的狀態(tài)下拾取半導(dǎo)體忍片。附著于半導(dǎo) 體忍片的背面的膠粘劑層52在之后將半導(dǎo)體忍片粘接于引線框、封裝基板、或其他半導(dǎo)體 忍片時(shí)，作為忍片接合膜起作用。
[0006] 另外，就像上述那樣的忍片切割-忍片接合帶50而言，膠粘劑層52與粘合膜53的圓 形標(biāo)簽部53a層疊的部分比粘合膜53的周邊部53b厚。因此，作為制品卷繞成卷筒狀時(shí)，膠粘 劑層52與粘合膜53的圓形標(biāo)簽部53a的層疊部分、與粘合膜53的周邊部53a的高度差相互重 疊，發(fā)生在柔軟的膠粘劑層52表面轉(zhuǎn)印高度差的現(xiàn)象，即圖7所示的那樣的轉(zhuǎn)印痕(也稱為 標(biāo)簽痕跡、皺紋、或卷繞痕跡）。運(yùn)樣的轉(zhuǎn)印痕的產(chǎn)生特別是在膠粘劑層52由柔軟的樹脂形 成的情況、存在厚度的情況和帶50的卷繞數(shù)多的情況等顯著。然后，若產(chǎn)生轉(zhuǎn)印痕，則存在 由膠粘劑層與半導(dǎo)體晶片的粘接不良導(dǎo)致在晶片的加工時(shí)產(chǎn)生不良情況的可能性。
[0007] 為了解決運(yùn)樣的問題，正在開發(fā)一種晶片加工用帶，其為脫模膜的與設(shè)置了膠粘 劑層和粘合膜的第1面相反的第2面上、且在脫模膜的短邊方向的兩端部設(shè)置了支承構(gòu)件 (例如，參照專利文獻(xiàn)1)。運(yùn)樣的晶片加工用帶設(shè)置了支承構(gòu)件，因此在將晶片加工用帶卷 繞為卷筒狀時(shí)，可W將對帶施加的卷繞壓力分散、或集中于支承構(gòu)件，因此，可W抑制向膠 粘劑層的轉(zhuǎn)印跡的形成。
[000引現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) [0009]專利文獻(xiàn)
[0010] 專利文獻(xiàn)1:日本專利第4360653號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011] 發(fā)明要解決的課題
[0012] 然而，在上述專利文獻(xiàn)1中記載的晶片加工用帶中，為了充分抑制向膠粘劑層的轉(zhuǎn) 印跡的形成，需要將支承構(gòu)件的厚度設(shè)置為膠粘劑層的厚度W上，因此存在在支承構(gòu)件的 選定中存在制約的問題。另外，粘合膜覆蓋膠粘劑層且在其周圍與脫模膜接觸，但根據(jù)膠粘 劑層的厚度，有時(shí)在脫模膜與粘合膜之間產(chǎn)生極小的空隙、殘留空氣(air)。上述專利文獻(xiàn)1 中記載的晶片加工用帶在脫模膜的短邊方向兩端部設(shè)置了支承構(gòu)件，因此在將晶片加工用 帶卷繞成卷筒狀的狀態(tài)中，標(biāo)簽部與在其上卷繞的脫模膜之間成為中空結(jié)構(gòu)，因此出現(xiàn)了 存在上述空氣(air)移動(dòng)而侵入膠粘劑層與粘合膜之間的可能性的問題。在膠粘劑層與粘 合膜之間侵入的空氣(air)也稱為孔隙（void),其存在使對于半導(dǎo)體晶片W的貼合不良發(fā) 生、造成之后的半導(dǎo)體晶片W的忍片切割工序或忍片的拾取工序、接合工序的成品率的降低 的可能性。
[0013] 因此，本發(fā)明的課題在于提供一種晶片加工用帶，其可W減少標(biāo)簽痕跡的產(chǎn)生，且 可W不論膠粘劑層的厚度如何地選擇支承構(gòu)件，同時(shí)可W減少在膠粘劑層與粘合膜之間卷 入空氣(air)。
[0014] 解決課題的方法
[0015] 為了解決W上的課題，本發(fā)明所設(shè)及的晶片加工用帶的特征在于具有:長的脫模 膜;膠粘劑層，設(shè)置在所述脫模膜的第1面上、且具有規(guī)定的平面形狀;粘合膜，具有標(biāo)簽部 和包圍所述標(biāo)簽部的外側(cè)的周邊部，所述標(biāo)簽部W覆蓋所述膠粘劑層、且在所述膠粘劑層 的周圍與所述脫模膜接觸的方式設(shè)置，并且具有規(guī)定的平面形狀；W及支承構(gòu)件，設(shè)置在所 述脫模膜的與設(shè)置有所述膠粘劑層和所述粘合膜的第1面相反的第2面上，并且在包含與所 述膠粘劑層對應(yīng)的部分、且不包含與所述標(biāo)簽部的在所述脫模膜的短邊方向上的端部對應(yīng) 的部分的區(qū)域內(nèi)，沿所述脫模膜的長邊方向設(shè)置。
[0016] 另外，上述半導(dǎo)體加工用帶優(yōu)選上述支承構(gòu)件設(shè)置于上述脫模膜的短邊方向的中 央部。
[0017] 另外，上述半導(dǎo)體加工用帶優(yōu)選:上述支承構(gòu)件中，上述脫模膜的短邊方向的寬度 為10~50mm。
[0018] 發(fā)明效果
[0019] 根據(jù)本發(fā)明，可W減少標(biāo)簽痕跡的產(chǎn)生，且可W不論膠粘劑層的厚度如何地選擇 支承構(gòu)件，同時(shí)可W減少在膠粘劑層與粘合膜之間卷入空氣。
【附圖說明】
[0020] 圖1的(a)是本發(fā)明的實(shí)施方式所設(shè)及的晶片加工用帶的俯視圖，（b)是(a)的基于 線A-A的剖面圖。
[0021] 圖2是本發(fā)明的另一實(shí)施方式所設(shè)及的晶片加工用帶的剖面圖。
[0022] 圖3是本發(fā)明的進(jìn)一步另一實(shí)施方式所設(shè)及的晶片加工用帶的剖面圖。
[0023] 圖4是W往的晶片加工用帶的立體圖。
[0024] 圖5的(a)為W往的晶片加工用帶的俯視圖，（b)為(a)的基于線B-B的剖面圖。
[0025] 圖6為顯示晶片加工用帶與忍片切割用貼片環(huán)框貼合的狀態(tài)的剖面圖。
[0026] 圖7為用于說明W往的晶片加工用帶的不良情況的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027] W下基于附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式詳細(xì)地說明。圖1(a)是本發(fā)明的實(shí)施方式所設(shè) 及的晶片加工用帶(忍片切割-忍片接合帶）的俯視圖，圖1(b)是圖1(a)的基于線A-A的剖面 圖。
[0028] 如圖1(a)和圖1(b)所示，晶片加工用帶10具有長的脫模膜11、膠粘劑層12、粘合膜 13和支承構(gòu)件14。
[0029] 膠粘劑層12設(shè)置于脫模膜的第1面上，具有與晶片的形狀對應(yīng)的圓形標(biāo)簽形狀。粘 合膜13具有圓形標(biāo)簽部13a和包圍該圓形標(biāo)簽部13a的外側(cè)的周邊部13b，所述圓形標(biāo)簽部 13aW覆蓋膠粘劑層12、且在膠粘劑層12的周圍與脫模膜接觸的方式設(shè)置。周邊部13b包括 將圓形標(biāo)簽部13a的外側(cè)完全包圍的形態(tài)、和如圖所示的不完全包圍的形態(tài)。圓形標(biāo)簽部 13a具有與切割用的貼片環(huán)框?qū)?yīng)的形狀。而且，支承構(gòu)件14設(shè)置在脫模膜11的與設(shè)置有膠 粘劑12和粘合膜13的第1面Ila相反的第2面1化上，并且設(shè)置在包含與膠粘劑層12對應(yīng)的部 分、且不包含與標(biāo)簽部13a的在所述脫模膜11的短邊方向上的端部對應(yīng)的部分的區(qū)域r。
[0030] W下，對本實(shí)施方式的晶片加工用帶10的各構(gòu)成要素詳細(xì)地說明。