轉印薄膜的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種將薄膜從第一基板轉印至第二基板的方法，包括步驟：提供轉印結構以及提供在第一基板的表面上的薄膜,所述轉印結構包括支撐層以及薄膜接觸層，其中所述轉印結構與所述薄膜接觸；移除所述第一基板以獲取所述薄膜與所述薄膜接觸層接觸的轉印結構；將所述獲取的轉印結構接觸第二基板的表面；以及移除所述薄膜接觸層，從而將所述薄膜轉印至所述第二基板的表面上。
【專利說明】轉印薄膜的方法【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種轉印薄膜的方法，尤其涉及用于將薄膜從一個基板轉印到另一個基板的方法。
【背景技術】 [0002]石墨烯以及其他如氮化硼(BN)的層狀材料包含結合在一起的原子或離子的二維薄片，其中薄片的有效厚度大約是原子的或者分子的厚度(通常小于2nm)，這遠遠小于微米到厘米的數(shù)量級的橫向尺寸。這些以及其他薄膜材料，如薄硅層、銦鎵砷、銅-銦-鎵-砷化層，具有許多潛在的應用，如在電子的、光電子的、光學的、傳感器以及熱裝置中的導體、半導體或者絕緣體中的應用，以及用于機械強韌性應用、用于存儲或者用于對于包含傳感器的表面處理應用。
[0003]然而，對于許多這些實際應用的發(fā)展的關鍵工序的挑戰(zhàn)是:缺乏合適的方法以一種可行的、穩(wěn)健的并且適合制造的而不會破壞轉印薄膜性能的方式，形成圖案并將這些薄膜從它們的生長基板轉印至目標基板。這特別具有挑戰(zhàn)性，因為薄膜經(jīng)常是單個或者少數(shù)原子薄片的形式，并且因此非常易碎。
[0004]X.S.Li 等人(科學 2009,324:1312;環(huán)境控制系統(tǒng)處理，2009,19:41)(Science2009, 324:1312;ECS Transactions, 2009, 19:41)描述了一種方法，在該方法中銅(Cu)生長基板被刻蝕掉以釋放石墨烯到目標基板上，所述目標基板與刻蝕劑溶液中流動的石墨烯接觸。這種方法不提供任何可能性來注冊(register)轉印薄片到目標基板。它還極大地限制了應用，因為目標基板可能與刻蝕劑溶液不相容，所述刻蝕劑溶液還可能是污染源。
[0005]X.Liang 等人(納米快報.2007，7:3840) (Nano Lett.2007，7:3840)描述了基于樹脂材料的熱釋放(TR)粘著層的使用，所述樹脂材料連同用硅制成的硬印模一起充當至石墨烯薄片的室溫膠粘劑，以從高定向熱解石墨(HOPG)晶體中提取多分子層石墨烯薄片，并且沉積到另一個熱固化的粘著層或者親水性二氧化硅表面上。因為它使用粘著層來將石墨烯附著至硅印模，石墨烯至目標基板的轉印主要取決于在釋放溫度下目標與TR膠粘劑的相對粘著強度。這通常需要一個粘著層也位于目標或高表面能量基板(如親水性二氧化硅表面)上。這極大地限制了這種方法的適用性，因為目標表面通常可能不具有粘著層或者強力粘著表面，尤其是對于電子的半導體以及絕緣體應用。此外，所述粘著層可能引起石墨烯結構的破壞并且嚴重地污染轉印的二維的(2-d)層狀材料的表面。Bae S.等人(自然納米技術，2010，5:574;美國化學學會納米，2011，6:2096) (Nature Nanotech, 2010, 5:574;ACSNano, 2011,6:2096)公開了一種類似的方法，該方法也使用了熱釋放膠帶作為支撐以及轉印材料，并且該過程是通過卷對卷方法進行。
[0006]L.Song 等人(美國化學學會納米 2009，3:1353) (ACS Nano2009, 3:1353)描述了使用金作為到有圖案的石墨烯薄膜的粘著層，以及使用熱釋放(TR)膠帶作為壓敏粘合劑來粘附至金薄膜以將金/石墨烯復合薄膜從基板提離。所述集合(assembly)然后接觸到期望的目標基板上，并且被加熱到TR膠帶的熱釋放溫度以將所述金/石墨烯復合薄膜釋放到所述目標基板上。然后金通過標準碘化鉀刻蝕劑脫離附著。這種方法依賴于目標基板與石墨烯之間的強大的附著力來成功地與用于石墨烯的TR膠帶對抗，并且需要粘著層或者高能量表面呈現(xiàn)在期望的目標基板上。另外，使用金(或者其他金屬)作為粘著層來轉印石墨烯引起與不能承受金(或其他金屬)刻蝕劑的基板的一般不相容性(generalincompatibility)。
[0007]相似地，S.Unarunotai等人(應用.物理.列托2009，95:202101;美國化學學會納米，2010，4:5591) (Appl.Phys.Lett.2009，95:202101 ;ACS Nano, 2010，4:5591)描述了
使用金以及其他金屬薄膜作為石墨烯上的粘著層來粘著到壓敏聚酰亞胺膠帶上。整個集合然后剝離基板并且布置(laid on)在目標基板上。然后所述聚酰亞胺膠帶在氧氣電漿中被腐蝕掉并且金薄膜在金刻蝕劑中被腐蝕掉。根據(jù)拉曼光譜學中缺陷帶的強度的顯示，這樣的剝離方法將導致石墨烯的嚴重的變形以及破裂。
[0008]J.D.Caldwell 等人(美國化學學會納米，2010，4:1108) (ACS Nano, 2010，4:1108)也使用了相關的對抗的(competitive)粘著力的方法,通過使用熱釋放膠帶從碳化娃(SiC)上片狀剝落石墨烯薄膜。因為與熱釋放膠帶欠佳的適形接觸，這種轉印方法在碳化硅表面留下了小面積的石墨烯。也描述了這種方法的改進(碳納米管，石墨烯，以及相關裝置III，體積.776l(Eds:D.Pribat, Y.H.Lee, M-Razeghi),國際光學工程學會應力光學系數(shù)光學工程，貝靈漢 2OlO) (Carbon Nanotubes, Graphene, and AssociatedDevices Iii, Vol.7761 (Eds:D.Pribat,Y.H.Lee, M.Razeghi), Spie-1nt Soc OpticalEngineering, Bellingham2010),其中在熱釋放膠帶和石墨烯之間引進了聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)層。然而，這種方法仍舊依賴于獲得石墨烯到目標基板比到熱釋放膠帶更大的粘著力。
[0009]M.J.Alien 等 人(Adv.Mater.2009，21:2098)描述了使用聚(二甲基硅氧烷)(PDMS)印模來獲得(pick up)分別沉積在第一基板上的氧化石墨烯薄膜以及少層石墨烯(few-layer graphenes) (FLG),以轉印至第二基板。通過這種直接的物理剝落的轉印薄膜的質量欠佳并且不可靠，如同由報告中的光學圖像顯示的一樣明顯。這種方法中的兩個關鍵問題是(i )聚二甲基硅氧烷(PDMS)印模對于石墨烯薄片不具有高親和力，以及(ii )如果石墨稀和目標(基板)之間的粘著力不夠聞，確實粘著至聚二甲基硅氧烷(PDMS)印|旲的石墨烯薄膜可能不能轉印至目標基板。
[0010]X.S.Li 等人(納米快報.2009，9:435) (Nano Lett.2009，9:435)，X.S.Li 等人(科學，2009，324:1312) (Science, 2009，324:1312)以及 A.Reina 等人(物理化學雜志 C2008, 112:17741;納米快報，2009，9:30) (The Journal of Physical ChemistryC, 2008，112:17741;Nano Letters, 2009，9:30)在生長基板被腐蝕掉時，使用聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)的聚合物膜來充當石墨烯薄膜的“載體”薄膜。聚甲基丙烯酸甲酯/石墨烯復合薄膜然后被布置在目標基板上，并且聚甲基丙烯酸甲酯溶入到丙酮中以轉印石墨烯薄膜。這種方法的主要缺點為“載體”薄膜是易碎的，并且有導致石墨烯薄膜的微裂紋以及機械損傷的變形、拉伸或者彎曲以及起皺的傾向。此外，在載體薄膜的形成過程中凝入的固有應力也會導致薄膜變形(彎曲)，這會在轉印期間毀壞(破裂)石墨烯薄膜，從而降低石墨烯薄膜的質量并且限制它的應用。這種方法也不允許在目標基板的模型下面形成圖案。如果需要有圖案的薄膜，這些需要分別確定，并且這種載體薄膜方法不提供在目標基板上精確的圖案結構的任何可能性。
[0011]很顯然上述方法依賴于具有第一粘著層，所述第一粘著層作為印?；蛘咻d體薄膜粘著至石墨烯薄膜，以及通過制作具有更大粘著力的目標表面，如通過使用第二粘著層，實現(xiàn)轉印至目標基板。這對基質的性質強加嚴格的要求。進一步，粘著劑的使用可能與在電子工業(yè)或者半導體中的大部分的應用(applications)不相配,并且進一步,這些方法不允許在基板上形成圖案。
[0012]現(xiàn)有技術的方法通常會被在轉印期間由于載體薄膜的變形、拉伸或者彎曲而引起的壓力/張力損壞薄膜薄片，并且也允許由通常不能被移除的粘著(粘著劑)層引起的污染，因為轉印的石墨烯或者薄膜薄片不能經(jīng)受嚴格的清洗而不會損壞。此外，一些轉印方法需要使用最終化學蝕刻和/或清洗步驟來移除第一粘著層，這進一步限制了與多個基板和制造工藝的一般兼容性。熱釋放膠帶的使用也不可避免地引起附著的薄膜的拉伸變形以及破裂，并且熱釋放膠帶的使用與在目標基板上形成圖案的薄膜的精確布局固有地不相符。另夕卜，這些轉印過程都不允許(permits)同時在二維的薄膜上形成圖案。
[0013]因此需要有一種改進的工藝來將薄膜從一個基板轉印至另一個基板。

【發(fā)明內容】

[0014]本發(fā)明力圖解決在現(xiàn)有技術中的至少一個問題并且提供一種將薄膜從它的生長基板轉印至目標基板的方法。
[0015]根據(jù)第一方面，提供了一種將薄膜從第一基板轉印至第二基板的方法，包括步驟:
[0016](a)提供轉印結構以及提供在第一基板的表面上的薄膜，所述轉印結構包括支撐層以及薄膜接觸層，其中所述轉印結構與薄膜接觸；
[0017](b)移除所述第一基板以獲取所述薄膜與所述薄膜接觸層接觸的轉印結構；
[0018](C)將在所述步驟(b)中獲取的所述轉印結構接觸第二基板的表面；以及
[0019](d)移除所述薄膜接觸層，從而將薄膜轉印至第二基板的表面上。
[0020]所述薄膜可以是為了本發(fā)明目的任何合適的薄膜。例如，所述薄膜可以從以下中選擇，但是不限于，石墨烯、氮化硼(BN)、二硫化鑰(MoS2)、鑰-硫-碘(MoSI)、鑰(V)、碲化物(MoTe2)、鈮(IV)碲化物(NbTe2)、硒化鎳(NiSe2)、二硫化鎢(WS2)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、硅(Si)、砷化鎵(GaAs)、砷化銦鎵(InGaAs)、銅銦砷化鎵(CIGS)、釔鋇銅氧(YBC0)、鈦酸鍶(SrTiO3)、碲化鎘(CdTe )、磷化銦鎵(GaInP)、氧化鋁(Al2O3)或者它們的組合。
[0021]根據(jù)一個特定方面，所述薄膜可以是具有原子或分子層厚度的薄膜。特別地，所述薄膜可以是石墨烯薄膜。
[0022]所述薄膜可以通過任何合適的方法提供在第一基板的表面上。例如，所述薄膜可以通過以下方法，但不限于以下方法供應在第一基板的表面上，所述方法包括靜電紡絲、旋轉涂布、電鍍、化學溶液沉積、化學蒸汽沉積、等離子體增強化學氣相沉積、原子層沉積、蒸發(fā)鍍膜、電子束蒸發(fā)、分子束外延、濺射、脈沖激光沉積、陰極電弧沉積、電流體沉積、噴墨印刷、氣溶膠噴霧、浸涂、滴鑄、物理氣相沉積、真空升華、刮漿或者它們的組合。[0023]所述薄膜可以為有圖案的或者無圖案的。根據(jù)一個特定方面，在提供的步驟(a)之前或之后，所述方法可進一步包括圖案化薄膜的步驟，以獲取有圖案的薄膜。
[0024]包含在所述轉印結構中的支撐層可以是任何合適的支撐層，該支撐層在所述薄膜與所述薄膜接觸層接觸時，在薄膜從第一基板表面至第二基板表面的轉印期間為薄膜提供了充分的支撐。相應地，所述支撐層可以是任何合適的材料，以為薄膜提供必要的支撐。根據(jù)一個特定方面，所述支撐層可包含彈性體。例如，所述彈性體可從以下中選擇，但是不限于，聚(二甲基硅氧烷)、聚氨酯、丁二烯-丙烯腈共聚物、全氟烷氧基聚合物、聚乙烯、聚(丙烯酸乙酯)、聚異戍二烯、聚丁二烯、氯丁橡膠(polychloropene)或者它們的組合。
[0025]所述支撐層可以有合適的厚度。特別地，所述支撐層可以具有ΙΟΟμπι-1Omm的厚度。
[0026]包含在所述轉印結構中的薄膜接觸層可以是任何為了本發(fā)明目的的合適的材料。根據(jù)一個特定方面，所述薄膜接觸層可包含聚合物。例如，所述聚合物可能為但不限于，聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚二甲基硅氧烷、聚異丁烯、聚二乙烯基硅氧烷-雙苯并環(huán)丁烯樹脂、聚(苯乙烯磺酸)、聚丙烯酸、聚(烯丙基胺鹽酸鹽)、聚酰亞胺、聚四氟乙烯的共聚物以及2，2-三氟甲基-4，5-二氟-1，3-二氧化物(dioxiole)、含氟丙烯酸酯聚合物、氟代聚合物，全氟(1- 丁烯基乙烯基醚)同質共聚合體或者它們的組合。
[0027]根據(jù)一個特定方面，在步驟(b)中的薄膜與薄膜接觸層的接觸可通過范德瓦耳斯相互作用實現(xiàn)。相應地，所述薄膜接觸層應該最好有適當?shù)暮穸取＠?，所述薄膜接觸層可具有大約10 - 5000nm的厚度。
[0028]所述第一基板可以是任何合適的基板，特別地，所述第一基板可以是在其上薄膜可應用的任何合適的基板。
[0029]所述第二基板可以是任何合適的基板，特別地，所述第二基板可包含在薄膜裝置中。所述薄膜裝置可以是任何合適的裝置。例如，所述薄膜裝置可以為電子的、光電子的、光學傳感器或者熱裝置。特別地，所述薄膜裝置可以為，但是不限于，薄膜晶體管、太陽能蓄電池、發(fā)光二極管、太陽能電池或者生物傳感器。
[0030]所述第二基板可以是剛性或柔性基板，所述第二基板可以是有圖案的或沒有圖案的。
[0031]根據(jù)一個特定方面，步驟(C)中的接觸可包括施加0.01-8bar的壓力到轉印結構上。
[0032]根據(jù)一個特定方面，所述轉印結構的支撐層可在步驟(d)的移除(removing)之前或過程中被釋放。
[0033]根據(jù)第二方面，本發(fā)明提供了一種裝置，包括基板，所書基板具有根據(jù)上述方法描述的轉印到所述基板上的薄膜。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]為了使本發(fā)明能夠被完全地理解并且很容易地付諸實施，現(xiàn)在將通過非限制性(non-1 imi tat ive )示例僅以示例性實施例的方式進行描述,說明書參照所附的說明性附圖描述。在附圖中:
[0035]圖1 (A)示出了根據(jù)本發(fā)明的轉印薄膜的一般方法的流程圖；[0036]圖1 (B)是本發(fā)明一個具體實施例的示意圖；
[0037]圖2是:(A)根據(jù)本發(fā)明一個實施例的轉印結構以及(B)根據(jù)本發(fā)明一個實施例的與薄膜接觸的轉印結構的示意圖；
[0038]圖3示出在300nm的二氧化硅基板上的不同位置處的轉印石墨烯薄膜的拉曼光譜；
[0039]圖4是在300nm的二氧化硅基板上的轉印石墨烯薄膜的光學圖像；
[0040]圖5示出了在300nm的二氧化硅基板(z軸刻度為30nm)上的殘留-自由石墨烯薄膜的原子力顯微鏡(圖像)；
[0041]圖6示出了在12x12mm的硼娃玻璃基板上轉印的石墨烯薄膜(3.5x3.5mm方形，輪廓用黑線表示)的圖片；
[0042]圖7示出了在I英寸直徑的藍寶石上轉印的石墨烯薄膜(15x16mm矩形，輪廓用黑線表示)的圖片；
[0043]圖8示出了在12x12mm的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板上轉印的石墨烯薄膜(10.5x10.5mm方形)的圖片；
[0044]圖9示出了在聚[2，5-雙(3-十四烷基_2_噻吩)噻吩并[3，2_b]噻吩](PBTTT)(z軸刻度為20nm)上的顯示石墨烯薄膜的原子力顯微鏡圖像；
[0045]圖10示出了在聚乙烯二氧噻吩:聚(苯乙烯磺酸)(PEDT:PSSH)(z軸刻度為30nm)上的顯示石墨烯薄膜的原子力顯微鏡圖像；
[0046]圖11示出了在光譜純石英上的石墨烯/聚甲基丙烯酸甲酯交替堆疊薄膜的薄膜紫外可見光譜，Ca)表示轉印的單層石墨烯，(b)表示在(a)上的石墨烯/聚甲基丙烯酸甲酯的另一堆疊，(C)表示在(b)上的另一堆疊；
[0047]圖12示出了在300nm的二氧化硅基板上的2陰影蒸發(fā)4合I點金棒蒸發(fā)電極(twoshadow-evaporated4-1n_lpoint Au bar electrodes evaporated)上轉印的石墨烯薄膜的圖片；
[0048]圖13示出了具有500 μ m直徑分辨率的2x2英寸有圖案的SU-8樣板的圖片；
[0049]圖14示出了在300nm的二氧化硅基板上具有500 μ m柱直徑分辨率的有圖案的聚二甲基硅氧烷支撐層的圖片；
[0050]圖15示出了圖在單柵掃描中所獲得的轉印的石墨烯場效晶體管的轉移曲線；
[0051]圖16示出了在硅柵極上的300nm的二氧化硅柵極電介質上光刻定義的叉指式的金/鉻源-漏電極的轉印的石墨烯薄膜的圖像；
[0052]圖17示出了在陰影蒸發(fā)底部金電極上的50nm雙對氯甲基苯(BCB)薄膜上轉印的石墨烯薄膜的圖片(A)以及在陰影蒸發(fā)上部金電極上的(B) ; (C)示出了裝置的光學圖像，其中虛線限定了被轉印的石墨烯覆蓋的范圍；以及
[0053]圖18示出了在玻璃基板上的八光刻定義的金/鉻源極-漏極電極棒上鍍膜的轉印石墨烯薄膜在150nm的PS/40nm PBTTT薄膜旋片圖片；矩形參數(shù)的放大段表明穿過底層的聚苯乙烯/聚[2，5-雙(3-十四烷基-2-噻吩)噻吩并[3，2-b]噻吩]/底部金/鉻(PS/PBTTT/bottom Au/Cr)電極轉印的石墨烯的一個明顯的邊界。
【具體實施方式】[0054]示例性實施例的目的是提供一種將薄膜從它們最初沉積的基板上轉印到目標基板上的簡單方法。所述目標基板可包含于薄膜裝置中。本發(fā)明的方法提供了一種可靠的、穩(wěn)健的并且可擴展的方法來轉印薄膜。特別地，本發(fā)明方法不適用粘著層。因此，本發(fā)明的方法避免了與此類粘著層的使用相關的問題，在此類粘著層的使用中，為了將薄膜從一個基板轉印到另一個基板，轉印薄膜的方法可能依賴于粘著層的對抗(competition)。本發(fā)明的方法也允許薄膜的圖案形成。
[0055]根據(jù)第一方面，提供了一種用于將薄膜從第一基板轉印至第二基板的方法，包括步驟:
[0056](a)提供轉印結構以及提供在第一基板的表面上的薄膜，所述轉印結構包括支撐層以及薄膜接觸層，其中所述轉印結構與薄膜接觸；
[0057](b)移除所述第一基板以獲取所述薄膜與所述薄膜接觸層接觸的轉印結構；
[0058](C)用所述在步驟(b)中獲取的轉印結構接觸第二基板的表面；以及
[0059](d)移除所述薄膜接觸層。
[0060]用于將薄膜從一個基板轉印至另一個基板的方法100可通常包括如圖1 (A)所示的步驟?，F(xiàn)在將對這些步驟中的每一步進行更詳細地描述。
[0061]步驟102包括:施加(applying)薄膜至第一基板的表面上。為了本發(fā)明的目的，薄膜可包含具有原子層、分子層或者離子層厚度的薄膜。根據(jù)本發(fā)明，薄膜也可包括多個堆疊的薄膜，其中每個薄膜具有原子、分子或離子的厚度。
[0062]根據(jù)一個特定的實施例，在第一基板表面上的薄膜的厚度可以為0.1-1OOnm, 0.5_80nm, l-70nm, 2-60nm, 3-50nm, 4-40nm, 5-30nm, 6-20nm, 7_10nm。特別地，在第一基板表面上的薄膜的厚度可以為0.1-lnm。
[0063]施加于第一基板表面上的薄膜可以為任何合適的薄膜。例如，所述薄膜可選擇但是不限于:石墨烯、氮化硼(BN)、二硫化鑰(MoS2)、鑰-硫-碘(MoSI)、鑰(V)碲化物(MoTe2)、鈮(IV)碲化物(NbTe2)、硒化鎳(NiSe2)、二硫化鎢(WS2)或者它們的組合。所述薄膜也可以為金屬的、共價或離子材料的超薄薄膜，如銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鉬(Pt)、鈀(Pd )、硅(Si )、砷化鎵(GaAs )、砷化銦鎵(InGaAs )、銅銦砷化鎵(CIGS )、釔鋇銅氧(YBCO )、鈦酸鍶(SrTiO3)、碲化鎘(CdTe )、磷化銦鎵(GaInP )、氧化鋁(Al2O3)或者它們的組合。特別地，所述薄膜可以為石墨烯薄膜。
[0064]所述第一基板可以為任何合適的基板。例如所述第一基板可以為在其上薄膜沉積或生長的任何合適的基板。所述第一基板的選取可能根據(jù)沉積或生長的薄膜而不同。第一基板可以為金屬箔片、在支撐基板上的金屬薄膜、半導體基板或者離子基板。所述第一基板可以為但不限于:砷化鎵(GaAs)、藍寶石、石英、玻璃、氧化鎂(MgO)、鋁酸鑭(LaAlO3)、釹
(III)沒食子酸酯(NdGaOs)或氧化鋯。例如，當所述薄膜為石墨烯時，所述第一基板可以為但不限于:銅，鎳，釕，鈀，鉬，銥，氮化硼，鈷，或碳化硅(SiC)。如果所述薄膜為氮化鋁(A1N)，所述第一基板可以為硅(Si)。如果所述薄膜為二硫化鑰(MoS2)，所述第一基板可以為銦
(II)硒化物(InSe)。如果所述薄膜為氮化鎵(GaN)，所述第一基板可以為碳化硅(SiC)。如果所述薄膜為砷化鎵(GaAs)，所述第一基板可以為C-藍寶石。特別地，本領域的技術人員根據(jù)將要轉印的薄膜會理解使用哪一種基板作為第一基板。
[0065]可通過任何合適的方法將薄膜施加于第一基板表面。例如，將薄膜通過但不限于:靜電紡絲、旋轉涂布、電鍍、化學溶液沉積、化學蒸汽沉積、等離子體增強化學氣相沉積、原子層沉積、蒸發(fā)鍍膜、電子束蒸發(fā)、分子束外延、濺射、脈沖激光沉積、陰極電弧沉積、電流體沉積、噴墨印刷、氣溶膠噴霧、浸涂、滴鑄、物理氣相沉積、真空升華、刮漿或者它們的組合施加于第一基板表面。
[0066]一旦薄膜施加于第一基板表面，所述薄膜就與轉印結構接觸。相應的，步驟104包括:提供轉印結構以及供應在第一基板表面上的薄膜，其中所述轉印結構與薄膜接觸。步驟104可包括適形接觸轉印結構與施加于第一基板表面的薄膜。特別地，步驟104可包括將轉印結構與第一基板表面上的薄膜在分子長度尺度上進行物理接觸，以使得沒有被空氣或其他間隙隔開轉印結構的表面和薄膜。
[0067]所述轉移結構包括薄膜接觸層和支撐層。圖2(A)示出了根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施例的轉印結構200。特別地，轉印結構200包括薄膜接觸層202以及支撐層204。下面將更詳盡地描述轉印結構200、薄膜接觸層202以及支撐層204。
[0068]步驟106包括移除第一基板。步驟106中的移除可包括在蝕刻劑中溶解第一基板。為了本發(fā)明的目的，可在蝕刻劑中使用任何適當?shù)娜軇?。特別地，所述包含于蝕刻劑中的溶劑可根據(jù)第一基板選取。為蝕刻劑選擇哪一種溶劑對于本領域的技術人員是顯而易見的。用來作為蝕刻劑的適當?shù)娜軇┑氖纠稍诮饘傥g刻的CRC手冊，佩蘭沃克和威廉二世潭，1991 (CRC Handbook of Metal Etchant, Perrin Walker and William H Tan, 1991)(CRC Press, Boca Raton Florida, USA)中找到。所述蝕刻劑可包括水基(water-based)或有機類溶劑。例如，所述蝕刻劑可包括，但是不限于，硝酸(HN03)、氯化鐵(FeC13)、鐵(III)硝酸鹽(FeN03)、氯化鐵與鹽酸(ferric chloride with hydrochloric acid)、過硫酸銨[(NH4) 2S208]，或者它們的組合。
[0069]一旦第一基板被例如通過被溶解或被刻蝕掉而移除，所述薄膜不會變得自由浮動。相反地，薄膜與轉印結構的薄膜接觸層接觸。因此，制得了薄膜與薄膜接觸層112接觸的轉印結構，如圖2(B)所示。
[0070]根據(jù)步驟108，具有與薄膜接觸層112接觸的薄膜的轉印結構然后與第二基板的表面接觸。步驟108可包括適形接觸具有與薄膜接觸層112接觸的薄膜的轉印結構和第二基板的表面。特別地，步驟108可包括:在第二基板的表面上的精確的預定位置處，與具有與薄膜接觸層112接觸的薄膜的轉印結構適形接觸。
[0071]所述第二基板可以為任何合適的基板。所述第二基板可以為目標基板。特別地，所述基板可以為薄膜最終被轉印至的基板。所述第二基板可以為任何包含無機的、聚合的、金屬的或者半導體薄膜的基板。所述第二基板可以為有圖案的或無圖案的。因此，第二基板可包括預制圖案的地形學上的(topographic)、結構的或者電氣的元件，對這些元件來說，薄膜轉印是需要的。所述第二基板可以為塑料箔，金屬箔、硅、無機半導體晶片、氧化硅、熔融二氧化硅、玻璃、氧化鋁、氧化銦錫。所述第二基板可以為氧化物或硫化物材料。第二基板可以為共價或離子的固體。例如，所述薄膜裝置可以為薄膜晶體管、太陽能蓄電池、電容器、發(fā)光二極管或者生物傳感器。所述第二基板可以為如玻璃、硅或其他氧化物基板的剛性基板，或者為如塑料的或金屬箔的柔性基板。
[0072]例如，所述第二基板可包含于薄膜裝置中。所述薄膜裝置可以為其中需要薄膜的任何裝置。例如，所述薄膜裝置可以為，但不限于為，電子的、光電子的、光傳感器、電容器、能量儲存裝置或熱裝置。
[0073]在步驟108的接觸之前，薄膜將要轉印到其上的第二基板的表面可以被清洗?？梢允褂萌魏魏线m的清洗方法。特別地，所述第二基板的表面應該沒有化學以及微粒的污染物。
[0074]在步驟108的接觸期間，可施加一個較小的壓力以確保轉印結構112和第二基板表面之間的適形接觸。例如，步驟108的接觸可包括在轉印結構112上施加0.01-8bar的壓力。特別地，步驟 108 可包括施加 0.05-7bar、0.l_6bar、0.5_5bar、l_4bar、1.5_3bar、2-2.5bar的壓力。更特別地，在步驟108中施加的壓力可以為0.0l-1bar或0.01-0.1bar。也可應用真空以確保轉印結構112和第二基板表面之間的適形接觸。也可應用合適時間的溫和加熱?？梢栽谌魏魏线m的溫度加熱。例如可以在40-120°C、50-100°C、75-9(rC、80-85°C的溫度加熱。加熱可執(zhí)行5分鐘-12小時、10分鐘-10小時、30分鐘-8小時、1_5小時、2_4小時。為了檢查在轉印結構112和第二基板之間是否有適形接觸，可執(zhí)行視覺的或光學的檢查。例如，如果轉印結構112與第二基板適形接觸，接觸面的反射率可以是最小的。
[0075]一旦轉印結構112與第二基板的表面接觸，在步驟110中轉印結構112與第二基板可被放置在溶劑中以移除薄膜接觸層。例如，步驟110中的移除可包括在溶劑中溶解薄膜接觸層。步驟110中用于移除的溶劑可以為任何為了本發(fā)明目的的合適的溶劑。例如，步驟110中用于移除的溶劑可以基于薄膜接觸層。在步驟110中選擇哪一種溶劑來移除薄膜接觸層對于本領域的技術人員是顯而易見的。例如，步驟110中用于移除的溶劑可包括水基或有機類溶劑。合適的溶劑的例子有，但不限于，烴類溶劑、氟代烴溶劑、氯化溶劑、非氯化溶劑、醇類溶劑或它們的組合。
[0076]步驟110可包括在一定溫度下加熱溶劑合適的時間?？梢栽谌魏魏线m的溫度加熱。例如，可以在40-120°C、50-100°C、75-9(rC、80-85°C的溫度加熱。加熱可執(zhí)行10秒鐘-1小時、10秒鐘-30分鐘、30秒鐘-15分鐘、1-10分鐘。
[0077]根據(jù)一個具體的實施例，在步驟110期間，薄膜接觸層被溶解在溶劑中，因此與轉印結構112的薄膜接觸層接觸的薄膜被釋放到基板的表面上，以提供應用于第二基板表面上的薄膜116。于是轉印結構的支撐層也分別被釋放。
[0078]根據(jù)一個可選的實施例，支撐層可在移除的步驟110之前從轉印結構112剝離。當支撐層被剝離時，與薄膜接觸層接觸的薄膜被釋放到基板的表面上。隨后，根據(jù)步驟110，薄膜接觸層可被移除以獲取在其表面具有薄膜的第二基板。對于這個可選的實施例，對于本領域的技術人員來說，薄膜接觸層可以為合適的厚度以能夠支撐薄膜是顯而易見的。
[0079]從第一基板轉印至第二基板的薄膜可以為有圖案的或者沒有圖案的。當薄膜是沒有圖案的時，方法100可進一步包括使薄膜形成圖案的步驟。特別地，方法100可在步驟104的提供之前或之后進一步包括薄膜形成圖案的步驟。可使用任何合適的形成圖案的方法來使薄膜形成圖案。例如，薄膜可通過刻蝕、平板印刷形成圖案，如光學深紫外光光刻技術，X射線光刻或電子束光刻。
[0080]根據(jù)一個具體的實施例，在步驟104的提供之前使薄膜形成圖案。因此方法100在步驟102的應用之后包括形成圖案的步驟?？墒褂萌魏魏线m的方法使施加在第一基板上的薄膜形成圖案。例如，在應用轉印結構之前，當薄膜在第一基板的表面時，可通過標準的光刻方法使薄膜形成圖案。[0081]根據(jù)另一個具體實施例，在步驟104的提供之后使薄膜形成圖案。在這種情況下，支撐層可充當蝕刻掩模，所述蝕刻掩模保護薄膜的接觸區(qū)域不形成圖案，如蝕刻。在這種方式中，薄膜的圖案可自對準支撐層的接觸區(qū)域。在步驟104的提供之后使薄膜形成圖案的方法的示例如圖1(B)的c)和d)所示。在圖1(B)中，薄膜被標記為“二維層狀材料”，薄膜接觸層202被標記為“S層”以及支撐層204被標記為“E層”。在圖1(B)的c)中，轉印結構的支撐層被形成圖案。因此，與施加在第一基板表面上的薄膜適形接觸的轉印結構以及薄膜，使用支撐層作為蝕刻掩模經(jīng)受氧氣電漿的刻蝕。在這種方式中，暴露的薄膜接觸層以及薄膜被氧氣電漿刻蝕以形成如圖1(B)的d)所示的有圖案的薄膜。不同于氧氣電漿的其他形成圖案的方法也可用于使薄膜形成圖案，這對于本領域的技術人員是顯而易見的。
[0082]根據(jù)一個具體的實施例，將薄膜從第一基板轉印至第二基板的方法如圖1(B)所示。特別地，在a)中提供了在其表面上施加二維薄石墨烯薄片的第一銅基板。所述石墨烯薄片可通過任何合適的方法沉積在銅基板表面上，例如化學蒸汽沉積。在b)中稱為S層的膜接觸層在石墨烯薄膜上是靜電紡的。如c)所示被稱為E層的支撐層然后與薄膜接觸層適形接觸。支撐層如c)中所示的形成圖案。隨后，石墨烯薄膜通過將薄膜接觸層以及石墨烯薄膜暴露于氧氣電漿而形成圖案。在薄膜接觸層以及石墨烯薄膜在氧氣電漿中刻蝕期間，支撐層充當蝕刻掩模。一旦石墨烯薄膜形成圖案，所述銅基板被溶解在合適的刻蝕劑中，如d)中所示。一旦銅基板被溶解，石墨烯薄膜與支撐層以及薄膜接觸層適形接觸，從而轉印至包含薄膜接觸層和支撐層的轉印結構上。石墨烯薄膜不自由浮動，相反通過薄膜接觸層支撐到支撐層上，如e)中所示。與薄膜接觸層和支撐層接觸的石墨烯薄膜然后與第二目標基板的清洗表面適形接觸并且對齊到第二目標基板上的預定位置，如f)中所示。第二目標基板的表面被預先清洗，以沒有化學以及微粒污染物。在石墨烯薄膜與第二目標基板的表面的接觸期間，施加大約0.1bar的較小的壓力以確保實現(xiàn)適形接觸。為了轉印石墨烯薄膜至第二目標基板的表面，整個集合(assembly)然后被放置在合適的釋放溶劑中。所述釋放溶劑溶解薄膜接觸層，因此釋放石墨烯薄膜至第二目標基板的表面上。相應地，支撐層也被釋放。在第二目標基板的支撐層上的轉印的石墨烯薄膜如g)中所示。
[0083]可以看出將薄膜從一個基板轉印至另一個基板的方法不需要薄膜的剝離、彎曲、拉伸或者變形。相應地，在轉印過程中薄膜將不會是變形的或者破裂的。轉印薄膜的完整性可通過拉曼光譜學、顯微鏡學以及場效應遷移率的測量方法確定。本發(fā)明的方法是穩(wěn)健的并且可用于在無污染方式中自由地從一個基板至另一個基板將大規(guī)模的薄膜進行轉印以及形成圖案。
[0084]另外，本發(fā)明的方法不需要粘著劑的使用。特別地，薄膜接觸層不是粘著層，因此在轉印脫離粘著層之前，該方法不需要附著薄膜至第一粘著層。因為本方法沒有使用粘著齊U，本方法是清潔的并且防止薄膜損壞。特別地，本發(fā)明的方法避免了在轉印期間與通過薄膜的競爭附著力、污染、機械完整性缺失引起的轉印薄膜相關的問題，并且避免了基質的不相容性。
[0085]如上所述，本發(fā)明的方法每一步都不涉及可能引起薄膜變形、拉伸或彎曲的剝離、漂浮或其他變形，這些會導致薄膜的損壞以及破裂。因此，本發(fā)明方法提供了一種可再生的并且通用的方法來轉印包括單層和多層的具有高完整性的薄膜。
[0086]本發(fā)明的方法也不需要載體膜的使用，載體膜易受應力與變力的影響，如在薄膜轉印期間的拉伸、彎曲以及變形。也不需要化學蝕刻來釋放薄膜到第二基板上。因此，本發(fā)明的方法可被用于轉印薄膜至所有類型的基板而無論基板是否具有預制圖案的特征，包括金屬箔，如聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酯、聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇以及聚苯乙烯的塑料，玻璃，二氧化硅，硅，無機氧化物，半導體表面。
[0087]本發(fā)明的方法也可以通過按照在第二基板上期望的層數(shù)的要求重復該方法若干次而應用于在第二基板上的薄膜的重復分層。
[0088]也提供了一種包含基板的裝置，該基板具有根據(jù)方法100轉印至該基板表面的薄膜。所述裝置可以為任何合適的裝置。例如，所述裝置可以為電子的、光電子的、光學傳感器、電容器、儲能膜或熱裝置。例如，所述裝置可以為薄膜晶體管、發(fā)光二極管、太陽能蓄電池、超薄電容器或者生物傳感器。
[0089]轉印結構200
[0090]現(xiàn)在將詳細描述如圖2(A)所示的轉印結構200的組成。如上所述，轉印結構200包括薄膜接觸層202以及支撐層204。
[0091]薄膜接觸層202
[0092]當轉印結構200與施加于第一基板表面上的薄膜接觸以提供根據(jù)方法100的步驟104的轉印結構和薄膜時,轉印結構200的薄膜接觸層202可與薄膜適形接觸。
[0093]薄膜接觸層202可以為任何合適的材料。特別地，根據(jù)本發(fā)明的薄膜接觸層202可以為在步驟106的第一基板溶解期間能夠為薄膜提供充分支撐的任何層。薄膜接觸層202可調整支撐層204和第二基板之間的適形接觸。薄膜接觸層202也可被移除以釋放，從而轉印薄膜至第二基板的表面上。例如，薄膜接觸層202可以被溶解以釋放薄膜至第二基板的表面上。
[0094]薄膜接觸層202可以為任何合適的材料，這些材料兼容:用于移除第一基板的在刻蝕劑中的溶劑、第二基板以及薄膜。薄膜接觸層202可以是這樣的，在隨后的移除步驟中它可以完全地或幾乎完全地移除，從而將薄膜轉印至第二基板的表面上。隨后的移除步驟可包括溶解薄膜接觸層202。
[0095]根據(jù)一個具體的實施例，在步驟104的提供期間當薄膜接觸層與薄膜接觸時,薄膜接觸層202與薄膜形成范德瓦爾斯引力(van der Waals bonds)。在轉印結構200的薄膜接觸層202與薄膜之間形成的范德瓦爾斯引力，在步驟106的移除(removing)期間可提供足夠的粘著力來防止薄膜自身從轉印結構200脫離。
[0096]薄膜接觸層202可包括聚合物或樹脂材料。所述聚合物可以為非晶態(tài)聚合物。薄膜接觸層202可包括聚合物或樹脂。例如薄膜接觸層202可以為，但不限于，聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚異丁烯(PIB)或二乙烯基硅氧烷-雙苯并環(huán)丁烯(DVS-BCB)樹脂。這些聚合物可以在普通有機溶劑中具有良好的溶解性，所述有機溶劑如甲苯，二甲苯，氯仿，丙酮，環(huán)己烷，己烷，均三甲苯和正癸烷。另外，這些聚合物可以與水基蝕刻劑溶劑兼容，所述水基蝕刻劑溶劑可用于步驟106中移除第一基板以及與可能不能在有機溶劑中溶解的第二基板一起使用。
[0097]薄膜接觸層202可以為聚合電解質，如聚(苯乙烯磺酸)(styrene sulfonicacid),聚(苯乙烯)(styrenesulfonate),聚丙烯酸(polyacrylic acid),聚丙烯酸酯(polyacrylate),或聚(烯丙胺鹽酸鹽)(allylamine hydrochloride)。這些聚合電解質可適用于步驟110使用的非水基溶解浴以移除薄膜接觸層202以及適用于與水兼容的第二基板。
[0098]薄膜接觸層202可以為光致抗蝕劑材料，例如聚酰亞胺，環(huán)氧樹脂或酚醛清漆型抗蝕劑，如SU-8。
[0099]薄膜接觸層202可以為碳氟基聚合物(fluorocarbon-based polymer)。碳氟基聚合物可以溶解在含氟溶劑中，因此既可以與水兼容，又可以與步驟106中溶解第一基板的用作刻蝕劑的有機基溶劑(organic-based solvents)兼容。這種碳氟基聚合物通常也可與用作第二基板的材料兼容，并且對于薄膜可以是惰性的。所述碳氟基聚合物可以為其中任何一種，但不限于，四氟乙烯和2，2-雙三氟甲基-4，5- 二氟-1，3- 二氧化物(dioxiole)的共聚物(例如，聚四氟乙烯(Teflon)AF2400、AF1601、AF1300)、四氟乙烯和
2,2, 4-三氟-5-三氟甲氧基(trilfuoromethoxyl) 1-1, 3- 二氧雜環(huán)戍烯的共聚物(例如，Hyflon AD)、氟化的甲基丙烯酸酯聚合物,氟化丙烯酸酯聚合物(例如，安眠酮(Certonal)FC732 (Acota)、氟化聚合物(FluoroPel) PFC500 以及 600 系列(Cytonix)、FluorArcyl 系列(Cytonix)、安眠酮(Certonal) FC722 (Acota)以及安眠酮(Certonal) FC746 (Acota))、全氟(1- 丁烯基乙烯基醚)均共聚物(例如，氟聚合物(Cytop) A型、M型和S型)、全氟(二氧戊環(huán))共聚物、全氟(二氧戊環(huán))與全氟乙烯基醚的共聚物或它們的組合。
[0100]碳氟基聚合物可溶于碳氟化合物溶劑中，所述碳氟化合物溶劑如:如全氟己烷(全氟三丁胺 FC-72，3M) (Fluorinert FC-72，3M)、全氟(二 甲基環(huán) 丁烷)(KCD9445，杜邦)(KCD9445，Du Pont)以及全氟(甲基)(Flutec PP1C，羅納-普朗克公司)(FlutecPP1C, Rhone-Poulenc)的全氟烴類；如全氟(2-丁基四氫呋喃)(全氟三丁胺(Fluorinert)FC-75，3M)的全氟醚；如全氟-正-丁胺(全氟三丁胺FC-43，3M)的全氟胺，或如丙烯，1，1，2，3，3，3-全氟丁二烯，氧化，聚合的(熱傳導液HT200，蒙特公司)(Galden HT200，Ausimont)或丙烯，1，I, 2，3，3，3-全氟丁二烯,氧化,聚合的(熱傳導液HT135,蒙特公司)(Galden HT135,Ausimont)的全氟聚醚，或鹵化烴，其可以與大部分第二基板以及可能在第二基板上形成的圖案兼容。
[0101]碳氟基聚合物以及它們的溶劑也具有低固有表面張力，這極大地幫助了薄膜的潤濕。碳氟化合物溶劑也不使可能存在于第二基板上的非含氟聚合物薄膜、有機半導體、印刷金屬納米墨水(nanoinks)、旋涂玻璃材料、光致抗蝕劑材料(如聚酰亞胺、聚醚、酹醒清漆(novalak))膨脹。
[0102]根據(jù)一個具體實施例，碳氟基聚合物可保持粘附于薄膜上，甚至在步驟110中薄膜接觸層202被移除之后，從而在薄膜上形成自組裝(self-assembly)單分子層。
[0103]反應性聚合物可能不適合用作薄膜接觸層202。這是因為這些聚合物可能包含酸基團或自由基生成基團，并且可能保持粘附于薄膜上，甚至在步驟Iio中薄膜接觸層202被移除之后，從而污染薄膜。
[0104]根據(jù)一個具體實施例，當薄膜為石墨烯時，薄膜接觸層202可以為，但不限于，聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚異丁烯、聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、二乙烯基硅氧烷-雙苯并環(huán)丁烯樹脂或聚二甲基硅氧烷。在下方的表I中提供了合適的溶劑，所述溶劑可用于步驟110的移除(removing)的不同的薄膜接觸層202。
【權利要求】
1.一種將薄膜從第一基板轉印至第二基板的方法，包括步驟: Ca)提供轉印結構以及提供在第一基板的表面上的薄膜，所述轉印結構包括支撐層以及薄膜接觸層，其中所述轉印結構與所述薄膜接觸； (b)移除所述第一基板以獲取所述薄膜與所述薄膜接觸層接觸的轉印結構； (c)將在所述步驟(b)中獲取的所述轉印結構接觸第二基板的表面；以及 (d)移除所述薄膜接觸層。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述薄膜為一個或多個薄膜，每一個薄膜具有原子層、分子層或者離子層的厚度。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的方法，其中所述支撐層在步驟(d)的移除之前或期間被釋放。
4.根據(jù)前述任一權利要求所述的方法，其中所述薄膜是選自于集合，所述集合包括:石墨烯、氮化硼(BN)、二硫化鑰(MoS2)、鑰-硫-碘(MoSI)、鑰(V)碲化物(MoTe2)，鈮(IV)碲化物(NbTe2)、硒化鎳(NiSe2)、二硫化鎢(WS2)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、硅(Si)、砷化鎵(GaAs)、砷化銦鎵(InGaAs)、銅銦砷化鎵、釔鋇銅氧、鈦酸鍶(SrTiO3)、碲化鎘(CdTe)、磷化銦鎵(GalnP)、氧化鋁(Al2O3)以及它們的組合。
5.根據(jù)前述任一權利要求所述的方法，其中所述薄膜是有圖案的。
6.根據(jù)前述任一權利要求所述的方法，其中所述支撐層包括彈性體。
7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中所述彈性體選自于集合，所述集合包括:聚(二甲基硅氧烷)、聚氨酯、丁二烯-丙烯腈共聚物、全氟烷氧基聚合物、聚乙烯、聚(丙烯酸乙酯)、聚異戍二烯、聚丁二烯、聚氯丁烯(polychloropene)以及它們的組合。
8.根據(jù)前述任一權利要求所述的方法，其中所述支撐層是有圖案的。
9.根據(jù)前述任一權利要求所述的方法，其中所述支撐層具有IOOym-1Omm的厚度。
10.根據(jù)前述任一權利要求所述的方法，其中當所述薄膜與所述薄膜接觸層接觸時，在將薄膜從所述第一基板的表面轉印到所述第二基板的表面期間，所述支撐層為所述薄膜提供支撐。
11.根據(jù)前述任一權利要求所述的方法，其中所述薄膜接觸層包括聚合物。
12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中所述聚合物選自于集合，所述集合包括:四氟乙烯和2，2-二三氟甲基-4的聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚二甲基硅氧烷、聚異丁烯、聚二乙烯基硅氧烷-雙苯并環(huán)丁烯樹脂、聚(苯乙烯磺酸)、聚丙烯酸、聚(烯丙基胺鹽酸鹽)、聚酰亞胺，共聚物1，5- 二氟-1，3- 二氧化物(dioxiole)、氟化甲基丙烯酸酯聚合物、含氟聚合物、全氟(1-丁烯基乙烯基醚)同質共聚合體以及它們的組合。
13.根據(jù)前述任一權利要求所述的方法，其中所述薄膜接觸層具有10- 5000nm的厚度。
14.根據(jù)前述任一權利要求所述的方法，其中所述薄膜與所述薄膜接觸層的接觸是通過范德瓦耳斯相互作用實現(xiàn)的。
15.根據(jù)前述任一權利要求所述的方法，其中所述薄膜通過以下方法被提供在所述第一基板的表面上，所述方法包括靜電紡絲法、旋涂、電鍍、化學溶液沉積、化學氣相沉積、等離子體增強化學氣相沉積、原子層沉積、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、分子束外延、濺射、脈沖激光沉積、陰極電弧沉積、沉積電流體動力、噴墨印刷、氣溶膠噴涂、浸涂、滴鑄、物理氣相沉積、真空升華、刮涂以及它們的組合。
16. 根據(jù)前述任一權利要求所述的方法，其中所述第二基板為剛性或柔性基板。
17.根據(jù)前述任一權利要求所述的方法，其中所述第二基板是有圖案的。
18.根據(jù)前述任一權利要求所述的方法，進一步包括在所述步驟(a)的提供之前或之后在薄膜上形成圖案的步驟。
19.根據(jù)前述任一權利要求所述的方法，其中步驟(c)中的所述接觸包括在所述轉印結構上施加0.01-8bar的壓力。
20.根據(jù)前述任一權利要求所述的方法，其中所述第二基板包含在薄膜裝置中。
21.一種裝置，包括基板，所述基板具有根據(jù)權利要求1-19任一所述的方法轉印到所述基板表面的薄膜。
【文檔編號】H01L21/00GK103620733SQ201280031744
【公開日】2014年3月5日 申請日期:2012年5月23日 優(yōu)先權日:2011年5月23日
【發(fā)明者】蔡蕾蕾, 霍彼得, 方瑞琪, 金方宇, 宋杰, 王洛阮, 卓晶梅, 羅建平, 林巨強 申請人:新加坡國立大學