靜電夾具的制作方法
【專利摘要】本文提供靜電夾具的實施方式。在一些實施方式中，用于固定基板的靜電夾具包括：底板；陶瓷板，陶瓷板由所述底板支撐，陶瓷板具有基板支撐表面；多個第一電極，所述多個第一電極設(shè)置于陶瓷板內(nèi)，所述多個第一電極具有第一極性；以及多個第二電極，所述多個第二電極設(shè)置于陶瓷板內(nèi)，所述多個第二電極具有與第一極性相反的第二極性，其中多個第一電極與多個第二電極是獨立可控的以提供所期望的夾持功率與頻率。
【專利說明】靜電夾具
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明的實施方式大體涉及用于支撐基板的靜電夾具。
【背景技術(shù)】
[0002]靜電夾具可被用來固定基板至基板支撐件，所述基板將被處理。靜電夾具的元件可包括電極與溝槽(groove)，電極固定基板，溝槽設(shè)置在靜電夾具的表面中以提供背側(cè)氣體(back side gas)至基板背側(cè)表面。
[0003]典型的靜電夾具可包括提供強夾持(chucking)力的電極，但在卸夾持時無法為部分夾持提供控制。另外，這些電極能從一端到另一端產(chǎn)生不均勻的夾持力。此外，在一些具有溝槽的靜電夾具中，在基板的中心與邊緣的降溫速率可能是不適當(dāng)?shù)摹４送?，可在基板下方的氣體溝槽中看到電弧放電。靜電夾具的這些元件可影響基板的處理。因此，本文提供改進的靜電夾具設(shè)計。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]在此提供靜電夾具的實施方式。在一些實施方式中，用于固定基板的靜電夾具包括:底板(base plate);陶瓷板，陶瓷板由底板支撐，陶瓷板具有基板支撐表面；多個第一電極，所述多個第一電極設(shè)置于陶瓷板內(nèi)，所述多個第一電極具有第一極性；以及多個第二電極，所述多個第二電極設(shè)置于陶瓷板內(nèi)，所述多個第二電極具有與第一極性相反的第二極性，其中所述多個第一與第二電極是獨立可控的，以提供所期望的夾持功率與頻率。。
[0005]在一些實施方式中，一種靜電夾具包括:底板；陶瓷板，陶瓷板由底板支撐，陶瓷板具有基板支撐表面；至少一個電極，所述至少一個電極設(shè)置于陶瓷板內(nèi)；以及多個溝槽，所述多個溝槽形成于陶瓷板的基板支撐表面中，其中所述多個溝槽包含一個或更多個環(huán)形溝槽、一個或更多個徑向溝槽、以及一個或更多個非徑向偏移溝槽(non-radial offsetgroove)，所述一個或更多個環(huán)形溝槽圍繞陶瓷板的中心軸同軸地設(shè)置，所述一個或更多個徑向溝槽流體連接至所述一個或更多個同軸環(huán)形溝槽，所述一個或更多個非徑向偏移溝槽流體連接至所述一個或更多個同軸環(huán)形溝槽。
[0006]在一些實施方式中，一種用于處理基板的裝置包括:腔室，腔室界定處理區(qū)域；靜電夾具，靜電夾具用于將基板固定于處理區(qū)域中，靜電夾具包含底板、陶瓷板、多個電極、多個溝槽，陶瓷板由底板支撐，陶瓷板具有基板支撐表面，多個電極設(shè)置于陶瓷板內(nèi)，其中多個電極的每一電極都是單獨可控的，多個溝槽形成于陶瓷板的基板支撐表面中，其中多個溝槽包含一個或更多個環(huán)形溝槽、一個或更多個徑向溝槽以及一個或更多個非徑向偏移溝槽；以及多個電源，每一個電源都耦接至多個電極中的相應(yīng)電極以使得每一個電極都是獨立受控的。
[0007]本發(fā)明的其它和進一步的實施方式描述于下文。
【專利附圖】

【附圖說明】[0008]能通過參考描繪于各附圖中的本發(fā)明的說明性的實施方式來理解上文簡要概述的且下文更加詳細論述的本發(fā)明的實施方式。然而，應(yīng)注意，附圖僅描繪本發(fā)明的典型實施方式，且因此附圖不應(yīng)被視為對本發(fā)明的范圍的限制，因為本發(fā)明可允許其他等同效果的實施方式。
[0009]圖1示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施方式的基板支撐件的側(cè)視示意圖。
[0010]圖2示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施方式的靜電夾具的側(cè)視示意圖。
[0011]圖3示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施方式的面對靜電夾具表面的在基板中的溝槽的從上往下的示意視圖。
[0012]圖4A-B示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施方式的在靜電夾具中的電極的從上往下的示意視圖。
[0013]為便于理解，盡可能使用相同的標(biāo)記數(shù)字來表示各附圖所共有的相同元件。附圖未按比例繪制且可為了清楚而簡化。需了解的是一個實施方式的元件和特征可有利地并入其他實施方式中而不需進一步詳述。
【具體實施方式】
[0014]本文提供靜電夾具的實施方式。本發(fā)明的裝置可，例如，比如通過限制在基板支撐件的各元件與等離子體之間的電弧放電和/或通過可控制地調(diào)整由靜電夾具向設(shè)置在所述靜電夾具上的基板的區(qū)域提供的夾持功率的量來有利地提供被改良的基板處理。另外，所述靜電夾具可被安裝以使得所述靜電夾具可以是可拆卸的和/或可更換的。在一些實施方式中，基板支撐件可在低溫下使用，例如，溫度范圍從約-40至約250攝氏度。在一些實施方式中，基板支撐件可與直徑大于約400毫米的基板一起使用。其他和進一步的優(yōu)點論述于下文。
[0015]圖1示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施方式的基板支撐件100的側(cè)視示意圖。如圖1中所示，基板支撐件100配置在裝載位置(loading position)以接收或移除基板101。例如，如圖1中所示，在裝載位置，基板101可安置在基板支撐件100上方的多個舉銷(liftpin) 103上?；逯渭?00可被設(shè)置在處理腔室中(腔室壁102的剖視圖在圖1中示出)。處理腔室可以是任何合適的基板處理腔室。
[0016]基板支撐件100可包括主體104。主體104可具有內(nèi)部容積106和外部容積113。內(nèi)部容積106可與處理腔室的處理容積108隔開。內(nèi)部容積106可保持在，例如，約14.7磅每平方英寸(Psi)的氣氛下，或保持在惰性氣氛下，比如氮(N2)或類似氣氛。內(nèi)部容積106進一步與任何可能存在于處理腔室的內(nèi)部容積106中的氣體隔離，且進一步誒被保護免于接觸任何可能存在于處理腔室的內(nèi)部容積106中的氣體。處理容積108可保持在大氣壓或低于大氣壓的壓強下。外部容積可對處理容積108開放且可被用作對舉銷103的通過容積。例如，基板支撐件100可在上舉銷孔107處和下舉銷孔109處圍繞通過舉銷103 (這些舉銷103是固定的)，這些上舉銷孔107設(shè)置在靜電夾具110內(nèi)且下舉銷孔109設(shè)置在主體104內(nèi)。
[0017]內(nèi)部容積106可由靜電夾具110以及饋通(feedthrough)結(jié)構(gòu)111封閉，靜電夾具110在主體104的上端105處，饋通結(jié)構(gòu)111可被焊接或銅焊(braze)至主體104的下開口 114。例如，如圖1-2中所示，多個O形環(huán)115可設(shè)置在主體104的外壁119和內(nèi)壁121的每一者與靜電夾具Iio之間。如圖1-2中所示，外部容積113可形成于內(nèi)壁119和外壁121之間。例如，如圖1中所示，波紋管(bellows) 112可圍繞饋通結(jié)構(gòu)111的至少一部分且將處理容積108與腔室外部以及內(nèi)部容積106隔開。波紋管112可提供柔性部分，以方便基板支撐件100的運動，波紋管112亦可提供途徑以用于提供氣體、電功率、冷卻劑及類似物至基板支撐件100。氣體、電功率、冷卻劑及類似物可由饋通結(jié)構(gòu)111提供。如圖1中所示，饋通結(jié)構(gòu)111可包括固定裝置123，固定裝置123用于在內(nèi)部容積106中從饋通結(jié)構(gòu)111提供單獨的氣體管線、電力管線和冷卻劑管線。固定裝置123可被利用來分隔各個氣體管線、電力管線和冷卻劑管線，并且可包括任何適用于分隔各個氣體管線、電力管線和冷卻劑管線的材料。雖然在圖1中示出將固定裝置123安置于主體104上，但固定裝置123可設(shè)置在任何合適的位置，比如在饋通結(jié)構(gòu)111內(nèi)或類似位置。
[0018]波紋管112可在下開口 114處，例如，通過焊接或銅焊而被耦接到主體104。波紋管112的相對下端116可被耦接到腔室壁102中的開口 118。例如，如圖1中所示，波紋管112的下端116可包括凸緣117，凸緣117可通過O形環(huán)119或銅墊片或類似物耦接至腔室壁102。O形環(huán)119可設(shè)置在溝槽中，所述溝槽在腔室壁102的面對處理容積的表面上。波紋管112耦接至主體104以及腔室壁102的其他方式和其他設(shè)計是可能的。
[0019]靜電夾具110可包括陶瓷板120和底板122。如圖1中所示，陶瓷板120可安置于底板122上且底板可固定到主體104的上端105。陶瓷板120可包括任何合適的陶瓷材料，比如氮化鋁(A1N)，氧化鋁(Al2O3),或被摻雜的陶瓷，比如鈦摻雜的氧化鋁，鈰(ceria)、釤摻雜的氮化鋁或類似物。如圖1中所示，陶瓷板120可包括多個溝槽124，這些溝槽124形成在陶瓷板120的基板支撐表面中。溝槽可用于，例如，提供背側(cè)氣體至基板101的背側(cè)表面。在下文中針對圖3更詳細地論述這些溝槽。陶瓷板120可進一步包括多個電極126，其中可使用多個電極126將基板101固定在靜電夾具110的處理表面128上。在下文中更詳細地論述電極126且于圖4A-B中示出電極126。底板122可包括鑰(Mo)、鋁(Al)、鈦(Ti)、碳化硅-硅鋁合金復(fù)合物或類似物之一或更多。
[0020]如圖2中所示，底板122可由多個緊固件200固定至主體104的上端105。這種緊固的方法可允許靜電夾具110從基板支撐件100拆離，以用于諸如維修、更換、或類似的情況。
[0021]例如，緊固件200可為如圖2中所示的螺釘、螺栓或類似物。例如，緊固件可用于在底板122與主體104的上端105之間壓擠O形環(huán)(比如O形環(huán)115)、墊片或類似物，以形成密封。緊固件200可設(shè)置于底板122周圍，例如，比如均勻地間隔開以在底板122與上端105之間提供均勻的密封。在一些實施方式中，使用的緊固件200的數(shù)目可以是大約二十四。
[0022]在一些實施方式中，緊固件200可被至少部分地嵌入于底板122，如圖2中所示。例如，底板122可包括多個沉孔開口(counter bored opening) 202以至少部分地讓緊固件200嵌入。如圖2中所示，每個沉孔開口 202都讓每個緊固件200部分地嵌入，以使得每個緊固件的頭部204都可在底板122上方部分地延伸。例如，在一些實施方式中，每一個緊固件的頭部204都可在底板122上方向上延伸達約2毫米。這些緊固件可包括任何合適的材料，比如不銹鋼、鈦(Ti)或類似材料的一個或更多個。
[0023]在一些實施方式中，靜電夾具110可包括沉積環(huán)206，沉積環(huán)206設(shè)置于陶瓷板120周圍且覆蓋底板122的暴露部分的至少一些，如圖2中所示。如圖2中所示，間隙201存在于陶瓷板120與沉積環(huán)206之間。然而，間隙201可以是可選的，并且在一些實施方式中，沉積環(huán)206可接觸陶瓷板120。沉積環(huán)206可包括氧化鋁(A1203)、碳化硅(SiC)、不銹鋼、鈦(Ti)或類似物的一個或更多個。沉積環(huán)206可用于在基板處理期間保護緊固件200、底板122的暴露部分或類似物免于損壞或防止材料沉積到這樣的表面上。例如，等離子體損傷可包含電弧放電或類似物。
[0024]如圖2中所示，沉積環(huán)206可具有表面輪廓，所述表面輪廓大致平坦且當(dāng)基板101被設(shè)置在靜電夾具110的處理表面128上的處理位置時，所述表面輪廓在基板101的水平面下方?；蛘?，(未示出)，沉積環(huán)206可具有傾斜輪廓，比如靠近基板101的外圍邊緣較厚且靠近底板122的外圍邊緣較薄。例如，傾斜的輪廓可減少污染物、處理材料或類似物在沉積環(huán)206上的積累。另外，沉積環(huán)206可包括特征212，特征212設(shè)置在沉積環(huán)206的下表面的位置中以容納緊固件200的頭部204，以使得沉積環(huán)206的下表面能接觸底板122。例如，特征212可以是溝槽，或多個凹槽或狹槽(slot)，特征212被配置以容納緊固件200的頭部204。
[0025]在一些實施方式中，沉積環(huán)206可通過多個緊固件208被緊固至底板122。緊固件208可以是例如螺釘、螺栓或類似物，如圖2中所示。類似于緊固件200，每個緊固件208都可通過沉孔開口 210至少部分地嵌入沉積環(huán)206的表面中。緊固件208在圖2中以重像圖(ghosted view)示出以顯示可在基板支撐件100周圍在與緊固件200相比相似的徑向長度處，但與緊固件200相比不同的徑向位置處設(shè)置緊固件208。例如，緊固件208可包括任何合適的材料，比如不銹鋼、鈦(Ti)或類似材料之一或更多。
[0026]如圖2中所示，氣源(例如，下文論述的且圖1中示出的氣源130)可通過中心氣體管線217耦接到多個溝槽124。在一些實施方式中，中心氣體管線217可通過設(shè)置在底板122中的多個氣體通道219耦接到多個溝槽124。在一些實施方式中，氣體通道219形成在底板122的上表面中且由陶瓷板120的下表面覆蓋?；蛘?，(未示出)氣體通道219可設(shè)置在陶瓷板120、底板122或者陶瓷板120與底板122的組合中。在一些實施方式中，(未示出)可有約四個氣體通道219，每個源于靜電夾具110的氣體通道219都靠近中心氣體管線217。在一些實施方式中，每個氣體通道219都可通過多孔插頭211耦接到相應(yīng)的溝槽124。例如，多孔插頭211可包括任何合適的多孔陶瓷材料，比如氮化鋁(A1N)、氧化鋁(A1203)、聚醚醚酮(polyetheretherketone ;PEEK)、VESPEL?或類似材料。多孔插頭211可用來以所希望的流量(flow rate)提供氣體至溝槽124，例如，比如以會限制或防止因接近電極126而產(chǎn)生氣體電弧的密度或流量提供氣體至溝槽124，電極126可工作在如下面所論述的高頻率和/或功率下。
[0027]另外，期望的是在氣體通道219的每個氣體通道與溝槽124 (外溝槽124)的每個溝槽之間提供多孔插頭211，多孔插頭211在中心氣體管線217周圍設(shè)置。在這樣的實施方式中，兩插頭結(jié)構(gòu)可用于能夠更容易地插入多孔插頭211，同時也使內(nèi)部容積106與處理容積108保持隔離。例如，多孔插頭211可通過底板122中的開口 221插入且包括O形環(huán)224的第二插頭223 (O形環(huán)224圍繞第二插頭223設(shè)置)可在插頭211后面插入以密封開口221。穿過開口 221設(shè)置的多孔插頭211可(可選地)進一步包括O形環(huán)(比如O形環(huán)225)，所述O形環(huán)圍繞所述多孔插頭設(shè)置以牢固地固定多孔插頭于陶瓷板120中。另外，在一些實施方式中(未示出)，每個多孔插頭211都可與多個孔鄰接，所述多個孔以流體相通方式設(shè)置在溝槽124基底中且通過每個多孔插頭211將溝槽124耦接至氣體通道219。所述多個孔可比每個多孔插頭211的直徑小，從而防止每個多孔插頭211進入溝槽124。此外，當(dāng)使用O形環(huán)，比如O形環(huán)225時，溝槽(未示出)可形成在插頭211的外表面上以容納O形環(huán)225。
[0028]在一些實施方式中，可使用彈簧加載機構(gòu)對著底板122的背側(cè)表面按壓中心氣體管線217。例如，如圖2中所示，可圍繞中心氣體管線217的外部設(shè)置彈簧226。彈簧226可以以按壓的方式操作以對著底板122的背側(cè)表面按壓設(shè)置在中心氣體管線217端部的O形環(huán)228，以在氣體管線217和底板122的背側(cè)表面之間形成密封?？蓪χ趶椈?26的下端處的固定裝置123按壓彈簧226以提供必要的張力來對著底板122的背側(cè)表面按壓O形環(huán)228，如圖2中所示。
[0029]根據(jù)本發(fā)明的一些實施方式而在圖3中示出設(shè)置在靜電夾具110的處理表面128中的多個溝槽124。例如，如上面所論述的多個溝槽124可被用來提供氣體至基板101的背側(cè)。例如，氣體可用來促進陶瓷板120與基板101之間均勻的熱傳遞。另外，溝槽124的壓力可被，例如，壓力傳感器(transducer)或任何合適的壓力感測裝置監(jiān)測。例如，在溝槽124中的壓降可產(chǎn)生基板101被損壞的信號，例如，比如開裂或類似損壞。因壓降的緣故，腔室中的沉積處理可停止以防止靜電夾具110暴露至處理環(huán)境。
[0030]在一些實施方式中，多個溝槽124可包括多個環(huán)形溝槽302、多個徑向溝槽304、以及多個偏移溝槽306，如圖3中所示。在一些實施方式中，偏移溝槽306是非徑向偏移溝槽。如在此所使用的，非徑向溝槽是不沿著從陶瓷板120的中心徑向延伸的線的溝槽。例如，在一些實施方式中，多個環(huán)形溝槽302可為同軸的且可通過多個偏移溝槽306而流體相通。多個徑向溝槽304可為流體相通的且可設(shè)置在最里面的環(huán)形溝槽的內(nèi)部以及最外面的環(huán)形溝槽的外部。然而，這樣的設(shè)計僅僅是示例性的，并且其它的配置是可能的。例如，在一些實施方式中，徑向溝槽不從陶瓷板120的內(nèi)部連續(xù)地延伸到陶瓷板120的外圍邊緣。在一些實施方式中，徑向溝槽不延伸超過一組環(huán)形溝槽之間，或不延伸長于任何適于限制在溝槽124中由等離子體形成電弧的長度。例如，在高功率或高頻率下電弧放電可產(chǎn)生于長的、連續(xù)的徑向溝槽中。因此,在一些實施方式中，引入多個偏移溝槽306以限制徑向溝槽304的長度。例如，如果使用長的、連續(xù)的徑向溝槽，則電弧放電可產(chǎn)生于在高功率和/或高頻率下流過溝槽的氣體中。在一些實施方式中，徑向和/或偏移溝槽304、306的長度范圍可從約2公分至約5公分。然而，其他長度可被利用。
[0031]圖4A-B示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施方式的多個電極126。例如，如上面所論述的多個電極126，多個電極126可被用來固定基板101至靜電夾具110的處理表面128。例如，在一些實施方式中，如圖4A-B中排列的多個電極126可被利用以用于從靜電夾具110受控地卸除夾持，以夾持弓形基板或類似基板。例如，在卸除夾持期間，氣體可仍然流過溝槽124且/或溝槽中的壓強比處理容積108中的壓強還高。因此，例如，為了防止基板101從靜電夾具110跳下，一些電極126可在其他電極之前關(guān)閉以逐步卸除夾持基板101。例如，在夾持過程中，較大的基板，比如400毫米或更大，可呈弓形。因此，為了使弓形基板對照靜電夾具110平坦化，一些電極126可在比其他的電極126更高的功率和/或頻率下工作，以使基板變平。
[0032]如圖4A所示，多個電極126可排列成同軸圖案，其中多個外部電極404設(shè)置于多個內(nèi)部電極402周圍。例如，如圖4A中所示，陶瓷板120的每個四分之一圓(quadrant)都包括一個外部電極404,外部電極404設(shè)置在一個內(nèi)部電極的徑向外側(cè)。然而，可利用任何合適數(shù)目的內(nèi)部和外部電極402、404。此外，各個相鄰電極的極性可被控制為彼此相反以致沒有兩個相鄰電極有相同的極性。
[0033]如圖4B中所示，多個電極126可被排列成圍繞陶瓷板120的徑向圖案，其中每個電極占據(jù)區(qū)域406，區(qū)域406介于陶瓷板120的中心和外圍邊緣之間，區(qū)域406由徑向角408界定。例如，如圖4B中所示，在一些實施方式中，可具有占用八個區(qū)域406的八個電極126，其中每個區(qū)域406都由相同的徑向角408界定。此外，各相鄰電極的極性可被控制為彼此相反以致沒有兩個相鄰電極有相同的極性。
[0034]回到圖1，基板支撐件100可包括饋通結(jié)構(gòu)111以提供一種途徑來，例如，提供氣體至多個溝槽124，提供電功率至多個電極126，或提供來自外部源的類似物至處理腔室。例如,如圖1中所示,氣源130和電源131、132可通過饋通結(jié)構(gòu)111分別耦接至多個溝槽124和多個電極126。例如，(未示出)電源131、132可為多個電源，例如，以使得每個電源都可耦接到每個電極126以使得每個電極126都可以被獨立地控制。例如，電源132可被利用以提供頻率范圍從約13.56MHz至大約IOOMHz的RF (射頻)功率。在一些實施方式中，所述頻率可為約60MHz。例如，電源131可用于提供DC (直流)功率，例如，以夾持或卸除夾持基板101。例如，氣源130可通過中心氣體管線217耦接到多個溝槽124，如圖2中所示。
[0035]可選地，基板支撐件100可包括冷卻板134，冷卻板134設(shè)置在靜電夾具110的底板122下方的內(nèi)部容積106中。例如，如圖1中所示，冷卻板134可直接接觸內(nèi)部容積，冷卻板134面對底板122的表面。然而，冷卻板134的這個實施方式僅僅是示例性的且冷卻板可不直接接觸底板122。冷卻板134可包括多個冷卻通道(未示出)，冷卻通道用于使冷卻劑循環(huán)通過冷卻板134。例如，冷卻劑可包括任何合適的液體或氣體冷卻劑。冷卻劑可由冷卻劑源136供給到冷卻板134，冷卻劑源136通過饋通結(jié)構(gòu)111耦接到冷卻板134。盡管示出冷卻板134占據(jù)主體104的小部分，但在一些實施方式中，冷卻板134可朝向饋通結(jié)構(gòu)111延伸以占據(jù)內(nèi)部容積106和/或外部容積113的大部分。冷卻板134可具有與基板101大致相似的區(qū)域，如圖1中所示。因此，冷卻板134可能夠提供冷卻至基板101的實質(zhì)上所有區(qū)域。
[0036]在操作時，為了從裝載位置移動基板支撐件至處理位置，升降機構(gòu)138可接合饋通結(jié)構(gòu)111，以使得饋通結(jié)構(gòu)111將基板支撐件100升至處理位置。當(dāng)基板支撐件100朝向基板101上升時舉銷103可保持靜止，基板101放在舉銷103上，如圖1中所示。
[0037]雖然前述說明是針對本發(fā)明的實施方式，然在不背離本發(fā)明的基本范圍的情況下，可設(shè)計出本發(fā)明的其他與進一步的實施方式。
【權(quán)利要求】
1.一種用于固定基板的靜電夾具，所述靜電夾具包括: 底板； 陶瓷板，所述陶瓷板由所述底板支撐，所述陶瓷板具有基板支撐表面； 多個第一電極，所述多個第一電極設(shè)置于所述陶瓷板內(nèi)，所述多個第一電極具有第一極性；以及 多個第二電極，所述多個第二電極設(shè)置于所述陶瓷板內(nèi)，所述多個第二電極具有與所述第一極性相反的第二極性，其中所述多個第一電極和所述多個第二電極是獨立可控的，以提供期望的夾持功率和頻率。
2.如權(quán)利要求1所述的靜電夾具，其中所述多個第一電極和所述多個第二電極被設(shè)置在同軸圖案中以使得所述多個第一電極和所述多個第二電極包括圍繞多個內(nèi)部電極設(shè)置的多個外部電極。
3.如權(quán)利要求1所述的靜電夾具，其中所述多個第一電極和所述多個第二電極被設(shè)置在所述陶瓷板的四個四分之一圓中，且其中所述陶瓷板的每個四分之一圓都包括一個外部電極，所述外部電極設(shè)置在一個內(nèi)部電極的徑向外側(cè)。
4.如權(quán)利要求1至3的任一項所述的靜電夾具，其中各相鄰電極的極性彼此相反，以致沒有兩相鄰電極具有相同極性。
5.如權(quán)利要求1所述的靜電夾具，其中所述多個第一電極和所述多個第二電極圍繞所述陶瓷板交替排列在徑 向圖案中，以致沒有兩相鄰電極具有相同極性。
6.如權(quán)利要求5所述的靜電夾具，其中每個電極占據(jù)區(qū)域，所述區(qū)域介于所述陶瓷板的中心與所述陶瓷板的外圍邊緣之間，所述區(qū)域由125度的徑向角界定。
7.如權(quán)利要求1所述的靜電夾具，其中所述多個第一電極的每個第一電極和所述多個第二電極的每個第二電極都是獨立可控的。
8.如權(quán)利要求1至3和5至7的任一項所述的靜電夾具，其中所述底板耦接至基板支撐件的主體，其中所述主體包括中心開口，所述中心開口與所述靜電夾具相鄰，所述主體與所述靜電夾具一起形成封閉的腔，所述腔在所述靜電夾具的所述底板的下方。
9.如權(quán)利要求8所述的靜電夾具，其中所述腔形成在所述靜電夾具的所述底板的下方且包括徑向內(nèi)部容積和徑向外部容積。
10.如權(quán)利要求9所述的靜電夾具，其中所述內(nèi)部容積與所述外部容積被內(nèi)部壁隔開，所述內(nèi)部壁設(shè)置在所述腔中，所述腔在所述靜電夾具的所述底板的下方。
11.如權(quán)利要求8所述的靜電夾具，其中冷卻板設(shè)置在所述腔中，所述腔在所述靜電夾具的所述底板的下方。
12.如權(quán)利要求1至3和5至7的任一項所述的靜電夾具，所述靜電夾具進一步包括多個溝槽，所述多個溝槽形成于所述陶瓷板的所述基板支撐表面中，其中所述多個溝槽包含一個或更多個環(huán)形溝槽、一個或更多個徑向溝槽、以及一個或更多個非徑向偏移溝槽，所述一個或更多個環(huán)形溝槽圍繞所述陶瓷板的中心軸共軸地設(shè)置，所述一個或更多個徑向溝槽流體連接至所述一個或更多個共軸環(huán)形溝槽，所述一個或更多個非徑向偏移溝槽流體連接至所述一個或更多個共軸環(huán)形溝槽。
13.如權(quán)利要求12所述的靜電夾具，其中所述一個或更多個共軸環(huán)形溝槽包括多個共軸環(huán)形溝槽，所述多個共軸環(huán)形溝槽通過所述一個或更多個非徑向偏移溝槽彼此流體相通。
14.如權(quán)利要求13所述的靜電夾具，其中所述多個共軸環(huán)形溝槽包括最里面的環(huán)形溝槽和最外面的環(huán)形溝槽，且其中所述一個或更多個非徑向偏移溝槽包括四個非徑向偏移溝槽，所述四個非徑向偏移溝槽彼此均勻地間隔開，每個非徑向偏移溝槽將所述最里面的環(huán)形溝槽流體連接至所述最外面的環(huán)形溝槽。
15.如權(quán)利要求14所述的靜電夾具，其中所述一個或更多個徑向溝槽包括多個徑向溝槽，其中所述多個 徑向溝槽的至少之一流體連接至最里面的環(huán)形溝槽的內(nèi)徑，并朝向所述陶瓷板的中心延伸，且所述多個徑向溝槽的至少之一流體連接至最外面的環(huán)形溝槽的外徑，并朝向所述陶瓷板的外圍邊緣延伸。
【文檔編號】H01L21/683GK103843128SQ201280047894
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2012年9月28日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月30日
【發(fā)明者】維賈伊·D·帕克赫, 史蒂芬·V·桑索尼, 振雄·馬修·蔡 申請人:應(yīng)用材料公司