電子部件封裝體、電子部件封裝體用密封構(gòu)件、及上述電子部件封裝體用密封構(gòu)件的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及電子部件封裝體、電子部件封裝體用密封構(gòu)件、及上述電子部件封裝體用密封構(gòu)件的制造方法，在基座（4）上形成有將基材的兩主面（42、43）之間貫穿的貫穿孔（49），在貫穿孔（49）的內(nèi)側(cè)面（491）中包含向貫穿孔（49）的寬度方向外側(cè)鼓出的曲面（495）。
【專利說明】電子部件封裝體、電子部件封裝體用密封構(gòu)件、及上述電子部件封裝體用密封構(gòu)件的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及通過多個(gè)密封構(gòu)件而將電子部件元件的電極密封的電子部件封裝體、作為電子部件封裝體的密封構(gòu)件而使用的電子部件封裝體用密封構(gòu)件、及上述電子部件封裝體用密封構(gòu)件的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]壓電振蕩器件等電子部件的封裝體(以下，稱為電子部件封裝體)的內(nèi)部空間被氣密密封，以防止搭載于該內(nèi)部空間中的電子部件元件的電極的特性劣化。
[0003]作為這種電子部件封裝體，存在由基座和蓋這兩個(gè)密封構(gòu)件構(gòu)成、且其殼體構(gòu)成為長方體的封裝體的電子部件封裝體。在這樣的電子部件封裝體的內(nèi)部空間中，壓電振蕩片等電子部件元件保持接合在基座上。而且，通過將基座和蓋接合，而將電子部件封裝體的內(nèi)部空間中的電子部件元件的電極氣密密封。
[0004]例如，在專利文獻(xiàn)I所公開的晶體部件(本發(fā)明中所說的電子部件)中，在由基座和蓋構(gòu)成的電子部件封裝體的內(nèi)部空間中氣密密封有晶體片。在這樣的晶體部件的基座上，設(shè)有將構(gòu)成基座的基材貫穿的貫穿孔，在該貫穿孔的內(nèi)側(cè)面上，形成有由Cr 一 Ni — Au等的多層金屬膜形成的布線用金屬。進(jìn)而，在貫穿孔中熔接AuGe等的合金，由此，確保電子部件封裝體的內(nèi)部空間的氣密性。
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開平6 - 283951號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]然而，上述專利文獻(xiàn)I所記載的形成在基座上的貫穿孔將兩主面之間貫穿而形成。該貫穿孔的內(nèi)側(cè)面相對(duì)于基座的一主面及另一主面傾斜，整個(gè)內(nèi)側(cè)面形成為錐狀(taper狀)。因此，在貫穿孔中，位于基座的另一主面?zhèn)鹊?、貫穿孔的另一端開口端的直徑最大，位于基座的一主面?zhèn)鹊?、貫穿孔的一端開口端的直徑最小?；蛘?，位于基座的一主面?zhèn)鹊?、貫穿孔的一端開口端的直徑最大，位于基座的另一主面?zhèn)鹊摹⒇灤┛椎牧硪欢碎_口端的直徑最小。
[0007]現(xiàn)今，電子部件封裝體的小型化不斷發(fā)展，而且，在專利文獻(xiàn)I所記載的整個(gè)內(nèi)側(cè)面形成為錐狀的貫穿孔中，在基座的兩主面的一方(一主面或另一主面)上形成的開口端(一端開口端或另一端開口端)，比在另一方(另一主面或一主面)上形成的開口端(另一端開口端或一端開口端)大。因此，形成在基座的兩主面的一方上的貫穿孔的開口端，在基座的兩主面的一方上所占據(jù)的占有面積增大，從而難以設(shè)計(jì)兩主面的一方中的包含必須端子的電極圖案。
[0008]因此，為了解決上述課題，本發(fā)明的目的在于，提供一種在電子部件封裝體用密封構(gòu)件的主面上，開口端所占據(jù)的占有面積小的電子部件封裝體用密封構(gòu)件、電子部件封裝體、及電子部件封裝體用密封構(gòu)件的制造方法。[0009]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的電子部件封裝體用密封構(gòu)件作為通過多個(gè)密封構(gòu)件將電子部件元件的電極氣密密封的電子部件封裝體的上述密封構(gòu)件而使用，其特征在于，形成有將構(gòu)成該電子部件封裝體用密封構(gòu)件的基材的兩主面之間貫穿的貫穿孔，在上述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面中包含向上述貫穿孔的寬度方向外側(cè)鼓出的曲面。
[0010]根據(jù)本發(fā)明，在上述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面中包含向上述貫穿孔的寬度方向外側(cè)鼓出的曲面，因此，相對(duì)于上述現(xiàn)有技術(shù)那樣的整個(gè)內(nèi)側(cè)面形成為錐形的貫穿孔，即使縮窄上述貫穿孔的兩方的開口端的寬度也能夠形成貫穿孔。其結(jié)果是，能夠縮小上述貫穿孔的開口端，從而能夠減小開口端在電子部件封裝體用密封構(gòu)件的兩主面中所占據(jù)的占有面積。另外，根據(jù)本發(fā)明，在上述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面中包含上述曲面，因此，能夠?qū)μ畛溆谏鲜鲐灤┛字械臉?gòu)件產(chǎn)生固著效果(anchor effect)。特別是，基于曲面的固著效果比基于平坦面的固著效果更有效。
[0011]另外，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的電子部件封裝體用密封構(gòu)件作為通過多個(gè)密封構(gòu)件將電子部件元件的電極氣密密封的電子部件封裝體的上述密封構(gòu)件而使用，其特征在于，形成有將構(gòu)成上述電子部件封裝體用密封構(gòu)件的基材的兩主面之間貫穿的貫穿孔，在上述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面中包含曲面，該曲面由從上述貫穿孔的孔內(nèi)的預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)點(diǎn)呈放射狀地?cái)U(kuò)展的點(diǎn)的集合體構(gòu)成，上述預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)點(diǎn)具有多個(gè)，上述多個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)位于一個(gè)面上。
[0012]根據(jù)本發(fā)明，在上述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面中包含曲面，該曲面由從上述貫穿孔的孔內(nèi)的預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)點(diǎn)呈放射狀地?cái)U(kuò)展的點(diǎn)的集合體構(gòu)成，上述預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)點(diǎn)具有多個(gè)，上述多個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)位于一個(gè)面上，因此，相對(duì)于上述現(xiàn)有技術(shù)那樣的整個(gè)內(nèi)側(cè)面形成為錐形的貫穿孔，即使縮窄上述貫穿孔的兩方的開口端的寬度也能夠形成貫穿孔。其結(jié)果是，能夠縮小上述貫穿孔的開口端，從而能夠減小開口端在該電子部件封裝體用密封構(gòu)件的兩主面中所占據(jù)的占有面積。另外，根據(jù)本發(fā)明，在上述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面中包含上述曲面，因此，能夠?qū)μ畛溆谏鲜鲐灤┛字械臉?gòu)件產(chǎn)生固著效果。特別是，基于曲面的固著效果比基于平坦面的固著效果更有效。
[0013]在上述結(jié)構(gòu)中，可以是，在上述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面上形成有向孔內(nèi)突出的多個(gè)突起部，上述突起部的突起端緣是上述曲面的端緣。
[0014]在該情況下，由于在上述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面上形成有多個(gè)突起部，且上述突起部的突起端緣是上述曲面的端緣，所以能夠通過上述突起端緣及上述曲面而高效率地對(duì)填充在上述貫穿孔中的構(gòu)件產(chǎn)生固著效果。
[0015]在上述結(jié)構(gòu)中，可以是，上述多個(gè)突起部之間的上述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面由上述曲面形成。
[0016]在該情況下，由于在上述多個(gè)突起部之間形成上述曲面，所以相對(duì)于與上述基材的兩主面正交的正交方向(兩方向)，能夠通過上述多個(gè)突起部及上述曲面而產(chǎn)生固著效果O
[0017]在上述結(jié)構(gòu)中，可以是，上述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面僅由上述曲面形成。
[0018]在該情況下，由于上述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面僅由上述曲面形成，所以不僅能夠減小開口端在該電子部件封裝體用密封構(gòu)件的兩主面中所占據(jù)的占有面積，還能夠通過上述曲面抑制填充在上述貫穿孔中的構(gòu)件從上述基材的兩主面漏出。[0019]在上述結(jié)構(gòu)中，可以是，在上述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面中包含錐狀的平坦面，與上述基材的一主面連續(xù)地形成上述曲面，與上述基材的另一主面連續(xù)地形成錐狀的平坦面，與上述平坦面連續(xù)地形成上述曲面。
[0020]在該情況下，由于與上述基材的一主面連續(xù)地形成上述曲面，與上述基材的另一主面連續(xù)地形成錐狀的平坦面，與上述平坦面連續(xù)地形成上述曲面，所以不僅能夠減小開口端在該電子部件封裝體用密封構(gòu)件的兩主面中所占據(jù)的占有面積，還能夠通過上述曲面抑制填充在上述貫穿孔中的構(gòu)件從上述基材的兩主面漏出。另外，由于與上述基材的另一主面連續(xù)地形成錐狀的平坦面，所以通過從上述平坦面向上述貫穿孔填充填充物，能夠容易地向上述貫穿孔填充填充物。
[0021]在上述結(jié)構(gòu)中，可以是，在上述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面中包含錐狀的第I平坦面和錐狀的第2平坦面，與上述基材的一主面連續(xù)地形成錐狀的第I平坦面，與上述第I平坦面連續(xù)地形成上述曲面，與上述基材的另一主面連續(xù)地形成錐狀的第2平坦面，與上述第2平坦面連續(xù)地形成上述曲面。
[0022]在該情況下，由于與上述基材的一主面連續(xù)地形成錐狀的第I平坦面，與上述第I平坦面連續(xù)地形成上述曲面，與上述基材的另一主面連續(xù)地形成錐狀的第2平坦面，與上述第2平坦面連續(xù)地形成上述曲面，所以不僅能夠減小開口端在該電子部件封裝體用密封構(gòu)件的兩主面中所占據(jù)的占有面積，還能夠容易地從上述第I平坦面或上述第2平坦面向上述貫穿孔填充填充物。
[0023]在上述結(jié)構(gòu)中，可以是，上述曲面形成有多個(gè)。
[0024]在該情況下，能夠縮窄上述貫穿孔的兩方的開口端的寬度。
[0025]另外，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的電子部件封裝體通過多個(gè)密封構(gòu)件將電子部件元件的電極氣密密封，其特征在于，至少一個(gè)上述密封構(gòu)件為本發(fā)明的電子部件封裝體用密封構(gòu)件。
[0026]根據(jù)本發(fā)明，由于至少一個(gè)上述密封構(gòu)件為本發(fā)明的電子部件封裝體用密封構(gòu)件，所以具有上述的基于本發(fā)明的電子部件封裝體用密封構(gòu)件實(shí)現(xiàn)的作用效果。
[0027]另外，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明的電子部件封裝體用密封構(gòu)件的制造方法中，該電子部件封裝體用密封構(gòu)件作為通過多個(gè)密封構(gòu)件將電子部件元件的電極氣密密封的電子部件封裝體的上述密封構(gòu)件而使用，該電子部件封裝體用密封構(gòu)件的制造方法的特征在于，具有形成貫穿孔的形成工序，該貫穿孔將構(gòu)成上述電子部件封裝體用密封構(gòu)件的基材的兩主面之間貫穿，上述形成工序包括:作為上述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面的一部分而形成平坦面的第I形成工序；和在上述第I形成工序后，作為上述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面的一部分而形成曲面的第2形成工序，在上述第I形成工序中，通過濕法蝕刻而在上述基材上形成使內(nèi)側(cè)面為錐面的凹部，在上述第2形成工序中，以上述凹部的底面為蝕刻對(duì)象，通過濕法蝕刻而形成上述曲面，使在上述第I形成工序中形成的上述凹部的內(nèi)側(cè)面的至少一部分為上述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面。
[0028]根據(jù)本發(fā)明，具有包含上述第I形成工序和上述第2形成工序的上述形成工序，上述第I形成工序中，通過濕法蝕刻而在上述基材上形成使內(nèi)側(cè)面為錐面的凹部，在上述第2形成工序中，以上述凹部的底面為蝕刻對(duì)象，通過濕法蝕刻而形成上述曲面，使在上述第I形成工序中形成的上述凹部的內(nèi)側(cè)面的至少一部分為上述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面，因此，相對(duì)于上述現(xiàn)有技術(shù)那樣的整個(gè)內(nèi)側(cè)面形成為錐形的貫穿孔，即使縮窄上述貫穿孔的兩方的開口端的寬度也能夠形成貫穿孔。其結(jié)果是，能夠縮小上述貫穿孔的開口端，從而能夠減小開口端在電子部件封裝體用密封構(gòu)件的兩主面中所占據(jù)的占有面積。
[0029]另外，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明的電子部件封裝體用密封構(gòu)件的制造方法中，上述電子部件封裝體用密封構(gòu)件作為通過多個(gè)密封構(gòu)件將電子部件元件的電極氣密密封的電子部件封裝體的上述密封構(gòu)件而使用，該電子部件封裝體用密封構(gòu)件的制造方法的特征在于，具有形成貫穿孔的形成工序，上述貫穿孔將構(gòu)成該電子部件封裝體用密封構(gòu)件的基材的兩主面之間貫穿，上述形成工序包含作為上述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面而形成曲面的第3形成工序，在上述第3形成工序中，通過濕法蝕刻在上述基材上形成具有底面的凹部，以上述凹部的底面為蝕刻對(duì)象，通過濕法蝕刻形成上述曲面。
[0030]根據(jù)本發(fā)明，具有包含上述第3形成工序的上述形成工序，在上述第3形成工序中，通過濕法蝕刻在上述基材上形成具有底面的凹部，以上述凹部的底面為蝕刻對(duì)象，通過濕法蝕刻形成上述曲面，因此，相對(duì)于上述現(xiàn)有技術(shù)那樣的整個(gè)內(nèi)側(cè)面形成為錐形的貫穿孔，即使縮窄上述貫穿孔的兩方的開口端的寬度也能夠形成貫穿孔。其結(jié)果是，能夠縮小上述貫穿孔的開口端，從而能夠減小開口端在電子部件封裝體用密封構(gòu)件的兩主面中所占據(jù)的占有面積。
[0031]在上述方法中，可以是，在上述第2形成工序或上述第3形成工序中，利用電沉積抗蝕劑在上述基材上形成抗蝕劑層，利用所形成的上述抗蝕劑層進(jìn)行蝕刻。
[0032]在該情況下，由于在上述基材上形成基于電沉積抗蝕劑的上述抗蝕劑層，所以能夠?qū)⑸鲜隹刮g劑層形成至上述凹部的內(nèi)側(cè)面及內(nèi)側(cè)的底面。
[0033]根據(jù)本發(fā)明，減小了貫穿孔的開口端，減小了開口端在電子部件封裝體用密封構(gòu)件的兩主面中所占據(jù)的占有面積。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]圖1是公開了本實(shí)施方式的晶體振蕩器的內(nèi)部空間的概略結(jié)構(gòu)圖，是沿圖3所示的基座的A — A線將整體剖切時(shí)的晶體振蕩器的概略剖視圖。
[0035]圖2是圖3所示的A —A線剖視圖。
[0036]圖3是本實(shí)施方式的基座的概略俯視圖。
[0037]圖4是本實(shí)施方式的基座的概略背面圖。
[0038]圖5是將圖2所示的基座的貫穿孔部分放大的概略剖視圖。
[0039]圖6是本實(shí)施方式的蓋的概略背面圖。
[0040]圖7是本實(shí)施方式的晶體振蕩片的概略俯視圖。
[0041]圖8是表不本實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首lJ視圖。
[0042]圖9是表不本實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首lJ視圖。
[0043]圖10是表不本實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首I]視圖。
[0044]圖11是表不本實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首1J視圖。
[0045]圖12是表不本實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首I]視圖。
[0046]圖13是表不本實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首I]視圖。
[0047]圖14是表不本實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首I]視圖。[0048]圖15是表不本實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首I]視圖。
[0049]圖16是表不本實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首I]視圖。
[0050]圖17是表不本實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首1J視圖。
[0051]圖18是表不本實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首I]視圖。
[0052]圖19是表不本實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首I]視圖。
[0053]圖20是表不本實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首1J視圖。
[0054]圖21是其他實(shí)施方式的僅示出基座的基板、且將基座的貫穿孔部分放大的概略剖視圖，是與圖5相對(duì)應(yīng)的圖。
[0055]圖22是其他實(shí)施方式的僅示出基座的基板、且將基座的貫穿孔部分放大的概略剖視圖，是與圖5相對(duì)應(yīng)的圖。
[0056]圖23是其他實(shí)施方式的貫穿孔的概略結(jié)構(gòu)圖，是從貫穿孔的另一端開口端觀察到的貫穿孔的概略俯視圖。
[0057]圖24是其他實(shí)施方式的在用于形成貫穿孔的凹部處形成有開口圖案的凹部的概略俯視圖。
[0058]圖25是表不其他實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首Ij視圖，是凹部的圖24所示的B — B線剖視圖。
[0059]圖26是表不其他實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首Ij視圖，是凹部的圖24所示的C 一 C線剖視圖。
[0060]圖27是表不其他實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首1J視圖，是凹部的圖24所示的D — D線剖視圖。
[0061]圖28是表不其他實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首Ij視圖，是對(duì)圖25所示的凹部進(jìn)行了蝕刻的圖。
[0062]圖29是表不其他實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首Ij視圖，是對(duì)圖26所示的凹部進(jìn)行了蝕刻的圖。
[0063]圖30是表不其他實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首Ij視圖，是對(duì)圖27所示的凹部進(jìn)行了蝕刻的圖。
[0064]圖31是其他實(shí)施方式的僅示出基座的基板、且將基座的貫穿孔部分放大的概略剖視圖，是與圖5相對(duì)應(yīng)的圖。
[0065]圖32是表不其他實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首Ij視圖。
[0066]圖33是表不其他實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首Ij視圖。
[0067]圖34是表不其他實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首Ij視圖。
[0068]圖35是表不其他實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首Ij視圖。
[0069]圖36是表不其他實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首Ij視圖。
[0070]圖37是表不其他實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首1J視圖。
[0071]圖38是表不其他實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首Ij視圖。
[0072]圖39是表不其他實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首Ij視圖。
[0073]圖40是表不其他實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首Ij視圖。
[0074]圖41是表不其他實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首1J視圖。
[0075]圖42是表不其他實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首Ij視圖。
[0076]圖43是表不其他實(shí)施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圓的局部概略首Ij視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0077]以下，參照附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施方式。需要說明的是，在以下所示的實(shí)施方式中，示出作為電子部件封裝體而對(duì)作為壓電振蕩器件的晶體振蕩器的封裝體適用本發(fā)明、且作為電子部件元件而對(duì)作為壓電振蕩片的音叉型晶體振蕩片適用本發(fā)明的情況。
[0078]如圖1所示，在本實(shí)施方式的晶體振蕩器I中設(shè)有:由音叉型晶體片構(gòu)成的圖7所示的晶體振蕩片2 (本發(fā)明中所說的電子部件元件);用于保持該晶體振蕩片2、并將晶體振蕩片2氣密密封的基座4 (本發(fā)明中所說的作為密封構(gòu)件的電子部件封裝體用密封構(gòu)件)；以及以與基座4相對(duì)的方式配置、且用于將保持在基座4上的晶體振蕩片2的激振電極31、32 (圖1所示的電極，本發(fā)明中所說的電子部件元件的電極)氣密密封的蓋7。
[0079]在該晶體振蕩器I中，基座4和蓋7通過由Au和Sn的合金形成的接合材料12、下述的第I接合層48、下述的第2接合層74而被接合，通過它們的接合，構(gòu)成具有被氣密密封的內(nèi)部空間11的主體殼體。在該內(nèi)部空間11中，在基座4上通過使用了金凸起(bump)等導(dǎo)電性凸起13的FCB法(Flip Chip Bonding,倒裝焊接)而電機(jī)械地超聲波接合有晶體振蕩片2。需要說明的是，在本實(shí)施方式中，對(duì)于導(dǎo)電性凸起13而使用金凸起等非流動(dòng)性構(gòu)件的電鍍凸起。
[0080]接著，說明該晶體振湯器I的各結(jié)構(gòu)。
[0081]基座4由作為各向同性材料的硼硅玻璃等玻璃材料的基材構(gòu)成，如圖1?4所示，成形為由底部41、和沿基座4的一主面42的外周從底部41向上方延伸的壁部44構(gòu)成的箱狀體。這樣的基座4是對(duì)長方體的一塊板狀基材進(jìn)行濕法蝕刻而成形為箱狀體。
[0082]基座4的壁部44的內(nèi)側(cè)面成形為錐狀。另外，壁部44的頂面是與蓋7的接合面，在該接合面上設(shè)有用于與蓋7接合的第I接合層48。第I接合層48由多層的層疊構(gòu)造形成，包括:在基座4的壁部44的頂面上通過濺射法而濺射形成的第I濺射膜93 ;在第I濺射膜93之上濺射形成的第2濺射膜94 ;在第2濺射膜94之上電鍍形成的第I鍍膜95 ;在第I鍍膜95之上電鍍形成的第2鍍膜96 ;在第2鍍膜96之上電鍍形成的第3鍍膜97 ；以及在第3鍍膜97之上電鍍形成的第4鍍膜98。[0083]第I濺射膜93是在基座4的壁部44的頂面上通過濺射法而濺射形成的由Mo構(gòu)成的Mo膜，具有5?IOnm的厚度。第2濺射膜94是在第I濺射膜93上通過濺射法而濺射形成的由Cu構(gòu)成的Cu膜，具有0.3 μ m的厚度。第I鍍膜95是在第2濺射膜94上電鍍形成的由Cu構(gòu)成的Cu膜，具有2?6 μ m的厚度。第2鍍膜96是在第I鍍膜95上電鍍形成的由Ni構(gòu)成的Ni膜，具有I?3 μ m的厚度。第3鍍膜97是在第2鍍膜96上電鍍形成的由Au構(gòu)成的Au觸擊電鍍膜或由Pd構(gòu)成的Pd鍍膜，具有0.1?0.3 μ m的厚度。第4鍍膜98是在第3鍍膜97上電鍍形成的由Au構(gòu)成的Au鍍膜，具有0.1?0.3 μ m的厚度。
[0084]另外，在基座4的一主面42上成形有由底部41和壁部44圍成的俯視呈長方形的腔部45。在腔部45的底面451上，沿其長度方向的一端部452的整體而蝕刻成形有臺(tái)座部46。在該臺(tái)座部46上搭載晶體振蕩片2。此外，該腔部45的壁面是壁部44的內(nèi)側(cè)面，如上所述地成形為錐狀。
[0085]另外，在基座4上形成有:與晶體振蕩片2的激振電極31、32分別電機(jī)械地接合的一對(duì)電極焊盤51、52 ;與外部部件或外部設(shè)備電連接的外部端子電極53、54 ;以及將電極焊盤51和外部端子電極54、及電極焊盤52和外部端子電極53電連接的布線圖案55。通過這些電極焊盤51、52、外部端子電極53、54和布線圖案55，構(gòu)成基座4的電極5。電極焊盤51、52形成于臺(tái)座部46的表面。另外，兩個(gè)外部端子電極53、54在基座4的另一主面43上分別形成于長度方向的兩端部，且沿長度方向分開地并列設(shè)置。另外，在外部端子電極54的一角落部(與外部端子電極53相對(duì)的一側(cè)的一個(gè)角落部)形成有切缺部541，該切缺部541發(fā)揮進(jìn)行該晶體振蕩器I的制造工序中的基座的定位、和將該晶體振蕩器I向外部部件或外部設(shè)備搭載時(shí)的定位的輔助作用。
[0086]電極焊盤51、52與第I接合層48同樣地，由多層的層疊構(gòu)造形成，是在基座4的基板上按順序?qū)盈B第I濺射膜93、第2濺射膜94、第I鍍膜95、第2鍍膜96、第3鍍膜97、第4鍍膜98而成的。
[0087]布線圖案55以使電極焊盤51、52和外部端子電極53、54電連接的方式，從基座4的一主面42經(jīng)由貫穿孔49 (參照下述內(nèi)容)的內(nèi)側(cè)面491而形成至基座4的另一主面43。
[0088]另外，在布線圖案55中的、形成于貫穿孔49及其附近的部分、和形成于基板的另一主面43上的部分處，作為第I濺射膜93下的下層膜而形成有第I種膜(seed film) 91和第2種膜92。第I種膜91是在基座4上通過濺射法而濺射形成的由Mo構(gòu)成的Mo膜，具有5?IOnm的厚度。另外，第2種膜92是在第I種膜91上通過濺射法而濺射形成的由Cu構(gòu)成的Cu膜，具有0.3 μ m的厚度。
[0089]另外，在基座4的一主面42上，布線圖案55是在第2種膜92及基板上按順序?qū)盈B第I濺射膜93、第2濺射膜94、第I鍍膜95、第2鍍膜96、第3鍍膜97、及第4鍍膜98而成的。
[0090]另一方面，在基座4的另一主面43上，在第2種I吳92、貫穿孔49及基板上形成有由具有感光性的樹脂材料構(gòu)成的樹脂圖案61(參照下述內(nèi)容)。S卩，在基座4的另一主面43的除一部分(接觸區(qū)域58、59)之外的整個(gè)面上形成有樹脂圖案61。此外，在未形成有樹脂圖案61的另一主面43的一部分(接觸區(qū)域58、59)上，如圖1所示，形成有布線圖案55 (第
2種膜92)。而且，在基座4的另一主面43的樹脂圖案61及接觸區(qū)域58、59的第2種膜92上，按順序?qū)盈B第I濺射膜93、第2濺射膜94、第I鍍膜95、第2鍍膜96、第3鍍膜97、及第4鍍膜98，從而構(gòu)成外部端子電極53、54。
[0091]另外，如圖1~4所不，在基座4上形成有貫穿孔49,該貫穿孔49用于將晶體振蕩片2的激振電極31、32經(jīng)由電極焊盤51、52并通過布線圖案55而從腔部45內(nèi)導(dǎo)出至腔部45外。
[0092]貫穿孔49是在通過光刻法對(duì)基座4進(jìn)行蝕刻而成形時(shí)與腔部45的成形同時(shí)形成的,如圖1~圖5所示，在基座4上將兩主面(一主面42、另一主面43)之間貫穿而形成有兩個(gè)貫穿孔49。如圖5所示，該貫穿孔49的內(nèi)側(cè)面491由平坦面494(內(nèi)側(cè)面491的一部分)和曲面495 (內(nèi)側(cè)面491的一部分)構(gòu)成，在該貫穿孔49的內(nèi)側(cè)面491中，與基座4 (基材)的一主面42連續(xù)地形成曲面495，與基座4 (基材)的另一主面43連續(xù)地形成平坦面494，且與平坦面494連續(xù)地形成曲面495。在本實(shí)施方式中，貫穿孔49的長寬比(長度與寬度的比例)為1.3 (長度:145 μ m、寬度:110 μ m)。
[0093]如圖5所示,平坦面494相對(duì)于基座4的一主面42及另一主面43具有傾斜度,形成為錐狀。另外，基座4的一主面42與貫穿孔49的內(nèi)側(cè)面491的平坦面494所成的角度為大約45度。需要說明的是，雖然在本實(shí)施方式中，基座4的一主面42與貫穿孔49的內(nèi)側(cè)面491所成的角度Θ為大約45度，但不限定于此。例如，基座4的一主面42與貫穿孔49的內(nèi)側(cè)面491所成的角度Θ可以比45度大，作為具體例，可以是從70度到最大90度，越增大角度Θ，越能夠有助于減小貫穿孔49的直徑。
[0094]另外，如圖5所示，曲面495為向貫穿孔49的寬度方向外側(cè)鼓出而成形為凸?fàn)畹那嫘螤睢Ｔ撉?95由從貫穿孔49的孔內(nèi)的預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)點(diǎn)499 (參照圖12)呈放射狀地?cái)U(kuò)展的點(diǎn)的集合體構(gòu)成，而且具有固定的曲率。曲面495是以基準(zhǔn)點(diǎn)499為中心(中心點(diǎn))的球體的曲面(球 面)，而且，以基準(zhǔn)點(diǎn)499 (參照圖12)為中心的球面的法線位于面B(圖5所示的雙點(diǎn)劃線的假想面)上。這里所說的預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)點(diǎn)499具有多個(gè)，多個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)499位于一個(gè)面B上，在面B上，成為未圖示的圓形的線(環(huán)狀的俯視呈圓形的線)。另外，面B是與基座4的兩主面42、43相同的面方向，參照圖5所示的基座4的剖視圖，是與基座4的兩主面42、43平行的面。另外，面B位于與基座4的另一主面43相比靠近一主面42側(cè)的位置。
[0095]另外，如上所述，曲面495是以多個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)499 (參照圖12)為中心的曲面，因此以基準(zhǔn)點(diǎn)499為中心的法線位于面B上。因此，在貫穿孔49中，沿面B的直徑為最大寬度尺寸。
[0096]另外，在貫穿孔49的內(nèi)側(cè)面491上形成有兩個(gè)向孔內(nèi)突出的突起部498。突起部498的突起端緣4981是曲面495的端緣。此外，本實(shí)施方式的兩個(gè)突起部498分別成形為環(huán)狀(參照圖42所示的俯視觀察時(shí)的貫穿孔49)。另外，兩個(gè)突起部498之間的貫穿孔49的內(nèi)側(cè)面491形成為曲面495。需要說明的是，在本實(shí)施方式中形成有兩個(gè)突起部498，但并不限定于此，也可以是多個(gè)。
[0097]如圖5所示，貫穿孔49中，位于基座4的另一主面43側(cè)的貫穿孔49的另一端開口端493的直徑、與位于基座4的一主面42側(cè)的貫穿孔49的一端開口端492的直徑相同或大致相等。在本實(shí)施方式中，貫穿孔49的兩開口端(一端開口端492與另一端開口端493)
的開口尺寸比為0.9 (—端開口端492: φ? ΟΟμLη，另一端開口端493: Cpl 10μη?)ο
[0098]在這樣的貫穿孔49的內(nèi)側(cè)面491上形成有作為布線圖案55的一部分的第I種膜91及第2種膜92。另外，在貫穿孔49的內(nèi)部填充有與樹脂圖案61為相同材料的樹脂材料(方便起見標(biāo)注附圖標(biāo)記61)。通過該樹脂材料61封堵貫穿孔49。此外，如圖5所示，在樹脂材料61中，基座4的一主面42側(cè)的一端面與基座4的一主面42的表面對(duì)齊,另一主面43側(cè)的另一端面形成為向一主面42側(cè)凹陷。
[0099]另外，貫穿孔61的內(nèi)側(cè)面491包含曲面495，因此貫穿孔49的內(nèi)部的樹脂材料61沿曲面495填充,從而樹脂材料進(jìn)入而產(chǎn)生固著效果(anchor effect)。通過像這樣發(fā)揮固著效果，確保了樹脂材料61與貫穿孔49的內(nèi)側(cè)面491之間的緊貼性。像這樣，通過使樹脂材料61進(jìn)入貫穿孔49的結(jié)構(gòu)，獲得固著效果，從而提高了樹脂圖案61向貫穿孔49的緊貼強(qiáng)度。
[0100]如上所述,在構(gòu)成基座4的基材的另一主面43上,形成有外部端子電極53、54、布線圖案55和樹脂圖案61，在另一主面43的基材及布線圖案55上層疊有樹脂圖案61，在布線圖案55及樹脂圖案61上層疊有外部端子電極53、54。而且，如圖4所示，在另一主面43上分別設(shè)有一個(gè)使外部電子電極53、54和布線圖案55接觸的接觸區(qū)域58、59，通過這些接觸區(qū)域58、59而使外部端子電極53、54與布線圖案55接觸(層疊)。也就是說，通過接觸區(qū)域58、59將外部電子電極53、54和布線圖案55電連接。此外，如圖4所示，在本實(shí)施方式中，在樹脂圖案形成區(qū)域47內(nèi)分別設(shè)有一個(gè)接觸區(qū)域58、59，但接觸區(qū)域58、59的個(gè)數(shù)不限定于此，可以在樹脂圖案形成區(qū)域47內(nèi)(外部端子電極53、54的層疊下)分別設(shè)置任意個(gè)數(shù)的接觸區(qū)域58、59。
[0101]另外，對(duì)于樹脂材料61和樹脂圖案61使用聚苯并噁唑(ΡΒ0)。需要說明的是，樹脂材料61和樹脂圖案61不限定于聚苯并噁唑(ΡΒ0)，能夠使用任意的與構(gòu)成基座4的材料(例如玻璃材料)的緊貼性良好的樹脂材料。因此，對(duì)于構(gòu)成樹脂圖案61的樹脂材料，可以使用由例如苯并環(huán)丁烯(BCB)、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、或氟樹脂構(gòu)成的樹脂材料。另外，本實(shí)施方式中所使用的構(gòu)成樹脂圖案61的樹脂材料、即聚苯并噁唑(PBO)是具有感光性的樹脂材料，是能夠基于光刻法形成圖案的樹脂材料。在此，本發(fā)明所說的具有感光性的樹脂材料是大范圍的概念，除由具有感光性的樹脂構(gòu)成的樹脂材料外，還包括包含感光劑和樹脂的感光性樹脂組合物。
[0102]蓋7由硼硅玻璃等玻璃材料構(gòu)成，如圖1及圖6所示，蓋7由頂部71、和沿蓋7的一主面72的外周從頂部71向下方延伸的壁部73構(gòu)成。這樣的蓋7是對(duì)長方體的一塊板狀基材進(jìn)行濕法蝕刻而成形的。
[0103]蓋7的壁部73的兩側(cè)面(內(nèi)側(cè)面731及外側(cè)面732)成形為錐狀。另外，在壁部73上形成有用于與基座4接合的第2接合層74。
[0104]如圖1所示，蓋7的第2接合層74從蓋7的壁部73的頂面733形成至外側(cè)面732。該第2接合層74由多層的層疊構(gòu)造構(gòu)成，該層疊構(gòu)造形成有由Ti構(gòu)成的Ti膜(圖示省略)，且在Ti膜之上形成有由Au構(gòu)成的Au膜(圖示省略)，這些Ti膜及Au膜通過濺射法而濺射形成。需要說明的是，在本實(shí)施方式中由Ti膜及Au膜構(gòu)成了第2接合層74，但也可以取代Au膜而使用由Cu構(gòu)成的Cu膜。
[0105]用于使上述基座4和蓋7接合的接合材料12層疊在蓋7的第2接合層74上。該接合材料12由多層的層疊構(gòu)造構(gòu)成，該層疊構(gòu)造在蓋7的第2接合層74之上電鍍形成有由Au和Sn的合金構(gòu)成的Au/Sn膜(圖示省略)，且在該Au/Sn膜之上電鍍形成有Au膜(圖示省略)。此外，Au膜由電鍍形成Au觸擊電鍍膜、且在Au觸擊電鍍膜之上電鍍形成Au鍍膜的多層層疊構(gòu)造構(gòu)成。在這樣的接合材料12中，Au/Sn膜通過加熱而熔融，成為AuSn合金膜。需要說明的是，接合材料12也可以通過在蓋7的第2接合層74之上電鍍形成AuSn合金膜而構(gòu)成。另外，在本實(shí)施方式中，接合材料12層疊在蓋7的第2接合層74上，但也可以層疊在基座4的第I接合層48上。
[0106]晶體振蕩片2是對(duì)各向異性材料的晶體片即晶體素板(圖示省略)進(jìn)行濕法蝕刻而形成的晶體Z板。
[0107]如圖7所示，該晶體振蕩片2由作為振蕩部的2根腿部21、22、基部23、和與基座4的電極焊盤51、52接合的接合部24構(gòu)成，該晶體振蕩片2由在基部23的一端面231上突出設(shè)有2根腿部21、22、且在基部23的另一端面232上突出設(shè)有接合部24的壓電振蕩素板20形成。
[0108]如圖7所不,基部23形成為俯視觀察時(shí)左右對(duì)稱形狀。另外，基部23的側(cè)面233形成為，一端面231側(cè)的部位與一端面231為相同寬度，且另一端面232側(cè)的部位從一端面231側(cè)朝向另一端面232側(cè)寬度逐漸變窄。
[0109]如圖7所示，2根腿部21、22從基部23的一端面231向同一方向突出地設(shè)置。這2根腿部21、22的前端部211、221與腿部21、22的其他部位相比寬幅(沿相對(duì)于突出方向正交的方向?qū)挿?地形成，而且，各自的前端角落部形成為曲面。另外，為了改善Cl值，在2根腿部21、22的兩主面上形成有槽部25。
[0110]如圖7所示，接合部24從基部23的另一端面232的寬度方向中央部突出地設(shè)置。該接合部24由短邊部241和長邊部242構(gòu)成，其中短邊部241向俯視觀察時(shí)相對(duì)于基部23的另一端面232垂直的方向突出，長邊部242與短邊部241的前端部相連且沿基部23的寬度方向延伸，長邊部242的前端部243朝向基部23的寬度方向。即，接合部24成形為，俯視觀察時(shí)呈直角地折曲而成的俯視觀察L字狀。另外，在接合部24上設(shè)有經(jīng)由導(dǎo)電性凸起13而與基座4的電極焊盤51、52接合的兩個(gè)接合部位27。
[0111]在由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的晶體振蕩片2上形成有:以不同電位構(gòu)成的第I及第2激振電極31、32 ;和為了使第I及第2激振電極31、32與基座4的電極焊盤51、52電接合而從第I及第2激振電極31、32引出的引出電極33、34。
[0112]另外，第I及第2激振電極31、32的一部分形成在腿部21、22的槽部25的內(nèi)部。因此，即使使晶體振蕩片2小型化也能夠抑制腿部21、22的振蕩損失從而將Cl值抑制得較低。
[0113]第I激振電極31形成在一方的腿部21的兩主面、和另一方的腿部22的兩側(cè)面及前端部221的兩主面上。同樣地，第2激振電極32形成在另一方的腿部22的兩主面、一方的腿部21的兩側(cè)面及前端部211的兩主面上。
[0114]另外，引出電極33、34形成于基部23及接合部24，通過形成于基部23的引出電極33，形成在一方的腿部21的兩主面上的第I激振電極31與形成在另一方的腿部22的兩側(cè)面及前端部221的兩主面上的第I激振電極31相連，通過形成于基部23的引出電極34，形成在另一方的腿部22的兩主面上的第2激振電極32與形成在一方的腿部21的兩側(cè)面及前端部211的兩主面上的第2激振電極32相連。
[0115]此外，在基部23上形成有將壓電振蕩素板20的兩主面貫穿的兩個(gè)貫穿孔26，在這些貫穿孔26內(nèi)填充有導(dǎo)電性材料。經(jīng)由這些貫穿孔26，將引出電極33、34引回至基部23的兩主面之間。
[0116]如圖1所示，在由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的晶體振蕩器I中，將晶體振蕩片2的接合部24經(jīng)由導(dǎo)電性凸起13并通過FCB法而電機(jī)械地超聲波結(jié)合在形成于基座4的一主面42上的臺(tái)座部46上。通過該接合，晶體振蕩片2的激振電極31、32經(jīng)由引出電極33、34和導(dǎo)電性凸起13而與基座4的電極焊盤51、52電機(jī)械地接合，從而在基座4上搭載晶體振蕩片2。而且，在搭載有晶體振蕩片2的基座4上，通過FCB法將蓋7預(yù)接合，然后，通過在真空氣氛下進(jìn)行加熱，使接合材料12、第I接合層48和第2接合層74熔融，由此，在基座4的第I接合層48上經(jīng)由接合材料12而接合蓋7的第2接合層74，制造將晶體振蕩片2氣密密封的晶體振蕩器I。需要說明的是，對(duì)于導(dǎo)電性凸起13使用非流動(dòng)性構(gòu)件的電鍍凸起。
[0117]接著，利用圖8?圖20說明該晶體振蕩器I及基座4的制造方法。
[0118]在本實(shí)施方式中，使用形成多個(gè)基座4的由各向同性材料形成的一塊板狀的晶圓
8。此外，具體而言，晶圓8使用玻璃材料。
[0119]首先，如圖8所示，在晶圓8的兩主面81、82上濺射形成由Cr構(gòu)成的Cr膜910，在Cr膜910上派射形成由Au構(gòu)成的Au膜911,在Au膜911上通過旋涂法涂布抗蝕劑從而形成正性抗蝕劑層912。
[0120]在形成正性抗蝕劑層912后，為了形成除臺(tái)座部46外的腔部45的一部分、和用于構(gòu)成貫穿孔49的平坦面494的凹部496，通過光刻法對(duì)晶圓8的兩主面81、82的正性抗蝕劑層912進(jìn)行曝光及顯影，對(duì)露出的Cr膜910和Au膜911進(jìn)行金屬蝕刻，如圖9所示，形成規(guī)定圖案(除臺(tái)座部46外的腔部45的一部分、和用于構(gòu)成貫穿孔49的平坦面494的凹部 496)。
[0121]在形成圖9所示的規(guī)定圖案后，通過利用了光刻技術(shù)的濕法蝕刻法對(duì)晶圓8進(jìn)行蝕刻，如圖10所示，在晶圓8上成形多個(gè)基座4，該基座4形成有除臺(tái)座部46外的腔部45的一部分、和用于構(gòu)成貫穿孔49的平坦面494的凹部496。需要說明的是，在此所說的凹部496的內(nèi)側(cè)的底面成為用于設(shè)定面B (圖10所示的雙點(diǎn)劃線的假想面)的基準(zhǔn)面。另外，凹部496的內(nèi)側(cè)面為平坦的面(平坦面494)，但不限定于此，只要相對(duì)于晶圓8的另一主面82(參照基座的另一主面43)形成為錐狀的錐面即可。因此，錐面中，向濕法蝕刻的蝕刻方向鼓出的曲面可以包含在至少一部分中。
[0122]在晶圓8上形成除臺(tái)座部46外的腔部45的一部分、和用于構(gòu)成貫穿孔49的平坦面494的凹部496后，如圖11所示，將正性抗蝕劑層912、Cr膜910和Au膜911剝離除去，成為晶圓8素板。將到此為止的工序稱為本發(fā)明中所說的形成工序的一部分、即第I形成工序。
[0123]為了對(duì)圖11所示的晶圓8形成包含臺(tái)座部46的腔部45、貫穿孔49 (曲面495)、和基座4的另一主面43的外周緣，在晶圓8的兩主面81、82上濺射形成新的Cr膜910，在Cr膜910上濺射形成新的Au膜911，在Au膜911上通過電沉積涂布法(或噴涂法)而涂布抗蝕劑，形成新的正性抗蝕劑層912。在本實(shí)施方式中，為了形成新的正性抗蝕劑層912而利用電沉積涂布法(或噴涂法)，因此，能夠?qū)⑿碌恼钥刮g劑層912形成至凹部496的內(nèi)表面497 (內(nèi)側(cè)面及內(nèi)側(cè)的底面)。
[0124]然后，在形成新的正性抗蝕劑層912后，為了成形包含臺(tái)座部46的腔部45、貫穿孔49的曲面495、和基座4的另一主面43的外周緣，通過光刻法對(duì)晶圓8的兩主面81、82的正性抗蝕劑層912進(jìn)行曝光及顯影，對(duì)露出的Cr膜910和Au膜911進(jìn)行蝕刻，如圖12所示，形成規(guī)定圖案(包含臺(tái)座部46的腔部45、貫穿孔49的曲面495、基座4的另一主面43的外周緣)。此時(shí)，在凹部496中，僅將內(nèi)側(cè)的底面中央部的、正性抗蝕劑層912和Cr膜910和Au膜911剝離除去。需要說明的是，在此所說的從在凹部496的內(nèi)側(cè)的底面上形成的正性抗蝕劑層912 (也包含Cr膜910和Au膜911)露出的中央部的露出端緣(參照圖12的附圖標(biāo)記499所表示的點(diǎn)),成為由上述的多個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)499構(gòu)成的線(環(huán)狀的俯視觀察為正圓形的線)，使該露出的部分為開口圖案。此外，多個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)499位于面B (圖12所示的雙點(diǎn)劃線的假想面)上。
[0125]在形成圖12所示的規(guī)定圖案后，通過利用了光刻技術(shù)的濕法蝕刻法進(jìn)行蝕刻。關(guān)于此處的蝕刻，由于在本實(shí)施方式中對(duì)晶圓8使用各向同性材料，所以從多個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)499呈放射狀地將晶圓8溶解(蝕刻)。于是，如圖13所示，在晶圓8上成形多個(gè)形成有腔部45、貫芽孔49、和另一王面43的外周緣的基座4。
[0126]在晶圓8上形成腔部45、貫穿孔49、和另一主面43的外周緣后，如圖14所示，將正性抗蝕劑層912、Cr膜910和Au膜911剝離除去，成為形成有多個(gè)基座4的晶圓8素板。將到此為止的工序稱為本發(fā)明中所說的形成工序的一部分、即第2形成工序。需要說明的是，關(guān)于第2形成工序，在提出申請時(shí)，對(duì)于在晶體振蕩器I (基座4)被小型化的基座4中的曲面495的形成中使用物理蝕刻(干法蝕刻等)的情況，從面形成精度和費(fèi)用方面出發(fā)未加以考慮。另外，由上述的第I形成工序和第2形成工序構(gòu)成形成工序。
[0127]然后，對(duì)圖14所示的晶圓8，在晶圓8 (兩主面81、82和貫穿孔49的內(nèi)側(cè)面491等)上通過濺射法而濺射形成由Mo構(gòu)成的Mo層(第I種膜91)。在形成第I種膜91后，在第I種膜91上通過濺射法而濺射形成由Cu構(gòu)成的Cu層(第2種膜92)。
[0128]在形成第I種膜91及第2種膜92后，在第2種膜92上通過浸涂法而涂布抗蝕劑，形成新的正性抗蝕劑層912。然后，為了形成與貫穿孔49的內(nèi)側(cè)面491及其附近、和基座4的另一主面43的布線圖案相對(duì)應(yīng)的規(guī)定圖案，通過光刻法對(duì)正性抗蝕劑層912進(jìn)行曝光及顯影，然后，對(duì)通過曝光及顯影而露出的部分，對(duì)第I種膜91和第2種膜92進(jìn)行金屬蝕刻。在第I種膜91和第2種膜92的金屬蝕刻后，將正性抗蝕劑層912剝離除去(參照圖15)。通過在此形成的第I種膜91及第2種膜92，構(gòu)成圖1所示的基座4的布線圖案55的一部分。
[0129]對(duì)圖15所示的晶圓8通過浸涂法而涂布抗蝕劑，形成新的正性抗蝕劑層912。然后，為了形成貫穿孔49的內(nèi)側(cè)面491及其附近、和基座4的另一主面43的規(guī)定圖案，通過光刻法對(duì)正性抗蝕劑層912進(jìn)行曝光及顯影。然后，在晶圓8的兩主面81、82上電鍍形成由Cu構(gòu)成的樹脂層61。在形成樹脂層61后，將正性抗蝕劑層912剝離除去，如圖16所示，在貫穿孔49及基座4的另一主面43上形成樹脂圖案61。
[0130]在形成樹脂圖案61后，在晶圓8的兩主面81、82上通過濺射法而濺射形成由Mo構(gòu)成的Mo層(第I濺射膜93)。在形成第I濺射膜93后，在第I濺射膜93上通過濺射法而濺射形成由Cu構(gòu)成的Cu層(第2濺射膜94)(參照圖17)。
[0131]在形成第I濺射膜93及第2濺射膜94后，在第2種膜92上通過浸涂法而涂布抗蝕劑，形成新的正性抗蝕劑層912。然后，為了形成第I鍍層95?第4鍍層98，通過光刻法對(duì)與第I鍍層95?第4鍍層98相對(duì)應(yīng)的規(guī)定圖案的正性抗蝕劑層912進(jìn)行曝光及顯影(參照圖18)。
[0132]在進(jìn)行了正性抗蝕劑層912的曝光及顯影后，在晶圓8的兩主面81、82上形成第I鍍層95，在第I鍍層95上形成第2鍍層96，在第2鍍層96上形成第3鍍層97，在第3鍍層97上形成第4鍍層98 (參照圖19)。
[0133]如圖19所示，在形成第I鍍層95?第4鍍層98后，將正性抗蝕劑層912及正性抗蝕劑層912下的第I濺射膜93和第2濺射膜94除去，在晶圓8上形成多個(gè)基座4(參照圖20)。通過在此形成的第I濺射膜93、第2濺射膜94、第I鍍層95?第4鍍層98，構(gòu)成圖1所示的基座4的電極焊盤51、52、布線圖案55的一部分、及第I接合層48。
[0134]在晶圓8上形成多個(gè)基座4后，將多個(gè)基座4分別分割而將多個(gè)基座4單片化(基座單片化工序)，制造多個(gè)圖2所示的基座4。
[0135]然后，在圖2所示的基座4上，基于切缺部541的位置而配置圖7所示的晶體振蕩片2，并經(jīng)由導(dǎo)電性凸起13通過FCB法將晶體振蕩片2電機(jī)械地超聲波接合在基座4上，在基座4上搭載保持晶體振蕩片2。另外，在另一工序中，在圖6所示的蓋7的第2接合層74上層疊接合材料12。然后，在搭載保持有晶體振蕩片2的基座4上配置蓋7，將基座4的第I接合層48和蓋7的第2接合層74經(jīng)由接合材料12并通過FCB法而電機(jī)械地超聲波接合，制造圖1所示的晶體振蕩器I。
[0136]如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式的晶體振蕩器1、及基座4、基座4的制造方法，貫穿孔49的內(nèi)側(cè)面491包含曲面495，因此相對(duì)于上述的現(xiàn)有技術(shù)那樣的整個(gè)內(nèi)側(cè)面形成為錐形的貫穿孔，即使減小貫穿孔49的兩方的開口端(一端開口端492、另一端開口端493)的寬度，也能夠形成貫穿孔49。其結(jié)果是，能夠減小貫穿孔49的開口端(一端開口端492、另一立而開口纟而493),從而能夠減小貫芽孔49的開口纟而(一纟而開口纟而492、另一纟而開口纟而493)在基座4的兩主面42、43中所占據(jù)的占有面積。另外,根據(jù)本實(shí)施方式,能夠?qū)μ畛溆谪灤┛?9中的構(gòu)件產(chǎn)生固著效果。特別是，基于曲面的固著效果比基于平坦面的固著效果有效。
[0137]另外，在貫穿孔49的內(nèi)側(cè)面491上形成有兩個(gè)突起部498，突起部498的突起端緣4981是曲面495的端緣，因此能夠通過突起端緣4981及曲面495而高效率地對(duì)填充于貫穿孔49中的構(gòu)件產(chǎn)生固著效果。
[0138]另外，在兩個(gè)突起部498之間形成曲面495，因此對(duì)于與基座4 (基材)的兩主面42,43正交的正交方向(兩方向)，能夠通過兩個(gè)突起部498及曲面495而產(chǎn)生固著效果。
[0139]另外，與基座4 (基材)的一主面42連續(xù)地形成貫穿孔49的曲面495，與基座4 (基材)的另一主面43連續(xù)地形成貫穿孔49的錐狀的平坦面494，并與平坦面494連續(xù)地形成曲面495，因此，不僅能夠減小貫穿孔49的開口端(一端開口端492、另一端開口端493)在基座4的兩主面42、43中所占據(jù)的占有面積，還能夠通過曲面495抑制填充于貫穿孔49中的構(gòu)件從基座4 (基材)的一王面42漏出。另外，由于與基座4 (基材)的另一王面43連續(xù)地形成平坦面494，所以通過從平坦面494向貫穿孔49中填充填充物(在本實(shí)施方式中為樹脂材料61)，能夠容易地向貫穿孔49填充填充物。
[0140]此外，在本實(shí)施方式的晶體振蕩器I中，樹脂材料61由在貫穿孔49的內(nèi)側(cè)面的第I種膜91及第2種膜92上電鍍形成的Cu鍍層構(gòu)成，但樹脂材料61只要是向貫穿孔49填充導(dǎo)電性材料而構(gòu)成的材料即可，不限定于此。也就是說，樹脂材料61可以通過向貫穿孔49填充金屬糊(添加有導(dǎo)電性填充物的糊狀樹脂材料)而構(gòu)成。
[0141]另外，在本實(shí)施方式的晶體振蕩器I的基座4中，由Mo膜構(gòu)成第I種膜91，但不限定于此，也可以代替Mo膜而使用由Ti構(gòu)成的Ti膜。
[0142]另外，在本實(shí)施方式中，作為基座4及蓋7的材料而使用玻璃，但基座4及蓋7均不限定于使用玻璃構(gòu)成的材料，只要是各向同性材料即可。
[0143]另外，在本實(shí)施方式中，作為接合材料12而主要使用AuSn，但接合材料12只要能夠使基座4和蓋7接合，就沒有特別限定，例如可以是使用CuSn等Sn合金釬焊材料而構(gòu)成的材料。
[0144]另外，在上述實(shí)施方式的晶體振蕩器I中，作為晶體振蕩片而使用圖7所示的音叉型晶體振蕩片2,但也可以使用AT切割晶體振蕩片。
[0145]另外，也可以在本實(shí)施方式的基座4上除晶體振蕩片2外還搭載IC芯片而構(gòu)成振蕩器。在基座4上搭載IC芯片的情況下，在基座4上形成與IC芯片的電極結(jié)構(gòu)相應(yīng)的電極。
[0146]另外，在本實(shí)施方式中，使用2端子的晶體振蕩器1，但不限定于此，也能夠適用于4端子的晶體振蕩器I。
[0147]另外，在本實(shí)施方式中，由一個(gè)平坦面494和一個(gè)曲面495構(gòu)成貫穿孔49的內(nèi)側(cè)面491，但不限定于此，如圖21所示,也可以由兩個(gè)平坦面(第I平坦面4941和第2平坦面4942)和一個(gè)曲面495構(gòu)成貫穿孔49的內(nèi)側(cè)面491。在圖21所示的基座4的貫穿孔49中，其內(nèi)側(cè)面491由錐狀的第I平坦面4941及錐狀的第2平坦面4942、和曲面495構(gòu)成。關(guān)于貫穿孔49的具體結(jié)構(gòu)，與基座4 (基材)的一主面42連續(xù)地形成第I平坦面4941，與第I平坦面4941連續(xù)地形成曲面495，與基座4 (基材)的另一主面43連續(xù)地形成第2平坦面4942，與第2平坦面4942連續(xù)地形成曲面495。
[0148]根據(jù)該圖21所示的貫穿孔49，不僅能夠減小貫穿孔49的開口端(一端開口端492、另一端開口端493)在基座4的兩主面42、43中所占據(jù)的占有面積，而且從第I平坦面4941或第2平坦面4942的任一方均能夠向貫穿孔49中填充填充物，因此能夠容易地向貫穿孔49填充填充物。
[0149]另外，在本實(shí)施方式中，由第I形成工序和第2形成工序構(gòu)成與貫穿孔49的形成相關(guān)的形成工序，但不限定于此，也可以通過以向貫穿孔49的寬度方向的外側(cè)鼓出的方式形成曲面來作為貫穿孔49的內(nèi)側(cè)面491的一部分的第3形成工序形成貫穿孔49。在該第
3形成工序中，通過濕法蝕刻在基材上形成使內(nèi)表面497 (內(nèi)側(cè)面及底面)為平坦面的凹部496，以凹部496的底面為蝕刻對(duì)象通過濕法蝕刻方法形成曲面495。通過該第3形成工序而形成的貫穿孔49如圖22所示。圖22所示的貫穿孔49的內(nèi)側(cè)面491僅由曲面495形成。用于形成該圖22所示的曲面495的基準(zhǔn)點(diǎn)499位于作為基準(zhǔn)面的面B上。根據(jù)該圖22所示的實(shí)施方式，貫穿孔49的內(nèi)側(cè)面491僅由曲面495形成，因此不僅能夠減小貫穿孔49的開口端(一端開口端492、另一端開口端493)在基座4的兩主面42、43中所占據(jù)的占有面積，還能夠通過曲面495抑制填充于貫穿孔49中的構(gòu)件從基座4 (基材)的兩主面42、43漏出。
[0150]另外，在上述的本實(shí)施方式中，在貫穿孔49上形成有曲率一定的曲面495，但只要是由從基準(zhǔn)點(diǎn)499 (參照圖12)呈放射狀地?cái)U(kuò)展的點(diǎn)的集合體構(gòu)成，則也可以是曲率可變的曲面。具體而言，如圖23所示，貫穿孔49的開口端的一方(另一端開口端493)可以形成為橢圓形。需要說明的是，圖23所示的一端開口端492形成為正圓，一端開口端492與另一端開口端493的形狀和尺寸不同。
[0151]如上所述，在圖23所示的貫穿孔49中，一端開口端492為正圓，另一端開口端493為橢圓，如圖28?30所示，貫穿孔49的截面形狀不同。在本實(shí)施方式中，利用圖24?27所示的俯視觀察呈長方形的開口圖案83，形成使另一端開口端493為橢圓形的貫穿孔49，此外，如圖24所示，俯視觀察呈四邊形(大致長方形)的開口圖案83的短邊與凹部496的開口端相對(duì)應(yīng)，短邊不是直線而是曲線。
[0152]關(guān)于圖23所示的貫穿孔49的制造，在本實(shí)施方式中，晶圓8使用各向同性材料。因此，通過使開口圖案83在俯視觀察時(shí)為長方形，若從構(gòu)成開口圖案83的多個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)499呈放射狀地將晶圓8溶解(蝕刻)，則另一端開口端493成為橢圓形。通過使該另一端開口端493為橢圓形的貫穿孔49，能夠使貫穿孔49內(nèi)的突起端緣局部地平滑化。即，能夠抑制突起部分的銳角而使突起端緣圓滑。
[0153]另外，在上述的各實(shí)施方式中，貫穿孔49的內(nèi)側(cè)面491包含一個(gè)曲面495，但不限定于此，如圖31所示，貫穿孔49中可以包含多個(gè)曲面4951、4952。需要說明的是，在圖31中，兩個(gè)曲面4951、4952連續(xù)地形成。
[0154]在圖31所示的貫穿孔49中，包含兩個(gè)曲面4951、4952。具體而言，兩個(gè)曲面4951、4952分別為向貫穿孔49的寬度方向外側(cè)鼓出而成形為凸?fàn)畹那嫘螤睢蓚€(gè)曲面4951、4952分別由從貫穿孔49的孔內(nèi)的預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)點(diǎn)4991、4992 (參照圖41)呈放射狀地?cái)U(kuò)展的點(diǎn)的集合體構(gòu)成。兩個(gè)曲面4951、4952分別為以基準(zhǔn)點(diǎn)4991、4992為中心(中心點(diǎn))的球體的曲面(球面)，而且，各自的以基準(zhǔn)點(diǎn)4991、4992 (參照圖41)為中心的球面的法線位于面B1、B2 (圖31所示的雙點(diǎn)劃線的假想面)上。在此所說的預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)點(diǎn)4991、4992具有多個(gè)，多個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)4991、4992分別位于面B1、B2上，分別在面B1、B2上成為未圖示的圓形的線(環(huán)狀的俯視觀察呈正圓形的線)。另外，各個(gè)面B1、B2是與基座4的兩主面42、43相同的面方向，參照圖31所示的基座4的剖視圖，是與基座4的兩主面42、43平行的面。另外，面BI位于與基座4的一主面42相比靠近另一主面43側(cè)的位置，面B2位于與基座4的另一主面43相比靠近一主面42側(cè)的位置。
[0155]另外，如上所述，兩個(gè)曲面4951、4952是以多個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)4991、4992(參照圖41)為中心的曲面，因此以基準(zhǔn)點(diǎn)4991、4992為中心的法線位于面B1、B2上。另外，兩個(gè)曲面4951、4952為相同尺寸，在貫穿孔49中，沿面B1、B2的直徑為最大寬度尺寸。需要說明的是，在圖31所示的實(shí)施方式中，沿面B1、B2的直徑為最大寬度尺寸，但不限定于此，也可以是，沿面B1、B2的直徑、和貫穿孔49的開口端(一端開口端492、另一端開口端493)為相同直徑，貫穿孔49的開口端也為最大寬度尺寸。
[0156]另外，在貫穿孔49的內(nèi)側(cè)面491上形成有向孔內(nèi)突出的三個(gè)突起部498。突起部498的突起端緣4981成為曲面4951、4952的端緣。此外，本實(shí)施方式的三個(gè)突起部498分別成形為環(huán)狀。另外，三個(gè)突起部498彼此之間的貫穿孔49的內(nèi)側(cè)面491形成為曲面4951、4952。需要說明的是，在本實(shí)施方式中，形成有三個(gè)突起部498，但不限定于此，還可以是多個(gè)。
[0157]接著，利用圖31?圖43來說明圖31所示的基座4的貫穿孔49的制造方法。[0158]首先，使用形成多個(gè)基座4的由玻璃材料(各向同性材料)形成的一塊板狀的晶圓8，如圖32所示，在晶圓8的兩主面81、82上濺射形成由Cr構(gòu)成的Cr膜910，在Cr膜910上濺射形成由Au構(gòu)成的Au膜911，在Au膜911上通過旋涂法涂布抗蝕劑，形成正性抗蝕劑層 912。
[0159]在形成正性抗蝕劑層912后，為了形成除臺(tái)座部46外的腔部45的一部分，通過光刻法對(duì)晶圓8的兩主面81的正性抗蝕劑層912進(jìn)行曝光及顯影，對(duì)露出的Cr膜910和Au膜911進(jìn)行金屬蝕刻，如圖33所示，形成規(guī)定圖案(除臺(tái)座部46外的腔部45的一部分)。
[0160]在形成圖33所示的規(guī)定圖案后，通過利用了光刻技術(shù)的濕法蝕刻法對(duì)晶圓8進(jìn)行蝕刻，如圖34所示，在晶圓8上成形多個(gè)基座4，該基座4形成有除臺(tái)座部46外的腔部45的一部分。
[0161]對(duì)圖34所示的成形了多個(gè)基座4的晶圓8，將正性抗蝕劑層912、Cr膜910和Au膜911剝離除去，成為晶圓8素板，其中，上述多個(gè)基座4形成了腔部45的一部分。
[0162]在素板狀態(tài)的晶圓8的兩主面81、82上濺射形成由Cr構(gòu)成的Cr膜910，在Cr膜910上派射形成由Au構(gòu)成的Au膜911,在Au膜911上通過浸涂法涂布抗蝕劑,形成正性抗蝕劑層912。
[0163]在形成正性抗蝕劑層912后，為了成形包含臺(tái)座部46的腔部45，通過光刻法對(duì)晶圓8的一主面81的正性抗蝕劑層912進(jìn)行曝光及顯影，對(duì)露出的Cr膜910和Au膜911進(jìn)行金屬蝕刻，如圖35所示，形成規(guī)定圖案(包含臺(tái)座部46的腔部45、基座4的另一主面43的外周緣)。
[0164]在形成圖35所示的規(guī)定圖案后，通過利用了光刻技術(shù)的濕法蝕刻法對(duì)晶圓8進(jìn)行蝕刻，如圖36所示，在晶圓8上成形多個(gè)形成有包含臺(tái)座部46的腔部45、和基座4的另一主面43的外周緣的基座4。
[0165]對(duì)圖36所示的成形了多個(gè)形成有腔部45的基座4的晶圓8，將正性抗蝕劑層912、Cr膜910和Au膜911剝離除去，成為圖37所示的晶圓8素板。
[0166]在素板狀態(tài)的晶圓8的兩主面81、82上濺射形成由Cr構(gòu)成的Cr膜910，在Cr膜910上派射形成由Au構(gòu)成的Au膜911,在Au膜911上通過浸涂法涂布抗蝕劑,形成正性抗蝕劑層912。
[0167]在形成正性抗蝕劑層912后，為了形成用于構(gòu)成貫穿孔49的平坦面494的凹部496 (參照圖39)，通過光刻法對(duì)晶圓8的兩主面81、82的正性抗蝕劑層912進(jìn)行曝光及顯影，對(duì)露出的Cr膜910和Au膜911進(jìn)行金屬蝕刻，如圖38所示，形成規(guī)定圖案(用于構(gòu)成貫穿孔49的平坦面494的凹部496)。
[0168]在形成圖38所示的規(guī)定圖案后，通過利用了光刻技術(shù)的濕法蝕刻法對(duì)晶圓8進(jìn)行蝕刻，如圖39所示，成形多個(gè)基座4，該基座4在晶圓8的兩主面81、82 (—主面81、另一主面82)上形成有用于構(gòu)成貫穿孔49的平坦面494的凹部496。需要說明的是，在此所說的凹部496的內(nèi)側(cè)的底面成為用于設(shè)定面B1、B2 (圖39所示的雙點(diǎn)劃線的假想面)的基準(zhǔn)面。另外，凹部496的內(nèi)側(cè)面為平坦的面(平坦面494)，但不限定于此，只要相對(duì)于晶圓8的兩主面81、82 (參照基座的兩主面42、43)形成為錐狀的錐面即可。因此，在錐面中，向濕法蝕刻的蝕刻方向鼓出的曲面可以包含在至少一部分中。
[0169]在晶圓8的兩主面81、82上形成用于構(gòu)成貫穿孔49的平坦面494的凹部496后，如圖40所示，將正性抗蝕劑層912、Cr膜910和Au膜911剝離除去，成為晶圓8素板。將到此為止的工序稱為本發(fā)明中所說的形成工序的一部分、即第I形成工序。
[0170]為了對(duì)圖40所示的晶圓8形成貫穿孔49 (曲面4951、4952)，在晶圓8的兩主面81、82上濺射形成新的Cr膜910，在Cr膜910上濺射形成新的Au膜911，在Au膜911上通過電沉積涂布法(或噴涂法)而涂布抗蝕劑，形成新的正性抗蝕劑層912。在本實(shí)施方式中，為了形成新的正性抗蝕劑層912而利用電沉積涂布法(或噴涂法)，因此，能夠?qū)⑿碌恼钥刮g劑層912形成至凹部496的內(nèi)表面497 (內(nèi)側(cè)面及內(nèi)側(cè)的底面)。
[0171]然后，在形成新的正性抗蝕劑層912后，為了成形貫穿孔49的曲面4951、4952，通過光刻法對(duì)晶圓8的兩主面81、82的正性抗蝕劑層912進(jìn)行曝光及顯影，對(duì)露出的Cr膜910和Au膜911進(jìn)行蝕刻，如圖41所示，形成貫穿孔49的曲面495的圖案。此時(shí)，在凹部496中，僅將內(nèi)側(cè)的底面中央部的、正性抗蝕劑層912和Cr膜910和Au膜911剝離除去。需要說明的是，在此所說的從在凹部496的內(nèi)側(cè)的底面上形成的正性抗蝕劑層912 (也包含Cr膜910和Au膜911)露出的中央部的露出端緣(參照圖41的附圖標(biāo)記4991、4992所表示的點(diǎn))，成為由上述的多個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)4991、4992構(gòu)成的線(環(huán)狀的俯視觀察為正圓形的線)，使這些露出的部分為開口圖案。此外，多個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)4991、4992位于面B1、B2 (圖39所示的雙點(diǎn)劃線的假想面)上。
[0172]在形成圖41所示的規(guī)定圖案后，通過利用了光刻技術(shù)的濕法蝕刻法進(jìn)行蝕刻。關(guān)于此處的蝕刻，由于在本實(shí)施方式中晶圓8使用各向同性材料，所以從多個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)499呈放射狀地將晶圓8溶解(蝕刻)。于是，如圖42所示，在晶圓8上成形多個(gè)形成有貫穿孔49的
基座4。
[0173]在晶圓8上形成腔部45、貫穿孔49、和另一主面43的外周緣后，如圖43所示，將正性抗蝕劑層912、Cr膜910和Au膜911剝離除去，成為形成有多個(gè)基座4的晶圓8素板(參照圖31的貫穿孔49)。將到此為止的工序稱為本發(fā)明中所說的形成工序的一部分、即第2形成工序。需要說明的是，關(guān)于第2形成工序，在提出申請時(shí)，對(duì)于在晶體振蕩器I (基座4)被小型化的基座4中的曲面495的形成中使用物理蝕刻(干法蝕刻等)的情況，從面形成精度和費(fèi)用方面出發(fā)未加以考慮。另外，由上述的第I形成工序和第2形成工序構(gòu)成形成工序。
[0174]然后，對(duì)圖43所示的晶圓8，通過與上述的實(shí)施方式相同的工序，在晶圓8上形成多個(gè)基座4，該基座4形成有布線圖案55且在貫穿孔49及基座4的另一主面43上形成有樹脂圖案61。在晶圓8上形成多個(gè)基座4后，將多個(gè)基座4分別分割而將多個(gè)基座4單片化(基座單片化工序)，制造多個(gè)基座4。然后，在基座4上配置晶體振蕩片2，并經(jīng)由導(dǎo)電性凸起13通過FCB法將晶體振蕩片2電機(jī)械地超聲波接合在基座4上，在基座4上搭載保持晶體振蕩片2。另外，在另一工序中，在圖6所示的蓋7的第2接合層74上層疊接合材料
12。然后，在搭載保持有晶體振蕩片2的基座4上配置蓋7，將基座4的第I接合層48和蓋7的第2接合層74經(jīng)由接合材料12并通過FCB法而電機(jī)械地超聲波接合，制造晶體振蕩器I。
[0175]如上所述，根據(jù)圖31所示的貫穿孔49，具有基于上述圖5所示的貫穿孔4而實(shí)現(xiàn)的作用效果，并且能夠使貫穿孔49的兩方的開口端(一端開口端492、另一端開口端493)的寬度比上述的圖5所示的貫穿孔49窄。[0176]當(dāng)然也能夠?qū)ι鲜龅谋緦?shí)施方式及各變形例進(jìn)行適當(dāng)組合。
[0177]此外，本發(fā)明在不脫離其精神或主要特征的范圍內(nèi)，能夠以其他各種形態(tài)實(shí)施。因此，上述的實(shí)施例在所有方面均僅僅是例示，不能限定地解釋。本發(fā)明的范圍通過權(quán)利要求書而公開，并不通過說明書正文對(duì)其進(jìn)行任何限制。另外，屬于與權(quán)利要求書的范圍同等的范圍內(nèi)的變形和變更，全部包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0178]另外，本申請基于2011年9月30日在日本提出申請的特愿2011 — 216965號(hào)主張優(yōu)先權(quán)。通過對(duì)此進(jìn)行提及，將其全部內(nèi)容包括在本申請中。
[0179]工業(yè)實(shí)用性
[0180]本發(fā)明能夠適用于搭載電子部件元件的電子部件封裝體。
[0181]附圖標(biāo)記說明
[0182]I晶體振蕩器
[0183]11內(nèi)部空間
[0184]12接合材料
[0185]13導(dǎo)電性凸起
[0186]2晶體振蕩片(電子部件元件)
[0187]20壓電振蕩素板
[0188]21、22 腿部
[0189]211、221 前端部
[0190]23 基部
[0191]231 一端面
[0192]232 另一端面
[0193]233 側(cè)面
[0194]24接合部
[0195]241短邊部
[0196]242長邊部
[0197]243前端部
[0198]25 槽部
[0199]26貫穿孔
[0200]27接合部位
[0201]31、32激振電極
[0202]33、34引出電極
[0203]4基座(作為密封構(gòu)件的電子部件封裝體用密封構(gòu)件)
[0204]41 底部
[0205]42 一主面
[0206]43另一主面
[0207]44 壁部
[0208]45 腔部
[0209]452 一端部
[0210]46臺(tái)座部[0211]48第I接合層
[0212]49貫穿孔
[0213]491內(nèi)側(cè)面
[0214]492 一端開口端
[0215]493另一端開口端
[0216]494平坦面
[0217]4941 第I平坦面
[0218]4942第2平坦面
[0219]495、4951、4952 曲面
[0220]496 凹部
[0221]497 內(nèi)面
[0222]498 突起部
[0223]4981突起端緣
[0224]499、4991、4992 基準(zhǔn)點(diǎn)
[0225]51、52電極焊盤
[0226]53、54外部端子電極
[0227]541 切缺部
[0228]55布線圖案
[0229]58,59接觸區(qū)域
[0230]61樹脂圖案、樹脂材料、樹脂層[0231 ]7 蓋
[0232]71 頂部
[0233]72 一主面
[0234]73 壁部
[0235]731內(nèi)側(cè)面
[0236]732外側(cè)面
[0237]733 頂面
[0238]74第2接合層
[0239]8 晶圓
[0240]81、82 主面
[0241]83開口圖案
[0242]91第I種膜(第I金屬層)
[0243]92第2種膜(第2金屬層)
[0244]93第I濺射膜(第I濺射層)
[0245]94第2濺射膜(第2濺射層)
[0246]95第I鍍膜(第I鍍層)
[0247]96第2鍍膜(第2鍍層)
[0248]97第3鍍膜(第3鍍層)
[0249]98第4鍍膜(第4鍍層)[0250]910 Cr 膜
[0251]911 Au 膜
[0252]912正性抗蝕劑層
[0253]B、B1、B2 面
【權(quán)利要求】
1.一種電子部件封裝體用密封構(gòu)件，作為通過多個(gè)密封構(gòu)件將電子部件元件的電極氣密密封的電子部件封裝體的所述密封構(gòu)件而使用，其特征在于， 形成有將構(gòu)成所述電子部件封裝體用密封構(gòu)件的基材的兩主面之間貫穿的貫穿孔， 在所述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面中包含向所述貫穿孔的寬度方向外側(cè)鼓出的曲面。
2.一種電子部件封裝體用密封構(gòu)件，作為通過多個(gè)密封構(gòu)件將電子部件元件的電極氣密密封的電子部件封裝體的所述密封構(gòu)件而使用，其特征在于， 形成有將構(gòu)成所述電子部件封裝體用密封構(gòu)件的基材的兩主面之間貫穿的貫穿孔，在所述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面中包含曲面，所述曲面由從所述貫穿孔的孔內(nèi)的預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)點(diǎn)呈放射狀地?cái)U(kuò)展的點(diǎn)的集合體構(gòu)成， 所述預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)點(diǎn)具有多個(gè)，所述多個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)位于一個(gè)面上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的電子部件封裝體用密封構(gòu)件，其特征在于， 在所述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面上形成有向孔內(nèi)突出的多個(gè)突起部， 所述突起部的突起端緣是所述曲面的端緣。
4.如權(quán)利要求3所述的電子部件封裝體用密封構(gòu)件，其特征在于， 所述多個(gè)突起部之間的所述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面由所述曲面形成。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的電子部件封裝體用密封構(gòu)件，其特征在于， 所述曲面形成有多個(gè)。
6.如權(quán)利要求1至5中任 一項(xiàng)所述的電子部件封裝體用密封構(gòu)件，其特征在于， 所述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面僅由所述曲面形成。
7.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的電子部件封裝體用密封構(gòu)件，其特征在于， 在所述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面中包含錐狀的平坦面， 與所述基材的一主面連續(xù)地形成所述曲面， 與所述基材的另一主面連續(xù)地形成錐狀的平坦面， 與所述平坦面連續(xù)地形成所述曲面。
8.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的電子部件封裝體用密封構(gòu)件，其特征在于， 在所述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面中包含錐狀的第I平坦面和錐狀的第2平坦面， 與所述基材的一主面連續(xù)地形成錐狀的第I平坦面，與所述第I平坦面連續(xù)地形成所述曲面， 與所述基材的另一主面連續(xù)地形成錐狀的第2平坦面，與所述第2平坦面連續(xù)地形成所述曲面。
9.一種電子部件封裝體，通過多個(gè)密封構(gòu)件將電子部件元件的電極氣密密封，其特征在于， 至少一個(gè)所述密封構(gòu)件為權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的電子部件封裝體用密封構(gòu)件。
10.一種電子部件封裝體用密封構(gòu)件的制造方法，所述電子部件封裝體用密封構(gòu)件作為通過多個(gè)密封構(gòu)件將電子部件元件的電極氣密密封的電子部件封裝體的所述密封構(gòu)件而使用，所述電子部件封裝體用密封構(gòu)件的制造方法的特征在于， 具有形成貫穿孔的形成工序，所述貫穿孔將構(gòu)成所述電子部件封裝體用密封構(gòu)件的基材的兩主面之間貫穿，所述形成工序包括:作為所述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面的一部分而形成平坦面的第I形成工序；和在所述第I形成工序后，作為所述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面的一部分而形成曲面的第2形成工序， 在所述第I形成工序中，通過濕法蝕刻而在所述基材上形成使內(nèi)側(cè)面為錐面的凹部， 在所述第2形成工序中，以所述凹部的底面為蝕刻對(duì)象，通過濕法蝕刻而形成所述曲面， 使在所述第I形成工序中形成的所述凹部的內(nèi)側(cè)面的至少一部分為所述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面。
11.如權(quán)利要求10所述的電子部件封裝體用密封構(gòu)件的制造方法。其特征在于， 在所述第2形成工序中，利用電沉積抗蝕劑在所述基材上形成抗蝕劑層，利用所形成的所述抗蝕劑層而進(jìn)行蝕刻。
12.一種電子部件封裝體用密封構(gòu)件的制造方法，所述電子部件封裝體用密封構(gòu)件作為通過多個(gè)密封構(gòu)件將電子部件元件的電極氣密密封的電子部件封裝體的所述密封構(gòu)件而使用，所述電子部件封裝體用密封構(gòu)件的制造方法的特征在于， 具有形成貫穿孔的形成工序，所述貫穿孔將構(gòu)成所述電子部件封裝體用密封構(gòu)件的基材的兩主面之間貫穿， 所述形成工序包含作為所述貫穿孔的內(nèi)側(cè)面而形成曲面的第3形成工序， 在所述第3形成工序中，通過濕法蝕刻在所述基材上形成具有底面的凹部，以所述凹部的底面為蝕刻對(duì)象，通過濕法蝕刻形成所述曲面。`
13.如權(quán)利要求12所述的電子部件封裝體用密封構(gòu)件的制造方法，其特征在于， 在所述第3形成工序中，利用電沉積抗蝕劑在所述基材上形成抗蝕劑層，利用所形成的所述抗蝕劑層進(jìn)行蝕刻。
【文檔編號(hào)】H01L23/04GK103875070SQ201280047839
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2012年9月28日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月30日
【發(fā)明者】幸田直樹 申請人:株式會(huì)社大真空