包含結(jié)晶性材料的單元的加工方法和形成絕緣體上半導體構(gòu)造的方法
【專利摘要】一些實施例包括含有結(jié)晶性材料的單元的加工方法。可在所述結(jié)晶性材料內(nèi)形成損壞區(qū)域，且所述單元的一部分可位于所述損壞區(qū)域上方?？墒褂每ūP使所述單元彎曲且由此誘發(fā)沿所述損壞區(qū)域分裂，從而從所述單元的位于所述損壞區(qū)域上方的所述部分形成結(jié)構(gòu)。一些實施例包括形成絕緣體上半導體構(gòu)造的方法?？尚纬删哂性趩尉О雽w材料上方的電介質(zhì)材料的單元?？稍谒鰡尉О雽w材料內(nèi)形成損壞區(qū)域，且所述單晶半導體材料的一部分可位于所述損壞區(qū)域與所述電介質(zhì)材料之間?？蓪⑺鰡卧{入具有手柄組件的組合件中，且可使用卡盤扭曲所述組合件且由此誘發(fā)沿所述損壞區(qū)域分裂。
【專利說明】包含結(jié)晶性材料的單元的加工方法和形成絕緣體上半導體構(gòu)造的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及包含結(jié)晶性材料的單元的加工方法和形成絕緣體上半導體構(gòu)造的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]智能切割技術(shù)是用于形成絕緣體上半導體(SOI)結(jié)構(gòu)的工藝。布魯爾(Bruel)(M.布魯爾，電子學快報(Electronics Letters), 1995年7月6日；第31卷,第14期,第1201-1202頁)闡述可用于智能切割技術(shù)中的實例性工藝序列。所述工藝序列包含在第一單晶硅晶片上方形成二氧化硅，隨后在晶片中植入氫離子以形成損壞區(qū)域。損壞區(qū)域與二氧化硅由晶片的單晶硅材料的插入部分間隔開。隨后，通過親水性結(jié)合借助氧化硅使晶片結(jié)合到手柄組件(其可為第二半導體晶片)。然后使用兩階段工藝熱處理損壞區(qū)域。兩階段工藝包含首先將損壞區(qū)域加熱到約400°C到約600°C的溫度以使晶片沿損壞區(qū)域裂開(形成具有結(jié)合到手柄部分的單晶薄層的SOI結(jié)構(gòu)，且還形成對應(yīng)于單晶硅的可再循環(huán)回工藝中作為起始單晶硅晶片的第二結(jié)構(gòu))。兩階段工藝然后包含將SOI結(jié)構(gòu)加熱到大于或等于1000°C的溫度以強化化學鍵。盡管布魯爾闡述熱處理的第一階段利用約400°C到約600°C的溫度，但布魯爾隨后確定第一階段可利用約200°C到約600°C的溫度來實施；且具體來說可利用共植入物來減小用于所述第一階段的溫度。
[0003]SOI結(jié)構(gòu)的隨后加工可包含化學-機械拋光(CMP)以沿單晶硅的薄層的外表面(即沿在破裂期間沿損壞區(qū)域所形成的表面)減小表面粗糙度。
[0004]現(xiàn)有智能切割工藝可較為昂貴，這是由于在形成損壞區(qū)域時利用大量氫。關(guān)于現(xiàn)有智能切割工藝的另一問題可在于，通過使損壞區(qū)域破裂所形成的表面可極粗糙，從而需要深度CMP，此可減小通量且增加成本。
[0005]出于上述原因，期望研發(fā)新智能切割型工藝，所述工藝可利用少于現(xiàn)有工藝的氫和/或可沿損壞區(qū)域形成改良表面以減小或可能甚至消除所述表面的后續(xù)CMP。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]一些實施例包括新智能切割型加工，其中在形成損壞區(qū)域之后，利用卡盤的彎曲表面扭曲晶片，且由此增強沿損壞區(qū)域的破裂。所述加工可使得能夠在形成損壞區(qū)域時利用少于常規(guī)智能切割工藝的氫；和/或可使得能夠形成具有實質(zhì)性減小的粗糙度的SOI表面，此可消除在常規(guī)智能切割工藝中所利用的CMP步驟，或此可至少相對于常規(guī)智能切割工藝減小CMP的量。
[0007]可在本文所闡述的實施例中利用任一適宜卡盤。在一些實施例中，卡盤可為靜電卡盤；例如強森-羅貝克(Johnsen-Rahbek, J-R)型卡盤。
【專利附圖】

【附圖說明】[0008]圖1到圖4是結(jié)構(gòu)的一部分在一實例性實施例工藝的各個工藝階段中的圖解性剖面圖。
[0009]圖5是圖4的結(jié)構(gòu)以與圖4中所使用不同的比例展示的圖解性剖面圖；其中圖5展示整個結(jié)構(gòu)。
[0010]圖6是毗鄰卡盤的圖5的結(jié)構(gòu)在一實例性實施例工藝的工藝階段中的圖解性剖面圖。
[0011]圖7到圖9是類似于圖5的結(jié)構(gòu)以與圖5和圖6中不同的比例展示且在一實例性實施例工藝的各個工藝階段展示的圖解性剖面圖。
[0012]圖10和圖11展示可用于圖5的結(jié)構(gòu)的其它實例性工藝階段。
[0013]圖12展示具有各種尺寸的半導體晶片的剖面?zhèn)纫晥D，所述尺寸可用于在一些實施例中輸入到等式中以確定表面?zhèn)认驊?yīng)力(σ)。
[0014]圖13到圖15是可用于一些實例性實施例中的實例性靜電卡盤配置的圖解性視圖。
【具體實施方式】
[0015]參照圖1到圖15來闡述實例性實施例。
[0016]圖1到圖9圖解說明智能切割型工藝的一實例性實施例。
[0017]參照圖1，其圖解說明構(gòu)造10的一部分。所述結(jié)構(gòu)包含結(jié)晶性材料12，所述結(jié)晶性材料上方具有電介質(zhì)材料14。在一些實施例中，構(gòu)造10可視為對應(yīng)于包含結(jié)晶性材料的單元16。包含結(jié)晶性材料的“單元”是包含結(jié)晶性材料的任一結(jié)構(gòu)?！皢卧笨砂瑔为毜慕Y(jié)晶性材料或結(jié)晶性材料與一種或一種以上其它材料的組合；且在圖1的所展示實施例中，“單元”包含結(jié)晶性材料與電介質(zhì)材料14的組合。
[0018]在一些實施例中，結(jié)晶性材料12可包含半導體材料、基本上由其組成或由其組成；且可(例如)包含單晶硅、基本上由其組成或由其組成。在一些實施例中，單晶硅可配置為適于集成電路制作的具有適當組成和尺寸的晶片。
[0019]在一些實施例中，電介質(zhì)材料14可包含二氧化硅、基本上由其組成或由其組成。舉例來說，在一些實施例中，結(jié)晶性材料12可包含單晶硅，且電介質(zhì)材料14可包含在單晶硅表面上熱生長的二氧化硅區(qū)域。
[0020]參照圖2，在結(jié)晶性材料12內(nèi)形成損壞區(qū)域18(使用虛線示意性圖解說明)。損壞區(qū)域可使用任一適宜加工形成。在所展示實施例中，借助電介質(zhì)材料14植入氫20以形成損壞區(qū)域(其中植入物由箭頭21代表)。氫可呈任一適宜形式，且在一些實施例中可包含氫離子?？梢匀我贿m宜劑量提供植入氫。在一些實施例中，可以小于用于在智能切割加工中使用氫形成損壞區(qū)域的常規(guī)劑量(其中常規(guī)劑量通常為約IXlO17個粒子/cm2 ;其中術(shù)語“粒子”是指在植入物中存在的氫物質(zhì)，例如氫離子)的劑量提供植入氫。在一些實施例中，可以小于常規(guī)劑量的二分之一的劑量(例如約為常規(guī)劑量的四分之一到約二分之一的劑量)提供植入氫。舉例來說，可以約2X1016個粒子/cm2到約5X1016個粒子/cm2的劑量提供氫。盡管在上述具體實例性實施例和本揭示內(nèi)容中的其它實例性實施例中闡述氫；但在一些實施例中，可使用氦和/或其它離子代替氫或氦和/或其它離子以及氫以形成損壞區(qū)域。[0021]利用低劑量氫可使得本發(fā)明的實例性實施例工藝能夠相對于常規(guī)智能切割型工藝以降低成本執(zhí)行。另外，利用較低劑量的氫可增加通量。舉例來說，可耗費約30分鐘來植入常規(guī)劑量的氫；且利用常規(guī)劑量的約四分之一到約二分之一的實施例可在常規(guī)時間的約四分之一到約二分之一內(nèi)達成。
[0022]盡管在一些實施例中可有利地利用低劑量氫，但在其它實施例中，氫劑量可與在常規(guī)工藝中所利用者大致相同，且可為(例如)至少約I X IO17個粒子/cm2。如果用于形成損壞區(qū)域的氫劑量與在常規(guī)工藝中所利用者大致相同，則實施例與常規(guī)工藝相比可能不能節(jié)約氫利用成本。然而，如下文所論述，實施例仍可具有相對于常規(guī)智能切割工藝的優(yōu)點(例如減少后續(xù)CMP)。
[0023]損壞區(qū)域18與電介質(zhì)材料14間隔開，且因此結(jié)晶性材料12的部分19位于電介質(zhì)材料與損壞區(qū)域之間。
[0024]參照圖3，其中展示單元16結(jié)合到手柄組件24以形成組合件26。所圖解說明的手柄組件包含半導體晶片25和毗鄰所述晶片的半導體材料的電介質(zhì)材料27。在一些實施例中，半導體晶片25可包含單晶硅、基本上由單晶硅組成或由單晶硅組成，且電介質(zhì)材料27可包含二氧化硅、基本上由二氧化硅組成或由二氧化硅組成。手柄組件24可通過手柄組件的電介質(zhì)材料27與單元16的電介質(zhì)材料14的親水性結(jié)合來結(jié)合到單元16。盡管在組合件26中展示電介質(zhì)材料14和27彼此分離，但在一些實施例中，電介質(zhì)材料14和27可具有彼此相同的組成且可合并以在結(jié)晶性材料12與半導體材料25之間形成單一電介質(zhì)材料。另外，盡管展示手柄組件24和單元16 二者最初都包含電介質(zhì)材料，但在其它實施例中僅手柄組件和單元16中的一者可最初具有電介質(zhì)材料，且所述一者可借助所述電介質(zhì)材料結(jié)合到手柄組件和單元中的另一者上。
[0025]參照圖4，對損壞區(qū)域18進行熱處理以使所述損壞區(qū)域膨脹。所述熱處理可包含與在智能切割加工期間對損壞區(qū)域的常規(guī)熱處理類似的條件，且可(例如)包含將損壞區(qū)域維持在約200°C到約600°C的溫度下保持約30分鐘的持續(xù)時間。圖4的熱加工在一些實施例中可為任選的。舉例來說，在最初植入相對較低劑量的氫時，可有利地利用圖4的熱加工，且在植入常規(guī)劑量的氫時，可能無需利用所述熱加工。
[0026]參照圖5，圖4的構(gòu)造10是相對于圖4以反轉(zhuǎn)形式展示，且是以與圖4不同的比例展示。具體來說，圖5中所利用的比例使得能夠圖解說明組合件26的整個寬度。為了簡化圖式，連結(jié)手柄組件24與單元16的電介質(zhì)材料展示為單一電介質(zhì)材料“14、27”;而不展示為兩種單獨電介質(zhì)材料。
[0027]參照圖6，毗鄰卡盤30提供組合件?？ūP包含彎曲外表面31 (具體來說，圖6的實施例中的具有凹陷形貌的彎曲外表面)，且將組合件26引向所述彎曲表面(如由箭頭32所指示)以扭曲組合件。在所展示實施例中，扭曲包含沿彎曲表面30使組合件彎曲，但在其它實施例中，可使用卡盤的其它實施例達成組合件的其它扭曲。
[0028]卡盤30可包含任一適宜卡盤，且在一些實施例中可包含靜電卡盤。如果卡盤30為靜電卡盤，則出于類似于秦(Qin)和麥克蒂爾(McTeer)的文章(S.秦和A.麥克蒂爾，“用于半導體工藝的強森-羅貝克型靜電卡盤的晶片依賴性(Wafer dependence ofJohnsen-Rahbek type electrostatic chuck for semiconductor processes)，，,應(yīng)用物理學期刊(Journal ofApplied Physics) 102,064901-1 (2007))中所論述的優(yōu)點的原因，卡盤可有利地為強森-羅貝克型靜電卡盤。下文參照圖13到圖15闡述實例性強森-羅貝克型靜電卡盤。
[0029]組合件26與表面31嚙合以扭曲組合件。出于闡釋性目的，夸大地圖解說明卡盤30的表面的曲度。在實踐中，選擇曲度足夠大以促進單元16內(nèi)沿損壞區(qū)域18的分離，但足夠小以避免在組合件26內(nèi)的其它位置處發(fā)生不需要的斷裂或破裂。
[0030]圖7展示工藝階段的組合件26，其中沿卡盤表面的曲率開始誘發(fā)沿損壞區(qū)域18的分離。圖7的視圖與圖5和圖6的視圖具有不同比例以使得能夠清晰地圖解說明沿損壞區(qū)域的分離。另外，在圖7中展示組合件26與卡盤分離，但在圖7的工藝階段卡盤與組合件26嚙合，且誘發(fā)組合件的所展示扭曲，此使得沿損壞區(qū)域發(fā)生分離?？浯髨D解說明的扭曲(展示為組合件的彎曲)以突出所述扭曲。在實踐中，選擇扭曲量足夠大以足以誘發(fā)沿損壞區(qū)域的分離，且應(yīng)足夠小以避免對于組合件的不需要的有害效應(yīng)。
[0031]圖7展示沿損壞區(qū)域的邊緣形成的間隙40，且展示結(jié)晶性材料12中位于損壞區(qū)域與電介質(zhì)材料14之間的部分19從結(jié)晶性材料的剩余部分42分裂。盡管展示間隙始于損壞區(qū)域的邊緣，但在其它實施例中，間隙可始于沿損壞區(qū)域的其它位置。
[0032]參照圖8，展示加工階段的構(gòu)造10，所述加工階段是在圖7的階段之后且具體來說在已完成沿損壞區(qū)域18的分裂(圖7)之后。結(jié)構(gòu)已裂開變成兩個零件46和48。零件48包含結(jié)晶性材料12中位于來自結(jié)晶性材料的部分19的損壞區(qū)域的相對側(cè)上的部分42。零件46包含結(jié)晶性材料12中結(jié)合到手柄且包含半導體材料25的晶片的部分19。部分19可視為結(jié)晶性材料結(jié)構(gòu)50。
[0033]零件48和46可彼此分離且經(jīng)受其它加工，如由箭頭45和47所示。可再利用零件48以形成另一單元16，其然后可經(jīng)受圖1到圖8的加工。
[0034]如果需要，零件46可經(jīng)受CMP以使結(jié)構(gòu)50的上表面平滑，且可用作SOI結(jié)構(gòu)(其中結(jié)構(gòu)50是SOI的半導體，且其中電介質(zhì)“14、27”是SOI的絕緣體)。圖9展示包含零件46的SOI結(jié)構(gòu)52。如果需要，則可在后續(xù)加工(未展示)中切割半導體材料25以減少SOI的絕緣體部分下方的材料25的量。
[0035]圖9的工藝階段的結(jié)構(gòu)50可包含在沿損壞區(qū)域18分裂之前存在的所有初始部分19 (例如在圖6的加工階段存在的所有部分19)，或可僅包含所述初始部分19中的一部分。舉例來說，部分19的一部分可在參照圖6到圖8所闡述的加工階段中損失；和/或可在后續(xù)CMP中損失。
[0036]圖6到圖8的加工利用卡盤的彎曲表面增強沿損壞區(qū)域的分裂。圖6到圖8的卡盤誘發(fā)的分裂可在任一適宜溫度下實施；且在一些實施例中可在小于常用于使用常規(guī)智能切割工藝達成分裂的溫度的溫度下實施。舉例來說，在一些實施例中，卡盤誘發(fā)的分裂可在室溫(即約22°C )下實施。盡管分裂可在室溫下實施，但可存在仍需要熱退火的實施例(例如用于摻雜劑活化，用于強化化學鍵等等)。在所述實施例中，熱退火可與分裂同時或在分裂之前或在分裂之后實施。
[0037]圖6到圖8的加工的優(yōu)點在于，所述加工可使得能夠沿損壞區(qū)域進行分裂，同時利用低于常規(guī)工藝的劑量的氫來最初形成損壞區(qū)域。然而，在利用低劑量氫最初形成損壞區(qū)域時，在沿損壞區(qū)域分裂之后可沿結(jié)構(gòu)50的表面存在顯著粗糙度(圖8)。所述粗糙度可與由常規(guī)智能切割工藝所導致者相當，且可使用類似于用于常規(guī)智能切割工藝中者的CMP去除。
[0038]如果用于形成損壞區(qū)域的氫的劑量與用于常規(guī)智能切割工藝中者相當，則可顯示圖6到圖8的加工的另一優(yōu)點。具體來說，圖6到圖8的加工可使得損壞區(qū)域能夠在并不使損壞區(qū)域熱膨脹(即并無圖4的加工階段)的情形下分裂。因此，圖1的單元16可具有通過氫植入(即圖2的加工)所形成的損壞區(qū)域18，且然后可在氫植入與沿損壞區(qū)域分裂之間的間隔期間并不經(jīng)受使損壞區(qū)域膨脹的熱加工(即可并不暴露于超過300°C的溫度)。省略損壞區(qū)域的熱膨脹可使得能夠在沿結(jié)構(gòu)50表面產(chǎn)生的粗糙度少于通過常規(guī)智能切割工藝所產(chǎn)生者的同時達成分裂。此可使得結(jié)構(gòu)50能夠適用于對結(jié)構(gòu)50的表面的CMP平滑處理顯著少于用于常規(guī)智能切割工藝中者的SOI中，且在一些實施例中可使得結(jié)構(gòu)50能夠用于并無對結(jié)構(gòu)50的表面的CMP平滑處理的SOI中。
[0039]盡管圖6的實施例展示單元16定向于手柄24上方的經(jīng)扭曲組合件26，但在其它實施例中組合件可倒轉(zhuǎn)，如圖10中所展示。
[0040]在一些實施例中，組合件26可經(jīng)受抵靠一個或一個以上卡盤的多次扭曲以誘發(fā)沿損壞區(qū)域的所需分裂。舉例來說，組合件26可以圖6的定向進行扭曲且然后倒轉(zhuǎn)以圖10的定向進行扭曲，或反之亦然。
[0041]圖6和10的卡盤30是可用于一些實施例中的具有彎曲外表面的卡盤的許多配置中的一者。卡盤30具有凹陷外表面。圖11展示類似于圖6的加工階段，但利用彎曲外表面61具有凸出形貌的卡盤60。出于闡釋性目的，夸大地圖解說明卡盤60的表面的曲度。在實踐中，選擇曲度足夠大以促進在單元16內(nèi)沿損壞區(qū)域18分離，但足夠小以避免在組合件26內(nèi)的其它位置處發(fā)生不需要的斷裂或破裂。
[0042]沿損壞區(qū)域使用卡盤的彎曲表面誘發(fā)的分裂可與單元(例如圖1的單元16)的表面?zhèn)认驊?yīng)力(σ)有關(guān)。圖12展示具有各種尺寸的半導體晶片64的剖面?zhèn)纫晥D，所述尺寸可用于在一些實施例中輸入到等式中以用于確定表面?zhèn)认驊?yīng)力(σ)。具體來說，表面?zhèn)认驊?yīng)力可通過等式I進行表征。
[0043]等式I
【權(quán)利要求】
1.一種包含結(jié)晶性材料的單元的加工方法，其包含: 在所述結(jié)晶性材料內(nèi)形成損壞區(qū)域，所述單元的一部分位于所述損壞區(qū)域上方；和 利用卡盤使所述單元彎曲且由此誘發(fā)沿所述損壞區(qū)域分裂，從而從所述單元的位于所述損壞區(qū)域上方的所述部分形成結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述卡盤為靜電卡盤。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述靜電卡盤為強森-羅貝克型卡盤。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述靜電卡盤沿嚙合所述單元的表面具有凸出外側(cè)形貌。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述靜電卡盤沿嚙合所述單元的表面具有凹陷外側(cè)形貌。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述結(jié)晶性材料包含半導體材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述結(jié)晶性材料包含單晶硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述損壞區(qū)域是使用氫和/或氦誘發(fā)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述結(jié)晶性材料包含半導體材料，且其中所述單元包含位于所述半導體材料上方的電介質(zhì)材料；且進一步包含: 在形成所述損壞區(qū)域之后，使所述單元的所述電介質(zhì)材料結(jié)合到手柄組件；且 其中所述結(jié)構(gòu)在所述分裂之 后由所述手柄組件支撐。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述結(jié)晶性半導體材料為單晶硅且其中所述電介質(zhì)材料包含二氧化硅。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述手柄組件包含單晶硅晶片。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其進一步包含在使所述單元的所述電介質(zhì)材料結(jié)合到所述手柄組件之后使用熱退火使所述損壞區(qū)域膨脹。
13.一種形成絕緣體上半導體構(gòu)造的方法，其包含: 形成包含在單晶半導體材料上方的電介質(zhì)材料的單元； 在所述單晶半導體材料內(nèi)形成損壞區(qū)域，所述單晶半導體材料的一部分位于所述損壞區(qū)域與所述電介質(zhì)材料之間； 借助所述電介質(zhì)材料使所述單元附接到手柄組件以形成包含所述手柄組件和所述單元的組合件；和 利用靜電卡盤扭曲所述組合件且由此誘發(fā)沿所述損壞區(qū)域分裂并形成所述絕緣體上半導體構(gòu)造；所述絕緣體上半導體構(gòu)造包含所述電介質(zhì)材料作為所述絕緣體，且包含所述半導體材料的所述部分中的至少一些作為所述半導體。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述靜電卡盤沿嚙合所述組合件的表面具有彎曲外側(cè)形貌。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述形成所述損壞區(qū)域包含將氫植入所述單晶半導體材料中。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中以約2X IO16個粒子/cm2到約5 X IO16個粒子/cm2的劑量植入所述氫。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其進一步包含在將所述單元附接到所述手柄組件之后且在誘發(fā)所述分裂之前使用熱退火使所述損壞區(qū)域膨脹。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中以至少約IX IO17個粒子/cm2的劑量植入所述氫。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中在所述氫植入與所述分裂之間的間隔期間不使所述單元暴露于超過300°C的溫度。
20.一種形成絕緣體上半導體構(gòu)造的方法，其包含: 形成包含在單晶半導體材料上方的電介質(zhì)材料的單元； 在所述單晶半導體材料內(nèi)形成損壞區(qū)域，所述單晶半導體材料的一部分位于所述損壞區(qū)域與所述電介質(zhì)材料之間； 借助所述電介質(zhì)材料使所述單元附接到手柄組件以形成包含所述手柄組件和所述單元的組合件；和 沿卡盤的彎曲外表面扭曲所述組合件以由此誘發(fā)沿所述損壞區(qū)域分裂并形成所述絕緣體上半導體構(gòu)造；所述絕緣體上半導體構(gòu)造包含所述電介質(zhì)材料作為所述絕緣體，且包含所述半導體材料的所述部分中的至少一些作為所述半導體。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述扭曲包含在所述組合件相對于所述彎曲外表面處于第一定向的同時沿所述彎曲外表面嚙合所述組合件，且然后倒轉(zhuǎn)所述組合件并在所述組合件相對于所述彎曲外表面處于第二定向的同時沿所述彎曲外表面嚙合所述組合件，其中所述第二定向與所述第一定向相反。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述卡盤為靜電卡盤。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述外表面是由所述卡盤的凸出外側(cè)形貌構(gòu)·成。
24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述外表面是由所述卡盤的凹陷外側(cè)形貌構(gòu)成。
【文檔編號】H01L27/12GK103858232SQ201280048429
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2012年9月7日 優(yōu)先權(quán)日:2011年10月6日
【發(fā)明者】舒·秦, 張明 申請人:美光科技公司