具有非共面的、包封的微電子器件和無焊內(nèi)建層的微電子封裝的制作方法
【專利摘要】一種具有包封的基板的微電子封裝，包括包封在包封材料內(nèi)的多個微電子器件，其中，包封結(jié)構(gòu)可以具有鄰近多個微電子器件的有源面的有源面，并且其中，所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件可以具有大于所述多個微電子器件中另一個微電子器件的高度(例如非共面)。微電子封裝進(jìn)一步包括鄰近包封結(jié)構(gòu)的有源面而形成的無焊內(nèi)建層結(jié)構(gòu)。微電子封裝還可以包括鄰近在包封結(jié)構(gòu)的有源面上設(shè)置的、并與包封的基板的多個微電子器件中的至少一個微電子器件電接觸的具有有源面的微電子器件。
【專利說明】具有非共面的、包封的微電子器件和無焊內(nèi)建層的微電子封裝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本說明的實施例總體上涉及微電子封裝的領(lǐng)域，更具體而言，涉及具有多個非共面的、包封的微電子器件和無焊內(nèi)建層的微電子封裝。

【背景技術(shù)】
[0002]微電子產(chǎn)業(yè)一直爭取生產(chǎn)更快且更小的微電子封裝，以便用于不同移動電子產(chǎn)品中，例如便攜式計算機(jī)、電子平板電腦、蜂窩電話、數(shù)碼相機(jī)等。典型地，微電子封裝在諸如微處理器、芯片組、圖形設(shè)備、無線設(shè)備、存儲器設(shè)備、專用集成電路等的微電子器件與諸如母板、中介層、印刷電路板等的外部組件之間必須具有相當(dāng)大量的導(dǎo)電路徑(用于發(fā)送電力/接地和輸入/輸出信號)。相當(dāng)大量的導(dǎo)電路徑的形成導(dǎo)致必須在相對大的微電子器件中的形成，會需要嚴(yán)格的設(shè)計規(guī)則和/或會需要在互連層中的多層電介質(zhì)材料和導(dǎo)電跡線，以實現(xiàn)到外部互連部的適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電路徑。而且，多個微電子器件可以用于微電子封裝的制造中，本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，這會導(dǎo)致的問題包括但不限于:在多個微電子器件的互連之間的帶寬限制，當(dāng)使用球柵陣列貼裝結(jié)構(gòu)時的封裝的可靠性，微電子封裝的尺寸縮放，由于貼裝到單個微電子基板或母板的多個封裝的形狀因子問題，由于集成每一個都具有自身封裝的多個器件的成本問題，及電位導(dǎo)電跡線“扇出”限制。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0003]在說明書的結(jié)論部分中具體指出并清楚地要求了本公開內(nèi)容的主題。結(jié)合附圖，依據(jù)以下的說明和所附權(quán)利要求書，本公開內(nèi)容的前述及其他特征會變得更為明顯。應(yīng)當(dāng)理解，附圖僅示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的幾個實施例，因此不應(yīng)認(rèn)為是限制本公開內(nèi)容的范圍。將通過使用附圖，借助另外的特殊性和細(xì)節(jié)來說明本公開內(nèi)容，以便更易于確定本公開內(nèi)容的優(yōu)點，在附圖中:
[0004]圖1示出了根據(jù)本說明的實施例的位于基板載體上的多個微電子器件的橫截面圖。
[0005]圖2示出了根據(jù)本說明的實施例的布置在圖1的微電子器件上的包封材料的橫截面圖。
[0006]圖3示出了根據(jù)本說明的另一個實施例的布置在圖1的微電子器件上的包封材料的橫截面圖。
[0007]圖4示出了根據(jù)本說明的實施例的通過固化/凝固包封材料而形成的包封結(jié)構(gòu)以及從基板載體的去除包封結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
[0008]圖5示出了根據(jù)本說明的實施例的位于包封結(jié)構(gòu)的有源面上的具有有源面的微電子器件。
[0009]圖6示出了根據(jù)本說明的實施例的具有有源面的微電子器件借助鍵合引線與包封結(jié)構(gòu)的至少一個微電子器件的電氣附接。
[0010]圖7示出了根據(jù)本說明的實施例的具有有源面的微電子器件借助焊球與包封結(jié)構(gòu)的至少一個微電子器件的電氣附接。
[0011]圖8示出了根據(jù)本說明的實施例的具有有源面的微電子器件借助焊球與包封結(jié)構(gòu)的至少一個微電子器件的電氣附接。
[0012]圖9示出了根據(jù)本說明的實施例的本說明的包封結(jié)構(gòu)，其中，包封材料沒有圍繞至少微電子器件的突出的互連部或者已經(jīng)被去除了。
[0013]圖10示出了根據(jù)本說明的實施例的圖9的結(jié)構(gòu)，如果存在的話，具有布置在包封結(jié)構(gòu)和具有有源面的微電子器件上的電介質(zhì)材料層。
[0014]圖11示出了根據(jù)本說明的實施例的圖10的結(jié)構(gòu)，如果存在的話，具有通過電介質(zhì)層而形成的開口部，以便露出至少一個微電子器件與至少一個具有有源面的微電子器件的至少一個互連部。
[0015]圖12示出了根據(jù)本說明的實施例的圖11的結(jié)構(gòu)，其中，以導(dǎo)電材料填充開口部以便形成導(dǎo)電通孔。
[0016]圖13示出了根據(jù)本說明的實施例的圖12的結(jié)構(gòu)，其中，在電介質(zhì)材料層上形成導(dǎo)電跡線。
[0017]圖14示出了根據(jù)本說明的實施例的微電子封裝。
[0018]圖15示出了根據(jù)本說明的一個實現(xiàn)方式的用于同時制造多個微電子封裝的多組微電子器件。
[0019]圖16示出了根據(jù)本說明的一個實現(xiàn)方式的圖15的結(jié)構(gòu)，其中，分割或切割多組微電子器件，以形成單個微電子封裝。
[0020]圖17示出了根據(jù)本說明的實施例的用于制造微電子結(jié)構(gòu)的過程的流程圖。
[0021]圖18示出了根據(jù)本說明的一個實現(xiàn)方式的電子系統(tǒng)/設(shè)備。

【具體實施方式】
[0022]在以下說明中，參考了附圖，附圖示例性地顯示了特定實施例，在其中可以實踐所要求的主題。足夠詳細(xì)地說明了這些實施例，以使得能量源技術(shù)人員能夠?qū)嵺`主題。會理解，多個實施例盡管有所不同，但不必是相互排斥的。例如，本文結(jié)合一個實施例所述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性可以在其他實施例內(nèi)實施，不會脫離所要求主題的精神和范圍。本說明書內(nèi)對“一個實施例”或“實施例”的提及表示結(jié)合該實施例所述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在本發(fā)明包含的至少一個實現(xiàn)方式中。因此，短語“一個實施例”或者“在實施例中”的使用不一定指代同一實施例。另外，會理解，在不脫離所要求主題的精神和范圍的情況下，可以修改單個元件在每一個公開的實施例中的位置或布置。以下的詳細(xì)說明因此不應(yīng)在限制性意義上來理解，主題的范圍僅由所附權(quán)利要求書連同所附權(quán)利要求書給與等效替代的完整范圍來限定，并適當(dāng)?shù)亟忉?。在附圖中，全部幾個圖中的相似的參考標(biāo)記指代相同或相似的元件或功能，其中所示的元件不一定彼此按照比例，而是可以放大或縮小單個元件，以便在本說明的環(huán)境中更易于理解元件。
[0023]本說明的實施例可以包括一種微電子封裝，具有包封的基板，所述包封的基板包括基本上包封在包封材料內(nèi)的多個微電子器件，其中，包封結(jié)構(gòu)可以具有鄰近所述多個微電子器件的有源面的有源面，并且其中，所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件可以具有大于所述多個微電子器件中另一個微電子器件的高度(例如非共面)。微電子封裝進(jìn)一步包括鄰近包封結(jié)構(gòu)的有源面而形成的無焊內(nèi)建層結(jié)構(gòu)。微電子封裝還可以包括鄰近包封結(jié)構(gòu)的有源面而設(shè)置的具有有源面的微電子器件，并與包封結(jié)構(gòu)的所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件電接觸。
[0024]在本說明的一個實施例中，諸如微處理器、芯片組、控制器、圖形設(shè)備、無線設(shè)備、存儲器設(shè)備、專用集成電路、電阻器、電容器、電感器等的多個微電子器件(示出為元件102r1023)可以位于基板載體112上，如圖1所示的。微電子器件102^1023可以位于基板載體112上，它們各自的有源面KM1-KM3鄰接和/或鄰近基板載體112。如圖1進(jìn)一步所示的，微電子器件的有源面KM1-KM3的每一個都可以在其上具有至少一個連接結(jié)構(gòu)IlO1-1lO3，例如焊盤、焊料塊或柱、焊樁等。注意，高度，即，從微電子器件的有源面(參見元件1042)或者自微電子器件(例如分別為微電子器件1021和1023)突出的連接結(jié)構(gòu)(參見元件IlO1和IlO3)到各自相應(yīng)的微電子器件102^1023的各自相應(yīng)的背面1e1-1Oe3的距離(示出為H1-H3),不必基本上相等。
[0025]如圖2和3所示的，包封材料122可以布置在每一個微電子器件K^1-1OZ3和基板載體122上?？梢越柚魏芜m當(dāng)?shù)募夹g(shù)來布置包封材料122，包括但不限于材料沉積和成型。包封材料122可以是任何適當(dāng)?shù)牟牧?，包括但不限于，二氧化硅填充的環(huán)氧樹脂，例如可以從 Ajinomoto Fine-Techno C0., Inc., l-2Suzuki_cho, Kawasak1-ku, Kawasak1-shi,210-0801，Japan(例如 Ajinomoto ABF-GX 13>Ajinomoto GX92 等)得到的材料。如圖 2 所示的，包封材料122可以構(gòu)成覆蓋每一個微電子器件102^1023的背面124，其中，包封材料122鄰接每一個微電子器件的背面1e1-1oe3并鄰接每一個微電子器件102^1023的至少一個側(cè)面lOS1-lOSj在各自相應(yīng)的微電子器件的有源面KM1-KM3與各自相應(yīng)的微電子器件背面106^1063 2間延伸)?？商鎿Q地，如圖3所示的，包封材料的背面124可以形成為與具有最大高度的微電子器件的背面(示出為具有高度H2的微電子器件1022(參見圖1))基本上平齊。這可以借助成型來實現(xiàn)。這也可以通過使圖2中所示的結(jié)構(gòu)平坦化來實現(xiàn)(例如化學(xué)機(jī)械拋光)。
[0026]一旦包封材料122已經(jīng)固化或基本上凝固了，就可以將它從基板載體112去除以構(gòu)成包封結(jié)構(gòu)130，所述包封結(jié)構(gòu)130具有由與基板載體112以及每一個微電子器件102r1023的有源面KM1-KM3和/或連接結(jié)構(gòu)IlO1-1lO3鄰接的包封材料122的一部分構(gòu)成的有源面132，如圖4所示的，其中，包封材料122與基板載體112鄰接的部分可以與每一個微電子器件102^1023的有源面KM1-KM3和/或連接結(jié)構(gòu)IlO1-1lO3基本上平齊。如圖5-7所示的，至少一個具有有源面的微電子器件142可以鄰近包封結(jié)構(gòu)的有源面132而設(shè)置。具有有源面的微電子器件142可以是任何適當(dāng)?shù)钠骷?，例如有源器件，包括但不限于微處理器、芯片組、控制器、圖形設(shè)備、無線設(shè)備、存儲器設(shè)備、和專用集成電路，或者無源器件，包括但不限于，電阻器、電容器、和電感器。盡管在圖5-13中將具有有源面的微電子器件142不出為與微電子器件1022相鄰,但它可以與任何微電子器件102^1023相鄰，與包封材料122相鄰，或者與二者都相鄰。
[0027]如圖5所示的，可以設(shè)置至少一個具有有源面的微電子器件142，其背面144接觸包封結(jié)構(gòu)的有源面132，以便可以在實質(zhì)上形成的內(nèi)建層中與至少一個微電子器件102r1023電接觸。在其他實施例中，可以設(shè)置至少一個具有有源面的微電子器件142，其背面144借助至少一條鍵合引線152接觸包封結(jié)構(gòu)的有源面132，鍵合引線152從具有有源面的微電子器件142的有源面146上的至少一個連接結(jié)構(gòu)148和至少一個微電子器件102r1023的至少一個連接結(jié)構(gòu)IlO1-1lO3延伸，如圖6所示的。此外，在如圖7所示的另一個實施例中，具有有源面的微電子器件142可以通過多個互連部154直接電氣連接到至少一個微電子器件102^1023，的互連部154例如是在至少一個具有有源面的微電子器件的連接結(jié)構(gòu)148與至少一個微電子器件的連接結(jié)構(gòu)I11-113(顯示為微電子器件連接結(jié)構(gòu)IlO2)之間延伸的焊球。在圖7的實施例的一個示例中，微電子器件1022可以是微處理器，具有有源面的微電子器件142可以是存儲器設(shè)備。此外，在如圖8所示的實施例中，具有有源面的微電子器件142可以通過多個互連部154直接電氣連接到至少兩個微電子器件102r1023 (顯示為微電子器件102i和1022)，互連部154例如是在至少一個具有有源面的微電子器件的連接結(jié)構(gòu)148與至少兩個微電子器件的連接結(jié)構(gòu)IlO1-1lO3 (顯示為微電子器件連接結(jié)構(gòu)IlO1和IlO2)之間延伸的焊球。
[0028]參考圖2和3，包封材料122可以具有足夠的粘性，以便圍繞從微電子器件延伸的任何突出的互連部，例如微電子器件互連部IlO1和1103。如圖9所示的，包封材料122的粘性可以不足以圍繞突出的互連，例如微電子器件互連部IlOp此外，應(yīng)當(dāng)理解，如果不希望包封材料122圍繞突出的互連部，就可以借助本領(lǐng)域已知的任何技術(shù)將其去除。
[0029]如圖10所示的，可以與包封結(jié)構(gòu)的有源面132與具有有源面的微電子器件142 (如果存在的話)相鄰地布置第一電介質(zhì)材料層162lt)第一電介質(zhì)材料層162i可以借助本領(lǐng)域已知的任何技術(shù)來形成，包括沉積，例如噴涂，之后是平坦化、自平坦化絲網(wǎng)印刷等。電介質(zhì)層可以是任何適當(dāng)?shù)仉娊橘|(zhì)材料，包括但不限于，如前所述的二氧化硅(S12)、氮氧化硅(S1xNy)和氮化硅(Si3N4)及碳化硅(SiC)，以及二氧化硅填充的環(huán)氧樹脂等。
[0030]如圖11所不的,可以通過第一電介質(zhì)材料層WZ1形成開口部164,以露出每一個微電子器件的連接結(jié)構(gòu)IlO1-1lO3的至少一部分和至少一個具有有源面的微電子器件的互連部148 (如果存在的話)。開口部164可以由本領(lǐng)域已知的任何技術(shù)形成，包括但不限于，激光鉆孔、尚子鉆孔、光刻/蝕刻等。
[0031]如圖12所不的,可以用導(dǎo)電材料填充開口部164,以形成第一導(dǎo)電通孔166i。導(dǎo)電材料可以是任何適當(dāng)?shù)牟牧希ǖ幌抻?，銅、鋁、銀、金、它們的合金等。可以借助本領(lǐng)域已知的任何技術(shù)來布置導(dǎo)電材料，包括但不限于，沉積、電鍍等，之后可以進(jìn)行平坦化，如本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解的。
[0032]如圖13所示的，可以在第一電介質(zhì)材料層WZ1上形成多條第一導(dǎo)電跡線WS1的圖案，以便接觸至少一個第一導(dǎo)電通孔166ρ可以借助本領(lǐng)域已知的任何技術(shù)來形成第一導(dǎo)電跡線Ies1的圖案，包括但不限于，沉積或電鍍，之后是光刻/蝕刻。第一導(dǎo)電跡線Ies1可以由如前所述的任何適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料，并借助本領(lǐng)域已知的任何技術(shù)形成，包括光刻、沉積、電鍍等。第一電介質(zhì)材料層1621、第一導(dǎo)電通孔166i和第一導(dǎo)電跡線WS1可以構(gòu)成第一內(nèi)建層170:。
[0033]可以重復(fù)用于形成如圖13所示的第一內(nèi)建層HO1的工藝，直至形成期望的導(dǎo)電路徑。如圖14所示的，可以形成第二內(nèi)建層1702，其包括第二電介質(zhì)材料層1622、第二導(dǎo)電通孔1662和第二導(dǎo)電跡線1682。如圖14進(jìn)一步所示的，可以形成最終內(nèi)建層1703，其包括第三電介質(zhì)材料層1623、第三導(dǎo)電通孔1663和焊盤172。內(nèi)建層的組合(例如，第一內(nèi)建層HO1、第二內(nèi)建層1702、和最終內(nèi)建層1703)可以構(gòu)成無焊內(nèi)建層結(jié)構(gòu)170。
[0034]如圖13進(jìn)一步所示的，可以在無焊內(nèi)建層結(jié)構(gòu)170上形成阻焊材料174，其中，通過阻焊材料174露出每一個焊盤172的至少一部分?？梢栽诿恳粋€焊盤172上形成外部互連部176，例如借助所示的球柵陣列互連部，以形成微電子封裝180?？梢岳米韬覆牧?74來包含用于形成含焊料的外部互連部176的焊料，如本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解的。外部互連部176可以用于將微電子封裝180連接到其他微電子結(jié)構(gòu)(未示出)，例如母板、印刷電路板等。盡管外部互連部176示出為球柵陣列互連部，但會理解，外部互連部176可以是任何適當(dāng)?shù)耐獠炕ミB部，包括但不限于，焊柵陣列、針柵陣列、連接盤網(wǎng)格陣列等，如本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解的。在將焊料用于形成外部互連部176時，例如球柵陣列和焊柵陣列，焊料可以是任何適當(dāng)?shù)牟牧?，包括但不限于，鉛/錫合金和高錫含量合金(例如約90%或更多的錫)，及類似的合金。
[0035]盡管圖1-14示出了單個微電子封裝180的形成，但會理解，可以同時形成多個封裝。如圖15所示的，微電子器件102^1(^(參見圖1-14)的多個組310「3103可以如前所述的設(shè)置在基板載體122上(參見圖2-14)，以構(gòu)成多個包封結(jié)構(gòu)330。可以按照在前相關(guān)于無焊內(nèi)建層結(jié)構(gòu)170 (參見圖9-14)所述的方式在多個包封結(jié)構(gòu)330上形成多個無焊內(nèi)建層結(jié)構(gòu)370?？梢园凑赵谇跋嚓P(guān)于阻焊層結(jié)構(gòu)172和外部互連部174 (參見圖14)所述的方式形成多個阻焊層372和多個封裝外部互連部374，以形成多個包封結(jié)構(gòu)380。
[0036]如圖16所示的，可以切割或裁切圖15的多個包封結(jié)構(gòu)380，以將每一個微電子器件組31(^-31(^分隔為單個微電子封裝ISO1-1SO3t5可以借助本領(lǐng)域已知的任何技術(shù)來執(zhí)行切割，包括但不限于，鋸切、激光切割、離子轟擊等。
[0037]在圖17的流程圖400中示出了制造本說明的微電子結(jié)構(gòu)的一個過程的實施例。如在塊410中限定的，多個微電子器件可以位于基板載體上，其中，每一個微電子器件的有源面都面向基板載體，并且其中，多個微電子器件中的至少一個的高度高于多個微電子器件中的另一個的高度。如在塊420中限定的，可以借助包封材料來包封多個微電子器件。如在塊430中限定的，隨后固化包封材料層，以形成具有與基板載體鄰接的有源面的包封材料。如在塊440中所示的，從基板載體去除包封結(jié)構(gòu)。如在塊450中所示的，可以將有源面微電子結(jié)構(gòu)設(shè)置在包封結(jié)構(gòu)的有源面上。如在塊460中所示的，具有有源面的微電子器件可以電氣連接到包封結(jié)構(gòu)內(nèi)的多個微電子器件中的至少一個微電子器件。如在塊470中所示的，可以在包封結(jié)構(gòu)的有源面和具有有源面的微電子器件上形成無焊內(nèi)建層結(jié)構(gòu)。
[0038]圖18示出了電子系統(tǒng)/設(shè)備500的實施例，例如便攜式計算機(jī)、臺式機(jī)、移動電話、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字音樂播放器、上網(wǎng)平板/平板設(shè)備、個人數(shù)字助理、尋呼機(jī)、即時通訊設(shè)備、或者其他設(shè)備。電子系統(tǒng)/設(shè)備200可以適于無線發(fā)送和/或接收信息，例如通過無線局域網(wǎng)(WLAN)系統(tǒng)、無線個域網(wǎng)(WPAN)系統(tǒng)、和/或蜂窩網(wǎng)。電子系統(tǒng)/設(shè)備500可以包括在外殼520內(nèi)的微電子基板510 (例如母板、印刷電路板等)。正如本申請的實施例一樣，微電子封裝530 (參見圖14的元件180和圖16的元件WO1 — 1803)連接到其。如前所述的，微電子封裝530可以包括多個封裝微電子器件102^1023 (參見圖1-14)，構(gòu)成包封結(jié)構(gòu)1330 (參見圖4-14)，其中，微電子器件可以具有不同高度以及在包封結(jié)構(gòu)的有源面132 (參見圖4-14)上的可任選的具有有源面的微電子器件142(參見圖5-14)，并且其中，可以在包封結(jié)構(gòu)130上形成無焊內(nèi)建層170(參見圖14)。微電子基板510可以連接到不同外圍設(shè)備，包括諸如鍵盤的輸入設(shè)備540、諸如IXD顯示器的顯示設(shè)備550。會理解，如果顯示設(shè)備550是觸敏的，顯示設(shè)備550也可以起到輸入設(shè)備的作用。
[0039]會理解，本說明的主題不一定局限于圖1-18中所示的特定應(yīng)用。如本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解的，主題可以應(yīng)用于其他微電子器件制造應(yīng)用。
[0040]如上詳細(xì)說明了本發(fā)明的實施例，會理解，由所附權(quán)利要求書限定的本發(fā)明不局限于以上說明中闡述的特定細(xì)節(jié)，因為在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，這些細(xì)節(jié)的許多顯而易見的變型是可能的。
【權(quán)利要求】
1.一種微電子封裝，包括: 包封結(jié)構(gòu)，所述包封結(jié)構(gòu)包括實質(zhì)上包封在包封材料內(nèi)的多個微電子器件，其中，所述包封結(jié)構(gòu)包括鄰近所述微電子器件的有源面的有源面，并且其中，所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件的高度大于所述多個微電子器件中的另一個微電子器件的高度；以及 無焊內(nèi)建層結(jié)構(gòu)，所述無焊內(nèi)建層結(jié)構(gòu)被形成為鄰近所述包封結(jié)構(gòu)的有源面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子封裝，進(jìn)一步包括設(shè)置在所述包封結(jié)構(gòu)的有源面上的至少一個具有有源面的微電子器件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微電子封裝，其中，所述至少一個有源面電氣連接到所述包封結(jié)構(gòu)的所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微電子封裝，其中，所述至少一個具有有源面的微電子器件通過所述無焊內(nèi)建層結(jié)構(gòu)電氣連接到所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微電子封裝，其中，所述至少一個具有有源面的微電子器件通過至少一條鍵合引線電氣連接到所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微電子封裝，其中，所述至少一個具有有源面的微電子器件通過至少一個焊料互連部直接電氣連接到所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件的有源面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子封裝，進(jìn)一步包括電氣連接到所述無焊內(nèi)建層結(jié)構(gòu)的外部互連部。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子封裝，其中，所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件包括從其有源面延伸的至少一個連接結(jié)構(gòu)，并且其中，所述包封材料不包封所述多個微電子器件中的所述至少一個微電子器件的所述至少一個連接結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子封裝，其中，所述包封材料包括二氧化硅填充的環(huán)氧樹脂。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任意一項所述的微電子封裝，其中，所述包封結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括背面，其中，所述包封結(jié)構(gòu)的背面與所述多個微電子器件中的具有最大高度的至少一個微電子器件的背面實質(zhì)上平齊。
11.一種形成微電子封裝的方法，包括: 將多個微電子器件設(shè)置在基板載體上，其中，每一個所述微電子器件的有源面都面向所述基板載體，并且其中，所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件的高度大于所述多個微電子器件中的另一個微電子器件的高度； 用包封材料實質(zhì)上包封所述多個微電子器件； 固化所述包封材料以形成包封結(jié)構(gòu)，所述包封結(jié)構(gòu)具有與所述基板載體鄰接的有源面； 從所述基板載體去除所述包封結(jié)構(gòu)；以及 在所述包封結(jié)構(gòu)的有源面上形成無焊內(nèi)建層結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的形成所述微電子封裝的方法，進(jìn)一步包括將至少一個具有有源面的微電子器件設(shè)置在所述包封結(jié)構(gòu)的有源面上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的形成所述微電子封裝的方法，進(jìn)一步包括:在形成所述無焊內(nèi)建層結(jié)構(gòu)之前，將至少一個具有有源面的微電子器件電氣連接到所述包封結(jié)構(gòu)的所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的形成所述微電子封裝的方法，其中，電氣連接所述至少一個具有有源面的微電子器件包括:將所述至少一個具有有源面的微電子器件通過所述無焊內(nèi)建層結(jié)構(gòu)電氣連接到所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的形成所述微電子封裝的方法，其中，電氣連接所述至少一個具有有源面的微電子器件包括:將所述至少一個具有有源面的微電子器件通過至少一條鍵合引線電氣連接到所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的形成所述微電子封裝的方法，其中，電氣連接所述至少一個具有有源面的微電子器件包括:將所述至少一個具有有源面的微電子器件通過至少一個焊料互連部電氣連接到所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的形成所述微電子封裝的方法，進(jìn)一步包括形成電氣連接到所述無焊內(nèi)建層結(jié)構(gòu)的外部互連部。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的形成所述微電子封裝的方法，其中，將多個微電子器件設(shè)置在基板載體上包括設(shè)置多組微電子器件，且進(jìn)一步包括在形成所述無焊內(nèi)建層結(jié)構(gòu)之后，對單組微電子器件進(jìn)行切割以形成單個微電子封裝。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的形成所述微電子封裝的方法，進(jìn)一步包括:在對單組微電子器件進(jìn)行切割之前，形成電氣連接到所述無焊內(nèi)建層結(jié)構(gòu)的多個外部互連部。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的形成所述微電子封裝的方法，其中，所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件的所述有源面包括從其有源面延伸的至少一個連接結(jié)構(gòu)，并且其中，用包封材料來實質(zhì)上包封所述多個微電子器件并沒有包封所述多個微電子器件中的所述至少一個微電子器件的所述至少一個連接結(jié)構(gòu)。
21.根據(jù)權(quán)利要求11所述的形成所述微電子封裝的方法，其中，所述包封材料包括二氧化硅填充的環(huán)氧樹脂。
22.根據(jù)權(quán)利要求11-21中任意一項所述的形成所述微電子封裝的方法，其中，包封所述多個微電子器件進(jìn)一步包括:形成所述包封結(jié)構(gòu)的背面，所述包封結(jié)構(gòu)的背面與所述多個微電子器件中的具有最大高度的至少一個微電子器件的背面實質(zhì)上平齊。
23.—種微電子系統(tǒng),包括: 外殼；及 布置在所述外殼內(nèi)的微電子結(jié)構(gòu)，包括: 微電子基板；以及 附接到所述微電子基板的至少一個微電子封裝，所述至少一個微電子封裝包括: 包封結(jié)構(gòu)，所述包封結(jié)構(gòu)包括實質(zhì)上包封在包封材料內(nèi)的多個微電子器件，其中，所述包封結(jié)構(gòu)包括鄰近所述微電子器件的有源面的有源面，并且其中，所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件的高度大于所述多個微電子器件中的另一個微電子器件的高度；以及 無焊內(nèi)建層結(jié)構(gòu)，所述無焊內(nèi)建層結(jié)構(gòu)被形成為鄰近所述包封結(jié)構(gòu)的有源面。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括設(shè)置在所述包封結(jié)構(gòu)的有源面上的至少一個具有有源面的微電子器件。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中，所述至少一個有源面電氣連接到所述包封結(jié)構(gòu)的所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的系統(tǒng)，其中，所述至少一個具有有源面的微電子器件通過所述無焊內(nèi)建層結(jié)構(gòu)電氣連接到所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的系統(tǒng)，其中，所述至少一個具有有源面的微電子器件通過至少一條鍵合引線電氣連接到所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件。
28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的系統(tǒng)，其中，所述至少一個具有有源面的微電子器件通過至少一個焊料互連部直接電氣連接到所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件的有源面。
29.根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中，所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件包括從其有源面延伸的至少一個連接結(jié)構(gòu)，并且其中，包封材料不包封所述多個微電子器件中的所述至少一個微電子器件的所述至少一個連接結(jié)構(gòu)。
30.根據(jù)權(quán)利要求23-29中任意一項所述的系統(tǒng)，其中，所述包封結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括背面，其中，所述包封結(jié)構(gòu)的背面與所述多個微電子器件中的具有最大高度的至少一個微電子器件的背面實質(zhì)上平齊。
【文檔編號】H01L23/48GK104321864SQ201280073065
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2012年6月8日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月8日
【發(fā)明者】C·胡 申請人:英特爾公司