專利名稱：一種高壓ldmos器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體功率器件技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種高壓LDMOS器件。
背景技術(shù)：
高壓LDMOS (Laterally Double-diffused M0SFET，橫向雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)管)器件由于其良好的工藝兼容性，易于通過(guò)內(nèi)部連線將分布在表面的源極、柵極和漏極與低壓邏輯電路單片集成，被廣泛的運(yùn)用在高壓功率集成電路中。但擊穿電壓和導(dǎo)通電阻之間的矛盾是設(shè)計(jì)功率LDMOS器件最主要的矛盾之一，為了克服這個(gè)矛盾關(guān)系，J.A.APPLES等人提出了 RESURF (Reduced SURface Field，降低表面場(chǎng))技術(shù)，圖1給出了一個(gè)典型的常規(guī)SOIRESURF LDMOS器件結(jié)構(gòu)示意圖，它由半導(dǎo)體襯底1、埋氧層4、半導(dǎo)體漂移區(qū)2、半導(dǎo)體漏區(qū)
10、半導(dǎo)體體區(qū)6，其中半導(dǎo)體體區(qū)6中具有半導(dǎo)體源區(qū)11和半導(dǎo)體體接觸區(qū)12，以及漏極金屬15，源極金屬14，·柵氧化層8、柵極9，場(chǎng)氧化層7組成。此技術(shù)自提出以來(lái)就被廣泛運(yùn)用于高壓器件設(shè)計(jì)之中，但此技術(shù)只能在一定程度上降低導(dǎo)通電阻，仍然滿足不了高速發(fā)展的功率集成電路對(duì)高壓LDMOS器件的技術(shù)要求。為了改善RESURF結(jié)構(gòu)的導(dǎo)通特性，文獻(xiàn):ZinggR P，Weijland I, Zwol H V，etal.850V DMOS-switch in silicon-on-1nsulator with specific Ron of 13 Q mm2.Proceeding of International SOI Conference, 2000, pp.62-63,提出了一種新的高壓低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì)技術(shù)——D-RESURF技術(shù)。圖2給出了現(xiàn)有的具有降場(chǎng)層的高壓LDMOS器件結(jié)構(gòu)示意圖。其第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體降場(chǎng)層3位于第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)2中，該第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體降場(chǎng)層3能夠在一定程度上降低LDMOS器件的導(dǎo)通電阻，但由其表面電場(chǎng)分布可知，其在正偏的PN結(jié)處將出現(xiàn)一個(gè)電場(chǎng)低谷，從而影響器件表面電場(chǎng)分布，且根據(jù)RESURF原理，RESURF器件要求有嚴(yán)格的電荷控制，在具有降場(chǎng)層的LDMOS器件的降場(chǎng)層對(duì)其電荷控制要求更加嚴(yán)格，這無(wú)形增加了器件設(shè)計(jì)制備的復(fù)雜性。為了改善具有降場(chǎng)層的高壓LDMOS器件的擊穿特性及其擊穿電壓對(duì)降場(chǎng)層摻雜濃度的敏感性，文獻(xiàn):Souza M D, Narayanan E M S.Double RESURF technology forHVIC.Electron Lett, 1996，32 (12): 1092，文獻(xiàn):Hardikar S, de Souza M M, Xu YZ, et al.A novel double RESURF LDMOS for HVIC’ s.J Microelectron, 2004, 35
(3):305,提出了具有線性變摻雜(LVD)表面降場(chǎng)層LDMOS器件結(jié)構(gòu)，如圖3所示，它由半導(dǎo)體襯底1、半導(dǎo)體漂移區(qū)2、半導(dǎo)體漏區(qū)10、半導(dǎo)體體區(qū)6，其中半導(dǎo)體體區(qū)6中具有半導(dǎo)體源區(qū)11和半導(dǎo)體體接觸區(qū)12，以及漏極金屬15，源極金屬14，柵氧化層8、柵極9，場(chǎng)氧化層7以及半導(dǎo)體降場(chǎng)層3組成。所述的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體降場(chǎng)層3的摻雜濃度從溝道區(qū)一側(cè)向漏區(qū)一側(cè)線性降低。通過(guò)優(yōu)化線性分布函數(shù)的斜率和起始濃度，可以大大優(yōu)化漂移區(qū)的表面電場(chǎng)分布，從而大幅度提高器件的擊穿電壓。但是，為了獲得線性變化的降場(chǎng)層濃度，必須增加一次細(xì)槽掩膜光刻和高溫長(zhǎng)時(shí)間退火。這增加了工藝的復(fù)雜性，提高了制造成本。文獻(xiàn):朱奎英，等.DoubleRESURF nLDMOS功率器件的優(yōu)化設(shè)計(jì)，固體電子學(xué)研究與進(jìn)展，2010，vol.30, N0.2,PP.256-271，提出了具有多區(qū)降場(chǎng)層LDMOS器件結(jié)構(gòu)，如圖4所示，在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)2中具有多個(gè)第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體降場(chǎng)層3，其可比單區(qū)結(jié)構(gòu)獲得更高的擊穿電壓，且降場(chǎng)層采用多區(qū)變摻雜后，器件的擊穿電壓與降場(chǎng)層摻雜劑量的敏感性變小，多區(qū)變摻雜時(shí)器件的擊穿電壓在較寬的降場(chǎng)層注入劑量下仍可保持不變。由此可知分的區(qū)越多，越接近理想的擊穿電壓，與此同時(shí)，光刻版，工藝制造難道也隨之增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)上述背景技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題，提出一種高壓LDMOS器件。本發(fā)明為解決上述技術(shù)問(wèn)題，采用如下技術(shù)方案:
一種高壓LDMOS器件，包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底、位于第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底上方的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)以及位于第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)上方的高壓LDMOS器件表面層；其中，在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)頂部一側(cè)具有第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漏區(qū)，在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)頂部另一側(cè)具有第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)，在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)中具有第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體源區(qū)和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體接觸區(qū)；
所述高壓LDMOS器件表面層由場(chǎng)氧化層、柵氧化層、源極金屬、漏極金屬組成，其中，漏極金屬與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漏區(qū)接觸，源極金屬分別與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體源區(qū)和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體接觸區(qū)接觸，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)與柵氧化層接觸，柵氧化層表面是柵極，第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)分別與場(chǎng)氧化層、柵氧化層接觸，第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)內(nèi)部還具有n個(gè)與場(chǎng)氧化層相接觸的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體降場(chǎng)層，在每個(gè)第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體降場(chǎng)層靠近第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體源區(qū)一側(cè)具有與降場(chǎng)層相連或重合的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重?fù)诫s區(qū)；n為大于0的自然數(shù)。所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)是直接在半導(dǎo)體襯底的上表面外延形成，或者先在半導(dǎo)體襯底上面制作埋氧層，然后在埋氧層上面外延形成。所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體降場(chǎng)層的濃度分布是均勻分布或橫向線性摻雜分布；當(dāng)濃度分布是橫向線性摻雜分布時(shí)，摻雜濃度自第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體源區(qū)一側(cè)至第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漏區(qū)一側(cè)逐漸降低。所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)的材料是硅、碳化硅、砷化鎵或鍺硅。有益效果:本發(fā)明提出一種高壓LDMOS器件，所述器件通過(guò)在每個(gè)降場(chǎng)層靠近源區(qū)引入一個(gè)與降場(chǎng)層相連或重合的相同導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重?fù)诫s區(qū)；這樣就能夠在漂移區(qū)中部產(chǎn)生一個(gè)高的電場(chǎng)峰值，降低了主結(jié)處高的電場(chǎng)峰值，優(yōu)化了漂移區(qū)的表面電場(chǎng)分布，從而能夠提高器件的反向擊穿電壓；還能夠提高常規(guī)降場(chǎng)層結(jié)構(gòu)的LDMOS器件降場(chǎng)層的摻雜濃度，從而提高了器件的最優(yōu)漂移區(qū)濃度，即能夠降低器件的正向?qū)娮琛Ｍ瑫r(shí)，本發(fā)明引入的半導(dǎo)體重?fù)诫s區(qū)與相同導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體接觸區(qū)在工藝制備上同時(shí)完成，無(wú)需增加掩膜板和附加的工藝步驟，工藝簡(jiǎn)單，成本低廉。


圖1是常規(guī)的RESURF LDMOS結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是常規(guī)的具有降場(chǎng)層的LDMOS結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是線性摻雜降場(chǎng)層的LDMOS結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是具有多區(qū)降場(chǎng)層的LDMOS結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是本發(fā)明一種高壓LDMOS器件的實(shí)施例1。圖6是本發(fā)明一種高壓LDMOS器件的實(shí)施例2。圖7是本發(fā)明一種高壓LDMOS器件的實(shí)施例3。圖8是本發(fā)明一種高壓LDMOS器件的實(shí)施例4。圖9是相同結(jié)構(gòu)參數(shù)的常規(guī)具有降場(chǎng)層的LDMOS器件結(jié)構(gòu)與本發(fā)明提供的LDMOS器件結(jié)構(gòu)的表面電場(chǎng)分布不意圖。圖10是常規(guī)的具有降場(chǎng)層的LDMOS器件結(jié)構(gòu)與本發(fā)明提供的LDMOS器件結(jié)構(gòu)的I/V特性比較。附圖標(biāo)記說(shuō)明:圖1至圖8中，I是第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底，2是第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)，3是第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體降場(chǎng)層，4是埋氧層，6是第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)，7是場(chǎng)氧化層，8是柵氧化層，9是柵極，10是第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漏區(qū)，11是第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體源區(qū)，12是第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體接觸區(qū)，13是第一類導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重?fù)诫s區(qū)，14是源極金屬，15是漏極金屬。
具體實(shí)施例方式下面將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明一種高壓LDMOS器件的示例性實(shí)施方式。然而，可以以不同的形式來(lái)實(shí)施本發(fā)明且不應(yīng)將其理解為局限于本文所闡述的實(shí)施方式。相反，提供這些實(shí)施方式是為了本公開(kāi)內(nèi)容將徹底且完整，并將全面地向本領(lǐng)域技術(shù)人員傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在整個(gè)公開(kāi)內(nèi)容中，在本發(fā)明的各種圖和實(shí)施方式中，相同的附圖標(biāo)記指稱相同的部分。附圖不一定按比例，并且在某些情況下，可能將比例擴(kuò)大以便清楚地示出實(shí)施方式的特征。本發(fā)明所述第一導(dǎo)電類型是P型而第二導(dǎo)電類型是N型或者第一導(dǎo)電類型是N型而第二導(dǎo)電類型是P型。本發(fā)明一種高壓LDMOS器件，如圖5所示，本發(fā)明提供的高壓LDMOS器件結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施例，它包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底1、位于第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底I表面的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)2、位于第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)2頂部一側(cè)的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漏區(qū)10、位于第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)2頂部另一側(cè)的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)6，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)6中具有第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體源區(qū)11和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體接觸區(qū)12 ;器件表面與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漏區(qū)10接觸的是漏極金屬15，與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體源區(qū)11和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體接觸區(qū)12接觸的是源極金屬14，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)6和部分第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)2表面是柵氧化層8、柵氧化層8表面是柵極9，其余半導(dǎo)體漂移區(qū)2表面是場(chǎng)氧化層7。所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)2內(nèi)部還具有第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體降場(chǎng)層3。所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體降場(chǎng)層3靠近源區(qū)一側(cè)具有與降場(chǎng)層3相連的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重?fù)诫s區(qū)13。圖6是本發(fā)明提供的高壓LDMOS器件結(jié)構(gòu)的實(shí)施例2，具有第一類導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重?fù)诫s區(qū)13，其與半導(dǎo)體降場(chǎng)層3相互重合。圖7是本發(fā)明提供的高壓LDMOS器件結(jié)構(gòu)的實(shí)施例3，具有第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體降場(chǎng)層3由分段線性變摻雜的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體形成，摻雜濃度自第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體源區(qū)11 一側(cè)至第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漏區(qū)10 —側(cè)逐漸降低。
圖8是本發(fā)明提供的高壓LDMOS器件結(jié)構(gòu)的實(shí)施例4，具有多區(qū)第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體降場(chǎng)層3，每個(gè)降場(chǎng)層3靠近源區(qū)一側(cè)均引入一個(gè)與降場(chǎng)層3相連的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重?fù)诫s區(qū)13。圖9是相同結(jié)構(gòu)參數(shù)的常規(guī)具有降場(chǎng)層的LDMOS器件結(jié)構(gòu)與本發(fā)明提供的LDMOS器件結(jié)構(gòu)的表面電場(chǎng)分布不意圖。圖10是常規(guī)的具有降場(chǎng)層的LDMOS器件結(jié)構(gòu)與本發(fā)明提供的LDMOS器件結(jié)構(gòu)的I/V特性比較。本發(fā)明提供的一種高壓LDMOS器件中，第一類導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重?fù)诫s區(qū)13與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體接觸區(qū)12在工藝制備上同時(shí)完成，無(wú)需增加掩膜板和附加的工藝步驟，工藝簡(jiǎn)單，可操作性強(qiáng)，降低了制造成本。本發(fā)明的工作原理:
下面以SOI LDMOS器件為例，對(duì)本發(fā)明的工作機(jī)理進(jìn)行說(shuō)明。圖9比較了常規(guī)的具有降場(chǎng)層LDMOS器件結(jié)構(gòu)與本發(fā)明提供的LDMOS器件結(jié)構(gòu)的表面電場(chǎng)分布。兩種結(jié)構(gòu)具有相同的幾何尺寸，而漂移區(qū)濃度分布則進(jìn)行了優(yōu)化。其中虛線為常規(guī)具有降場(chǎng)層LDMOS器件表面電場(chǎng)分布曲線，實(shí)線為本發(fā)明提供的LDMOS器件表面電場(chǎng)分布曲線。由圖可知，對(duì)于常規(guī)具有降場(chǎng)層的LDMOS器件結(jié)構(gòu)，其在漂移區(qū)的兩側(cè)產(chǎn)生兩個(gè)高的電場(chǎng)峰值，在正偏PN結(jié)處產(chǎn)生較低的電場(chǎng)谷值，嚴(yán)重影響漂移區(qū)的表面電場(chǎng)分布，降低擊穿電壓。而對(duì)于本發(fā)明提供的高壓LDMOS器件結(jié)構(gòu)，其在漂移區(qū)的中部產(chǎn)生一個(gè)高的電場(chǎng)峰值，優(yōu)化了漂移區(qū)的表面電場(chǎng)分布，從而能夠提高器件的擊穿電壓。圖10比較了常規(guī)具有降場(chǎng)層的LDMOS器件結(jié)構(gòu)與本發(fā)明提供的LDMOS器件結(jié)構(gòu)的Ι/v特性曲線。其中虛線為常規(guī)具有降場(chǎng)層LDMOS器件漏源電流與漏源電壓關(guān)系曲線，實(shí)線為本發(fā)明提供的LDMOS器件漏源電流與漏源電壓關(guān)系曲線。由圖可知，在Vds=IOV時(shí)，常規(guī)具有降場(chǎng)層LDMOS器件的電流為12 μ A/ μ m ;本發(fā)明提供的LDMOS器件電流為20 μ A/μ m,電流能力較常規(guī)結(jié)構(gòu)提高了 40%。綜上所述，本發(fā)明通過(guò)在降場(chǎng)層靠近源區(qū)一側(cè)引入一個(gè)與降場(chǎng)層相連的第一類導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重?fù)诫s區(qū)13。一方面其能夠在漂移區(qū)中部產(chǎn)生一個(gè)高的電場(chǎng)峰值，降低了主結(jié)處的高的電場(chǎng)峰值，優(yōu)化了漂移區(qū)的表面電場(chǎng)分布，從而能夠提高器件的反向擊穿電壓；另一方面，根據(jù)RESURF原理，其能夠提高常規(guī)降場(chǎng)層結(jié)構(gòu)的LDMOS器件降場(chǎng)層的摻雜濃度，從而提高了器件的最優(yōu)漂移區(qū)濃度，即能夠降低器件的正向?qū)娮?。同時(shí)，本發(fā)明引入的第一類導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重?fù)诫s區(qū)13與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體接觸區(qū)12在工藝制備上同時(shí)完成，無(wú)需增加掩膜板和附加的工藝步驟，工藝簡(jiǎn)單，成本低廉。
權(quán)利要求
1.一種高壓LDMOS器件，包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底(I)、位于第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底(I)上方的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)(2)以及位于第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)(2)上方的高壓LDMOS器件表面層；其中，在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)(2)頂部一側(cè)具有第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漏區(qū)(10)，在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)(2)頂部另一側(cè)具有第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)(6)，在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)(6)中具有第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體源區(qū)(11)和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體接觸區(qū)(12); 所述高壓LDMOS器件表面層由場(chǎng)氧化層(7)、柵氧化層(8)、源極金屬(14)、漏極金屬(15)組成，其中，漏極金屬(15)與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漏區(qū)(10)接觸，源極金屬(14)分別與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體源區(qū)(11)和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體接觸區(qū)(12)接觸，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)(6)與柵氧化層(8)接觸，柵氧化層(8)表面是柵極(9)，第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)(2)分別與場(chǎng)氧化層(7)、柵氧化層(8)接觸，其特征在于，第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)(2)內(nèi)部還具有n個(gè)與場(chǎng)氧化層(7)相接觸的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體降場(chǎng)層(3)，在每個(gè)第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體降場(chǎng)層(3 )靠近第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體源區(qū)(11) 一側(cè)具有與降場(chǎng)層(3 )相連或重合的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重?fù)诫s區(qū)(13) ;n為大于0的自然數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高壓LDMOS器件，其特征在于，所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)(2)是直接在半導(dǎo)體襯底(I)的上表面外延形成，或者先在半導(dǎo)體襯底(I)上面制作埋氧層(4)，然后在埋氧層(4)上面外延形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種高壓LDMOS器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體降場(chǎng)層(3)的濃度分布是均勻分布或橫向線性摻雜分布；當(dāng)濃度分布是橫向線性摻雜分布時(shí)，摻雜濃度自第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體源區(qū)(11) 一側(cè)至第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漏區(qū)(10)一側(cè)逐漸降低。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高壓LDMOS器件，其特征在于，所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)(2)的材料是硅、碳化硅、砷化鎵或鍺硅。
全文摘要
本發(fā)明提出一種高壓LDMOS器件，所述器件通過(guò)在每個(gè)降場(chǎng)層靠近源區(qū)引入一個(gè)與降場(chǎng)層相連或重合的相同導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重?fù)诫s區(qū)；這樣就能夠在漂移區(qū)中部產(chǎn)生一個(gè)高的電場(chǎng)峰值，降低了主結(jié)處高的電場(chǎng)峰值，優(yōu)化了漂移區(qū)的表面電場(chǎng)分布，從而能夠提高器件的反向擊穿電壓；還能夠提高常規(guī)降場(chǎng)層結(jié)構(gòu)的LDMOS器件降場(chǎng)層的摻雜濃度，從而提高了器件的最優(yōu)漂移區(qū)濃度，即能夠降低器件的正向?qū)娮?。本發(fā)明引入的半導(dǎo)體重?fù)诫s區(qū)與相同導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體接觸區(qū)在工藝制備上同時(shí)完成，無(wú)需增加掩膜板和附加的工藝步驟，工藝簡(jiǎn)單，成本低廉。
文檔編號(hào)H01L29/78GK103094350SQ20131004914
公開(kāi)日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2013年2月7日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月7日
發(fā)明者郭宇鋒, 徐光明, 花婷婷, 黃示, 張長(zhǎng)春, 夏曉娟 申請(qǐng)人:南京郵電大學(xué)