有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。該有機(jī)電致發(fā)光器件包括依次層疊結(jié)合的透光襯底層、陽極層、有機(jī)功能層和陰極層以及在陰極層外表面依次交替層疊設(shè)置的有機(jī)物阻擋層和無機(jī)物阻擋層。其中，有機(jī)物阻擋層材料包括有機(jī)材料和錸的氧化物，該錸的氧化物占所述有機(jī)物阻擋層材料的摩爾百分?jǐn)?shù)為30%～50%。本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件通過在陰極層外表面設(shè)置依次交替層疊結(jié)合的有機(jī)物阻擋層和無機(jī)物阻擋層，有效減少了水、氧等活性物質(zhì)對該有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，對器件有機(jī)功能材料及電極形成有效的保護(hù)，從而顯著提高了OLED器件的穩(wěn)定性能，延長了OLED器件的使用壽命。其制備方法工序簡單、條件易控，易大面積制備。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于電光源【技術(shù)領(lǐng)域】，具體的說是涉及有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic Light Emiss1n D1de,以下簡稱0LED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制作一層幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有一層低功函數(shù)的金屬電極。
[0003]OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUM0)，而空穴從陽極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0004]OLED具有發(fā)光效率高、材料選擇范圍寬、驅(qū)動電壓低、全固化主動發(fā)光、輕、薄等優(yōu)點(diǎn)，同時擁有高清晰、廣視角，以及響應(yīng)速度快等優(yōu)勢，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時代移動通信和信息顯示的發(fā)展趨勢，以及綠色照明技術(shù)的要求，因此，被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項嶄新的照明和顯示技術(shù)，OLED技術(shù)在過去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動了 OLED的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，使得OLED產(chǎn)業(yè)的成長速度驚人，目前已經(jīng)到達(dá)了大規(guī)模量產(chǎn)的前夜。
[0005]但在實(shí)際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)，OLED中有機(jī)功能層所用的有機(jī)電致發(fā)光材料對氧氣及水汽侵入特別敏感，導(dǎo)致OLED的穩(wěn)定性差，使用壽命短，從而影響了 OLED的推廣應(yīng)用。這是因為氧氣是三線態(tài)淬滅劑，使發(fā)光量子效率顯著下降；另一方面，氧氣對發(fā)光層的氧化會生成羰基化合物，該生成的羰基化合物也相當(dāng)于淬滅劑，影響發(fā)光量子效率顯著下降，與此同時，該被氧化的發(fā)光層變質(zhì)后會形成黑斑，并伴隨發(fā)光效率下降禁帶寬度增加；另外，氧氣也會對空穴傳輸層的氧化作用使其傳輸能為下降。水汽的影響更為明顯，它的主要破壞方式是導(dǎo)電及有機(jī)層化合物的水解作用，使穩(wěn)定性大大下降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，提供一種能有效防水、防氧的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0007]本發(fā)明的另一目的在于提供一種工藝簡單的有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法。
[0008]為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0009]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊結(jié)合的透光襯底層、陽極層、有機(jī)功能層和陰極層，所述有機(jī)功能層包括在外加電源的驅(qū)動下發(fā)光的發(fā)光層，在所述陰極層外表面還層疊結(jié)合有依次交替層疊設(shè)置的有機(jī)物阻擋層和無機(jī)物阻擋層，所述有機(jī)物阻擋層材料包括有機(jī)材料和錸的氧化物，其中，所述錸的氧化物占所述有機(jī)物阻擋層材料的摩爾百分?jǐn)?shù)為 30% ?50%ο[0010]以及，上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0011]在真空鍍膜系統(tǒng)中，將所述有機(jī)物阻擋層材料摻雜共蒸在陰極層外表面制作有機(jī)物功能層；其中，所述有機(jī)物阻擋層材料包括有機(jī)材料和錸的氧化物，所述錸的氧化物占所述有機(jī)物阻擋層材料的摩爾百分?jǐn)?shù)為30%?50% ；
[0012]在真空鍍膜系統(tǒng)中，將所述無機(jī)物阻擋層材料摻雜共蒸在所述有機(jī)功能層外表面制作無機(jī)所述阻擋層；
[0013]依次在所述無機(jī)物阻擋層外表面進(jìn)行重復(fù)制備所述有機(jī)功能層和無機(jī)物阻擋層的步驟。
[0014]上述有機(jī)電致發(fā)光器件通過在陰極層外表面設(shè)置依次交替層疊結(jié)合的有機(jī)物阻擋層和無機(jī)物阻擋層，通過該兩層阻擋層的協(xié)同增效作用，有效減少了水、氧等活性物質(zhì)對該有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，對器件有機(jī)功能材料及電極形成有效的保護(hù)，從而顯著提高了 OLED器件的穩(wěn)定性能，延長了 OLED器件的使用壽命。其中，該有機(jī)物阻擋層通過在有機(jī)材料中摻雜該含量的錸氧化物，一方面有效提高了有機(jī)物阻擋層的致密性能，另一方面使得該有機(jī)物阻擋層平整度好，有利于無機(jī)物在上面成膜，有效防止無機(jī)物阻擋層龜裂的同時使得有機(jī)物阻擋層和無機(jī)物阻擋層結(jié)合牢固。另外，由有機(jī)物阻擋層和無機(jī)物阻擋層所構(gòu)成的阻擋層透光率高。
[0015]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法通過蒸鍍方法在陰極層外表面依次分別制備交替層疊結(jié)合的有機(jī)物阻擋層和無機(jī)物阻擋層，其工序簡單、條件易控，易大面積制備，成品合格率高，有效提高了生產(chǎn)效率,降低了生產(chǎn)成本,適合產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為本發(fā)明實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2為本發(fā)明實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件另一優(yōu)選結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3為本發(fā)明實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]為了使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例與附圖，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0020]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種能有效防水防氧的有機(jī)電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)如圖1至圖2所示。該有機(jī)電致發(fā)光器件包括依次層疊結(jié)合的透光襯底層1、陽極層2、有機(jī)功能層
3、陰極層4和依次交替層疊結(jié)合在陰極層4外表面的有機(jī)物阻擋層5和無機(jī)物阻擋層6。
[0021]具體地，上述透光襯底層I所選用的材料為透光玻璃、透明聚合物薄膜材料或金屬等，如以塑料或金屬材料的基底制備的柔性O(shè)LED器件。當(dāng)然透光襯底層I所選用的材料還可采用本領(lǐng)域其他材料進(jìn)行替代。襯底層I的厚度也可以采用本領(lǐng)域常用的厚度。
[0022]上述陽極層2所選用的材料優(yōu)選為但不僅僅為銦錫氧化物(ΙΤ0)，還可以是本領(lǐng)域公知的其他陽極材料。厚度陽極層2的厚度也可以采用本領(lǐng)域常用的厚度。
[0023]上述有機(jī)功能層3包括依次層疊結(jié)合的空穴注入層31、空穴傳輸層32、發(fā)光層33、電子傳輸層34、電子注入層35，且空穴注入層31與陽極層2的與襯底層I相結(jié)合面相對的表面層疊結(jié)合，電子注入層35與陰極層4的與有機(jī)物阻擋層5相結(jié)合面相對的表面層疊結(jié)合,如圖1所示。
[0024]在該有機(jī)功能層3中，空穴注入層31所選用的材料可以是MoO3與N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)的復(fù)配物，其中，MoO3優(yōu)選但不僅僅占該復(fù)配物總重量的30wt%。當(dāng)然，該空穴注入層31所選用的材料可以是W03、V0x或WOx等本領(lǐng)域公知的其他材料?？昭ㄗ⑷雽?1的厚度也可按照本領(lǐng)域常規(guī)的厚度進(jìn)行設(shè)置。該空穴注入層31的設(shè)置，能有效增強(qiáng)其與陽極層2間的歐姆接觸，加強(qiáng)了導(dǎo)電性能，提高陽極層4端的空穴注入能力。
[0025]空穴傳輸層32所選用的材料可以是4，4’，4’ ’ -三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)。當(dāng)然，該空穴傳輸層32所選用的材料可以選自4，4’，4’’-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (3-甲基苯基)-1，I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(TPD)中的至少一種或本領(lǐng)域其他公知的空穴傳輸材料，其厚度也可按照本領(lǐng)域常規(guī)的厚度進(jìn)行設(shè)置。
[0026]發(fā)光層33所用的發(fā)光材料可以根據(jù)實(shí)際的需求(如發(fā)光顏色等要求)靈活選擇。如可以選用TPB1:1r(ppy)3，其中，TPBI (1,3, 5-H (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)為主體材料，Ir(ppy)3 (三(2-苯基吡啶)合銥)為客體材料，且主、客體摻雜重量比為5:100。當(dāng)然，該發(fā)光層33所用的發(fā)光材料還可選用本領(lǐng)域的其他材料，如摻雜量為5wt%的NPB =Ir(MDQ)2(acac)，其中，N, N’- 二苯基-N, N’- 二(1-萘基)_1，I’_ 聯(lián)苯 _4，4’- 二胺(NPB)為主體材料，二 (2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉(乙酰丙酮Klr (MDQ)2 (acac))為客體材料。還可以是雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2 (acac))中至少一種等發(fā)光材料。該發(fā)光層33的厚度可以是本領(lǐng)域常規(guī)的厚度范圍。
[0027]電子傳輸層34所選用的材料可以是4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。當(dāng)然，電子傳輸層34所選用的材料還可以是本領(lǐng)域公知的其他材料，如(8-羥基喹啉)_鋁(Alq3)、4，7-二苯基-鄰菲咯啉(Bphen) ,1,3, 5-H (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)、1，2，4-三唑衍生物(TAZ)中的至少一種。電子傳輸層34的厚度也可以設(shè)置本領(lǐng)常規(guī)的其他厚度范圍。為了進(jìn)一步提高電子傳輸層34的傳輸效率，該電子傳輸層34還可以是參雜有電子傳輸摻雜劑的參雜層結(jié)構(gòu),其中，該摻雜劑可以是堿金屬摻雜劑，如碳酸鋰(Li2CO3),疊氮化鋰(LiN3),疊氮化銫(CsN3)，碳酸銫(Cs2CO3),氟化銫(CsF)中的一種或兩種以上的復(fù)配。
[0028]電子注入層35所選用的材料可以是CsN3與Bphen的復(fù)配物，Bphen的摻雜量為優(yōu)選但不僅僅為30wt%。當(dāng)然，該電子注入層35還可以選用本領(lǐng)域公知的其他材料，如碘化鋰、碘化鉀、碘化鈉、碘化銫、碘化銣中的至少一種等堿金屬的鹵化物。電子注入層35的厚度也可按照本領(lǐng)域常規(guī)的厚度進(jìn)行設(shè)置。該電子注入層35的設(shè)置能有效增強(qiáng)其與陰極層4之間的歐姆接觸，加強(qiáng)了導(dǎo)電性能，進(jìn)一步提高陰極層4端的電子注入能力，以進(jìn)一步平衡載流子，控制復(fù)合區(qū)域，在發(fā)光層33中增加激子量，獲得了理想的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。
[0029]當(dāng)然，上述有機(jī)功能層3中的空穴注入層31可以根據(jù)實(shí)際需要與否設(shè)置。同樣，電子注入層35可以根據(jù)實(shí)際需要與否設(shè)置。
[0030]進(jìn)一步地，作為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例，在如圖1所示的有機(jī)功能層3的基礎(chǔ)上還可以設(shè)置電子阻擋層36和空穴阻擋層37，其中，該電子阻擋層36層疊結(jié)合在空穴傳輸層32于發(fā)光層33之間，空穴阻擋層37層疊結(jié)合在發(fā)光層33與電子傳輸層34之間，其結(jié)構(gòu)如圖2所示。該電子阻擋層36與空穴阻擋層37的設(shè)置，能分別將電子和空穴盡可能的截留在發(fā)光層33中，以提高空穴與電子在發(fā)光層33中相遇機(jī)率，以提高兩者復(fù)合而形成的激子量，并將激子能量傳遞給發(fā)光材料，從而激發(fā)發(fā)光材料的電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能，以達(dá)到增強(qiáng)發(fā)光層33的發(fā)光強(qiáng)度的目的。如電子阻擋層36能將從陰極層4注入的電子盡可能的截留在發(fā)光層33中，空穴阻擋層37能將從陽極層2注入的空穴盡可能的截留在發(fā)光層33中。
[0031 ] 具體地，該電子阻擋層36所選用的材料可以但不僅僅為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-1，I’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(Tro)、1，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)等材料?？昭ㄗ钃鯇?7所選用的材料可以但不僅僅為TPB1、Bphen或/和BAlq等。
[0032]當(dāng)然，圖2所示的有機(jī)功能層3中電子阻擋層36和空穴阻擋層37可以根據(jù)實(shí)際
需要擇一設(shè)置。
[0033]上述陰極層4的結(jié)構(gòu)為依次層疊結(jié)合的ZnS層、Ag層和ZnS層(即ZnS/Ag/ZnS結(jié)構(gòu))。其中，ZnS層的厚度可以但不僅僅為30nm, Ag的厚度可以但不僅僅為10nm。當(dāng)然,該陰極層4所選用的材料還可以用本領(lǐng)域公知其他材料替代。
[0034]上述依次交替層疊結(jié)合在陰極層4外表面的有機(jī)物阻擋層5和無機(jī)物阻擋層6交替層疊的次數(shù)可以根據(jù)該有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光波長而靈活調(diào)整，以使得該有機(jī)電致發(fā)光器件具有優(yōu)異防水、防氧性能的前提下達(dá)到最佳的出光效果。發(fā)明人在研究中發(fā)現(xiàn)，當(dāng)有機(jī)物阻擋層5和無機(jī)物阻擋層6交替層疊的次數(shù)為4?6次時，該兩阻擋層一方面能使得該阻擋層有效的隔絕水、氧等活性物質(zhì)對該有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，對OLED器件起到保護(hù)作用；另一方面還能使得由該有機(jī)物阻擋層5和無機(jī)物阻擋層6交替層疊所構(gòu)成的阻擋層具有優(yōu)異的透光率。因此，由該交替層疊結(jié)合的有機(jī)物阻擋層5和無機(jī)物阻擋層6構(gòu)成的阻擋層結(jié)構(gòu)具有以下幾種優(yōu)選實(shí)施例:
[0035]第一種，有機(jī)物阻擋層5和無機(jī)物阻擋層6依次交替層疊的次數(shù)為4次，因此，該阻擋層的結(jié)構(gòu)為:有機(jī)物阻擋層51/無機(jī)物阻擋層61/有機(jī)物阻擋層52/無機(jī)物阻擋層62/有機(jī)物阻擋層53/無機(jī)物阻擋層63/有機(jī)物阻擋層54/無機(jī)物阻擋層64，如圖2所示；
[0036]第二種，有機(jī)物阻擋層5和無機(jī)物阻擋層6依次交替層疊的次數(shù)為5次，因此，該阻擋層的結(jié)構(gòu)是在如圖2所示阻擋層的基礎(chǔ)上多交替層疊I次，具體為:有機(jī)物阻擋層/無機(jī)物阻擋層/有機(jī)物阻擋層/無機(jī)物阻擋層/有機(jī)物阻擋層/無機(jī)物阻擋層/有機(jī)物阻擋層/無機(jī)物阻擋層/有機(jī)物阻擋層/無機(jī)物阻擋層；
[0037]第三種，有機(jī)物阻擋層5和無機(jī)物阻擋層6依次交替層疊的次數(shù)為6次，因此，該阻擋層的結(jié)構(gòu)是在如圖2所示阻擋層的基礎(chǔ)上多交替層疊2次，具體為:有機(jī)物阻擋層/無機(jī)物阻擋層/有機(jī)物阻擋層/無機(jī)物阻擋層/有機(jī)物阻擋層/無機(jī)物阻擋層/有機(jī)物阻擋層/無機(jī)物阻擋層/有機(jī)物阻擋層/無機(jī)物阻擋層/有機(jī)物阻擋層/無機(jī)物阻擋層。
[0038]當(dāng)然，上述有機(jī)物阻擋層5和無機(jī)物阻擋層6交替層疊的次數(shù)為4?6次僅僅是優(yōu)選的實(shí)施例，因此，有機(jī)物阻擋層5和無機(jī)物阻擋層6依次交替層疊的次數(shù)還可以是I次以上，3次以下或7次以上。
[0039]具體地，上述交替層疊結(jié)合的有機(jī)物阻擋層5和無機(jī)物阻擋層6中的不同有機(jī)物阻擋層5所選用的材料和厚度可以相同也可以不同。同樣，不同無機(jī)物阻擋層6所選用的材料和厚度可以相同也可以不同。
[0040]另外，上述由該交替層疊結(jié)合的有機(jī)物阻擋層5和無機(jī)物阻擋層6構(gòu)成的阻擋層結(jié)構(gòu)無論為哪種結(jié)構(gòu)，其中的有機(jī)物阻擋層5材料包括有機(jī)材料和錸的氧化物，其中，該錸的氧化物占所述有機(jī)物阻擋層材料的摩爾百分?jǐn)?shù)為30%?50%。該有機(jī)物阻擋層5通過在有機(jī)材料摻雜該錸氧化物，一方面有效提高了有機(jī)物阻擋層5的致密性能，另一方面使得該有機(jī)物阻擋層5具有優(yōu)異的成膜平整度，利于無機(jī)物阻擋層6的成膜，有效防止無機(jī)物阻擋層龜裂，增強(qiáng)了有機(jī)物阻擋層5與無機(jī)物阻擋層6層疊結(jié)合的強(qiáng)度，保證了有機(jī)物阻擋層5與無機(jī)物阻擋層6的成膜質(zhì)量。
[0041]作為優(yōu)選實(shí)施例，該錸氧化物為Re20、Re0、Re203、Re02、Re205或ReO3中的至少一種，該有機(jī)物阻擋層5材料中的有機(jī)材料為1，1- 二((4-N，N’ - 二(對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、N，N’ - 二苯基-N, N，- 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)、8_ 羥基喹啉鋁(六193)、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4，7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)或1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。當(dāng)然，該錸氧化物和有機(jī)材料硅化物各組分也可以各自選用兩種以上相應(yīng)的物質(zhì)進(jìn)行復(fù)配，均在本發(fā)明公開的范圍。
[0042]作為優(yōu)選實(shí)施例，上述無機(jī)物阻擋層6材料包括氟化物和錸的氧化物，其中，該錸氧化物占無機(jī)物阻擋層6總質(zhì)量的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%?30%。該無機(jī)物阻擋層6材料中互相摻雜的氟化物與錸的氧化物之間的晶格匹配度高，相互結(jié)合可以減緩所形成的無機(jī)物阻擋層6內(nèi)部應(yīng)力，增大無機(jī)物阻擋層6密度，使得的其致密性好，從而達(dá)到顯著提高本發(fā)明實(shí)施例OLED防水、氧能力延長OLED使用壽命。
[0043]在具體實(shí)施例中，上述優(yōu)選實(shí)施例無機(jī)物阻擋層6中的氟化物優(yōu)選為LiF、CeF2,MgF2, A1F3、CaF2 或 BaF2 ;錸氧化物如上文所述，優(yōu)選為 Re20、ReO、Re2O3> ReO2, Re2O5 或 Re03。其中，當(dāng)然，該氟化物和錸氧化物各組分也可以各自選用兩種以上相應(yīng)的物質(zhì)進(jìn)行復(fù)配，均在本發(fā)明公開的范圍。另外，該無機(jī)物阻擋層6中摻雜的錸氧化物與上述有機(jī)物阻擋層5中摻雜的錸氧化物可以相同或不同。
[0044]因此，上述實(shí)施例OLED器件通過有機(jī)物阻擋層5與無機(jī)物阻擋層6的協(xié)同增效作用，有效避免了水、氧等活性物質(zhì)對該有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，顯著提高了 OLED器件的穩(wěn)定性能，延長了 OLED器件的使用壽命。其中，有機(jī)物阻擋層5能為無機(jī)物阻擋層6供平坦的表面，并減緩無機(jī)物阻擋層6的應(yīng)力，保證無機(jī)物的成膜質(zhì)量和防止其龜裂。無機(jī)物阻擋層6致密性高，能有效阻擋水氧作用。同時通過分別對有機(jī)材料和無機(jī)材料的選用能使得由有機(jī)物阻擋層5和無機(jī)物阻擋層6構(gòu)成的阻擋層致密，穩(wěn)定性能更優(yōu)，防水、防氧效果更好，從而進(jìn)一步OLED器件的使用壽命。與此同時，通過調(diào)整有機(jī)物阻擋層5和無機(jī)物阻擋層6交替層疊的次數(shù)，還能有效調(diào)節(jié)由有機(jī)物阻擋層5和無機(jī)物阻擋層6構(gòu)成的阻擋層的透光率。
[0045]因此,作為優(yōu)選實(shí)施例,有機(jī)物阻擋層5的厚度為200nm?300nm,無機(jī)物阻擋層6的厚度為200nm?300nm。
[0046]由上述可知，上述OLED器件通過在陰極層外表面設(shè)置依次交替層疊結(jié)合的有機(jī)物阻擋層5和無機(jī)物阻擋層6，通過該兩層阻擋層的協(xié)同增效作用，有效減少了水、氧等活性物質(zhì)對該有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，對器件有機(jī)功能材料及電極形成有效的保護(hù)，從而顯著提高了 OLED器件的穩(wěn)定性能，延長了 OLED器件的使用壽命。另外，由該交替層疊的有機(jī)物阻擋層5和無機(jī)物阻擋層6所構(gòu)成的阻擋層的透光率高。如下文表I中OLED器件的使用壽命高達(dá)3000小時以上，透光率高達(dá)55%以上。
[0047]相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了上文所述有機(jī)電致發(fā)光器件的一種制備方法。該方法工藝流程圖如圖3所以示，同時參見圖1?2，該方法包括如下步驟:
[0048]S01.提供透光襯底層I ;
[0049]S02.制備陽極層2:在步驟SOl的透光襯底層I 一表面鍍陽極層2 ；
[0050]S03.制備有機(jī)功能層3:在步驟S02制備陽極層2的與透光襯底層I相結(jié)合面相對的表面依次鍍空穴注入層31、空穴傳輸層32、發(fā)光層33、電子傳輸層34、電子注入層35,形成有機(jī)功能層3 ；
[0051]S04.制備陰極層4:在步驟S03的有機(jī)功能層3外表面鍍陰極層4 ；
[0052]S05.制備與陰極層4外表面依次交替層疊結(jié)合的有機(jī)物阻擋層5和無機(jī)物阻擋層6:
[0053]在真空鍍膜系統(tǒng)中，將有機(jī)物阻擋層材料摻雜共蒸在陰極層4外表面制作有機(jī)物功能層5 ；
[0054]在真空鍍膜系統(tǒng)中，將無機(jī)物阻擋層材料摻雜共蒸在有機(jī)功能層5外表面制作無機(jī)所述阻擋層6 ；
[0055]在無機(jī)物阻擋層6外表面依次進(jìn)行重復(fù)制備有機(jī)功能層5和無機(jī)物阻擋層6的步驟。
[0056]具體地，上述SOl步驟中，透光襯底層I的結(jié)構(gòu)、材料及規(guī)格如上文所述，為了篇幅，在此不再贅述。另外，在該SOl步驟中，還包括對透光襯底層21的前期處理步驟，如清洗去污的步驟。
[0057]上述步驟S02中，將襯底置于磁控濺射系統(tǒng)中在襯底表面濺射成膜，形成陽極層
2。其濺射條件采用本領(lǐng)域常規(guī)的工藝條件即可。
[0058]優(yōu)選地，在進(jìn)行下述步驟S03之前，還包括對步驟S02中的陽極層2進(jìn)行等離子處理:將該鍍有陽極層2的襯底置于等離子處理室中，進(jìn)行等離子處理。該等離子處理條件采用本領(lǐng)域常規(guī)的工藝條件即可。經(jīng)等離子處理后陽極層2能有效的提高陽極功函數(shù)，降低空穴的注入勢壘。
[0059]當(dāng)然，也可以直接選用鍍有陽極如鍍有ITO的透明襯底，對該鍍有陽極的透明襯底進(jìn)行前期的預(yù)處理，如清洗、等離子處理等工藝處理后進(jìn)行下述步驟S03。
[0060]上述步驟S03中，在陽極層2外表面鍍完空穴傳輸層31之后，在空穴傳輸層31外表面依次蒸鍍空穴傳輸層32、發(fā)光層33、電子傳輸層34、電子注入層35,鍍該各層所選用的材料以及厚度均勻如上文所述。蒸鍍各層所涉及到工藝條件按照本領(lǐng)域常規(guī)的條件即可。
[0061]進(jìn)一步地，當(dāng)有機(jī)功能層3還含有電子阻擋層36和空穴阻擋層37時，如圖2所示。因此，該步驟S03中在空穴傳輸層32之后鍍發(fā)光層33之前還包括鍍電子阻擋層36的步驟和在鍍發(fā)光層33的步驟之后鍍電子傳輸層34之前還包括鍍空穴阻擋層37的步驟。鍍電子阻擋層36、空穴阻擋層37所選的材料和厚度分別如上文所述。蒸鍍該兩層所涉及到工藝條件按照本領(lǐng)域常規(guī)的條件即可。[0062]上述步驟S04中，將鍍有有機(jī)功能層3的襯底置于鍍膜系統(tǒng)中，以上文所述的陰極材料為鍍源在有機(jī)功能層3外表面進(jìn)行鍍膜，形成陰極層4。其蒸鍍條件采用本領(lǐng)域常規(guī)的工藝條件即可。
[0063]上述步驟S05中，在的鍍有機(jī)物功能層5的步驟時，將有機(jī)物功能層5所選用的材料作為鍍源在上述步驟S04中制備的陰極層4外面蒸鍍形成有機(jī)物功能層5。
[0064]其中，有機(jī)物功能層5所選用的材料如上文所述，其包括有機(jī)材料和錸的氧化物，其中，錸的氧化物占所述有機(jī)物阻擋層5材料的摩爾百分?jǐn)?shù)為30%~50%。該錸氧化物如上文所述，優(yōu)選為Re20、ReO、Re203、ReO2, Re2O5或Re03。該有機(jī)物優(yōu)選為TAPC、NPB, Alq3、m-MTDATA、BCP或TPBi。該有機(jī)材料與錸氧化物均勻摻雜，進(jìn)行共蒸形成有機(jī)物功能層5。
[0065]在優(yōu)選實(shí)施例中，蒸鍍形成有機(jī)物功能層5的工藝條件如下:
[0066]有機(jī)物功能層5所選用材料共蒸時的真空度為I X 10_5Pa~I X 10?,材料的蒸
發(fā)速度為0.5A/S ~ 5 A/s J亥優(yōu)選蒸鍍的工藝條件能使得形成的有機(jī)物功能層5更加平整、致密。在該蒸鍍的工藝條件下蒸鍍的時間可以根據(jù)該有機(jī)物功能層5的厚度進(jìn)行靈活調(diào)整和控制。
[0067]上述步驟S05中，在的鍍無機(jī)物阻擋層6的步驟時，鍍無機(jī)物阻擋層6選用的材料如上文所述的無機(jī)物，如優(yōu)選包括互相摻雜的氟化物和錸的氧化物，其中，該錸氧化物占無機(jī)物阻擋層總質(zhì)量的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%~30%，且錸氧化物和氟化物分別如上文所述。
[0068]在優(yōu)選實(shí)施例中，蒸鍍形成無機(jī)物阻擋層6的工藝條件如下: [0069]無機(jī)物阻擋層6所選用材料進(jìn)行共蒸時的真空度為I X 1-5Pa~I X 10?,材料的蒸發(fā)速度為0.5A/S - 5 A/s3亥優(yōu)選蒸鍍的工藝條件能使得形成的無機(jī)物阻擋層6致密、均勻。在該蒸鍍的工藝條件下蒸鍍的時間可以根據(jù)該無機(jī)物阻擋層6的厚度進(jìn)行靈活調(diào)整和控制。
[0070]上述步驟S05中，在無機(jī)物阻擋層6外表面依次進(jìn)行重復(fù)制備有機(jī)功能層5和無機(jī)物阻擋層6的步驟時，重復(fù)制備有機(jī)功能層5和無機(jī)物阻擋層6的次數(shù)優(yōu)選為4至6次，當(dāng)然如上文所述，重復(fù)制備有機(jī)功能層5和無機(jī)物阻擋層6的次數(shù)還可以是I次以上，3次以下或7次以上，具體層疊的次數(shù)可以根據(jù)該有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光波長而靈活調(diào)整，以使得該有機(jī)電致發(fā)光器件達(dá)到最佳的出光效果。
[0071]由上述可知，上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法通過蒸鍍方法在陰極層外表面依次分別制備交替層疊結(jié)合的有機(jī)物阻擋層5和無機(jī)物阻擋層6，使得交替層疊結(jié)合有機(jī)物阻擋層5和無機(jī)物阻擋層6發(fā)揮協(xié)同增效作用，有效隔絕水、氧對等活性物質(zhì)對該有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕。另外，通過調(diào)整鍍膜的工藝條件，使得有機(jī)物阻擋層5和無機(jī)物阻擋層6緊密結(jié)合，且平整、致密，從而顯著延長了 OLED器件的使用壽命。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法其工序簡單、成熟，條件易控，成品合格率高，有效提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本，適合產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。
[0072]現(xiàn)結(jié)合具體實(shí)例，對本發(fā)明實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0073]實(shí)施例1
[0074]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/IT0/Mo03:NPB/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (Re2O: TAPC/Re20: LiF) 6。[0075]該有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法包括以下步驟:
[0076]a) ITO玻璃基板前處理:丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，單項洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，烘箱烤干待用；對洗凈后的ITO玻璃還需進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù);ΙΤ0厚度為10nm ；
[0077]b)有機(jī)功能層的制備:依次在步驟a)中的ITO層外表面鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層；具體地，
[0078]空穴注入層的制備:將MoO3摻雜入N，N’-二苯基-N，N’-二(1_萘基聯(lián)苯-4，4’-=K(NPB)中，摻雜量 30wt%，厚度 10nm，真空度 lX10_5Pa，蒸發(fā)速度().lA,__s:
[0079]空穴傳輸層的制備:采用4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，真空度I X 1-5Pa,蒸發(fā)速度0.lA/s,蒸發(fā)厚度30nm ；
[0080]發(fā)光層的制備:主體材料采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI )，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)，摻雜量為5wt%，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S，蒸發(fā)厚度20nm ；
[0081]電子傳輸層的制備:蒸鍍一層4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸材料，真空度IX 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1 A/s，蒸發(fā)厚度1nm ； [0082]電子注入層的制備:將CsN3摻入Bphen中，摻雜量為30wt%，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S,蒸發(fā)厚度20nm ；
[0083]c)陰極層的制備:陰極采用ZnS/Ag/ZnS, ZnS厚度30nm, Ag厚度1nm,真空度I X KT5Pa,蒸發(fā)速度 IA/S。
[0084]d)有機(jī)物阻擋層的制作:有機(jī)物阻擋層為有機(jī)材料和錸的氧化物摻雜共蒸制作，有機(jī)材料為TAPC，錸的氧化物為Re2O,其中，Re2O在有機(jī)物阻擋層材料中所占的摩爾百分?jǐn)?shù)為40%，采用真空蒸鍍的方式制備，真空度1父10_午&，蒸發(fā)速度5人/5，厚度300nm;
[0085]e)無機(jī)物阻擋層的制作:無機(jī)物阻擋層為氟化物和錸的氧化物摻雜共蒸制作，錸的氧化物為Re2O,氟化物為LiF，其中，Re2O占無機(jī)物阻擋層材料總質(zhì)量的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為20%,真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度.2 A/S,厚度250nm ；
[0086]f)交替重復(fù)d)和e)6次。
[0087]實(shí)施例2
[0088]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/IT0/Mo03:NPB/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (ReO: NPB/ReO: CeF2) 5。
[0089]該有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法包括以下步驟:
[0090]a)、b)、c)同實(shí)施例1 ;
[0091]d)有機(jī)物阻擋層的制作:有機(jī)物阻擋層為有機(jī)材料和錸的氧化物摻雜共蒸制作，錸的氧化物為ReO，有機(jī)材料為NPB，其中，ReO在有機(jī)物阻擋層材料中所占的摩爾百分?jǐn)?shù)為50%，采用真空蒸鍍的方式制備，真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度2A/S，厚度250nm ；
[0092]e)無機(jī)物阻擋層的制作:無機(jī)物阻擋層為氟化物和錸的氧化物摻雜共蒸制作，錸的氧化物為ReO，氟化物為CeF2，其中，ReO占無機(jī)物阻擋層材料總質(zhì)量的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為30%,真空度5 X 10?,蒸發(fā)速度5 A/s,厚度300nm ；
[0093]f)交替重復(fù)d)和e)5次。
[0094]實(shí)施例3
[0095]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/IT0/Mo03:NPB/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (Re2O3: Alq3/Re203: MgF2) 5。
[0096]該有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法包括以下步驟:
[0097]a)、b)、c)同實(shí)施例1 ;
[0098]d)有機(jī)物阻擋層的制作:有機(jī)物阻擋層為有機(jī)材料和錸的氧化物摻雜共蒸制作，有機(jī)材料為Alq3，錸的氧化物為Re2O3，其中，Re2O3在有機(jī)物阻擋層材料中所占的摩爾百分?jǐn)?shù)為30%,采用真空蒸鍍的方式制備,真空度5 X 10?,蒸發(fā)速度0.5A/S，厚度200nm ；
[0099]e)無機(jī)物阻擋層的制作:無機(jī)物阻擋層為氟化物和錸的氧化物摻雜共蒸制作，錸的氧化物為Re2O3，氟化物為MgF2，其中，Re2O3占無機(jī)物阻擋層材料總質(zhì)量的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%，真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5 A/S,厚度200nm ；
[0100]f)交替重復(fù)d)和e)5次。
[0101]實(shí)施例4 [0102]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/IT0/Mo03:NPB/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (ReO2:m_MTDATA/Re02: AlF3) 4
[0103]該有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法包括以下步驟:
[0104]a)、b)、c)同實(shí)施例1 ;
[0105]d)有機(jī)物阻擋層的制作:有機(jī)物阻擋層為有機(jī)材料和錸的氧化物摻雜共蒸制作，有機(jī)材料為m-MTDATA，錸的氧化物為ReO2，其中，ReO2在有機(jī)物阻擋層材料中所占的摩爾百分?jǐn)?shù)為35%，采用真空蒸鍍的方式制備，真空度5 X KT5Pa,蒸發(fā)速度2A/S，厚度250nm ；
[0106]e)無機(jī)物阻擋層的制作:無機(jī)物阻擋層為氟化物和錸的氧化物摻雜共蒸制作，錸的氧化物為ReO2，氟化物為AlF3，其中，ReO2占無機(jī)物阻擋層材料總質(zhì)量的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為15%,真空度5 X 10_5Pa,蒸發(fā)速度.2 A/s，厚度24Onm ；
[0107]f)交替重復(fù)d)和e)4次。
[0108]實(shí)施例5
[0109]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/IT0/Mo03:NPB/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (Re2O5:BCP/Re205: CaF2) 4。
[0110]該有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法包括以下步驟:
[0111]a)、b)、c)同實(shí)施例1 ;
[0112]d)有機(jī)物阻擋層的制作:有機(jī)物阻擋層為有機(jī)材料和錸的氧化物摻雜共蒸制作，有機(jī)材料為BCP，錸的氧化物Re2O5，其中，Re2O5在有機(jī)物阻擋層材料中所占的摩爾百分?jǐn)?shù)為45%，采用真空蒸鍍的方式制備，真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度IA/S,厚度250nm ;
[0113]e)無機(jī)物阻擋層的制作:無機(jī)物阻擋層為氟化物和錸的氧化物摻雜共蒸制作，錸的氧化物為Re2O5，氟化物為CaF2，其中，Re2O5占無機(jī)物阻擋層材料總質(zhì)量的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為25%，真空度5 X10_5Pa，蒸發(fā)速度I A/s，厚度270nm ；[0114]f)交替重復(fù)d)和e)4次。
[0115]實(shí)施例6
[0116]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/IT0/Mo03:NPB/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (ReO3: TPBi/Re03: BaF2) 4。
[0117]該有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法包括以下步驟:
[0118]a)、b)、c)同實(shí)施例1 ;
[0119]d)有機(jī)物阻擋層的制作:有機(jī)物阻擋層為有機(jī)材料和錸的氧化物摻雜共蒸制作，錸的氧化物為ReO3，有機(jī)材料為TPBi，其中，ReO3在有機(jī)物阻擋層材料中所占的摩爾百分?jǐn)?shù)為40%，采用真空蒸鍍的方式制備，真空度1父10_午&，蒸發(fā)速度2人/3，厚度250nm ；
[0120]e)無機(jī)物阻擋層的制作:無機(jī)物阻擋層為氟化物和錸的氧化物摻雜共蒸制作，錸的氧化物為ReO3，氟化物為BaF2，其中，ReO3占無機(jī)物阻擋層材料總質(zhì)量的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為20%，真空度I X10_3Pa，蒸發(fā)速度I A/S，厚度250nm ；
[0121]f)交替重復(fù)d)和e) 4次。
[0122]對比實(shí)例
[0123]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/IT0/Mo03:NPB/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (TPBi/BaF2) 4。
[0124]該有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法包括以下步驟:
[0125]a)、b)、c)同實(shí)施例1 ;
[0126]d)有機(jī)物阻擋層的制作:有機(jī)物阻擋層材料為TPBi，采用真空蒸鍍的方式制備，真空度I X 10?,蒸發(fā)速度2A/S,厚度250nm ；
[0127]e)無機(jī)物阻擋層的制作:無機(jī)物阻擋層為BaF2，真空度I X 10_3Pa，蒸發(fā)速度I A/s，厚度 250nm ；
[0128]f)交替重復(fù)d)和e) 4次。
[0129]有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)行相關(guān)性能測試
[0130]將上述實(shí)施例1至實(shí)施例6和對比例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)行WVTR、透光率和壽命等性能進(jìn)行測試，各項性能測試方法按照現(xiàn)有公知的方法進(jìn)行，測試結(jié)果如下述表1:
[0131]表1
[0132]
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊結(jié)合的透光襯底層、陽極層、有機(jī)功能層和陰極層，所述有機(jī)功能層包括在外加電源的驅(qū)動下發(fā)光的發(fā)光層，其特征在于:在所述陰極層外表面還層疊結(jié)合有依次交替層疊設(shè)置的有機(jī)物阻擋層和無機(jī)物阻擋層，所述有機(jī)物阻擋層材料包括有機(jī)材料和錸的氧化物，其中，所述錸的氧化物占所述有機(jī)物阻擋層材料的摩爾百分?jǐn)?shù)為30%~50%。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述無機(jī)物阻擋層材料包括氟化物和錸的氧化物，其中，所述錸氧化物占所述無機(jī)物阻擋層材料的總質(zhì)量的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%~30%O
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述氟化物為LiF、CeF2、MgF2、A1F3、CaF2 或 BaF2。
4.如權(quán)利要求1~2任一項所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述錸氧化物為Re20、ReO、Re203、ReO2 > Re2O5 或 ReO30
5.如權(quán)利要求1~2任一項所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述有機(jī)材料為1，1-二((4-N，N’ - 二(對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、N，N’- 二苯基-N，N’- 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯。
6.如權(quán)利要求1~2任一項所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述有機(jī)物阻擋層的厚度為200nm~300nm ;所述無機(jī)物阻擋層的厚度為200nm~300nm。
7.如權(quán)利要求1~2任一項所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述有機(jī)物阻擋層和無機(jī)物阻擋層的交 替層疊的次數(shù)為4~6次。
8.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟: 在真空鍍膜系統(tǒng)中，將所述有機(jī)物阻擋層材料摻雜共蒸在陰極層外表面制作有機(jī)物功能層；其中，所述有機(jī)物阻擋層材料包括有機(jī)材料和錸的氧化物，所述錸的氧化物占所述有機(jī)物阻擋層材料的摩爾百分?jǐn)?shù)為30%~50% ； 在真空鍍膜系統(tǒng)中，將所述無機(jī)物阻擋層材料摻雜共蒸在所述有機(jī)功能層外表面制作無機(jī)所述阻擋層； 依次在所述無機(jī)物阻擋層外表面進(jìn)行重復(fù)制備所述有機(jī)功能層和無機(jī)物阻擋層的步驟。
9.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:在制備所述有機(jī)物功能層和/或無機(jī)物阻擋層的步驟中，所述摻雜共蒸時的真空度為IX KT5Pa~I X 10?,所述有機(jī)物阻擋層材料蒸發(fā)速度為0.5A/S - 5 A/Se
10.如權(quán)利要求8或9所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:在制備所述有機(jī)物功能層的步驟中，所述錸氧化物為Re20、ReO、Re2O3> ReO2, Re2O5或Re03。
【文檔編號】H01L51/56GK104037351SQ201310073048
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2013年3月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月7日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 張振華, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司