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      用于光電微型傳感器的寬譜紫外發(fā)光二極管及其制作方法

      文檔序號(hào):6789799閱讀:286來源:國(guó)知局
      專利名稱:用于光電微型傳感器的寬譜紫外發(fā)光二極管及其制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域,特別是一種新型寬譜紫外發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu),可為紫外光電傳感器提供較寬連續(xù)光譜,可以用在水質(zhì)監(jiān)測(cè)、醫(yī)療檢測(cè)等領(lǐng)域。
      背景技術(shù)
      發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)是以半導(dǎo)體PN結(jié)為基本單元的新一代固體發(fā)光器件,其利用空間電荷區(qū)內(nèi)電子與空穴的復(fù)合產(chǎn)生光子達(dá)到發(fā)光效應(yīng)?,F(xiàn)有的發(fā)光二極管(LED)多以量子阱或多量子阱為有源區(qū)來束縛電子空穴對(duì)從而達(dá)到較高的發(fā)光效率。以GaN為代表的II1-N基發(fā)光二極管作為一種新型的固體光源,具有低功耗、發(fā)光效率高、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)。其中紫外發(fā)光二極管(UV-LED)主要是利用高鋁(Al)組分的AlGaN構(gòu)成寬帶隙多量子阱結(jié)構(gòu)。
      金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(Metal-organicChemical Vapor Deposition,MOCVD)方法是利用金屬有機(jī)物三甲基鎵(trimethylgallium)和三甲基招(trimethyalIuminum)作為三族元素Ga和Al的源,并用氨氣(NH3)作為五族元素N的源,生長(zhǎng)薄膜時(shí),將載流氣體氫氣(H2)通過有機(jī)金屬反應(yīng)源的容器時(shí),將反應(yīng)源的飽和蒸氣帶至反應(yīng)腔中與其它反應(yīng)氣體混合,然后在被加熱的基板上面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)促成薄膜的成長(zhǎng)。
      近年來由于材料生長(zhǎng)水平的提高,MOCVD技術(shù)的發(fā)展,已經(jīng)可以生產(chǎn)較高光電轉(zhuǎn)換效率的紫外(UV)以及深紫外(DUV)發(fā)光二極管(LED),其在生物醫(yī)療、水質(zhì)監(jiān)測(cè)、防偽技術(shù)、計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)等領(lǐng)域都有著非常廣泛的應(yīng)用。傳統(tǒng)的發(fā)光二極管(LED)的有源區(qū)都是同一種材料作為量子阱結(jié)構(gòu),即發(fā)出單色的較窄半峰寬的的光。然而在許多特殊領(lǐng)域,紫外探測(cè)需要連續(xù)多個(gè)波段峰值光源,那么就需要提供多個(gè)紫外發(fā)光二極管(UV-LED)。但是這樣在一些需要把元器件微型化的設(shè)備中,多個(gè)UV-LED的布局將占據(jù)一定的體積,這樣常常會(huì)遇到技術(shù)瓶頸,并且制造成本也會(huì)增加。發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明目的在于提供一種用于光電微型傳感器的寬譜紫外發(fā)光二極管,利用有源區(qū)不同鋁組分的量子阱層,能夠在同一個(gè)發(fā)光二極管芯片上同時(shí)提供從波長(zhǎng)250nm到300nm連續(xù)寬譜紫外光源。
      為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的,本發(fā)明米取的技術(shù)方案為:一種用于光電微型傳感器的寬譜紫外發(fā)光二極管,其結(jié)構(gòu)沿Ga面生長(zhǎng)方向由下至上依次為:藍(lán)寶石襯底、AlN緩沖層、AlGaN/AIN超晶格緩沖層、硅摻雜的η型AlGaN勢(shì)壘層、有源區(qū)-AlGaN多量子阱層、鎂摻雜的P型AlGaN勢(shì)壘層、鎂摻雜ρ型GaN歐姆接觸層,從硅摻雜的η型AlGaN勢(shì)壘層引出η型歐姆接觸電極Ti/Al/Ti/Au層,從鎂摻雜ρ型GaN歐姆接觸層引出ρ型歐姆電極Ni/Au層,所述有源區(qū)-AlGaN多量子阱層為鋁組分不同的多量子阱結(jié)構(gòu)。
      作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案,所述有源區(qū)-AlGaN多量子阱層包括周期性的量子壘/量子阱,沿Ga面生長(zhǎng)方向鋁組分分別為:勢(shì)壘層0.75、量子阱0.62、勢(shì)壘層0.75、量子阱0.53、勢(shì)壘層0.65、量子阱0.47、勢(shì)壘層0.60、量子講0.41、勢(shì)壘層0.55、量子阱0.325、勢(shì)壘層0.44。
      作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案,所述有源區(qū)-AlGaN多量子阱層的勢(shì)壘層和量子阱的厚度分別為3nm和12nm。
      作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案,所述寬譜紫外發(fā)光二極管采取背出光方式。
      作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案,所述ρ型金屬電極Ni/Au層覆蓋鎂摻雜ρ型GaN歐姆接觸層的面積達(dá)2/3以上。
      作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案,所述P型金屬電極Ni/Au層中Ni/Au的厚度分別為5nm/5nm。
      作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案,所述AlN緩沖層厚度為10 15nm ;AlGaN/AlN的超晶格緩沖層的周期數(shù)為5,Al組分為0.7,其中每個(gè)周期的Ala7Gaa3N和AlN分別生長(zhǎng)5 7nm和5 7nm ;n型AlGaN勢(shì)壘層厚度為2 3 μ m,其中Al組分為0.8 ;p型AlGaN勢(shì)壘層中鋁的組分為0.5,厚度為50nm ;p型GaN歐姆接觸層厚度為IOOnm ;n型Ti/Al/Ti/Au歐姆電極層中 Ti/Al/Ti/Au 的厚度分別為 30nm/80nm/30nm/100nm。
      本發(fā)明還提供了一種用于光電微型傳感器的寬譜紫外發(fā)光二極管的制作方法,其步驟包括:
      A、在藍(lán)寶石襯底上用MOCVD方法生長(zhǎng)AlN緩沖層;
      B、在AlN緩沖層上生長(zhǎng)AlGaN/AIN超晶格緩沖層;
      C、在AlGaN/AIN超晶格緩沖層上生長(zhǎng)硅摻雜的η型AlGaN勢(shì)壘層;
      D、在η型AlGaN勢(shì)壘層上生長(zhǎng)不同鋁組分的有源區(qū)-AlGaN多量子阱層;
      Ε、在有源區(qū)-AlGaN多量子阱層上生長(zhǎng)鎂摻雜的P型AlGaN勢(shì)壘層;
      F、在ρ型AlGaN勢(shì)壘層上生長(zhǎng)鎂摻雜的P型GaN歐姆接觸層;
      G、在鎂摻雜的ρ型GaN歐姆接觸層上進(jìn)行光刻,刻蝕出電池臺(tái)面,露出硅摻雜的η型AlGaN勢(shì)壘層,然后蒸鍍?chǔ)切蜌W姆接觸電極Ti/Al/Ti/Au層。
      H、在ρ型GaN歐姆接觸層上蒸鍍P型Ni/Au歐姆電極。
      作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案,其步驟包括:
      A、在藍(lán)寶石襯底上用MOCVD方法生長(zhǎng)10 15nm的AlN緩沖層;
      B、在AlN緩沖層上生長(zhǎng)5個(gè)周期的Alci 7Gatl 3NAlN的超晶格緩沖層,其中每個(gè)周期的Alci7Gaa3N和AlN分別生長(zhǎng)5 7nm和5 7nm ;
      C、在Ala 7Ga0.3N/A1N的超晶格緩沖層上生長(zhǎng)硅摻雜的η型Ala 8Ga0.2N勢(shì)壘層,控制Ala8Gaa2N中Al的組分為0.8,硅摻雜的η型Ala8Gaa2N勢(shì)壘層的厚度的控制在2_3 μ m ;
      D、在硅摻雜的η型Ala8Gaa2N勢(shì)壘層上生長(zhǎng)有源區(qū)-Α1χ6&1_χΝ/Α1#&1ιΝ多量子阱層,從底面開始分別生長(zhǎng):鋁組分為0.75的勢(shì)壘層厚度為12nm,鋁組分為0.62的量子阱層厚度為3nm,鋁組分為0.75的勢(shì)壘層厚度為12nm,鋁組分為0.53的量子阱層厚度為3nm,鋁組分為0.65的勢(shì)壘層厚度為12nm,鋁組分為0.47的量子阱層厚度為3nm,鋁組分為0.60的勢(shì)壘層厚度為12nm,鋁組分為0.41的量子阱層厚度為3nm,鋁組分為0.55的勢(shì)壘層厚度為12nm,鋁組分為0.325的量子阱層厚度為3nm,鋁組分為0.44的勢(shì)壘層厚度為12nm ;
      E、在有源區(qū)-AlGaN多量子阱層上生長(zhǎng)鎂摻雜的P型AlGaN勢(shì)壘層,ρ型AlGaN勢(shì)壘層中鋁的組分為0.5,生長(zhǎng)厚度為50nm ;
      F、在ρ型AlGaN勢(shì)壘層上生長(zhǎng)鎂摻雜的P型GaN歐姆接觸層,生長(zhǎng)厚度為IOOnm ;
      G、在ρ型GaN歐姆接觸層上進(jìn)行光刻,刻蝕出電池臺(tái)面,露出硅摻雜的η型AlGaN勢(shì)壘層,使用物理氣相沉積法蒸鍍?chǔ)切蚑i/Al/Ti/Au歐姆電極層,Ti/Al/Ti/Au的蒸鍍厚度分別為 30nm/80nm/30nm/100nm ;
      H、在ρ型GaN歐姆接觸層上蒸鍍P型Ni/Au歐姆電極,Ni/Au的蒸鍍厚度分別為5nm/5nm。
      本發(fā)明在結(jié)構(gòu)中設(shè)計(jì)了 AlGaN/AIN超晶格緩沖層,從而實(shí)現(xiàn)由藍(lán)寶石襯底到η型AlGaN勢(shì)壘層的應(yīng)力釋放,為材料的質(zhì)量提供保障。因?yàn)樵谳^低組分的AlGaN中才能形成良好的P型歐姆接觸,所以有源層的結(jié)構(gòu)也是采取先生長(zhǎng)高組分的AlGaN層,再依次生長(zhǎng)低組分的AlGaN層。ρ型Ni/Au歐姆電極大面積覆蓋ρ型GaN歐姆接觸層來實(shí)現(xiàn)電流的均勻傳輸。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明提供的紫外發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其有源層的多個(gè)量子阱由不同鋁組分的AlGaN材料構(gòu)成,從而可以提高其光譜寬度,實(shí)現(xiàn)連續(xù)波段的紫外光源。


      圖1為本發(fā)明寬譜紫外發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
      圖2為本發(fā)明寬譜紫外發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)俯視圖。
      圖3為本發(fā)明寬譜紫外發(fā)光二極管的J-V曲線圖。
      圖4為本發(fā)明寬譜紫外發(fā)光二極管的發(fā)光譜。
      圖5為本發(fā)明寬譜紫外發(fā)光二極管制作方法工藝流程圖。
      下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
      做進(jìn)一步說明。
      具體實(shí)施方式
      實(shí)施例1
      參見圖1和圖2,本寬譜紫外發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)由下至上依次為:藍(lán)寶石襯底I ;厚度為IOnm的AlN緩沖層2 ;5個(gè)周期的Ala7Gaa 3Ν/Α1Ν超晶格緩沖層3,其中每個(gè)周期的Ala7Gaa3N和AlN分別生長(zhǎng)5nm和5nm ;厚度為2 μ m的硅摻雜的η型Ala8Gaa2N勢(shì)壘層4 ;
      有源區(qū)-AlGaN多量子阱層5,鋁組分為0.75的勢(shì)壘層厚度為12nm,鋁組分為0.62的量子阱層厚度為3nm,鋁組分為0.75的勢(shì)壘層厚度為12nm,鋁組分為0.53的量子阱層厚度為3nm,鋁組分為0.65的勢(shì)壘層厚度為12nm,鋁組分為0.47的量子阱層厚度為3nm,鋁組分為0.60的勢(shì)壘層厚度為12nm,鋁組分為0.41的量子阱層厚度為3nm,鋁組分為0.55的勢(shì)壘層厚度為12nm,鋁組分為0.325的量子阱層厚度為3nm,鋁組分為0.44的勢(shì)壘層厚度為 12nm ;
      厚度為50nm的鎂摻雜的ρ型Ala5Gaa5N勢(shì)壘層6 ;厚度為IOOnm的鎂摻雜ρ型GaN歐姆接觸層;從η型AlGaN勢(shì)壘層4引出η型歐姆接觸電極Ti/Al/Ti/Au層8,其中Ti/Al/Ti/Au的厚度分別為30nm/80nm/30nm/100nm ;從ρ型GaN歐姆接觸層7引出ρ型歐姆電極Ni/Au層9,其中Ni/Au的厚度分別為5/5nm。
      實(shí)施例2
      本實(shí)施例結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1結(jié)構(gòu)基本相同,其區(qū)別在于:A1N緩沖層2厚度為15nm ;AlGaN/AIN的超晶格緩沖層3每個(gè)周期的Al。.7Ga0.3N和AlN分別生長(zhǎng)7nm和7nm ;n型AlGaN勢(shì)壘層4厚度為3 μ m。
      實(shí)施例3
      本實(shí)施例結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1結(jié)構(gòu)基本相同,其區(qū)別在于:A1N緩沖層2厚度為12nm ;AlGaN/AIN的超晶格緩沖層3每個(gè)周期的Al。.7Ga0.3N和AlN分別生長(zhǎng)6nm和6nm ;n型AlGaN勢(shì)壘層4厚度為2.5μπι。
      本實(shí)施例的J-V曲線圖參見圖3,本實(shí)施例在3V時(shí)才開始產(chǎn)生明顯的漏電流,主要是通過空間電荷區(qū)的復(fù)合電流;通過觀察對(duì)數(shù)曲線InJ和V的斜率,可以看出本發(fā)明有效抑制了常見的紫外LED在有源區(qū)產(chǎn)生的隧穿漏電流;本實(shí)施例的開啟電壓在4V以后。這些說明本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)合理,減少了漏電流對(duì)器件的影響,能增加電子空穴在有源區(qū)的復(fù)合,最終提高器件的發(fā)光效率。
      圖4為本實(shí)施例的發(fā)光譜??梢钥闯霰緦?shí)施例產(chǎn)生的連續(xù)的、帶有五個(gè)明顯波峰(對(duì)應(yīng)于五個(gè)量子阱)的發(fā)光譜,光譜范圍可以達(dá)到從250-300nm。之所以在波長(zhǎng)較短的地方發(fā)光強(qiáng)度弱是因?yàn)楦咪X組分的量子阱內(nèi)有較大的極化場(chǎng)強(qiáng),導(dǎo)致電子空穴的復(fù)合數(shù)量降低。
      實(shí)施例4
      參見圖5,本寬譜紫外發(fā)光二極管的制作方法,其步驟包括:
      A、在藍(lán)寶石襯底 I上用MOCVD方法生長(zhǎng)IOnm的AlN緩沖層2 ;
      B、在AlN緩沖層2上生長(zhǎng)5個(gè)周期的AlQ.7GaQ.3N/AlN的超晶格緩沖層3,其中每個(gè)周期的Ala7Gaa3N和AlN分別生長(zhǎng)5nm和5nm ;
      C、在Ala7Gaa3NAlN的超晶格緩沖層3上生長(zhǎng)硅摻雜的η型Ala8Gaa2N勢(shì)壘層4,硅摻雜的η型Ala8Gaa2N勢(shì)壘層4的厚度的控制在2 μ m ;
      D、在硅摻雜的η型Ala 8Ga0.2N勢(shì)壘層4上生長(zhǎng)有源區(qū)-AlxGa^NAlyGa1IN多量子阱層5,從底面開始分別生長(zhǎng):鋁組分為0.75的勢(shì)壘層厚度為12nm,鋁組分為0.62的量子阱層厚度為3nm,鋁組分為0.75的勢(shì)壘層厚度為12nm,鋁組分為0.53的量子阱層厚度為3nm,鋁組分為0.65的勢(shì)壘層厚度為12nm,鋁組分為0.47的量子阱層厚度為3nm,鋁組分為0.60的勢(shì)壘層厚度為12nm,鋁組分為0.41的量子阱層厚度為3nm,鋁組分為0.55的勢(shì)壘層厚度為12nm,鋁組分為0.325的量子阱層厚度為3nm,鋁組分為0.44的勢(shì)壘層厚度為12nm ;
      E、在有源區(qū)-AlGaN多量子阱層5上生長(zhǎng)鎂摻雜的ρ型AlGaN勢(shì)壘層6,ρ型AlGaN勢(shì)壘層6中鋁的組分為0.5,生長(zhǎng)厚度為50nm ;
      F、在ρ型AlGaN勢(shì)壘層6上生長(zhǎng)鎂摻雜的ρ型GaN歐姆接觸層7,生長(zhǎng)厚度為IOOnm ;
      G、在ρ型GaN歐姆接觸層7上進(jìn)行光刻,刻蝕出電池臺(tái)面,露出硅摻雜的η型AlGaN勢(shì)壘層4,使用物理氣相沉積法蒸鍍?chǔ)切蚑i/Al/Ti/Au歐姆電極層8,Ti/Al/Ti/Au的蒸鍍厚度分別為 30nm/80nm/30nm/100nm ;
      H、在ρ型GaN歐姆接觸層7上蒸鍍?chǔ)研蚇i/Au歐姆電極9,Ni/Au的蒸鍍厚度分別為 5nm/5nm。
      實(shí)施例5
      本實(shí)施例結(jié)構(gòu)與實(shí)施例4步驟基本相同,其區(qū)別在于:
      步驟A中生長(zhǎng)15nm的AlN緩沖層2 ;
      步驟B中每個(gè)周期的Ala7Gaa3N和AlN分別生長(zhǎng)7nm和7nm ;
      步驟C中硅摻雜的η型Ala8Gaa2N勢(shì)壘層4的厚度的控制在3 μ m。
      實(shí)施例6
      本實(shí)施例結(jié)構(gòu)與實(shí)施例4步驟基本相同,其區(qū)別在于:
      步驟A中生長(zhǎng)12nm的AlN緩沖層2 ;
      步驟B中每個(gè)周期的Al。.7Ga0.3N和AlN分別生長(zhǎng)6nm和6nm ;
      步驟C中硅摻雜的η型Ala8Gaa2N勢(shì)壘層4的厚度的控制在2.5 μ m。
      權(quán)利要求
      1.一種用于光電微型傳感器的寬譜紫外發(fā)光二極管,其結(jié)構(gòu)沿Ga面的生長(zhǎng)方向由下至上依次為:藍(lán)寶石襯底(1)、A1N緩沖層(2)、AlGaN/AlN超晶格緩沖層(3)、硅摻雜的η型AlGaN勢(shì)壘層(4)、有源區(qū)-AlGaN多量子阱層(5)、鎂摻雜的ρ型AlGaN勢(shì)壘層(6)、鎂摻雜P型GaN歐姆接觸層(7)、從硅摻雜的η型AlGaN勢(shì)壘層(4)引出η型歐姆接觸電極Ti/Al/Ti/Au層(8)、從鎂摻雜ρ型GaN歐姆接觸層(7)引出P型歐姆電極Ni/Au層(9)、其中有源區(qū)-AlGaN多量子阱層(5)為鋁組分不同的多量子阱結(jié)構(gòu)。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬譜紫外發(fā)光二極管,其特征在于:所述有源區(qū)-AlGaN多量子阱層(5)包括周期性的量子壘/量子阱,沿Ga面生長(zhǎng)方向鋁組分分別為:勢(shì)壘層0.75、阱層0.62、勢(shì)壘層0.75、阱層0.53、勢(shì)壘層0.65、阱層0.47、勢(shì)壘層0.60、阱層0.41、勢(shì)壘層0.55、阱層 0.325、勢(shì)壘層 0.44。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2 所述的寬譜紫外發(fā)光二極管,其特征在于:所述有源區(qū)-AlGaN多量子阱層(5)的勢(shì)壘層和量子阱的厚度分別為3nm和12nm。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的寬譜紫外發(fā)光二極管,其特征在于:所述寬譜紫外發(fā)光二極管米取背出光方式。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的寬譜紫外發(fā)光二極管,其特征在于:所述ρ型金屬電極Ni/Au層(9)覆蓋鎂摻雜ρ型GaN歐姆接觸層(7)的面積達(dá)2/3以上。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的寬譜紫外發(fā)光二極管,其特征在于:所述ρ型金屬電極Ni/Au層(9)中Ni/Au的厚度分別為5nm/5nm。
      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的寬譜紫外發(fā)光二極管,其特征在于:所述AlN緩沖層(2)厚度為10 15nm ;AlGaN/AlN的超晶格緩沖層(3)的周期數(shù)為5,Al組分為0.7,其中每個(gè)周期的Ala7Gaa3N和AlN分別生長(zhǎng)5 7nm和5 7nm ;n型AlGaN勢(shì)壘層(4)厚度為2 3μ m,其中Al組分為0.8 ;p型AlGaN勢(shì)壘層(6)中鋁的組分為0.5,厚度為50nm ;p型GaN歐姆接觸層⑵厚度為IOOnm ;n型Ti/Al/Ti/Au歐姆電極層⑶中Ti/Al/Ti/Au的厚度分別為 30nm/80nm/30nm/100nm。
      8.—種權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的用于光電微型傳感器的寬譜紫外發(fā)光二極管的制作方法,其步驟包括: A、在藍(lán)寶石襯底(I)上用MOCVD方法生長(zhǎng)AlN緩沖層(2); B、在AlN緩沖層(2)上生長(zhǎng)AlGaN/AIN超晶格緩沖層(3); C、在AlGaN/AIN超晶格緩沖層(3)上生長(zhǎng)硅摻雜的η型AlGaN勢(shì)壘層(4); D、在η型AlGaN勢(shì)壘層(4)上生長(zhǎng)不同鋁組分的有源區(qū)-AlGaN多量子阱層(5); Ε、在有源區(qū)-AlGaN多量子阱層(5)上生長(zhǎng)鎂摻雜的ρ型AlGaN勢(shì)壘層(6); F、在ρ型AlGaN勢(shì)壘層(6)上生長(zhǎng)鎂摻雜的ρ型GaN歐姆接觸層(7); G、在鎂摻雜的ρ型GaN歐姆接觸層(7)上進(jìn)行光刻,刻蝕出電池臺(tái)面,露出硅摻雜的η型AlGaN勢(shì)壘層(4),然后蒸鍍?chǔ)切蜌W姆接觸電極Ti/Al/Ti/Au層(8)。
      H、在ρ型GaN歐姆接觸層(7)上蒸鍍?chǔ)研蚇i/Au歐姆電極(9)。
      9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的寬譜紫外發(fā)光二極管的制作方法,其特征在于:其步驟包括: A、在藍(lán)寶石襯底(I)上用MOCVD方法生長(zhǎng)10 15nm的AlN緩沖層(2); B、在AlN緩沖層(2)上生長(zhǎng)5個(gè)周期的Ala7Gaa3NAlN的超晶格緩沖層(3),其中每個(gè)周期的Ala7Gaa3N和AlN分別生長(zhǎng)5 7nm和5 7nm ; C、在Ala7Gaa3NAlN的超晶格緩沖層(3)上生長(zhǎng)硅摻雜的η型Ala8Gaa2N勢(shì)壘層(4),控制Ala8Gaa2N中Al的組分為0.8,硅摻雜的η型Ala8Gaa2N勢(shì)壘層(4)的厚度的控制在2 3 μ m ; D、在硅摻雜的η型Ala8Gaa2N勢(shì)壘層(4)上生長(zhǎng)有源區(qū)-AlxGa^NAlyGa1IN多量子阱層(5),從底面開始分別生長(zhǎng):鋁組分為0.75的勢(shì)壘層厚度為12nm,鋁組分為0.62的量子阱層厚度為3nm,鋁組分為0.75的勢(shì)壘層厚度為12nm,鋁組分為0.53的量子阱層厚度為3nm,鋁組分為0.65的勢(shì)壘層厚度為12nm,鋁組分為0.47的量子阱層厚度為3nm,鋁組分為0.60的勢(shì)壘層厚度為12nm,鋁組分為0.41的量子阱層厚度為3nm,鋁組分為0.55的勢(shì)壘層厚度為12nm,鋁組分為0.325的量子阱層厚度為3nm,鋁組分為0.44的勢(shì)壘層厚度為12nm ; E、在有源區(qū)-AlGaN多量子阱層(5)上生長(zhǎng)鎂摻雜的ρ型AlGaN勢(shì)壘層^),ρ型AlGaN勢(shì)壘層(6)中鋁的組分為0.5,生長(zhǎng)厚度為50nm ; F、在ρ型AlGaN勢(shì)壘層(6)上生長(zhǎng)鎂摻雜的ρ型GaN歐姆接觸層(7),生長(zhǎng)厚度為IOOnm ; G、在ρ型GaN歐姆接觸層(7)上進(jìn)行光刻,刻蝕出電池臺(tái)面,露出硅摻雜的η型AlGaN勢(shì)壘層(4),使用物理氣相沉積法蒸鍍?chǔ)切蚑i/Al/Ti/Au歐姆電極層(8),Ti/Al/Ti/Au的蒸鍍厚度分別為30nm/80nm/30nm/100nm ; H、在ρ型GaN歐姆接觸層(7)上蒸鍍?chǔ)研蚇i/Au歐姆電極(9),Ni/Au的蒸鍍厚度分別為 5nm/5nm。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種用于光電微型傳感器的寬譜紫外發(fā)光二極管及其制作方法,采用不同鋁組分的多量子阱結(jié)構(gòu)作為有源區(qū)。本發(fā)明在結(jié)構(gòu)中設(shè)計(jì)了AlGaN/AlN超晶格緩沖層,實(shí)現(xiàn)由藍(lán)寶石襯底到n型AlGaN勢(shì)壘層的應(yīng)力釋放,為材料的質(zhì)量提供保障。因?yàn)樵谳^低鋁組分的AlGaN中才能形成良好的p型歐姆接觸,所以有源層的結(jié)構(gòu)也是采取先生長(zhǎng)高鋁組分的AlGaN層,再依次生長(zhǎng)低鋁組分的AlGaN層。p型Ni/Au歐姆電極大面積覆蓋p型GaN歐姆接觸層來實(shí)現(xiàn)電流的均勻傳輸。本發(fā)明提供的紫外發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其有源層的多個(gè)量子阱由不同鋁組分的AlGaN材料構(gòu)成,從而可以提高其光譜寬度,實(shí)現(xiàn)連續(xù)波段的紫外光源。
      文檔編號(hào)H01L33/00GK103137805SQ20131007763
      公開日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2013年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月12日
      發(fā)明者陳敦軍, 馬繼昭, 張 榮, 鄭有炓 申請(qǐng)人:南京大學(xué)
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