在天線中嵌入低k材料的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種器件包括貼片天線，該貼片天線包括饋線和位于饋線上方的接地板。接地板具有位于其中的孔。低k介電模塊位于孔的上方并且與孔對(duì)準(zhǔn)。貼片位于低k介電模塊的上方。本發(fā)明還提供了在天線中嵌入低K材料。
【專(zhuān)利說(shuō)明】在天線中嵌入低K材料
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地來(lái)說(shuō)，涉及一種天線及其制造方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]內(nèi)置天線廣泛用于諸如手機(jī)的移動(dòng)應(yīng)用中。通常，利用低溫共燒陶瓷(LTCC)形成天線，其中，多個(gè)LTCC層用于分離天線的饋線(feeding line)、接地板和貼片。天線的特性與LTCC層的厚度相關(guān)。為了增加天線的可用帶寬，需要增加LTCC層的數(shù)量。這為高頻應(yīng)用帶來(lái)了問(wèn)題。由于LTCC層的數(shù)量增加，天線的總厚度增加，因而最終應(yīng)用的厚度增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種器件，包括:貼片天線，包括:饋線；接地板，位于所述饋線的上方，所述接地板包括位于其中的孔；低k介電模塊，位于所述孔的上方并且與所述孔對(duì)準(zhǔn)；以及貼片，位于所述低k介電模塊的上方。
[0004]該器件還包括:環(huán)繞所述低k介電模塊的成型材料。
[0005]該器件還包括:在所述成型材料中模制的器件管芯，其中，所述器件管芯與所述貼片天線電連接。
[0006]在該器件中，所述成型材料的頂面與所述低k介電模塊的頂面基本上齊平，并且所述成型材料的底面與所述低k介電模塊的底面基本上齊平。
[0007]在該器件中，所述接地板包括頂面，所述頂面包括:第一部分，與所述低k介電模塊的底面接觸；以及第二部分，與所述成型材料的底面接觸。
[0008]在該器件中，從上往下看時(shí)，所述低k介電模塊的區(qū)域不同于所述接地板的區(qū)域。
[0009]該器件還包括:附加貼片天線，包括:附加饋線；附加接地板，位于所述附加饋線的上方并且包括位于其中的附加孔；附加低k介電模塊，位于所述附加孔的上方并且與所述附加孔對(duì)準(zhǔn)；和附加貼片，位于所述附加低k介電模塊的上方；以及介電區(qū)，位于所述低k介電模塊和所述附加低k介電模塊之間并且使所述低k介電模塊和所述附加低k介電模塊分離，所述介電區(qū)和所述低k介電模塊由不同材料形成。
[0010]在該器件中，所述低k介電模塊包括選自基本上由膨脹的聚苯乙烯泡沫、聚四氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、硬橡膠、和多孔材料所組成的組的材料。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種器件，包括:器件管芯；成型材料，其中模制有所述器件管芯；以及貼片天線，包括:貼片；接地板，所述貼片和所述接地板位于所述成型材料的相對(duì)側(cè)；和饋線，與所述器件管芯電連接。
[0012]該器件還包括位于所述貼片和所述接地板之間的低k介電模塊，其中，所述低k介電模塊被所述成型材料環(huán)繞。
[0013]在該器件中，所述低k介電模塊包括選自基本上由泡沫聚苯乙烯、特氟綸、盧塞特樹(shù)脂、硬橡膠和多孔材料所組成的組的材料。[0014]在該器件中，所述貼片和所述接地板與所述低k介電模塊的相對(duì)表面接觸，并且所述器件管芯的表面與所述成型材料的表面齊平。
[0015]在該器件中，所述貼片和所述饋線與所述低k介電模塊的相對(duì)表面接觸，并且所述饋線和所述接地板處于相同水平。
[0016]在該器件中，所述貼片和所述饋線與所述低k介電模塊的相對(duì)表面接觸，并且所述低k介電模塊和所述接地板位于所述饋線的相對(duì)側(cè)。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種方法，包括:在第一載體上方放置器件管芯和低k介電模塊；在成型材料中模制所述器件管芯和所述低k介電模塊；在所述成型材料的上方形成貼片天線的接地板；在所述接地板的上方形成所述貼片天線的饋線，其中，所述饋線與所述器件管芯電連接；以及在所述低k介電模塊的下方形成所述貼片天線的貼片。
[0018]在該方法中，模制步驟和形成所述接地板的步驟包括:在所述器件管芯和所述低k介電模塊的上方施加所述成型材料，其中，所述成型材料填充在所述器件管芯和所述低k介電模塊之間的間隙中；研磨所述成型材料；暴露所述器件管芯的金屬連接件；以及形成位于所述成型材料上方并且與所述金屬連接件電連接的所述接地板。
[0019]該方法還包括:在形成所述接地板和形成所述饋線之后，使所述第一載體與所述成型材料脫離；在形成所述貼片的步驟之前，附接第二載體，其中，將所述第一載體和所述第二載體附接至所述成型材料和所述器件管芯的相對(duì)側(cè)；以及在形成所述貼片之后，使所述第二載體與包括所述成型材料的封裝件脫離。
[0020]在該方法中，形成所述接地板、所述饋線和所述貼片的步驟包括噴鍍。
[0021]在該方法中，放置所述低k介電模塊的步驟包括放置預(yù)先形成的介電模塊，所述預(yù)先形成的介電模塊包含選自基本上由泡沫聚苯乙烯、特氟綸、盧塞特樹(shù)脂、硬橡膠和多孔材料所組成的組的材料。
[0022]該方法還包括，在形成所述貼片天線時(shí)，同時(shí)形成多個(gè)貼片天線，其中，所述多個(gè)貼片天線中的每一個(gè)都包括位于所述成型材料的相對(duì)側(cè)的部分。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023]為了更充分地理解實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在將結(jié)合附圖所進(jìn)行的以下描述作為參考，其中:
[0024]圖1至圖12是根據(jù)一些示例性實(shí)施例制造具有嵌入的低k介電材料的貼片天線的中間階段的截面圖；
[0025]圖13和圖14分別示出利用圖1至圖12中的工藝步驟所形成的貼片天線的一部分的截面圖和俯視圖；
[0026]圖15A和圖15B分別示出根據(jù)可選實(shí)施例的貼片天線的截面圖和俯視圖，其中，饋線和接地板位于相同層處；以及
[0027]圖16A和16B分別示出根據(jù)又一個(gè)可選實(shí)施例的貼片天線的截面圖和俯視圖，其中，饋線位于低k介電模塊和接地板之間。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面，詳細(xì)討論本發(fā)明的實(shí)施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，本實(shí)施例提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實(shí)現(xiàn)的可應(yīng)用的構(gòu)思。所討論的具體實(shí)施例僅僅是示例性的，而不用于限制本發(fā)明的范圍。
[0029]根據(jù)各種示例性實(shí)施例提供了包括其中含有低k介電材料的天線的封裝件及其形成方法。說(shuō)明了形成封裝件的中間階段。討論了實(shí)施例的變型例。在各個(gè)示圖和示例性實(shí)施例中，類(lèi)似的參考數(shù)字用于指定類(lèi)似的元件。
[0030]圖1至圖12是根據(jù)一些示例性實(shí)施例制造包括內(nèi)置貼片天線(patch antenna)的封裝件的中間階段的截面圖。圖1示出載體20以及在其上形成的粘合層22。載體20可以是玻璃載體、陶瓷載體等。粘合層22可以由諸如紫外線(UV)膠的粘合劑形成。器件管芯24設(shè)置在載體20上方，例如通過(guò)粘合層22固定在載體20上。器件管芯24可以是其中包括邏輯晶體管的邏輯器件管芯。在一些示例性實(shí)施例中，為移動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)器件管芯24。盡管示出了單個(gè)管芯24，但是更多管芯可以置于在載體20上方并且相互齊平。
[0031]在一些實(shí)施例中，預(yù)先形成低k介電模塊28，然后，放置在粘合層22上。低k介電模塊28包括低k介電材料,該低k介電材料的介電常數(shù)(k值)小于約3.8、小于約3.0、小于約2.5、小于約2.0或小于約1.5。低k介電模塊28的厚度可以等于或稍微大于器件管芯24的厚度。低k介電模塊28的材料可以包括(但不限于)膨脹的聚苯乙烯泡沫(總名稱(chēng)為泡沫聚苯乙烯(Styrofoam),道化學(xué)公司(Dow Chemical Company)的注冊(cè)商標(biāo))、聚四氟乙烯(PTFE，被稱(chēng)為特氟綸(Teflon)，杜邦公司的注冊(cè)商標(biāo))、聚甲基丙烯酸甲酯(也被稱(chēng)為盧塞特樹(shù)脂(Iucite)，璐彩特國(guó)際公司的注冊(cè)商標(biāo))、硬橡膠(Ebonite)、或其中具有氣體空隙(也被稱(chēng)為氣孔)的多孔材料。泡沫聚苯乙烯的k值可以等于約1.03。特氟綸可以的k值等于約2.1。盧塞特樹(shù)脂的k值可以等于約2.5。硬橡膠的k值可以等于約2.7。低k介電模塊28的底面基本上與器件管芯24的底面齊平。低k介電模塊28可以是具有均一組分的單層模塊，或包括由不同材料所形成的多個(gè)層。低k介電模塊28的俯視圖形狀包括矩形、六邊形、圓形或任何其他形狀。在一些實(shí)施例中，在圖1中的結(jié)構(gòu)的俯視圖中，分配多個(gè)低k介電模塊28作為陣列。低k介電模塊28的數(shù)量可以大于2、4、6或任何其他數(shù)量。
[0032]在一些示例性實(shí)施例中，將電連接件26 (諸如銅柱或金屬焊盤(pán))形成為器件管芯24的頂部并且與器件管芯24中的器件(未示出)電連接。在一些實(shí)施例中，電連接件26從周?chē)慕殡姴牧系捻斆嫱怀?。在可選實(shí)施例中，電連接件26與周?chē)慕殡姴牧系捻斆纨R平。
[0033]參照?qǐng)D2，在器件管芯24和低k介電模塊28上模制成型材料30。成型材料30填充器件管芯24和低k介電模塊28之間的間隙，并且可以與粘合層22接觸。另外，成型材料30可以包括位于器件管芯24和低k介電模塊28上方的部分。成型材料30可以包括模塑料、成型底部填充物、環(huán)氧樹(shù)脂或樹(shù)脂。成型材料30的k值可以大于約3.5、大于約5.5、或大于約7.5。此外，成型材料30的k值大于低k介電模塊28的k值。例如，成型材料30的k值與低k介電模塊28的k值之間的差值可以大于約0.5、大于約1.0、或大于約2.0。成型材料30的頂面高于電連接件26和低k介電模塊28的頂端。在可選實(shí)施例中，其中，電連接件26是突出部件，成型材料30還可以填充電連接件26之間的間隔。
[0034]接下來(lái),實(shí)施可以包括研磨步驟的減薄步驟以減薄成型材料30。由于減薄步驟,低k介電模塊28的頂面28A可以與成型材料30的頂面30A基本上齊平。在隨后的步驟中，如圖3所示，實(shí)施蝕刻步驟以在成型材料30中形成開(kāi)口 32，通過(guò)開(kāi)口 32暴露器件管芯24的電連接件26。
[0035]接下來(lái)，參照?qǐng)D4，例如，通過(guò)噴鍍?cè)陂_(kāi)口 32中形成金屬凸塊34。金屬凸塊34可以包括銅、鋁、鎢等。在可選實(shí)施例中，其中，電連接件26是突出部件，在成型材料30的模制和成型材料30的減薄之后，電連接件26被暴露，并且與減薄的成型材料30的頂面齊平。因此，在這些實(shí)施例中，可以省略蝕刻成型材料30以形成開(kāi)口 32(圖3)和噴鍍以形成金屬凸塊34。
[0036]接下來(lái)，參照?qǐng)D5,再分布線(RDL) 42和接地板(ground panel) 44在成型材料30的上方形成，并且與電連接件26連接。在一些實(shí)施例中，通過(guò)沉積金屬層，并且圖案化該金屬層來(lái)形成RDL42。在可選實(shí)施例中，利用鑲嵌工藝來(lái)形成RDL42和接地板44。RDL42和接地板44可以包括金屬或金屬合金，該金屬或金屬合金包含鋁、銅、鎢和/或它們的合金。接地板44與低k介電模塊28重疊并且接地板44的俯視圖尺寸可以大于、等于、或小于低k介電模塊28的俯視圖尺寸。接地板44在最終的封裝件中電接地。接地板44還可以通過(guò)RDL42與器件管芯24電連接。每個(gè)接地板44可以包括與下面的低k介電模塊28對(duì)準(zhǔn)的孔45。
[0037]參照?qǐng)D6，介電層46在RDL42和接地板44的上方形成，并且填充RDL42和接地板44之間的間隙。在一些實(shí)施例中，介電層46由低k介電材料形成,該低k介電材料可以具有小于約3.5、3.0、2.5或2.0的介電常數(shù)。介電層46還可以由諸如聚苯并惡唑(PBO)、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(BCB)等的聚合物形成。
[0038]圖7示出RDL48和饋線50的形成。RDL48和饋線50由導(dǎo)電材料形成，該導(dǎo)電材料可以是包括鋁、銅、鎢、鎳等的金屬或金屬合金。形成工藝可以包括圖案化介電層46以暴露RDL42，并且例如，通過(guò)噴鍍形成RDL48和饋線50。饋線50與器件管芯24電連接，因此可以從器件管芯24接收信號(hào)或?yàn)槠骷苄?4提供所接收的信號(hào)。接下來(lái)，如圖8所示，形成可以包括氧化硅、氮化硅、聚酰亞胺、PBO等的介電層52以覆蓋RDL48和饋線50。在隨后的步驟中，可以形成電連接件54 (在圖7中未示出，參照?qǐng)D13)以電連接RDL48，并且可能電連接接地板44和/或饋線50。根據(jù)一些示例性實(shí)施例，連接件54的形成可以包括在RDL48的暴露部分上放置焊球，然后對(duì)該焊球進(jìn)行回流。在可選實(shí)施例中，連接件54的形成包括實(shí)施噴鍍步驟以在RDL48上方形成焊料區(qū)，然后對(duì)該焊料區(qū)進(jìn)行回流。連接件54還可以包括可以通過(guò)噴鍍形成的金屬柱、或金屬柱和焊料覆蓋件。在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，包括器件管芯24、低k介電模塊28、成型材料30、和上面的RDL42和48、接地板44、饋線50、和介電層46以及52的組合結(jié)構(gòu)被稱(chēng)為封裝件100，封裝件100在該步驟可以具有晶圓形式。
[0039]參照?qǐng)D9和圖10，實(shí)施載體轉(zhuǎn)換。使圖8中的載體20和相應(yīng)的粘合層22與封裝件100脫離，并且在圖9中示出了生成的結(jié)構(gòu)。例如，當(dāng)粘合層22由UV膠形成時(shí)，可以將粘合層22暴露于UV光下，使得粘合層22失去粘附性，因此可以使載體20和粘合層22與封裝件100脫離。接下來(lái)，如圖10所示，將載體56附接至封裝件100，其中，將載體20和56附接至封裝件100的相對(duì)側(cè)。可以通過(guò)可以是UV膠、膠帶等的粘合劑58將載體56附接至封裝件100。
[0040]參照?qǐng)D11，在載體轉(zhuǎn)換之后，暴露低k介電模塊28、器件管芯24、和成型材料30。在所示的結(jié)構(gòu)中，低k介電模塊28的背面28B與器件管芯24的背面24A齊平。低k介電模塊28的背面28B也可以與成型材料30的表面30B基本上齊平。然后，在封裝件100的背面上形成貼片60。貼片60由導(dǎo)電材料形成，該導(dǎo)電材料可以是包括鋁、銅、鎢、鎳等的金屬或金屬合金。貼片60的底面可以與低k介電模塊28重疊,并且可以與低k介電模塊28的底面28B接觸。貼片60還可以延伸到成型材料30上并且與成型材料30接觸。貼片60的俯視圖尺寸可以大于、等于、或小于各自下面的低k介電模塊28的俯視圖尺寸。
[0041]圖12示出用于覆蓋貼片60和器件管芯24的介電層62的形成。介電層62可以包括氧化硅、氮化硅、聚酰亞胺、PBO等。在隨后的步驟中，使載體56和粘合層58與封裝件100脫離?？梢郧懈铋_(kāi)相應(yīng)的晶圓，多個(gè)封裝件100相互分離。
[0042]圖13示出封裝件100，其中，示意性地示出電連接件54。封裝件100包括貼片天線64，根據(jù)一些實(shí)施例，貼片天線64可以形成天線陣列。每個(gè)貼片天線64都包括饋線50中的一條、接地板44中的一個(gè)和貼片60中的一個(gè)。在成型材料30中形成低k介電模塊28，并且低k介電模塊28的頂面可以與成型材料30的頂面齊平，并且可以與器件管芯24的背面齊平。低k介電模塊28的底面可以與成型材料30的底面齊平。同一天線64的貼片60和接地板44位于低k介電模塊28中的同一低k介電模塊的相對(duì)側(cè)上并且可以與該低k介電模塊28中同一低k介電模塊接觸。接地板44包括與相應(yīng)的低k介電模塊28對(duì)準(zhǔn)的孔45。
[0043]圖14示出一個(gè)貼片天線64的仰視圖?？?5位于接地板44中。饋線50橫穿孔45，并且與接地板44間隔開(kāi)。在天線64運(yùn)行期間，接地板44電接地。器件管芯24為饋線50提供高頻(諸如射頻)信號(hào)，從而饋線50通過(guò)孔45將該信號(hào)傳送至貼片60。然后，貼片60發(fā)射該信號(hào)?？蛇x地，貼片60接收信號(hào)、將信號(hào)傳送至饋線59，并且到達(dá)器件管芯24。
[0044]圖15A至16B示出根據(jù)可選實(shí)施例的貼片天線64的截面圖和俯視圖。除非另有規(guī)定，這些實(shí)施例中的元件的材料和形成方法與通過(guò)如圖1至圖14所示的實(shí)施例中的類(lèi)似參考數(shù)字指示的類(lèi)似元件基本上相同。因此，可以在圖1至圖14中所示的實(shí)施例的論述中找到與圖15A至16B中所示的元件的形成工藝和材料相關(guān)的細(xì)節(jié)。
[0045]參照?qǐng)D15A，貼片天線64包括貼片60、位于貼片60下方的低k介電模塊28以及位于低k介電模塊28下方的接地板44和饋線50。在一些實(shí)施例中，在同一 RDL層中形成接地板44和饋線50，除了根據(jù)這些實(shí)施例的金屬圖案與圖5中示出的金屬圖案不同之外，該RDL層可以基本上是在圖5中形成的同一層。當(dāng)實(shí)施圖5所示的步驟之后，同時(shí)形成接地板44和饋線50。
[0046]圖15B示出圖15A中的貼片天線64的俯視圖。如圖15B所示，接地板44包括開(kāi)口 51。饋線50延伸至開(kāi)口 51中并且通過(guò)填充有介電材料的空間51與接地板44間隔開(kāi)。低k介電模塊28和貼片天線64可以與饋線50和空間51的至少一些部分重疊。
[0047]圖16A示出根據(jù)又一可選實(shí)施例的貼片天線64。除了根據(jù)這些實(shí)施例的饋線50位于接地板44和低k介電模塊28之間之外，這些實(shí)施例類(lèi)似于圖13和圖14中的實(shí)施例。低k介電模塊28和貼片天線64可以與饋線50的至少一些部分重疊。在這些實(shí)施例中，可以利用圖5所示的步驟形成饋線50，并且可以利用圖7所示的步驟形成接地板44。圖16B示出了圖16A所示的貼片天線64的俯視圖。
[0048]通過(guò)利用天線64中低k介電模塊28，天線64的可用頻率范圍增加而不需要增加例如貼片60和接地板44之間的距離。此外，可以通過(guò)選擇用于低k介電模塊28的合適材料來(lái)調(diào)節(jié)天線64的特性。
[0049]根據(jù)實(shí)施例，一種器件包括貼片天線，該貼片天線包括饋線和位于饋線上方的接地板。接地板具有位于其中的孔。低k介電模塊位于孔的上方并且與孔對(duì)準(zhǔn)。貼片位于低k介電模塊的上方。
[0050]根據(jù)其他實(shí)施例，一種封裝件包括:器件管芯；成型材料，器件管芯模制在其中；和貼片天線。貼片天線包括貼片和接地板。貼片和接地板位于成型材料的相對(duì)側(cè)上。貼片天線還包括與器件管芯電連接的饋線。
[0051]根據(jù)又一些實(shí)施例，一種方法包括在載體上方放置器件管芯和低k介電模塊，以及在成型材料中模制器件管芯和低k介電模塊。在成型材料的上方形成貼片天線的接地板。在接地板的上方形成貼片天線的饋線，其中，饋線與器件管芯電連接。在低k介電模塊的下方形成貼片天線的貼片。
[0052]雖然已經(jīng)詳細(xì)地描述了實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)，但是應(yīng)該理解，在不背離如通過(guò)所附的權(quán)利要求限定的實(shí)施例的精神和范圍的情況下，在本文中可以進(jìn)行多種變化、替換以及更改。而且，本申請(qǐng)的范圍并不是意在受限于說(shuō)明書(shū)中所述的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實(shí)施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明將很容易地理解，通過(guò)本發(fā)明，現(xiàn)有的或今后開(kāi)發(fā)的用于執(zhí)行與根據(jù)本發(fā)明所采用的所述相應(yīng)實(shí)施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟根據(jù)本發(fā)明可以被使用。因此，所附權(quán)利要求應(yīng)該包括在這樣工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟的范圍內(nèi)。此外，每條權(quán)利要求都構(gòu)成一個(gè)單獨(dú)的實(shí)施例，并且多個(gè)權(quán)利要求和實(shí)施例的組合也在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種器件，包括: 貼片天線，包括: 饋線； 接地板，位于所述饋線的上方，所述接地板包括位于其中的孔； 低k介電模塊，位于所述孔的上方并且與所述孔對(duì)準(zhǔn)；以及 貼片，位于所述低k介電模塊的上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，還包括: 環(huán)繞所述低k介電模塊的成型材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，還包括: 在所述成型材料中模制的器件管芯，其中，所述器件管芯與所述貼片天線電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其中，所述成型材料的頂面與所述低k介電模塊的頂面基本上齊平，并且所述成型材料的底面與所述低k介電模塊的底面基本上齊平。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其中，所述接地板包括頂面，所述頂面包括: 第一部分，與所述低k介電模塊的底面接觸；以及 第二部分，與所述成型 材料的底面接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，從上往下看時(shí)，所述低k介電模塊的區(qū)域不同于所述接地板的區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，還包括: 附加貼片天線，包括: 附加饋線； 附加接地板，位于所述附加饋線的上方并且包括位于其中的附加孔； 附加低k介電模塊，位于所述附加孔的上方并且與所述附加孔對(duì)準(zhǔn)；和 附加貼片，位于所述附加低k介電模塊的上方；以及 介電區(qū)，位于所述低k介電模塊和所述附加低k介電模塊之間并且使所述低k介電模塊和所述附加低k介電模塊分離，所述介電區(qū)和所述低k介電模塊由不同材料形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述低k介電模塊包括選自基本上由膨脹的聚苯乙烯泡沫、聚四氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、硬橡膠、和多孔材料所組成的組的材料。
9.一種器件，包括: 器件管芯； 成型材料，其中模制有所述器件管芯；以及 貼片天線，包括: 貼片； 接地板，所述貼片和所述接地板位于所述成型材料的相對(duì)側(cè)；和 饋線，與所述器件管芯電連接。
10.一種方法，包括: 在第一載體上方放置器件管芯和低k介電模塊； 在成型材料中模制所述器件管芯和所述低k介電模塊； 在所述成型材料的上方形成貼片天線的接地板； 在所述接地板的上方形成所述貼片天線的饋線，其中，所述饋線與所述器件管芯電連接；以及在所述低k介電模塊的下方形·成所述貼片天線的貼片。
【文檔編號(hào)】H01Q1/22GK103855458SQ201310080407
【公開(kāi)日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2013年3月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月30日
【發(fā)明者】呂孟升, 賴(lài)威志, 蔡仲豪, 謝政憲, 葉恩祥, 王垂堂 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司