技術(shù)特征：
1.一種波長變換用無機成型體，其特征在于，具有：基體，設(shè)置在所述基體上的無機粒子層，其含有由吸收第1波長的光且發(fā)出與所述第1波長不同的第2波長的光的無機波長變換物質(zhì)構(gòu)成的粒子；所述無機粒子層具有：所述粒子通過該粒子彼此或者與所述基體接觸而連續(xù)地連接而成的凝集體，通過原子層沉積法連續(xù)地覆蓋所述粒子的表面與所述基體的表面之間、以及所述粒子彼此的表面的由無機材料構(gòu)成的覆蓋層，以及被所述覆蓋層覆蓋的所述粒子、或被所述覆蓋層覆蓋的所述粒子和被所述覆蓋層覆蓋的所述基體所包圍的空隙，所述無機波長變換物質(zhì)的粒子通過無機粘結(jié)材料將該粒子彼此以及將該粒子與所述基體相粘結(jié)，所述無機粘結(jié)材料是堿土類金屬的氫氧化物或碳酸鹽。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長變換用無機成型體，其特征在于，所述基體具有透光性。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長變換用無機成型體，其特征在于，在所述基體與所述無機粒子層的界面反射所述第1波長的光和所述第2波長的光。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長變換用無機成型體，其特征在于，所述基體含有吸收所述第1波長的光且發(fā)出與所述第1波長和所述第2波長不同的第3波長的光的無機波長變換物質(zhì)。5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的波長變換用無機成型體，其特征在于，所述無機粒子層中的所述空隙的空隙率為1～50％。6.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的波長變換用無機成型體，其特征在于，所述無機波長變換物質(zhì)的粒子的平均粒徑為0.1～100μm，所述覆蓋層的平均厚度為10nm～50μm。7.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的波長變換用無機成型體，其特征在于，所述無機粒子層的表面形成有由所述無機波長變換物質(zhì)的粒子的粒徑所引起的凹凸形狀。8.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的波長變換用無機成型體，其特征在于，所述覆蓋層含有選自Al2O3、SiO2、ZrO2、HfO2、TiO2、ZnO、Ta2O5、Nb2O5、In2O3、SnO2、TiN以及AlN中的至少一種化合物。9.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的波長變換用無機成型體，其特征在于，所述無機波長變換物質(zhì)含有選自硫化物系熒光體、鹵素硅酸鹽系熒光體、氮化物熒光體以及氮氧化物熒光體中的至少一種化合物。10.一種發(fā)光裝置，其特征在于，具備：光源，吸收所述光源發(fā)出的第1波長的光且發(fā)出與所述第1波長不同的第2波長的光的權(quán)利要求1～9中任一項所述的波長變換用無機成型體；輸出含有所述第2波長的光的光。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述基體是半導體發(fā)光元件，兼做所述光源。12.一種波長變換用無機成型體的制造方法，其特征在于，包括：無機粒子層形成工序，在基體上，形成具有吸收第1波長的光且發(fā)出與所述第1波長不同的第2波長的光的無機波長變換物質(zhì)的粒子的凝集體，覆蓋層形成工序，形成通過原子層沉積法連續(xù)地覆蓋所述粒子的表面與所述基體的表面之間、以及所述粒子彼此的表面的由無機材料構(gòu)成的覆蓋層，其中，無機粒子層形成工序中，在形成所述凝集體時使用堿土類金屬的氫氧化物或碳酸鹽作為無機粘結(jié)材料。