專利名稱：電致發(fā)光裝置的制作方法及其電極基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種電極基板的制作方法，尤指一種電致發(fā)光裝置的電極基板以及電致發(fā)光裝置的制作方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode, 0LED)由于具有高發(fā)光效率、不含汞(Hg)和面光源等優(yōu)點(diǎn)，目前已廣泛地應(yīng)用在各式發(fā)光裝置例如液晶顯示器的背光源以及有機(jī)發(fā)光二極管顯示器上。習(xí)知的有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光裝置是使用透明導(dǎo)電材料例如氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)來形成電極以降低對(duì)于發(fā)光效果的影響。然而，一般來說，透明導(dǎo)電材料的電阻率仍較金屬導(dǎo)電材料高，故當(dāng)有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光裝置因需較大面積的面光源設(shè)計(jì)而將對(duì)應(yīng)的電極放大時(shí)，容易發(fā)生因透明電極阻抗較高而導(dǎo)致發(fā)光均勻性不佳等問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種電致發(fā)光裝置的電極基板的制作方法以及電致發(fā)光裝置的制作方法，利用結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案當(dāng)作屏蔽來形成金屬電極墊以及金屬輔助電極，以達(dá)到提升發(fā)光均勻性、簡(jiǎn)化制程、提升制程良率以及提升電極基板電性連接的穩(wěn)定性與信賴性。本發(fā)明的一較佳實(shí)施例提供一種電致發(fā)光裝置的電極基板的制作方法，包括下列步驟。首先，提供一基板。然后，于基板上形成至少一第一電極與至少一第二電極。接著，形成一金屬層，覆蓋第一電極、第二電極以及基板。之后，于金屬層上形成一非結(jié)晶(amorphous)透明導(dǎo)電層。接著，對(duì)非結(jié)晶透明導(dǎo)電層進(jìn)行一圖案化制程，以形成一非結(jié)晶透明導(dǎo)電圖案。然后，對(duì)非結(jié)晶透明導(dǎo)電圖案進(jìn)行一結(jié)晶化制程，以使非結(jié)晶透明導(dǎo)電圖案轉(zhuǎn)變?yōu)橐唤Y(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案。之后，以結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案為屏蔽，將未被結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案覆蓋的金屬層移除，以于第一電極上形成至少一第一金屬電極墊以及至少一金屬輔助電極，并于第二電極上形成至少一第二金屬電極墊。本發(fā)明的一較佳實(shí)施例提供一種電致發(fā)光裝置的制作方法，包括下列步驟。首先，提供一基板。然后，于基板上形成至少一第一電極與至少一第二電極。接著，形成一金屬層，覆蓋第一電極、第二電極以及基板。之后，于金屬層上形成一非結(jié)晶(amorphous)透明導(dǎo)電層。接著，對(duì)非結(jié)晶透明導(dǎo)電層進(jìn)行一圖案化制程，以形成一非結(jié)晶透明導(dǎo)電圖案。然后，對(duì)非結(jié)晶透明導(dǎo)電圖案進(jìn)行一結(jié)晶化制程，以使非結(jié)晶透明導(dǎo)電圖案轉(zhuǎn)變?yōu)橐唤Y(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案。之后，以結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案為屏蔽，將未被結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案覆蓋的金屬層移除，以于第一電極上形成至少一第一金屬電極墊以及至少一金屬輔助電極，并于第二電極上形成至少一第二金屬電極墊。然后，于第一電極上形成一發(fā)光層，并于發(fā)光層上形成一第三電極。第三電極是與第二電極電性連接，以使第二電極透過第三電極驅(qū)動(dòng)位于第一電極與第三電極之間的發(fā)光層。


圖1至圖8繪示了本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的電致發(fā)光裝置的電極基板的制作方法示意圖。圖9與圖10繪示了本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的電致發(fā)光裝置的制作方法示意圖。主要組件符號(hào)說明
100電致發(fā)光裝置的電極基板
110基板
IlOA上表面
IlOB下表面
120結(jié)晶透明導(dǎo)電層
120A第一電極
120C第二電極
130金屬層
130A第一金屬電極墊
130B金屬輔助電極 130C第二金屬電極墊
140非結(jié)晶透明導(dǎo)電層
140P非結(jié)晶透明導(dǎo)電圖案
141P結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案
150絕緣層
160發(fā)光層
170第三電極
180封裝材料
190蓋板
200電致發(fā)光裝置
Z垂直投影方向。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參考圖1至圖8。圖1至圖8繪示了本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的電致發(fā)光裝置的電極基板的制作方法示意圖。其中圖3與圖8為上視示意圖，圖2為沿圖3的剖線A-A’所繪示的剖面示意圖，圖7為沿圖8的剖線B-B’所繪示的剖面示意圖。為了方便說明，本發(fā)明的各圖式僅為示意以更容易了解本發(fā)明，其詳細(xì)的比例可依照設(shè)計(jì)的需求進(jìn)行調(diào)整。本實(shí)施例的電致發(fā)光裝置的電極基板的制作方法包括下列步驟。首先，如圖1所示，提供一基板110,基板具有一上表面IlOA以及一下表面110B。基板110可包括硬質(zhì)基板例如玻璃基板與陶瓷基板或可撓式基板(flexible substrate)例如塑料基板或其它適合材料所形成的基板。然后，于基板110的上表面IlOA上形成一結(jié)晶透明導(dǎo)電層120。結(jié)晶透明導(dǎo)電層120較佳可包括氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)、氧化銦鋒(indium zinc oxide,IZO)、氧化招鋅(aluminum zinc oxide, ΑΖ0)或其它適合的透明導(dǎo)電材料。此外，結(jié)晶透明導(dǎo)電層120較佳是以一物理氣相沉積制程例如派鍍制程(sputtering process)直接形成于基板110上，但本發(fā)明并不以此為限。在本發(fā)明的其它較佳實(shí)施例中亦可以其它適合的制程方式例如轉(zhuǎn)印法形成結(jié)晶透明導(dǎo)電層120或亦可先于基板110上形成一非結(jié)晶透明導(dǎo)電層，再藉由后續(xù)的結(jié)晶化制程例如高溫退火或雷射退火等方式使非結(jié)晶透明導(dǎo)電層產(chǎn)生結(jié)晶化而形成結(jié)晶透明導(dǎo)電層120。然后，如圖2所示，對(duì)結(jié)晶透明導(dǎo)電層120進(jìn)行圖案化以于基板110上形成至少一第一電極120A與至少一第二電極120C。此圖案化制程可包括黃光制程、蝕刻制程或其它適合的圖案化制程方式。在本實(shí)施例中，第一電極120A較佳可為一陽極電極而第二電極120C較佳可為一陰極電極，但本發(fā)明并不以此為限而可視需要以第一電極120A當(dāng)作一陽極電極并以第二電極120C當(dāng)作一陰極電極。此外，如圖3所示，本實(shí)施例較佳是形成一個(gè)第一電極120A與兩個(gè)第二電極120C進(jìn)行搭配，第一電極120A的形狀可為工字型，而兩第二電極120C可分別設(shè)至于左右兩側(cè)，但并不以此為限。值得說明的是，除了上述以對(duì)結(jié)晶透明導(dǎo)電層120進(jìn)行圖案化來形成第一電極120A與第二電極120C之外，第一電極120A與第二電極120C亦可以藉由先對(duì)一非結(jié)晶透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化后再進(jìn)行結(jié)晶化制程而形成。如圖4所不，于第一電極120A與第二電極120C形成之后，形成一金屬層130,覆蓋第一電極120A、第二電極120C以及基板110。金屬層130較佳可包括銀、鋁、銅、鎂、鑰、上述材料的復(fù)合層或上述材料的合金，但并不以此為限。然后，于金屬層130上形成一非結(jié)晶(amorphous)透明導(dǎo)電層140。非結(jié)晶透明導(dǎo)電層140可包括氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋁鋅或其它適合的透明導(dǎo)電材料。接著，如圖5所示，對(duì)非結(jié)晶透明導(dǎo)電層140進(jìn)行一圖案化制程，以形成一非結(jié)晶透明導(dǎo)電圖案140P。此圖案化制程較佳可包括一黃光制程與一蝕刻制程，但并不以此為限。舉例來說，當(dāng)非結(jié)晶透明導(dǎo)電層140是使用氧化銦錫所形成時(shí)，上述的蝕刻制程較佳可 為一使用草酸的濕蝕刻制程。由于草酸對(duì)于氧化銦錫與一般金屬之間具有較佳的蝕刻選擇比，故較不會(huì)于形成非結(jié)晶透明導(dǎo)電圖案140P時(shí)破壞到金屬層130以及位于金屬層130之下的第一電極120A與第二電極120C。然后，如圖5與圖6所示，對(duì)非結(jié)晶透明導(dǎo)電圖案140P進(jìn)行一結(jié)晶化制程，以使非結(jié)晶透明導(dǎo)電圖案140P轉(zhuǎn)變?yōu)橐唤Y(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案141P。此結(jié)晶化制程可包括高溫退火、雷射退火或其它適合的結(jié)晶化制程方式。接著，如圖7所示，以結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案141P為屏蔽，將未被結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案141P覆蓋的金屬層130移除，以于第一電極120A上形成至少一第一金屬電極墊130A以及至少一金屬輔助電極130B,并于第二電極120C上形成至少一第二金屬電極墊130C。值得說明的是，移除未被結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案141P覆蓋的金屬層130的方式較佳可為一濕式蝕刻制程，但并不以此為限。由于不論是結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案141P或第一電極120A與第二電極120C均已是結(jié)晶化的透明導(dǎo)電材料，故在蝕刻金屬層130時(shí)較不會(huì)對(duì)結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案141P、第一電極120A以及第二電極120C產(chǎn)生破壞。藉由上述制程步驟，即可形成如圖7與圖8所示的電致發(fā)光裝置的電極基板100。由于本實(shí)施例的電致發(fā)光裝置的電極基板100的制作方法是利用結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案141P當(dāng)作屏蔽來形成第一金屬電極墊130A、第二金屬電極墊130C以及金屬輔助電極130B，故可因此達(dá)到簡(jiǎn)化制程以及提升制程良率的效果。如圖7與圖8所示，在本實(shí)施例的電致發(fā)光裝置的電極基板100中，第一金屬電極墊130A以及第二金屬電極墊130C是分別與第一電極120A以及第二電極120C接觸而電性連接。第一金屬電極墊130A以及第二金屬電極墊130C較佳是設(shè)置于電致發(fā)光裝置的電極基板100的兩側(cè)邊，用以與其它外部線路或外部組件電性連接以輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)。第一金屬電極墊130A、金屬輔助電極130B以及第二金屬電極墊130C是以結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案141P當(dāng)作屏蔽所形成，因此第一金屬電極墊130A、金屬輔助電極130B以及第二金屬電極墊130C于垂直于基板110的一垂直投影方向Z上均被結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案141P所覆蓋。藉由結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案141P覆蓋第一金屬電極墊130A、金屬輔助電極130B以及第二金屬電極墊130C的設(shè)計(jì)可達(dá)到提升電致發(fā)光裝置的電極基板100電性連接的穩(wěn)定性與信賴性的效果。此外，第一金屬電極墊130A是與金屬輔助電極130B—體成形并電性相連，且金屬輔助電極130B較佳是環(huán)繞第一電極120A的至少一側(cè)邊，藉此可補(bǔ)償?shù)谝浑姌O120A電阻值較高所帶來的負(fù)面影響，但本發(fā)明并不以此為限而可視設(shè)計(jì)需要調(diào)整金屬輔助電極130B的形狀與分布位置以達(dá)到所需的電性補(bǔ)償?shù)男ЧＡ碚?qǐng)注意，由于結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案141P是以非結(jié)晶透明導(dǎo)電層(圖7與圖8未示)經(jīng)由圖案化與結(jié)晶化而形成，故相較于對(duì)直接形成的結(jié)晶透明導(dǎo)電層(圖7與圖8未示)進(jìn)行圖案化而形成的第一電極120A與第二電極120C來說,第一電極120A與第二電極120C的片電阻(sheet resistance)是小于或等于結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案141P的片電阻。請(qǐng)參考圖9與圖10。圖9與圖10繪示了本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的電致發(fā)光裝置的制作方法示意圖。 其中圖9為上視示意圖，圖10為沿圖9的剖線C-C’所繪示的剖面示意圖。本實(shí)施例的電致發(fā)光裝置的制作方法包括下列步驟。首先，如上述內(nèi)容以及圖1至圖8所不,于基板110的上表面IlOA依序形成第一電極120A與第二電極120C、金屬層130、結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案141P、第一金屬電極墊130A、金屬輔助電極130B以及第二金屬電極墊130C。此部分的制程步驟細(xì)節(jié)與各材料特性已于上述內(nèi)容說明，故在此并不再贅述。接著，如圖9與圖10所示，于第一金屬電極墊130A、金屬輔助電極130B以及第二金屬電極墊130C形成之后，于第一電極120A上形成一發(fā)光層160,并于發(fā)光層160上形成一第三電極170。第三電極170是與第二電極120C電性連接，以使第二電極120C透過第三電極170驅(qū)動(dòng)位于第一電極120A與第三電極170之間的發(fā)光層160。換句話說,第二電極120C與第三電極170可視為一整體的陰極電極，但并不以此為限。此外，發(fā)光層160可包括有機(jī)發(fā)光材料、無機(jī)發(fā)光材料或其它適合的發(fā)光材料。本實(shí)施例的電致發(fā)光裝置的制作方法可更包括于基板110上形成一絕緣層150、一封裝材料180以及一蓋板190，以形成如圖9與圖10所示的電致發(fā)光裝置200。絕緣層150是形成于第一電極120A與第二電極120C之間，用以避免形成第三電極170時(shí)接觸到第一電極120A。封裝材料180是用以將蓋板190與基板110黏合，用以達(dá)到保護(hù)發(fā)光層160的效果。由于金屬輔助電極130B較佳是環(huán)繞第一電極120A的至少一側(cè)邊，故可藉此補(bǔ)償?shù)谝浑姌O120A電阻值較高所帶來的負(fù)面影響，進(jìn)而達(dá)到提升電致發(fā)光裝置200發(fā)光均勻性的效果。此外，第三電極170可視需要使用透明或非透明的導(dǎo)電材料，用以使電致發(fā)光裝置200可朝上或/與朝下(朝基板110的下表面IlOB的方向)產(chǎn)生發(fā)光效果。綜合以上所述，本發(fā)明的電致發(fā)光裝置的電極基板的制作方法以及電致發(fā)光裝置的制作方法是利用結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案當(dāng)作屏蔽來形成金屬電極墊以及金屬輔助電極，藉此達(dá)到簡(jiǎn)化制程以及提升制程良率的效果。此外，本發(fā)明還利用金屬輔助電極補(bǔ)償透明電極電阻值較高的影響，進(jìn)而達(dá)到提升電致發(fā)光裝置發(fā)光均勻性的效果。另外，本發(fā)明亦藉由結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案覆蓋第一金屬電極墊、金屬輔助電極以及第二金屬電極墊的設(shè)計(jì)而達(dá)到提升電致發(fā)光裝置的 電極基板電性連接的穩(wěn)定性與信賴性的效果。
權(quán)利要求
1.一種電致發(fā)光裝置的電極基板的制作方法，其特征在于，包括下列步驟: 提供一基板； 于該基板上形成至少一第一電極與至少一第二電極； 形成一金屬層，覆蓋該第一電極、該第二電極以及該基板； 于該金屬層上形成一非結(jié)晶透明導(dǎo)電層； 對(duì)該非結(jié)晶透明導(dǎo)電層進(jìn)行一圖案化制程，以形成一非結(jié)晶透明導(dǎo)電圖案； 對(duì)該非結(jié)晶透明導(dǎo)電圖案進(jìn)行一結(jié)晶化制程，以使該非結(jié)晶透明導(dǎo)電圖案轉(zhuǎn)變?yōu)橐唤Y(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案；以及 以該結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案為屏蔽，將未被該結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案覆蓋的該金屬層移除，以于該第一電極上形成至少一第一金屬電極墊以及至少一金屬輔助電極，并于該第二電極上形成至少一第二金屬電極墊。
2.如權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光裝置的電極基板的制作方法，其特征在于，該第一電極與該第二電極的形成方式的步驟更包括對(duì)一形成于該基板上的結(jié)晶透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化。
3.如權(quán)利要求2所述的電致發(fā)光裝置的電極基板的制作方法，其特征在于，該結(jié)晶透明導(dǎo)電層是以一物理氣相沉積制程直接形成于該基板上。
4.如權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光裝置的電極基板的制作方法，其特征在于，該第一電極與該第二電極的片電阻是小于或等于該結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案的片電阻。
5.如權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光裝置的電極基板的制作方法，其特征在于，該第一金屬電極墊是與該金屬輔助電極電性相連，且該金屬輔助電極是環(huán)繞該第一電極的至少一側(cè)邊。
6.一種電致發(fā)光裝置的制作方法，其特征在于，包括下列步驟: 提供一基板； 于該基板上形成至少一第一電極與至少一第二電極； 形成一金屬層，覆蓋該第一電極、該第二電極以及該基板； 于該金屬層上形成一非結(jié)晶透明導(dǎo)電層； 對(duì)該非結(jié)晶透明導(dǎo)電層進(jìn)行一圖案化制程，以形成一非結(jié)晶透明導(dǎo)電圖案； 對(duì)該非結(jié)晶透明導(dǎo)電圖案進(jìn)行一結(jié)晶化制程，以使該非結(jié)晶透明導(dǎo)電圖案轉(zhuǎn)變?yōu)橐唤Y(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案； 以該結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案為屏蔽，將未被該結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案覆蓋的該金屬層移除，以于該第一電極上形成至少一第一金屬電極墊以及至少一金屬輔助電極，并于該第二電極上形成至少一第二金屬電極墊； 于該第一電極上形成一發(fā)光層；以及 于該發(fā)光層上形成一第三電極，其中該第三電極是與該第二電極電性連接，以使該第二電極透過該第三電極驅(qū)動(dòng)位于該第一電極與該第三電極之間的該發(fā)光層。
7.如權(quán)利要求6所述的電致發(fā)光裝置制作方法，其特征在于，該第一電極與該第二電極的形成步驟更包括對(duì)一形成于該基板上的結(jié)晶透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化。
8.如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光裝置的制作方法，其特征在于，該結(jié)晶透明導(dǎo)電層是以一物理氣相沉積制程直接形成于該基板上。
9.如權(quán)利要求6所述的電致發(fā)光裝置的制作方法，其特征在于，該第一電極與該第二電極的片電阻是小于或等于該結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案的片電阻。
10.如權(quán)利要求6所述的電致發(fā)光裝置的制作方法，其特征在于，該第一金屬電極墊是與該金屬輔助電極電 性相連，且該金屬輔助電極是環(huán)繞該第一電極的至少一側(cè)邊。
全文摘要
一種電致發(fā)光裝置的電極基板的制作方法包括下列步驟。于基板上形成至少一第一電極與至少一第二電極。形成一金屬層，覆蓋第一電極、第二電極以及基板。于金屬層上形成一非結(jié)晶(amorphous)透明導(dǎo)電層。對(duì)非結(jié)晶透明導(dǎo)電層進(jìn)行一圖案化制程，以形成一非結(jié)晶透明導(dǎo)電圖案。對(duì)非結(jié)晶透明導(dǎo)電圖案進(jìn)行一結(jié)晶化制程，以使非結(jié)晶透明導(dǎo)電圖案轉(zhuǎn)變?yōu)橐唤Y(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案。以結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案為屏蔽，將未被結(jié)晶化透明導(dǎo)電圖案覆蓋的金屬層移除，以于第一電極上形成至少一第一金屬電極墊以及至少一金屬輔助電極，并于第二電極上形成至少一第二金屬電極墊。
文檔編號(hào)H01L51/56GK103219475SQ20131011257
公開日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2013年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月2日
發(fā)明者張錫明 申請(qǐng)人:華映視訊(吳江)有限公司, 中華映管股份有限公司