一種同步刻蝕浮柵的制作工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種同步刻蝕浮柵的制作工藝，包括：在工作區(qū)上依次氧化生成隧道氧化層和沉積多晶硅并摻雜；在所述摻雜的多晶硅上沉積保護(hù)層；按照第一預(yù)設(shè)圖?？涛g所述摻雜的多晶硅形成淺絕緣溝；在所述淺絕緣溝表面沉積第一氧化物薄膜；高溫氧化所述第一氧化物薄膜形成第二氧化物薄膜；在所述淺絕緣溝中填入氧化物；采用化學(xué)機(jī)械平坦化去除所述淺絕緣溝中超出所述保護(hù)層的氧化物；去除所述保護(hù)層；按照第二預(yù)設(shè)圖?？涛g所述氧化物。本發(fā)明用以化優(yōu)設(shè)計(jì)工藝，簡(jiǎn)化制作過(guò)程，節(jié)約制作成本。
【專利說(shuō)明】一種同步刻蝕淳柵的制作工藝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種同步刻蝕浮柵的制作工藝。

【背景技術(shù)】
[0002] 先前的和現(xiàn)在的N0R型閃存（NOR Flash)都是用自對(duì)準(zhǔn)浮柵制作工藝 (Self-align Poly Process)來(lái)制作浮柵（Floating Gate),這種自對(duì)準(zhǔn)浮柵制作工藝的方 法工藝有三大缺點(diǎn)：
[0003] 第一，在自對(duì)準(zhǔn)浮柵制作工藝中需要采用化學(xué)機(jī)械平坦化磨掉一定量的多晶硅 (Poly CMP)這一制作工藝，使得浮柵多晶娃（Floating gate poly)淺絕緣溝氧化物（STI Oxide)露出來(lái)，從而自對(duì)準(zhǔn)形成浮柵。Poly CMP這一制作工藝是一個(gè)晶圓中心到邊緣厚 度的平整度不能很好控制的工藝，如果晶圓中心（wafer center)的浮柵高度和晶圓邊緣 (wafer edge)的不一樣，制成的閃存單元（Flash Cell)的電性特點(diǎn)就有偏差，影響到產(chǎn)品 的質(zhì)量和電性特點(diǎn)的一致性。
[0004] 第二，參照?qǐng)D1所示的一種自對(duì)準(zhǔn)工藝制作的浮柵的結(jié)構(gòu)示意圖，采用自對(duì)準(zhǔn)浮 柵制作工藝做成的浮柵是要探出工作區(qū)（Active Area，簡(jiǎn)稱AA)，即一個(gè)較大的浮柵會(huì)放在 較小的工作區(qū)上面，這樣必然會(huì)造成較大浮柵的某些邊緣部分是沒(méi)有下面的工作區(qū)支撐， 這樣隧道氧化層（Tunnel oxide)在工作區(qū)的中心正常，但是在由于隧道氧化層在超出工作 區(qū)范圍的圓角部分會(huì)變薄，這樣對(duì)工作區(qū)圓角的要求就更嚴(yán)，不然就容易有漏電發(fā)生。
[0005] 第三，同樣參照?qǐng)D1，采用自對(duì)準(zhǔn)浮柵制作工藝做成的浮柵和淺絕緣溝（STI)的交 界面，接下來(lái)進(jìn)行存儲(chǔ)單元開(kāi)放刻蝕（Cell Open Etch)要拿掉一部分淺絕緣溝中的氧化物 (STI Oxide)，但是口小洞大的結(jié)構(gòu)對(duì)后來(lái)進(jìn)行單元開(kāi)放刻蝕的工藝會(huì)造成了一定的難度。
[0006] 因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員迫切需要解決的問(wèn)題之一在于，提出一種同步刻蝕浮柵的 制作工藝，用以優(yōu)化設(shè)計(jì)工藝，簡(jiǎn)化制作過(guò)程，節(jié)約制作成本。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種同步刻蝕浮柵的制作工藝，用以化優(yōu)設(shè)計(jì) 工藝，簡(jiǎn)化制作過(guò)程，節(jié)約制作成本。
[0008] 為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明公開(kāi)了一種同步刻蝕浮柵的制作工藝，包括：
[0009] 在工作區(qū)上依次氧化生成隧道氧化層和沉積多晶硅并摻雜；
[0010] 在所述摻雜的多晶硅上沉積保護(hù)層；
[0011] 按照第一預(yù)設(shè)圖?？涛g所述摻雜的多晶硅形成淺絕緣溝；
[0012] 在所述淺絕緣溝表面沉積第一氧化物薄膜；
[0013] 高溫氧化所述第一氧化物薄膜形成第二氧化物薄膜；
[0014] 在所述淺絕緣溝中填入氧化物；
[0015] 采用化學(xué)機(jī)械平坦化去除所述淺絕緣溝中超出所述保護(hù)層的氧化物；
[0016] 去除所述保護(hù)層；
[0017] 按照第二預(yù)設(shè)圖?？涛g所述氧化物。
[0018] 優(yōu)選地，在所述按照第一預(yù)設(shè)圖模刻蝕所述摻雜的多晶硅形成淺絕緣溝的步驟之 前，以及，在所述按照第二預(yù)設(shè)圖?？涛g所述氧化物的步驟之前，還包括：
[0019] 在所述保護(hù)層依次沉積無(wú)定型碳及防反射層，并在所述無(wú)定型碳及防反射層上覆 蓋光阻劑；
[0020] 在所述光阻劑上光刻預(yù)設(shè)圖模。
[0021] 優(yōu)選地，在所述按照第一預(yù)設(shè)圖?？涛g所述摻雜的多晶硅形成淺絕緣溝的步驟之 后，以及，在所述按照第二預(yù)設(shè)圖模刻蝕所述氧化物的步驟之后，還包括：
[0022] 依次采用干法及濕法去除所述光阻劑。
[0023] 優(yōu)選地，所述按照第二預(yù)設(shè)圖?？涛g所述氧化物的步驟為：
[0024] 依次采用干法及濕法按照第二預(yù)設(shè)圖?？涛g所述氧化物。
[0025] 優(yōu)選地，在所述淺絕緣溝中填入氧化物的步驟之后，還包括：
[0026] 均勻分布所述氧化物；
[0027] 所述均勻分布所述氧化物的步驟包括：
[0028] 將所述氧化物的溫度升高到預(yù)設(shè)溫度；
[0029] 將所述氧化物的溫度恢復(fù)到正常溫度。
[0030] 優(yōu)選地，所述沉積多晶娃并摻雜的步驟包括：
[0031] 在工作區(qū)上沉積多晶硅，并在沉積后對(duì)所述多晶硅的表面進(jìn)行清洗；
[0032] 在所述多晶硅摻雜雜質(zhì)。
[0033] 優(yōu)選地，在所述在工作區(qū)上依次氧化生成隧道氧化層和沉積多晶硅并摻雜的步驟 之后，還包括：
[0034] 均勻分布所述摻雜的多晶硅；
[0035] 所述均勻分布所述摻雜的多晶硅的步驟包括：
[0036] 將所述摻雜的多晶硅的溫度升高到預(yù)設(shè)溫度；
[0037] 將所述摻雜的多晶硅的溫度恢復(fù)到正常溫度。
[0038] 優(yōu)選地，在所述按照第一預(yù)設(shè)圖模刻蝕所述摻雜的多晶硅形成淺絕緣溝的步驟之 后，還包括：
[0039] 對(duì)所述淺絕緣溝的表面進(jìn)行清洗。
[0040] 優(yōu)選地，所述淺絕緣溝的側(cè)截面為上寬下窄。
[0041] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明包括以下優(yōu)點(diǎn)：
[0042] 首先，通過(guò)采用浮柵與工作區(qū)一步蝕刻的方式，使得浮柵與工作區(qū)的邊緣對(duì)齊，避 免了采用化學(xué)機(jī)械平坦化磨掉一定量晶硅這一制作工藝可能造成的晶圓中心到邊緣厚度 不均勻的問(wèn)題，優(yōu)化了浮柵的制作工藝。其次，由于采用浮柵與工作區(qū)一步蝕刻的方式刻蝕 浮柵，且刻蝕出的淺絕緣溝的剖面結(jié)構(gòu)為上寬下窄，容易進(jìn)行接下來(lái)的對(duì)存儲(chǔ)單元開(kāi)放刻 蝕。再次，由于本發(fā)明采用優(yōu)良的工藝制作順序，使得生產(chǎn)過(guò)程更簡(jiǎn)單，簡(jiǎn)化了制作過(guò)程，節(jié) 約了制作成本。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0043] 圖1是一種自對(duì)準(zhǔn)工藝制作的浮柵的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044] 圖2是本發(fā)明的一種同步刻蝕浮柵的制作工藝實(shí)施例的步驟流程圖；
[0045] 圖3是本發(fā)明的一種浮柵的制作工藝1-5的剖面圖；
[0046] 圖4是本發(fā)明的一種浮柵的制作工藝6-11的剖面圖；
[0047] 圖5是本發(fā)明的一種浮柵的制作工藝12-13的剖面圖；
[0048] 圖6是本發(fā)明的一種浮柵的制作工藝14的剖面圖；
[0049] 圖7是本發(fā)明的一種浮柵的制作工藝15-16的剖面圖；
[0050] 圖8是本發(fā)明的一種浮柵的制作工藝17的剖面圖；
[0051] 圖9是本發(fā)明的一種浮柵的制作工藝18的剖面圖；
[0052] 圖10是本發(fā)明的一種浮柵的制作工藝19-23的剖面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0053] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí) 施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0054] 本發(fā)明實(shí)施例的核心構(gòu)思之一在于，采用優(yōu)良的工藝制作順序，并通過(guò)采用浮柵 與工作區(qū)一步蝕刻的方式，使得浮柵與工作區(qū)的邊緣對(duì)齊，避免了采用多化學(xué)機(jī)械平坦化 磨掉一定量晶硅這一制作工藝可能造成的晶圓中心到邊緣厚度不均勻的問(wèn)題，優(yōu)化了浮柵 的制作工藝。
[0055] 參照?qǐng)D2,示出了本發(fā)明的一種同步刻蝕浮柵的制作工藝實(shí)施例的步驟流程圖，具 體可以包括如下步驟：
[0056] 步驟101，在工作區(qū)上依次氧化生成隧道氧化層和沉積多晶硅并摻雜；
[0057] 在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，在工作區(qū)上依次氧化生成隧道氧化層和沉積多晶 硅及摻雜的步驟具體可以包括如下子步驟：
[0058] 子步驟S11，在工作區(qū)上氧化生成隧道氧化層和沉積多晶硅，并在沉積后對(duì)所述多 晶硅的表面進(jìn)行清洗；
[0059] 子步驟S12,在所述多晶硅摻雜雜質(zhì)。
[0060] 在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，在步驟101之后，還可以包括如下步驟：
[0061] 均勻分布所述摻雜的多晶硅；
[0062] 其中，所述均勻分布所述摻雜的多晶硅的步驟可以包括如下子步驟：
[0063] 子步驟S21，將所述摻雜的多晶硅的溫度升高到預(yù)設(shè)溫度；
[0064] 子步驟S21，將所述摻雜的多晶硅的溫度恢復(fù)到正常溫度。
[0065] 步驟102,在所述摻雜的多晶硅上沉積保護(hù)層；
[0066] 參照?qǐng)D3所示的一種浮柵的制作工藝1-5的剖面圖，首先在工作區(qū)上依次氧化生 成隧道氧化層（Tunnel oxide)和沉積多晶硅（FG P0LY)并摻雜，其中，摻雜后的多晶硅具 有較好導(dǎo)電性，并且接著在摻雜的多晶硅上沉積保護(hù)層（FG HM)，可用以保護(hù)多晶硅。較佳 地，在沉積多晶硅后，還可以對(duì)沉積后的多晶硅表面進(jìn)行清洗，移除臟污，避免影響制作的 浮柵的電特性，然后可以接著在多晶硅摻雜雜質(zhì)。
[0067] 當(dāng)沉積多晶硅及摻雜之后，可以將該摻雜的多晶硅升高到某一預(yù)設(shè)溫度，使得雜 質(zhì)在多晶硅中能夠均勻分布。在溫度升高一段時(shí)間后，將摻雜的多晶硅的溫度恢復(fù)到正常 溫度。
[0068] 步驟103,按照第一預(yù)設(shè)圖?？涛g所述摻雜的多晶硅形成淺絕緣溝；
[0069] 在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，在所述步驟103之前，還可以包括如下步驟：
[0070] 在所述保護(hù)層依次沉積無(wú)定型碳及防反射層，并在所述無(wú)定型碳及防反射層上覆 蓋光阻劑；
[0071] 在所述光阻劑上光刻預(yù)設(shè)圖模。
[0072] 在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，在所述步驟103之后，還可以包括如下步驟：
[0073] 依次采用干法及濕法去除所述光阻劑。
[0074] 參照?qǐng)D4所示的一種浮柵的制作工藝6-11的剖面圖，在已經(jīng)沉積多晶硅并摻雜， 以及沉積了保護(hù)層的基礎(chǔ)上，依次沉積無(wú)定型碳及防反射層，并且再覆蓋一層光阻劑，在光 阻劑上光刻第一預(yù)設(shè)圖模，然后可以按照第一預(yù)設(shè)圖?？涛g所述多晶硅形成淺絕緣溝，當(dāng) 刻蝕完成之后，依次采用干法及濕法去除所述光阻劑。較佳地，刻蝕形成的淺絕緣溝的側(cè)截 面為上寬下窄，有利于在后續(xù)的工藝中對(duì)氧化物的填充及對(duì)氧化物的刻蝕。
[0075] 步驟104,在所述淺絕緣溝表面沉積第一氧化物薄膜；
[0076] 參照?qǐng)D5所示本發(fā)明的一種浮柵的制作工藝12-13的剖面圖，當(dāng)刻蝕形成淺絕緣 溝后，較佳地，還可以對(duì)淺絕緣溝的表面進(jìn)行清洗，移除臟污后在該淺絕緣溝表面沉積第一 氧化物薄膜（HARP)，以提高所制作浮柵的穩(wěn)定性。
[0077] 步驟105,高溫氧化所述第一氧化物薄膜形成第二氧化物薄膜；
[0078] 參照?qǐng)D6所示的本發(fā)明的一種浮柵的制作工藝14的剖面圖，對(duì)于已經(jīng)淺絕緣溝表 面沉積在的第一氧化物薄膜，可以對(duì)其進(jìn)行高溫氧化，形成第二氧化物薄膜。較佳地，在進(jìn) 行高溫氧化的過(guò)程中，可以去除氧化物薄膜的毛躁，穩(wěn)定制作的浮柵的電特性。
[0079] 步驟106,在所述淺絕緣溝中填入氧化物；
[0080] 在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，在所述步驟106之后，還可以包括如下步驟：
[0081] 均勻分布所述氧化物；
[0082] 所述均勻分布所述氧化物的步驟可以包括如下子步驟：
[0083] 將所述氧化物的溫度升高到預(yù)設(shè)溫度；
[0084] 將所述氧化物的溫度恢復(fù)到正常溫度。
[0085] 參照?qǐng)D7所示的本發(fā)明的一種浮柵的制作工藝15-16的剖面圖，在形成第二氧化 物薄膜的淺絕緣溝上填入氧化物（HARP)。填入氧化物后，還可以針對(duì)該氧化物將其升高到 某一預(yù)設(shè)溫度，使得氧化物能夠均勻分布。在溫度升高一段時(shí)間后，將氧化物的溫度恢復(fù)到 正常溫度。
[0086] 步驟107,采用化學(xué)機(jī)械平坦化去除所述淺絕緣溝中超出所述保護(hù)層的氧化物；
[0087] 參照?qǐng)D8所示的本發(fā)明的一種浮柵的制作工藝17的剖面圖，在實(shí)際中，填入的氧 化物可能會(huì)超出其需要填充的部分，因此，在填入氧化物之后，可以采用化學(xué)機(jī)械平坦化去 除淺絕緣溝中超出所述保護(hù)層的氧化物。
[0088] 步驟108,去除所述保護(hù)層；
[0089] 參照?qǐng)D9所示的本發(fā)明的一種浮柵的制作工藝18的剖面圖，當(dāng)去除淺絕緣溝中超 出所述保護(hù)層的氧化物后，移除掉該保護(hù)層。
[0090] 步驟109,按照第二預(yù)設(shè)圖?？涛g所述氧化物。
[0091] 在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述步驟109可以包括如下子步驟：
[0092] 子步驟S61，依次采用干法及濕法按照第二預(yù)設(shè)圖?？涛g所述氧化物。
[0093] 在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，在所述步驟109之前，還可以包括如下步驟：
[0094] 在所述保護(hù)層依次沉積無(wú)定型碳及防反射層，并在所述無(wú)定型碳及防反射層上覆 蓋光阻劑；
[0095] 在所述光阻劑上光刻預(yù)設(shè)圖模。
[0096] 參照?qǐng)D10所示的本發(fā)明的一種浮柵的制作工藝19-23的剖面圖，當(dāng)去除淺絕緣溝 中超出所述保護(hù)層的氧化物后并移除掉該保護(hù)層后，在無(wú)定型碳及防反射層上覆蓋一層光 阻劑，并光阻劑上光刻第二預(yù)設(shè)圖模，然后按照依次采用干法及濕法按照預(yù)設(shè)圖模刻蝕所 述氧化物。
[0097] 為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員進(jìn)一步了解本發(fā)明實(shí)施例，下面通過(guò)一個(gè)具體的示例來(lái)說(shuō) 明本發(fā)明制作浮柵的工藝流程，具體的步驟如下所示：
[0098] l.FG P0LY1 DEP (浮柵多晶硅沉積）；
[0099] 2. FG P0LY1 DEP SCRUBBER (浮柵多晶硅沉積后清洗）；
[0100] 3.FG P0LY1 MP (浮柵多晶硅摻雜）；
[0101] 4.FG P0LY1 MP ANNEAL(浮柵多晶硅摻雜退火，其中，退火為將多晶硅及摻雜升 高到某一溫度一段時(shí)間后，再恢復(fù)到原先的溫度）；
[0102] 5.FG P0LY1 HM DEP (浮柵多晶硅保護(hù)層沉積）；
[0103] 6.FG P0LY1 AC DEP (浮柵多晶硅無(wú)定形碳沉積）；
[0104] 7.FG P0LY1 DARK DEP (浮柵多晶硅防反射層沉積）；
[0105] 8. STI PHOTO (淺絕緣溝光阻劑光刻）；
[0106] 9. STI TRENCH ETCH (淺絕緣溝蝕刻）；
[0107] 10. STI TRENCH ETCH ASHER(干法去光阻）；
[0108] 11. STI TRENCH ETCH WET STRIP (濕法去光阻）；
[0109] 12. STI PRE HARP DEP CLN(淺絕緣溝氧化物填充前清洗）；
[0110] 13. STI HARP DEP (淺絕緣溝氧化物薄膜沉積）；
[0111] 14. STI OXIDATION (淺絕緣溝高溫氧化）；
[0112] 15.STI HARP DEP (淺絕緣溝氧化物填充）；
[0113] 16. RTA(退火，其中，退火為將氧化物升高到某一溫度一段時(shí)間后，再恢復(fù)到原先 的溫度）；
[0114] 17.STI OXIDE CMP (淺絕緣溝氧化物化學(xué)機(jī)械平坦化）；
[0115] 18. STI HM REMOVAL(浮柵保護(hù)層去除）；
[0116] 19. COPEN PHOTO(淺絕緣溝中氧化物光阻劑光刻）；
[0117] 20.C0PEN DRY ETCH (淺絕緣溝中氧化物干刻）；
[0118] 21.C0PEN WET ETCH(淺絕緣溝中氧化物濕刻）；
[0119] 22.C0PEN ASHER(干法去光阻）；
[0120] 23. COPEN WET STRIP (濕法去光阻）。
[0121] 需要說(shuō)明的是，對(duì)于方法實(shí)施例，為了簡(jiǎn)單描述，故將其都表述為一系列的動(dòng)作組 合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本申請(qǐng)并不受所描述的動(dòng)作順序的限制，因?yàn)橐罁?jù)本申 請(qǐng)，某些步驟可以采用其他順序或者同時(shí)進(jìn)行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說(shuō)明書(shū) 中所描述的實(shí)施例均屬于優(yōu)選實(shí)施例，所涉及的動(dòng)作并不一定是本申請(qǐng)所必須的。
[0122] 本說(shuō)明書(shū)中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與 其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見(jiàn)即可。
[0123] 以上對(duì)本發(fā)明所提供的一種同步刻蝕浮柵的制作工藝，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中 應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助 理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想， 在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本 發(fā)明的限制。
【權(quán)利要求】
1. 一種同步刻蝕浮柵的制作工藝，其特征在于，包括： 在工作區(qū)上依次氧化生成隧道氧化層和沉積多晶硅并摻雜； 在所述摻雜的多晶硅上沉積保護(hù)層； 按照第一預(yù)設(shè)圖模刻蝕所述摻雜的多晶硅形成淺絕緣溝； 在所述淺絕緣溝表面沉積第一氧化物薄膜； 高溫氧化所述第一氧化物薄膜形成第二氧化物薄膜； 在所述淺絕緣溝中填入氧化物； 采用化學(xué)機(jī)械平坦化去除所述淺絕緣溝中超出所述保護(hù)層的氧化物； 去除所述保護(hù)層； 按照第二預(yù)設(shè)圖?？涛g所述氧化物。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述按照第一預(yù)設(shè)圖模刻蝕所述摻雜 的多晶硅形成淺絕緣溝的步驟之前，以及，在所述按照第二預(yù)設(shè)圖?？涛g所述氧化物的步 驟之前，還包括： 在所述保護(hù)層依次沉積無(wú)定型碳及防反射層，并在所述無(wú)定型碳及防反射層上覆蓋光 阻劑； 在所述光阻劑上光刻預(yù)設(shè)圖模。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述按照第一預(yù)設(shè)圖?？涛g所述摻 雜的多晶硅形成淺絕緣溝的步驟之后，以及，在所述按照第二預(yù)設(shè)圖?？涛g所述氧化物的 步驟之后，還包括： 依次采用干法及濕法去除所述光阻劑。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述按照第二預(yù)設(shè)圖?？涛g所述氧化 物的步驟為： 依次采用干法及濕法按照第二預(yù)設(shè)圖?？涛g所述氧化物。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述淺絕緣溝中填入氧化物的步驟之 后，還包括： 均勻分布所述氧化物； 所述均勻分布所述氧化物的步驟包括： 將所述氧化物的溫度升高到預(yù)設(shè)溫度； 將所述氧化物的溫度恢復(fù)到正常溫度。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積多晶硅并摻雜的步驟包括： 在工作區(qū)上沉積多晶硅，并在沉積后對(duì)所述多晶硅的表面進(jìn)行清洗； 在所述多晶硅摻雜雜質(zhì)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的方法，其特征在于，在所述在工作區(qū)上依次氧化生成隧道 氧化層和沉積多晶硅并摻雜的步驟之后，還包括： 均勻分布所述摻雜的多晶硅； 所述均勻分布所述摻雜的多晶硅的步驟包括： 將所述摻雜的多晶硅的溫度升高到預(yù)設(shè)溫度； 將所述摻雜的多晶硅的溫度恢復(fù)到正常溫度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述按照第一預(yù)設(shè)圖?？涛g所述摻雜 的多晶硅形成淺絕緣溝的步驟之后，還包括： 對(duì)所述淺絕緣溝的表面進(jìn)行清洗。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述淺絕緣溝的側(cè)截面為上寬下窄。
【文檔編號(hào)】H01L21/28GK104103507SQ201310129922
【公開(kāi)日】2014年10月15日 申請(qǐng)日期:2013年4月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月15日
【發(fā)明者】吳楠, 馮駿 申請(qǐng)人:北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司