一種去除深溝槽刻蝕工藝后的圓片的硬質(zhì)掩蔽層的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種去除深溝槽刻蝕工藝后的圓片的硬質(zhì)掩蔽層的方法，所述圓片包括已刻蝕出深溝槽的半導(dǎo)體硅襯底和硬質(zhì)掩蔽層，所述硬質(zhì)掩蔽層包括氮化硅層和二氧化硅層，所述二氧化硅層位于所述半導(dǎo)體硅襯底和所述氮化硅層之間，所述方法包括：利用刻蝕氣體對所述圓片進(jìn)行干法刻蝕，以去除所述硬質(zhì)掩蔽層中的氮化硅層；利用濕法藥液對所述圓片進(jìn)行濕法腐蝕，以去除所述硬質(zhì)掩蔽層中的二氧化硅層。本發(fā)明可以有效去除由氮化硅和二氧化硅組成的硬質(zhì)掩蔽層，保證后續(xù)工藝的順利進(jìn)行。
【專利說明】一種去除深溝槽刻蝕工藝后的圓片的硬質(zhì)掩蔽層的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝領(lǐng)域，具體涉及深溝槽刻蝕【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種去除深溝槽刻蝕工藝后的圓片的硬質(zhì)掩蔽層的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體制造特殊工藝中，如集成電路所使用的半導(dǎo)體器件的制造工藝中，常需要使用濕法深硅腐蝕液將某一特殊厚度的圓片(主要成分為硅(Si))腐蝕到特定的深度或者腐蝕到剩余特定膜層厚度，也就是需要實施深溝槽刻蝕工藝。
[0003]深溝槽刻蝕工藝所需工藝時間較長、刻蝕深度較深(深度可達(dá)幾百ym，甚至達(dá)500 μ m以上或者腐蝕后圓片剩余厚度小于20 μ m)。在現(xiàn)有技術(shù)中，進(jìn)行濕法深溝槽刻蝕工藝時，經(jīng)常米用二氧化娃(S12)和氮化娃(Si3N4)作為硬質(zhì)掩蔽層(hard mask), 二氧化娃和氮化硅組成的硬質(zhì)掩蔽層對圓片硅襯底有保護(hù)作用，深溝槽刻蝕工藝以硬質(zhì)掩蔽層為掩膜在特定厚度、類型的圓片上實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移，從而在圓片上刻蝕出所需要的深溝槽。
[0004]但是采用二氧化硅和氮化硅作為硬質(zhì)掩蔽層，在深溝槽刻蝕工藝后無法去除干凈，并且會對圓片造成損傷，導(dǎo)致碎片的問題，影響后續(xù)其他工藝的進(jìn)行。因此，能否將硬質(zhì)掩蔽層去除干凈成為某些特殊產(chǎn)品能否開發(fā)成功的瓶頸。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種去除深溝槽刻蝕工藝后的圓片的硬質(zhì)掩蔽層的方法，通過首先對圓片進(jìn)行干法刻蝕以去除硬質(zhì)掩蔽層中的氮化硅層，再進(jìn)行濕法腐蝕以去除硬質(zhì)掩蔽層中的二氧化硅層，從而去除硬質(zhì)掩蔽層，來解決以上【背景技術(shù)】部分提到的技術(shù)問題。
[0006]一方面，本發(fā)明實施例提供了一種去除深溝槽刻蝕工藝后的圓片的硬質(zhì)掩蔽層的方法，所述圓片包括已刻蝕出深溝槽的半導(dǎo)體硅襯底和硬質(zhì)掩蔽層，所述硬質(zhì)掩蔽層包括氮化硅層和二氧化硅層，所述二氧化硅層位于所述半導(dǎo)體硅襯底和所述氮化硅層之間，所述方法包括:
[0007]利用刻蝕氣體對所述圓片進(jìn)行干法刻蝕，以去除所述硬質(zhì)掩蔽層中的氮化硅層；
[0008]利用濕法藥液對所述圓片進(jìn)行濕法腐蝕，以去除所述硬質(zhì)掩蔽層中的二氧化硅層。
[0009]進(jìn)一步地，所述干法刻蝕的類型為等離子體刻蝕。
[0010]進(jìn)一步地，所述刻蝕氣體為六氟化硫(SF6)。
[0011]進(jìn)一步地,所述濕法藥液包括B0E(Buffered Oxide Etch,緩沖氧化物腐蝕)藥液，所述BOE藥液由氫氟酸與氟化氨混合而成。
[0012]進(jìn)一步地，所述干法刻蝕的工藝時間依據(jù)氮化硅層的厚度和所述刻蝕氣體的流量進(jìn)行調(diào)整。
[0013]進(jìn)一步地，所述濕法腐蝕的工藝時間依據(jù)二氧化硅層的厚度和所述濕法藥液所含成分的比例進(jìn)行調(diào)整。
[0014]進(jìn)一步地，在所述利用濕法藥液對所述圓片進(jìn)行濕法腐蝕，以去除所述硬質(zhì)掩蔽層中的二氧化硅層的步驟之后還包括:清洗去除所述硬質(zhì)掩蔽層后的圓片。
[0015]本發(fā)明實施例提出的去除深溝槽刻蝕工藝后的圓片的硬質(zhì)掩蔽層的方法具有如下特點:通過首先使用干法刻蝕工藝去除硬質(zhì)掩蔽層中的氮化硅層，再采用濕法腐蝕工藝去除硬質(zhì)掩蔽層中的二氧化硅層，從而保證將硬質(zhì)掩蔽層去除干凈，而不會對半導(dǎo)體硅襯底造成損傷。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是本發(fā)明第一實施例中的去除深溝槽刻蝕工藝后的圓片的硬質(zhì)掩蔽層的方法的流程圖；
[0017]圖2-圖4是本發(fā)明第一實施例中的去除深溝槽刻蝕工藝后的圓片的硬質(zhì)掩蔽層的方法的各步驟實施的圓片的截面示意圖，圖2是實施本實施例所述方法前的圓片的截面示意圖，圖3是實施本實施例干法刻蝕工藝后的圓片的截面示意圖，圖4是實施本實施例濕法腐蝕工藝后的圓片的截面示意圖；
[0018]圖5是本發(fā)明第二實施例中的去除深溝槽刻蝕工藝后的圓片的硬質(zhì)掩蔽層的方法的流程圖。
[0019]圖2-圖4中附圖標(biāo)記說明:1是已刻蝕出深溝槽的半導(dǎo)體硅襯底，2是深溝槽，3是硬質(zhì)掩蔽層中的二氧化硅層，4是硬質(zhì)掩蔽層中的氮化硅層。

【具體實施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部內(nèi)容。
[0021]在圖1中示出了本發(fā)明的第一實施例。
[0022]圖1是本發(fā)明第一實施例中的去除深溝槽刻蝕工藝后的圓片的硬質(zhì)掩蔽層的方法的實現(xiàn)流程100。圖2是實施本實施例所述的去除深溝槽刻蝕工藝后的圓片的硬質(zhì)掩蔽層的方法前所述圓片的截面示意圖，如圖2所示，所述圓片包括:已刻蝕出深溝槽2的半導(dǎo)體硅襯底1、二氧化硅層3和氮化硅層4，其中，二氧化硅層3和氮化硅層4組成硬質(zhì)掩蔽層，所述硬質(zhì)掩蔽層用于深溝槽刻蝕工藝時保護(hù)所述半導(dǎo)體硅襯底1，所述二氧化硅層3位于所述半導(dǎo)體硅襯底I和所述氮化硅層4之間。
[0023]本實施例所述的去除深溝槽刻蝕工藝后的圓片的硬質(zhì)掩蔽層的方法的實現(xiàn)流程100詳述如下:
[0024]在步驟101中，利用刻蝕氣體對圓片進(jìn)行干法刻蝕，以去除硬質(zhì)掩蔽層中的氮化娃層。
[0025]在第一實施例中，由于所述硬質(zhì)掩蔽層中的氮化硅層位于二氧化硅層的上方，也就是所述氮化硅層位于最上層，可以首先完全刻蝕掉氮化硅層，需要注意的是:對需要剩余的半導(dǎo)體硅襯底不能造成損傷?？涛g所述圓片的氮化硅層采用干法刻蝕。所述干法刻蝕有:等離子體刻蝕、濺射刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕。等離子體刻蝕是化學(xué)性刻蝕的過程，濺射刻蝕是物理性刻蝕的過程，反應(yīng)離子刻蝕是結(jié)合物理反應(yīng)與化學(xué)反應(yīng)刻蝕的過程。
[0026]本步驟中所述的干法刻蝕可以采用等離子體刻蝕或者反應(yīng)離子刻蝕。所述等離子體刻蝕的原理主要為:(I)產(chǎn)生等離子體，在低壓下，刻蝕氣體在射頻功率的激發(fā)下，產(chǎn)生電離并形成等離子體，等離子體是由帶電的電子和離子組成，反應(yīng)腔體中的氣體在電子的撞擊下，除了轉(zhuǎn)變成離子外，還能吸收能量并形成大量的活性反應(yīng)基團(tuán)(Radicals) ; (2)活性反應(yīng)基團(tuán)和被刻蝕物質(zhì)表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并形成揮發(fā)性的反應(yīng)生成物；(3)反應(yīng)生成物脫離被刻蝕物質(zhì)表面，并被真空系統(tǒng)抽出腔體。等離子體刻蝕具有選擇性好、各向異性差的特點。等離子體刻蝕的刻蝕氣體包括:四氟化碳(CF4)、四氯化碳(CC14)、六氟化硫(SF6)等，刻蝕氮化硅的刻蝕氣體包括:四氟化碳(CF4)、三氟甲烷(CHF3)、六氟乙烷(C2F6)、六氟化硫(SF6)等。本步驟中選用的刻蝕氣體為六氟化硫(SF6),刻蝕氣體六氟化硫同時能夠去除氮化硅和二氧化硅，但刻蝕二氧化硅的速率相對較慢，六氟化硫基本上不損傷硅，所以選擇六氟化硫氣體刻蝕氮化硅，以去除氮化硅層，而不損傷硅襯底。
[0027]反應(yīng)離子刻蝕結(jié)合了等離子體刻蝕和濺射刻蝕，利用有化學(xué)反應(yīng)性的刻蝕氣體產(chǎn)生具有化學(xué)活性的基團(tuán)和離子。經(jīng)過電場加速的高能離子轟擊被刻蝕材料，產(chǎn)生損傷的表面，這進(jìn)一步加速了活性刻蝕反應(yīng)基團(tuán)與被刻蝕材料的反應(yīng)速率。反應(yīng)離子刻蝕具有選擇性好、各向異性的特點。反應(yīng)離子刻蝕的刻蝕氣體和等離子體刻蝕的刻蝕氣體相同，包括:四氟化碳(CF4)、四氯化碳(CC14)、六氟化硫(SF6)等，刻蝕氮化硅的刻蝕氣體包括:四氟化碳(CF4)、三氟甲烷(CHF3)、六氟乙烷(C2F6)、六氟化硫(SF6)等。本步驟中選用的刻蝕氣體為六氟化硫(SF6),刻蝕氣體六氟化硫同時能夠去除氮化硅和二氧化硅，但刻蝕二氧化硅的速率相對較慢，六氟化硫基本上不損傷硅，所以選擇六氟化硫氣體刻蝕氮化硅，以去除氮化硅層，而不損傷娃襯底。
[0028]干法刻蝕需要選用相應(yīng)的刻蝕設(shè)備，因為有E-CHUCK (靜電吸附)的干法刻蝕設(shè)備在圓片工藝結(jié)束后需要靜電釋放，靜電釋放的壓力會導(dǎo)致圓片跳偏、碎片等問題，造成圓片的損傷；而有CLAMP (壓環(huán))的設(shè)備在進(jìn)行刻蝕工藝時需要壓住圓片的邊緣，從而會導(dǎo)致圓片邊緣的一圈膜層無法被刻蝕。因此本實施例中采用的干法刻蝕設(shè)備選用品牌LamResearch、規(guī)格Lam490的等離子刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備。Lam490設(shè)備沒有E-CHUCK裝置，不存在圓片工藝結(jié)束后靜電釋放導(dǎo)致的圓片跳偏、碎片問題；Lam490設(shè)備沒有CLAMP裝置，不存在圓片邊緣被壓住而導(dǎo)致的圓片邊緣一圈膜層無法被刻蝕的問題；Lam490設(shè)備無被He(氦氣)壓力，沒有靜電吸附，當(dāng)濕法深溝槽刻蝕工藝后剩余膜層厚度較少時，不會由于設(shè)備產(chǎn)生的被He壓力、靜電吸附力等使圓片碎裂。其中，所述被He壓力表示當(dāng)圓片放入設(shè)備進(jìn)行刻蝕工藝時，設(shè)備釋放的氦氣會對圓片造成一定的壓力，簡稱被He。
[0029]在本實施例中，所述干法刻蝕的工藝時間依據(jù)氮化硅層的厚度和所述刻蝕氣體的流量進(jìn)行調(diào)整。圖3示出了實施本步驟后圓片的截面示意圖。
[0030]在步驟102中，利用濕法藥液對圓片進(jìn)行濕法腐蝕，以去除硬質(zhì)掩蔽層中的二氧化娃層。
[0031]在第一實施例中，由步驟101去除了位于最上層的氮化硅層，如圖3所示，去除了氮化硅層后圓片包括:已刻蝕出深溝槽2的半導(dǎo)體硅襯底1、二氧化硅層3，實施本步驟的目的是去除硬質(zhì)掩蔽層中的二氧化硅層3，而不損傷半導(dǎo)體硅襯底I。二氧化硅層3生長可以是在溫度700°C的環(huán)境下由氣體TEOS (tetra-ethy 1-ortho-si I icate )和氧氣形成二氧化硅的過程。TEOS，稱為正硅酸乙酯，又有其他幾種名字，如硅酸乙酯、硅酸四乙酯、亞硅酸乙酯、四乙氧基硅烷、原硅酸四乙酯。常溫下，TEOS為無色液體，熔點-77°C，沸點168.5°C，對空氣較穩(wěn)定，微溶于水，在純水中水解緩慢，在酸或堿的存在下能加速水解作用。由于二氧化硅性質(zhì)比較穩(wěn)定，而且是難溶的物質(zhì)，難溶于水，也難溶于硝酸，但是可以與氫氟酸發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成四氟化硅氣體。因此需要選擇含有氫氟酸的濕法藥液對圓片進(jìn)行濕法腐蝕，以腐蝕掉硬質(zhì)掩蔽層中的二氧化硅層。所述濕法腐蝕的工藝時間依據(jù)二氧化硅層的厚度和所述濕法藥液的濃度進(jìn)行調(diào)整。
[0032]本步驟采用BOE (Buffered Oxide Etch,緩沖氧化物腐蝕)藥液對圓片進(jìn)行濕法腐蝕，以腐蝕硬質(zhì)掩蔽層中的二氧化硅層。所述BOE藥液由氫氟酸(HF)與氟化氨(NH4F)依不同比例混合而成。常用的BOE藥液組成為:氫氟酸(HF):氟化氨(NH4F):水(H2O)=3ml:6g:10ml，其中氫氟酸溶液的濃度為48%。所述BOE藥液對硅(Si)的選擇比很高，幾乎不刻蝕硅，可以有效腐蝕二氧化硅，從而去除二氧化硅層而不會對剩余的半導(dǎo)體硅襯底造成損傷。所述BOE藥液中的氫氟酸起到濕法腐蝕劑的作用，而氟化氨起到緩沖劑的作用。氫氟酸腐蝕二氧化硅的過程可以用如下化學(xué)方程式表示:
[0033]4HF+Si02 — SiF4 ? +2Η20
[0034]其中，HF是氫氟酸的化學(xué)式，S12是二氧化硅的化學(xué)式，SiF4是四氟化硅的化學(xué)式，丨表示氣體，H2O是水的化學(xué)式。從上述化學(xué)方程式可以看出，氫氟酸(HF)與二氧化硅(S12)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)可以生成四氟化硅(SiF4)氣體和水(Η20)。四氟化硅在一般條件下為氣體，但是在有BOE藥液中來不及揮發(fā)便與氫氟酸(HF)生成絡(luò)合物氟硅酸(H2SiF6),與氟化氨(NH4F)生成氟硅酸銨((NH4)2SiF6),反應(yīng)方程式分別如下:
[0035]SiF4+2HF — H2SiF6
[0036]SiF4+2NH4F— (NH4)2SiF6
[0037]氟硅酸(H2SiF6)及氟硅酸銨((NH4)2SiF6)可溶于水。因此所述BOE藥液腐蝕二氧化硅可生成四氟化硅氣體、氟硅酸及氟硅酸銨，部分四氟化硅氣體可以揮發(fā)出去，而氟硅酸及氟硅酸銨溶于水可以直接與圓片分離，從而可以將硬質(zhì)掩蔽層中的二氧化硅去除干凈，而不會對半導(dǎo)體娃襯底造成損傷。
[0038]氟化氨發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氨氣和氫氟酸(HF)，化學(xué)反應(yīng)方程式如下:
[0039]NH4F ^ NH3 丨 +HF
[0040]其中，NH4F是氟化氨的化學(xué)式，NH3是氨氣的化學(xué)式，丨表示氣體，HF是氫氟酸的化學(xué)式，氫氟酸溶于水形成氫氟酸溶液。氟化氨作為緩沖劑可以補(bǔ)充氫氟酸溶液的濃度，可以有效控制氫氟酸腐蝕二氧化硅的速率。
[0041]本實施例中，用所述BOE藥液腐蝕所述圓片中的二氧化硅的工藝時間依據(jù)二氧化硅層的厚度和所述BOE藥液中氫氟酸、氟化氨與水的比例進(jìn)行調(diào)整。圖4示出了實施本步驟后圓片的截面示意圖。
[0042]在本實施例的一個優(yōu)選實施方式中，所述干法刻蝕的類型為等離子體刻蝕。等離子體刻蝕相對反應(yīng)離子刻蝕具有較好的選擇性，對硅襯底損傷較小。
[0043]本實施例通過首先用干法刻蝕工藝去除硬質(zhì)掩蔽層中的氮化硅層，再用濕法腐蝕工藝去除硬質(zhì)掩蔽層中的二氧化硅層，實現(xiàn)了能夠完全去除硬質(zhì)掩蔽層而不會對半導(dǎo)體硅襯底造成損傷的目的，保證后續(xù)特殊工藝的進(jìn)行。
[0044]圖5中示出了本發(fā)明的第二實施例。
[0045]圖5是本發(fā)明第二實施例中的去除深溝槽刻蝕工藝后的圓片的硬質(zhì)掩蔽層的方法的實現(xiàn)流程500。所述圓片包括:已刻蝕出深溝槽的半導(dǎo)體硅襯底、二氧化硅層和氮化硅層，其中，二氧化硅層和氮化硅層組成硬質(zhì)掩蔽層，所述硬質(zhì)掩蔽層用于深溝槽刻蝕工藝時保護(hù)所述半導(dǎo)體硅襯底，所述二氧化硅層位于所述半導(dǎo)體硅襯底和所述氮化硅層之間。
[0046]本實施例所述的去除深溝槽刻蝕工藝后的圓片的硬質(zhì)掩蔽層的方法的實現(xiàn)流程500詳述如下:
[0047]在步驟501中，利用刻蝕氣體對圓片進(jìn)行干法刻蝕，以去除硬質(zhì)掩蔽層中的氮化娃層。
[0048]本實施例中的步驟501同第一實施例中的步驟101，這里不再贅述。
[0049]在步驟502中，利用濕法藥液對圓片進(jìn)行濕法腐蝕，以去除硬質(zhì)掩蔽層中的二氧化娃層。
[0050]本實施例中的步驟502同第一實施例中的步驟102，這里不再贅述。
[0051]在步驟503中，清洗去除硬質(zhì)掩蔽層后的圓片。
[0052]在本實施例中，對去除硬質(zhì)掩蔽層后的圓片進(jìn)行清洗，經(jīng)過步驟502利用BOE藥液腐蝕二氧化硅，由于BOE藥液由氫氟酸與氟化氨混合而成，為了避免氟化氨及BOE藥液與二氧化硅的生成物殘留在所述圓片上，對所述圓片利用純水進(jìn)行多次沖洗。
[0053]本實施例通過首先用刻蝕氣體去除硬質(zhì)掩蔽層中的氮化硅層，再用濕法藥液濕法腐蝕去除硬質(zhì)掩蔽層中的二氧化硅層，所述濕法藥液采用BOE藥液，為了避免BOE藥液中的氟化氨及生成物殘留在圓片上，增加了對圓片進(jìn)行清洗的步驟，這是與第一實施例的區(qū)別。實現(xiàn)了能夠完全去除硬質(zhì)掩蔽層而不會對半導(dǎo)體硅襯底造成損傷的目的，保證后續(xù)特殊工藝的進(jìn)行。
[0054]注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。
【權(quán)利要求】
1.一種去除深溝槽刻蝕工藝后的圓片的硬質(zhì)掩蔽層的方法，所述圓片包括已刻蝕出深溝槽的半導(dǎo)體硅襯底和硬質(zhì)掩蔽層，所述硬質(zhì)掩蔽層包括氮化硅層和二氧化硅層，所述二氧化硅層位于所述半導(dǎo)體硅襯底和所述氮化硅層之間，其特征在于，所述方法包括: 利用刻蝕氣體對所述圓片進(jìn)行干法刻蝕，以去除所述硬質(zhì)掩蔽層中的氮化硅層； 利用濕法藥液對所述圓片進(jìn)行濕法腐蝕，以去除所述硬質(zhì)掩蔽層中的二氧化硅層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除深溝槽刻蝕工藝后的圓片的硬質(zhì)掩蔽層的方法，其特征在于，所述干法刻蝕的類型為等離子體刻蝕。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的去除深溝槽刻蝕工藝后的圓片的硬質(zhì)掩蔽層的方法，其特征在于，所述刻蝕氣體為六氟化硫(SF6)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除深溝槽刻蝕工藝后的圓片的硬質(zhì)掩蔽層的方法，其特征在于，所述濕法藥液包括BOE藥液，所述BOE藥液由氫氟酸與氟化氨混合而成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除深溝槽刻蝕工藝后的圓片的硬質(zhì)掩蔽層的方法，其特征在于，所述干法刻蝕的工藝時間依據(jù)氮化硅層的厚度和所述刻蝕氣體的流量進(jìn)行調(diào)整。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除深溝槽刻蝕工藝后的圓片的硬質(zhì)掩蔽層的方法，其特征在于，所述濕法腐蝕的工藝時間依據(jù)二氧化硅層的厚度和所述濕法藥液所含成分的比例進(jìn)行調(diào)整。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的去除深溝槽刻蝕工藝后的圓片的硬質(zhì)掩蔽層的方法，其特征在于，在所述利用濕法藥液對所述圓片進(jìn)行濕法腐蝕，以去除所述硬質(zhì)掩蔽層中的二氧化硅層的步驟之后還包括:清洗去除所述硬質(zhì)掩蔽層后的圓片。
【文檔編號】H01L21/033GK104347363SQ201310335217
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2013年8月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月2日
【發(fā)明者】徐振宇, 章安娜, 李曉明 申請人:無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司