一種去除硅渣的方法及裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種去除硅渣的方法及裝置，該方法包括：將六氟化硫SF6氣體輸入元器件表面；將所述SF6氣體電離，形成含氟等離子氣體；在含氟等離子氣體與硅渣發(fā)生反應(yīng)的過(guò)程中，抽去所述元器件表面的氣體，直到預(yù)設(shè)的反應(yīng)時(shí)間到達(dá)，獲取去除硅渣后的元器件，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的各向異性機(jī)臺(tái)掃硅渣的效果較差，存在硅渣殘留的問(wèn)題。
【專利說(shuō)明】一種去除娃渣的方法及裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片制造工藝【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種去除硅渣的方法及裝 置。

【背景技術(shù)】
[0002] 半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中，功率元器件產(chǎn)品的金屬層，多采用鋁/硅（1%)/銅（0. 5%) 合金，由于功率元器件產(chǎn)品的尺寸較大，腐蝕時(shí)根據(jù)金屬厚度的不同，分別使用全濕法、全 干法的鋁腐蝕或者"濕+干"錯(cuò)腐蝕。由于在濕法鋁腐蝕工藝流程中，腐蝕液是不腐蝕硅的， 因此，在濕法鋁腐蝕之后，金屬層中的硅將會(huì)殘留了下來(lái)。而在"濕+干"鋁腐蝕的工藝中， 先進(jìn)行濕法鋁腐蝕，其后，必須通過(guò)干法掃硅渣（即通過(guò)干法去除硅渣）來(lái)將其去除干凈，否 則會(huì)影響到后續(xù)的干法鋁腐蝕，不能夠徹底地去除鋁，出現(xiàn)鋁殘留。
[0003] 采用"濕+干"錯(cuò)腐蝕工藝時(shí)，在進(jìn)行濕法鋁腐蝕后，功率元器件產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)如圖1 所不，底層是介質(zhì)層（即ILD，層間介質(zhì))，取上層是PR(Photoresist，光刻|父)，底層和取上層 之間是金屬層(鋁硅銅合金)。介質(zhì)層是芯片中用于將金屬層與其它元器件隔離開(kāi)的介質(zhì)， 一般采用純二氧化硅來(lái)制作，或者，采用含有硼或/和磷的二氧化硅來(lái)制作。腐蝕液通過(guò)最 上層的光刻膠的空缺處進(jìn)入金屬層，腐蝕掉其中的金屬，被腐蝕后的金屬層中將殘留有硅 渣。
[0004] 業(yè)界常用的干法掃硅渣機(jī)臺(tái)為各向同性機(jī)臺(tái)（如AE2001)，也有少部分使用各向異 性機(jī)臺(tái)（如Lam590)。
[0005] 現(xiàn)有的Lam590采用的是CF4氣體進(jìn)行硅渣的刻蝕，由于使用CF4氣體時(shí)會(huì)生成較 多的高分子聚合物附著在硅渣表面，盡管硅渣上方的高分子聚合物會(huì)因HE離子轟擊而被 去除，從而使得含氟離子能夠與硅渣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而去除硅渣，但是由于F的濃度低，化學(xué) 反應(yīng)不是很強(qiáng)烈，因此刻蝕速度較慢，而且由于硅渣側(cè)面的高分子聚合物不能通過(guò)HE離子 轟擊去除，將會(huì)阻擋硅渣側(cè)面的硅與含氟的等離子體的化學(xué)反應(yīng)?？偠灾?，現(xiàn)有技術(shù)中， Lam590采用的是CF4氣體進(jìn)行硅渣的刻蝕，刻蝕速度較慢。由于掃硅渣（即去除硅渣)的時(shí) 間不能過(guò)多，因此，Lam590作業(yè)的干法掃硅渣效果往往比較差，經(jīng)常掃不干凈硅渣，會(huì)有硅 渣殘留，此時(shí)，通常需要將產(chǎn)品返工，這種情況不但造成了人力物力的浪費(fèi)，還容易引起產(chǎn) 品報(bào)廢。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種去除硅渣的方法及裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的各向 異性機(jī)臺(tái)掃硅渣的效果較差，存在硅渣殘留的問(wèn)題。
[0007] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種去除硅渣的方法，包括：
[0008] 將SF6氣體輸入兀器件表面；
[0009] 將該SF6氣體電離，形成含氟等離子氣體；
[0010] 在含氟等離子氣體與硅渣發(fā)生反應(yīng)的過(guò)程中，抽去所述元器件表面的氣體，直到 預(yù)設(shè)的反應(yīng)時(shí)間到達(dá)，獲取去除硅渣后的元器件。
[0011] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種去除硅渣的裝置，包括：
[0012] 氣體輸入設(shè)備，將SF6氣體輸入兀器件表面；
[0013] 電離設(shè)備，將該SF6氣體電離，形成含氟等離子氣體；
[0014] 抽氣泵，在含氟等離子氣體與硅渣發(fā)生反應(yīng)的過(guò)程中，抽去所述元器件表面的氣 體，直到預(yù)設(shè)的反應(yīng)時(shí)間到達(dá)，獲取去除硅渣后的元器件。
[0015] 本發(fā)明實(shí)施例中SF6氣體被電離后，將會(huì)生成含氟等離子氣體，含氟等離子氣體 可以和硅渣發(fā)生反應(yīng)，生成揮發(fā)性的氣體SiF4,達(dá)到刻蝕硅渣的目的，硅與含氟的等離子體 以及活性基發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程時(shí)，不會(huì)生成Polyner (高分子聚合物)，因此，硅渣的表面 僅存在極少量由SF6與光刻膠反應(yīng)生成的高分子聚合物阻擋，不影響硅與含氟的等離子體 的反應(yīng)，故而硅渣側(cè)面的硅也可以和含氟的等離子體反應(yīng)，硅渣會(huì)被橫向刻蝕，也就是達(dá)到 了對(duì)硅渣的縱向和橫向都進(jìn)行刻蝕的目的，總之，本發(fā)明實(shí)施例能夠?qū)柙M(jìn)行各向同性 刻蝕，解決現(xiàn)有技術(shù)使用CF4氣體對(duì)硅渣進(jìn)行各項(xiàng)異性刻蝕時(shí)，刻蝕速率較低、生成高分子 聚合物多、不能徹底去除硅渣的問(wèn)題。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016] 圖1為進(jìn)行鋁腐蝕后，功率元器件產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)圖；
[0017] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例中的去除硅渣的方法流程圖；
[0018] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例中的各項(xiàng)同性刻蝕和現(xiàn)有的各項(xiàng)異性刻蝕的對(duì)比圖；
[0019] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例中元器件的制造過(guò)程示意圖；
[0020] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例中的去除硅渣的裝置示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021] 本發(fā)明實(shí)施例設(shè)計(jì)了一種去除硅渣的方法及裝置，通過(guò)改變掃硅渣的刻蝕方式， 提升了掃硅渣的效果，解決了現(xiàn)有技術(shù)中采用各項(xiàng)異性機(jī)臺(tái)掃硅渣后，有硅渣殘留的問(wèn)題。
[0022] 下面結(jié)合【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
[0023] 參閱圖2所示，本發(fā)明設(shè)計(jì)的去除硅渣的方法的步驟如下：
[0024] 步驟201 :將SF6氣體輸入元器件表面。
[0025] 本發(fā)明實(shí)施例設(shè)計(jì)的去除硅渣的方法既適用于只腐蝕了金屬層的一部分(未腐蝕 到底部）的情況，也適用于將金屬層腐蝕到底部的情況(此時(shí)，金屬層被腐蝕到底部，硅渣殘 留在ILD表面)。實(shí)際應(yīng)用中，在元器件的金屬層經(jīng)過(guò)腐蝕后，將其通過(guò)傳送帶傳送至工藝 腔，然后，可以通過(guò)工藝腔的腐蝕氣體入口將SF6輸入工藝腔中，以達(dá)到將SF6氣體輸入元 器件表面的目的。
[0026] 在將SF6輸入工藝腔之前，如果工藝腔中有空氣等其他氣體，可以通過(guò)工藝腔上 的真空泵抽出其中的氣體,也可以直接向工藝腔內(nèi)輸入SF6氣體，同時(shí)用抽氣泵抽去工藝 腔中的氣體。
[0027] 在去除硅渣的過(guò)程中，工藝腔內(nèi)的溫度最佳范圍在15攝氏度到30攝氏度之間。實(shí) 際應(yīng)用中，需要根據(jù)元器件的硅渣高度確定向元器件表面輸入的SF6氣體的流量，該流量 的值一般在lOsccm到60sccm之間。
[0028] 在將SF6氣體輸入元器件后，需要控制元器件周圍的氣體壓強(qiáng)保持為預(yù)設(shè)的固定 值，一般將預(yù)設(shè)的固定值設(shè)置為lOOmTorr到600mTorr之間的值。
[0029] 由于工藝腔上一般設(shè)有壓力計(jì)，可以通過(guò)壓力計(jì)觀察，并通過(guò)腐蝕氣體入口的MFC (Mass Flow Control)控制輸入工藝腔中的SF6氣體的流量，通過(guò)控制SF6輸入的流量和真 空泵抽出氣體的速率，來(lái)達(dá)到控制工藝腔內(nèi)的壓強(qiáng)達(dá)到穩(wěn)定值的目的。實(shí)際應(yīng)用中，氣體流 量設(shè)定所需要考慮的是硅渣對(duì)光刻膠及氧化層的選擇比。
[0030] 步驟202 :將該SF6氣體電離，形成含氟等離子氣體。
[0031] 較佳地，通過(guò)RF (Radio Frequency,射頻）將上述SF6氣體電離。
[0032] RF也稱RF射頻(或射頻電流)，是一種高頻交流變化電磁波的簡(jiǎn)稱。一般工藝腔 上安裝有射頻功率源，通過(guò)射頻功率源控制RF的發(fā)送以及RF的功率。在實(shí)際應(yīng)用中，在將 SF6氣體輸入元器件表面后，需要在元器件周圍的氣體壓強(qiáng)穩(wěn)定后，才開(kāi)啟射頻功率源，通 過(guò)RF將SF6氣體電離。一般將RF的功率控制在100W到500W之間較佳，RF的功率的具體 值主要是根據(jù)刻蝕硅渣的速率來(lái)決定。
[0033] SF6被電離后，將會(huì)生成含氟等離子氣體，含氟等離子氣體可以和硅渣發(fā)生反應(yīng)， 生成揮發(fā)性的氣體SiF4,達(dá)到刻蝕硅渣的目的。含氟等離子氣體和硅渣發(fā)生反應(yīng)的過(guò)程中， 由于硅與含氟的等離子體以及活性基發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程時(shí)，不會(huì)生成高分子聚合物，因 此，硅渣的表面僅存在極少量由SF6與光刻膠反應(yīng)生成的高分子聚合物阻擋，不影響硅與 含氟的等離子體的反應(yīng)，因此，硅渣側(cè)面的硅也可以和含氟的等離子體發(fā)生充分的反應(yīng)，故 而本發(fā)明實(shí)施例中的硅渣會(huì)被橫向刻蝕，也就是達(dá)到了對(duì)硅渣的縱向和橫向都進(jìn)行刻蝕的 目的，可見(jiàn)本發(fā)明實(shí)施例設(shè)計(jì)的去除硅渣的方法能夠?qū)柙M(jìn)行各項(xiàng)同性刻蝕，解決現(xiàn)有 技術(shù)使用CF4氣體對(duì)硅渣進(jìn)行各項(xiàng)異性刻蝕時(shí)，刻蝕速率較低、生成的高分子聚合物多、不 能徹底去除硅渣的問(wèn)題。
[0034] 參閱圖3所示，各項(xiàng)異性刻蝕只能從上往下刻蝕(即去除硅渣)，不能橫向刻蝕。各 項(xiàng)同性刻蝕在每個(gè)方向上的刻蝕速率都是相同的，因此，相對(duì)于各項(xiàng)異性刻蝕，各項(xiàng)同性刻 蝕能夠更徹底地去除硅渣，并且采用各項(xiàng)同性刻蝕去除硅渣，不會(huì)造成元器件中的其它部 分發(fā)生形狀上的變化。
[0035] 步驟203 :在含氟等離子氣體與硅渣發(fā)生反應(yīng)的過(guò)程中，抽去元器件表面的氣體， 直到預(yù)設(shè)的反應(yīng)時(shí)間到達(dá)，獲取去除硅渣后的元器件。
[0036] 在含氟等離子氣體與硅渣發(fā)生反應(yīng)時(shí)，元器件表面的氣體可能包括反應(yīng)生成物 SiF4氣體、未被電離的SF6氣體和尚未反應(yīng)完的含氟等離子氣體等。
[0037] 實(shí)際應(yīng)用中，抽氣泵從開(kāi)始通入氣體開(kāi)始到刻蝕完成，一直都在工作，持續(xù)抽出工 藝腔中的氣體，在這一過(guò)程中，氣體輸入設(shè)備也會(huì)持續(xù)向工藝腔中通入穩(wěn)定流量的SF6氣 體。預(yù)設(shè)的反應(yīng)時(shí)間到達(dá)后，硅渣刻蝕完成，關(guān)閉RF及氣體的輸入設(shè)備，并將工藝腔內(nèi)的元 器件傳出工藝腔外。預(yù)設(shè)的反應(yīng)時(shí)間一般根據(jù)元器件的硅渣體積及密度確定，一般在10至 80秒之間。由于硅渣一般長(zhǎng)寬高都少于200nm，若因鋁質(zhì)異常導(dǎo)致硅渣體積過(guò)大，適當(dāng)增加 反應(yīng)時(shí)間即可。
[0038] 上述去除硅渣的方法可以應(yīng)用于元器件的制造過(guò)程中，例如，應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片 制造過(guò)程中。圖4為將本發(fā)明實(shí)施例設(shè)計(jì)的去除硅渣的方法應(yīng)用于元器件的制造過(guò)程的示 意圖。首先，進(jìn)行涂膠光刻，即在元器件表面的預(yù)設(shè)區(qū)域涂上預(yù)設(shè)厚度的光刻膠，然后，對(duì)元 器件的金屬層進(jìn)行腐蝕。由于實(shí)際應(yīng)用中，對(duì)金屬層腐蝕的方法包括全濕法鋁腐蝕、全干法 鋁腐蝕和"濕+干"鋁腐蝕，因此，在每次對(duì)元器件的金屬層進(jìn)行腐蝕后，都需要去除一次硅 渣。例如，在采用"濕+干"鋁腐蝕中的濕法鋁腐蝕進(jìn)行金屬層的腐蝕后，先去除一次硅渣， 然后再采用"濕+干"錯(cuò)腐蝕中的干法鋁腐蝕進(jìn)行金屬層的腐蝕，此后，再去除一次硅渣。在 整個(gè)元器件的制作流程中的去除硅渣都進(jìn)行完畢后，對(duì)去除硅渣后的元器件進(jìn)行去膠(去 除光刻膠）和清洗。
[0039] 下面舉例說(shuō)明將上述去除硅渣的方法應(yīng)用在Lam590中時(shí)的具體過(guò)程。
[0040] 通過(guò)傳送片將元器件傳送到Lam590的工藝腔中，然后通過(guò)真空泵將工藝腔中的 空氣抽出（可以一直抽到真空狀態(tài))，從工藝腔的腔體頂部通入SF6,直到工藝腔的墻體中的 氣壓達(dá)到預(yù)設(shè)的固定值。在工藝腔內(nèi)的壓強(qiáng)穩(wěn)定后，打開(kāi)射頻功率源，將工藝腔內(nèi)的氣體 (即SF6)電離，形成含氟等離子氣體，此時(shí)，硅渣中的硅將與含氟的等離子體以及活性基發(fā) 生化學(xué)反應(yīng)，生成揮發(fā)性的SiF4,從而實(shí)現(xiàn)去除硅渣的目的。在將硅渣轉(zhuǎn)化成SiF4的過(guò)程 中，不斷從工藝腔的腔體頂部輸入SF6,通過(guò)射頻功率源不斷射頻將SF6電離，并且通過(guò)真 空泵不斷地會(huì)抽走生成的SiF4,從而使得工藝腔內(nèi)的壓強(qiáng)盡量保持為預(yù)設(shè)的固定值。
[0041] 本發(fā)明實(shí)施例設(shè)計(jì)的去除硅渣的方法可以應(yīng)用在Lam590上，通過(guò)改變掃硅渣的 刻蝕方式，在不增加成本的前提下，提升了掃硅渣的效果，解決了 Lam590在掃硅渣時(shí)，刻蝕 速率低、有硅渣殘留的問(wèn)題。
[0042] 參閱圖5所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種去除硅渣的裝置，包括：
[0043] 氣體輸入設(shè)備501，將SF6氣體輸入兀器件表面；
[0044] 電離設(shè)備502,將該SF6氣體電離，形成含氟等離子氣體；
[0045] 抽氣泵503,在含氟等離子氣體與硅渣發(fā)生反應(yīng)后，抽去上述元器件表面的氣體， 得到去除硅渣后的元器件。
[0046] 上述氣體輸入設(shè)備501具體用于，在去除硅渣的過(guò)程中，控制溫度在15攝氏度到 30攝氏度之間，并控制上述元器件周圍的氣體壓強(qiáng)保持預(yù)設(shè)的固定值，該預(yù)設(shè)的固定值在 lOOmTorr 到 600mTor;r 之間。
[0047] 上述氣體輸入設(shè)備501具體用于，根據(jù)上述元器件的硅渣體積確定向上述元器件 表面輸入的SF6氣體的流量。例如，在上述元器件的硅渣大小在高度不超過(guò)200nm時(shí)，確定 輸入的SF6氣體的流量在lOsccm到60sccm之間。
[0048] 電離設(shè)備502具體用于，通過(guò)RF將上述SF6氣體電離時(shí)，并控制上述RF的功率在 100W到350W之間。
[0049] 上述抽氣泵503，具體用于：
[0050] 在含氟等離子氣體與硅渣發(fā)生反應(yīng)的過(guò)程中，持續(xù)抽去上述元器件表面的反應(yīng)生 成物SiF4氣體、未被電離的SF6氣體和尚未反應(yīng)完的含氟等離子氣體；根據(jù)上述兀器件的 硅渣體積及密度，確定上述預(yù)設(shè)的反應(yīng)時(shí)間，獲取去除硅渣后的元器件，其中，上述預(yù)設(shè)的 反應(yīng)時(shí)間在10至80秒之間。
[0051] 本發(fā)明實(shí)施例中SF6氣體被電離后，將會(huì)生成含氟等離子氣體，含氟等離子氣體 可以和硅渣發(fā)生反應(yīng)，生成揮發(fā)性的氣體SiF4,達(dá)到刻蝕硅渣的目的，硅與含氟的等離子體 以及活性基發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程時(shí)，不會(huì)生成高分子聚合物，因此，硅渣的表面僅有SF6與 PR反應(yīng)生成的極少量高分子聚合物阻擋，對(duì)含氟的等離子體與硅渣反應(yīng)的影響可以忽略， 故而硅渣側(cè)面的硅也可以和含氟的等離子體反應(yīng)，硅渣會(huì)被橫向刻蝕，也就是達(dá)到了對(duì)硅 渣的縱向和橫向都進(jìn)行刻蝕的目的，總之，本發(fā)明實(shí)施例能夠?qū)柙M(jìn)行各項(xiàng)同性刻蝕，解 決現(xiàn)有技術(shù)使用CF4氣體對(duì)硅渣進(jìn)行各項(xiàng)異性刻蝕時(shí)，刻蝕速率較低、不能徹底去除硅渣 的問(wèn)題。
[0052] 盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造 性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例做出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu) 選實(shí)施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0053] 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā) 明實(shí)施例的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明實(shí)施例的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求 及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種去除硅渣的方法，其特征在于，包括： 將六氟化硫SF6氣體輸入兀器件表面； 將所述SF6氣體電離，形成含氟等離子氣體； 在含氟等離子氣體與硅渣發(fā)生反應(yīng)的過(guò)程中，抽去所述元器件表面的氣體，直到預(yù)設(shè) 的反應(yīng)時(shí)間到達(dá)，獲取去除硅渣后的元器件。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，包括： 在去除硅渣的過(guò)程中，控制溫度在15攝氏度到30攝氏度之間，并控制所述元器件周圍 的氣體壓強(qiáng)保持預(yù)設(shè)的固定值，所述預(yù)設(shè)的固定值在lOOmTorr到600mTorr之間。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將所述SF6氣體電離，具體包括： 通過(guò)射頻RF將所述SF6氣體電離，并控制所述RF的功率在100W到500W之間。
4. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括： 根據(jù)所述元器件的硅渣高度確定向所述元器件表面輸入的SF6氣體的流量，其中，所 述元器件的娃漁的高度不超過(guò)200nm時(shí)，所述SF6氣體的流量在lOsccm到60sccm之間。
5. 如權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在含氟等離子氣體與娃漁發(fā)生 反應(yīng)的過(guò)程中，抽去所述元器件表面的氣體，直到預(yù)設(shè)的反應(yīng)時(shí)間到達(dá)，得到去除硅渣后的 元器件，具體包括： 在含氟等離子氣體與硅渣發(fā)生反應(yīng)的過(guò)程中，持續(xù)抽去所述元器件表面的反應(yīng)生成物 四氟化娃SiF4氣體、未被電離的SF6氣體和尚未反應(yīng)完的含氟等離子氣體； 根據(jù)所述元器件的硅渣體積及密度，確定所述預(yù)設(shè)的反應(yīng)時(shí)間，獲取去除硅渣后的元 器件，其中，所述預(yù)設(shè)的反應(yīng)時(shí)間在10至80秒之間。
6. -種去除硅渣的裝置，其特征在于，包括： 氣體輸入設(shè)備，將六氟化硫SF6氣體輸入兀器件表面； 電離設(shè)備，將所述SF6氣體電離，形成含氟等離子氣體； 抽氣泵，在含氟等離子氣體與硅渣發(fā)生反應(yīng)過(guò)程中，抽去所述元器件表面的氣體，直到 預(yù)設(shè)的反應(yīng)時(shí)間到達(dá)，獲取去除硅渣后的元器件。
7. 如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述氣體輸入設(shè)備，具體用于在去除硅渣的 過(guò)程中，控制溫度在15攝氏度到30攝氏度之間，并控制所述元器件周圍的氣體壓強(qiáng)保持預(yù) 設(shè)的固定值，所述預(yù)設(shè)的固定值在lOOmTorr到600mTorr之間。
8. 如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述電離設(shè)備具體用于，通過(guò)RF將所述SF6 氣體電離，并控制所述RF的功率在100W到500W之間。
9. 如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述氣體輸入設(shè)備，具體用于： 根據(jù)所述元器件的硅渣體積，控制向所述元器件表面輸入的SF6氣體的流量在lOsccm 到60sccm之間。
10. 如權(quán)利要求6-9中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述抽氣泵，具體用于： 在含氟等離子氣體與硅渣發(fā)生反應(yīng)的過(guò)程中，抽去所述元器件表面的反應(yīng)生成物四氟 化娃SiF4氣體、未被電離的SF6氣體和尚未反應(yīng)完的含氟等離子氣體；根據(jù)所述兀器件的 硅渣體積及密度，確定所述預(yù)設(shè)的反應(yīng)時(shí)間，獲取去除硅渣后的元器件，其中，所述預(yù)設(shè)的 反應(yīng)時(shí)間在10至80秒之間。
【文檔編號(hào)】H01L21/3213GK104157568SQ201310177741
【公開(kāi)日】2014年11月19日 申請(qǐng)日期:2013年5月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月14日
【發(fā)明者】李方華, 陳定平 申請(qǐng)人:北大方正集團(tuán)有限公司, 深圳方正微電子有限公司