一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括陽極基板、功能層、發(fā)光層、陰極和封裝層，陽極基板和封裝層形成封閉空間，功能層、發(fā)光層和陰極容置在封閉空間內(nèi)，封裝層依次包括混合阻擋層和無機(jī)阻擋層，混合阻擋層的材質(zhì)為第一有機(jī)材料、第二有機(jī)材料與無機(jī)材料三者混合形成的混合材料，第一有機(jī)材料為金屬酞菁化合物，第二有機(jī)材料為TAPC、NPB、Alq3、m-MTDATA、BCP或TPBi，無機(jī)材料為金屬氟化物；無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧化鈦、氧化鎂、二氧化硅、氧化鋯、氧化鋅或氧化鋁。本發(fā)明還提供了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。該方法可有效減少水、氧對(duì)器件的侵蝕，提高器件壽命。
【專利說明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在透明陽極和金屬陰極之間夾有多層有機(jī)材料薄膜(空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子輸送層和電子注入層)，當(dāng)電極間施加一定的電壓后，發(fā)光層就會(huì)發(fā)光。近年來，有機(jī)電致發(fā)光器件由于本身制作成本低、響應(yīng)時(shí)間短、發(fā)光亮度高、寬視角、低驅(qū)動(dòng)電壓以及節(jié)能環(huán)保等特點(diǎn)已經(jīng)在全色顯示、背光源和照明等領(lǐng)域受到了廣泛關(guān)注，并被認(rèn)為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場(chǎng)上占據(jù)霸主地位的新一代器件。
[0003]目前，有機(jī)電致發(fā)光器件存在壽命較短的問題，這主要是因?yàn)橛袡C(jī)材料薄膜很疏松，易被空氣中的水汽和氧氣等成分滲入后迅速發(fā)生老化。因此，有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)入實(shí)際使用之前必須進(jìn)行封裝，封裝的好壞直接關(guān)系到有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。
[0004]傳統(tǒng)技術(shù)中采用玻璃蓋或金屬蓋進(jìn)行封裝，其邊沿用紫外聚合樹脂密封，但這種方法中使用的玻璃蓋或金屬蓋體積往往較大，增加了器件的重量，并且該方法不能應(yīng)用于柔性有機(jī)電致放光器件的封裝。以及，現(xiàn)有的有機(jī)電致發(fā)光器件通常不能提供良好的透光率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。該制備方法可有效地減少水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。本發(fā)明方法適用于以導(dǎo)電玻璃基板制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，也適用于以塑料或金屬為基底制備的柔性有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明方法尤其適用于封裝柔性有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0006]一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊設(shè)置的陽極基板、發(fā)光功能層、陰極和封裝層，所述封裝層包括依次層疊的混合阻擋層和無機(jī)阻擋層，
[0007]所述混合阻擋層的材質(zhì)為第一有機(jī)材料、第二有機(jī)材料與無機(jī)材料三者混合形成的混合材料，所述第一有機(jī)材料為金屬酞菁化合物，所述第二有機(jī)材料為1，1-二((4-N，N, -二 (對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7 一二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉或1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述無機(jī)材料為氟化鋰、氟化銫、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇；在所述混合阻擋層的材質(zhì)中，所述第一有機(jī)材料占所述混合阻擋層總質(zhì)量的40%?60%，所述無機(jī)材料的質(zhì)量占所述混合阻擋層總質(zhì)量的10%?30% ；
[0008]所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧化鈦、氧化鎂、二氧化硅、氧化鋯、氧化鋅或氧化鋁。
[0009]優(yōu)選地，陽極基板為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯基板。
[0010]優(yōu)選地，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
[0011]本發(fā)明中，空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和發(fā)光層的材質(zhì)不作具體限定，本領(lǐng)域現(xiàn)有材料均適用于本發(fā)明。
[0012]陰極可以為非透明金屬陰極(鋁、銀、金等)，也可以為透明陰極(介質(zhì)層夾雜金屬層形成的介質(zhì)層/金屬層/介質(zhì)層結(jié)構(gòu)等)。
[0013]封裝層包括依次層疊的混合阻擋層和無機(jī)阻擋層。即所述無機(jī)阻擋層形成在混合阻擋層上。
[0014]混合阻擋層通過真空蒸鍍的方式沉積在陰極表面。
[0015]混合阻擋層的材質(zhì)為第一有機(jī)材料、第二有機(jī)材料與無機(jī)材料三者混合形成的混合材料。
[0016]第一有機(jī)材料為金屬酞菁化合物。優(yōu)選地，金屬酞菁化合物為酞菁銅(CuPc)、酞菁鋅(ZnPc)、酞菁鐵(FePc)、酞菁鈷(CoPc)、酞菁猛(MnPc)或酞菁鎳(NiPc)。金屬酞菁化合物的存在能使混合阻擋層的膜層致密度提高，且能使整個(gè)膜層存在一個(gè)應(yīng)力，從而有效防止膜層發(fā)生皺裂，提高膜層穩(wěn)定性。
[0017]第二有機(jī)材料為1，1-二((4-N，N' -二(對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4，7 — 二苯基一1,10 -鄰菲羅啉(BCP)或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。第二有機(jī)材料的存在能有效提高混合阻擋層的整個(gè)膜層的平整度，減少封裝層存在縫隙。
[0018]無機(jī)材料為金屬氟化物，可以為氟化鋰(LiF )、氟化銫(CeF2)、氟化鎂(MgF2)、氟化鋁(AlF3)、氟化鈣(CaF2)或氟化鋇(BaF2)。金屬氟化物具有較強(qiáng)的防腐蝕性能，從而能有效提高混合阻擋層的整個(gè)膜層的防外界腐蝕性能。
[0019]混合阻擋層采用上述三種材料共蒸鍍制備，所得膜層熱穩(wěn)定性高，致密性高，平整度好，從而能有效阻擋外界水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，延長器件使用壽命O
[0020]無機(jī)阻擋層通過磁控濺射的方式沉積在混合阻擋層表面。
[0021]無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧化鈦(T i O2)、氧化鎂(MgO )、二氧化硅(S i O2)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鋅(ZnO)或氧化鋁(Al2O3X
[0022]無機(jī)阻擋層為高吸水吸氧性物質(zhì)膜層，其存在可以保護(hù)陰極在后續(xù)操作條件下免遭破壞，延長水、氧滲透路徑，有效減少外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕。
[0023]優(yōu)選地，混合阻擋層的厚度為100?200nm,無機(jī)阻擋層的厚度為50?lOOnm。
[0024]混合阻擋層的層數(shù)不限，可以為單層，也可以為兩層或多層。無機(jī)阻擋層的層數(shù)不限，可以為單層，也可以為兩層或多層。優(yōu)選地，混合阻擋層與無機(jī)阻擋層交替疊層設(shè)置4?6次。此時(shí)，混合阻擋層與無機(jī)阻擋層均為多層且層數(shù)相同。
[0025]另一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0026]在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極；
[0027]通過真空蒸鍍的方式在所述陰極表面蒸鍍制備混合阻擋層，再采用磁控濺射的方式在所述混合阻擋層上制備無機(jī)阻擋層形成封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0028]所述混合阻擋層的材質(zhì)為第一有機(jī)材料、第二有機(jī)材料與無機(jī)材料三者混合形成的混合材料，所述第一有機(jī)材料為金屬酞菁化合物，所述第二有機(jī)材料為1，1-二((4-N，N, -二 (對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7 一二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉或1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述無機(jī)材料為氟化鋰、氟化銫、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇；在所述混合阻擋層的材質(zhì)中，第一有機(jī)材料占所述混合阻擋層總質(zhì)量的40%?60%，無機(jī)材料的質(zhì)量占所述混合阻擋層總質(zhì)量的10%?30% ；
[0029]所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧化鈦、氧化鎂、二氧化硅、氧化鋯、氧化鋅或氧化鋁；
[0030]所述真空蒸鍍過程中的真空度為I X 1-5Pa?I X 10?,所述第一有機(jī)材料的蒸發(fā)速度為0.5人~ Skh；所述磁控濺射過程中的本底真空度為IX 10_5Pa?IX 10?,濺射過程通入氬氣和甲烷，氬氣通入流量為5?15sccm，甲烷通入流量為10?20sccm。
[0031]優(yōu)選地，陽極基板為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯基板。
[0032]優(yōu)選地，將陽極基板進(jìn)行如下清潔處理:依次進(jìn)行洗潔精清洗、乙醇清洗、純水清洗和乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，然后再用烘箱烘干待用，再對(duì)洗凈后的陽極基板進(jìn)行表面活化處理。
[0033]優(yōu)選地，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
[0034]本發(fā)明中，空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和發(fā)光層的材質(zhì)不作具體限定，本領(lǐng)域現(xiàn)有材料均適用于本發(fā)明。
[0035]陰極可以為非透明金屬陰極(鋁、銀、金等)，也可以為透明陰極(介質(zhì)層夾雜金屬層形成的介質(zhì)層/金屬層/介質(zhì)層結(jié)構(gòu)等)。
[0036]封裝層包括依次層疊的混合阻擋層和無機(jī)阻擋層。
[0037]混合阻擋層通過真空蒸鍍的方式沉積在陰極表面。
[0038]混合阻擋層的材質(zhì)為第一有機(jī)材料、第二有機(jī)材料與無機(jī)材料三者混合形成的混合材料。
[0039]第一有機(jī)材料為金屬酞菁化合物。優(yōu)選地，金屬酞菁化合物為酞菁銅(CuPc)、酞菁鋅(ZnPc )、酞菁鐵(FePc )、酞菁鈷(CoPc )、酞菁猛(MnPc )或酞菁鎳(NiPc )。
[0040]第二有機(jī)材料為1，1-二((4-N，N' -二(對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4，7 — 二苯基一1,10 -鄰菲羅啉(BCP)或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。
[0041 ] 無機(jī)材料為金屬氟化物，可以為氟化鋰(LiF )、氟化銫(CeF2)、氟化鎂(MgF2)、氟化鋁(AlF3)、氟化鈣(CaF2)或氟化鋇(BaF2)。
[0042]混合阻擋層采用上述三種材料混合摻雜共蒸鍍制備，所得膜層熱穩(wěn)定性高，致密性高，從而能有效阻擋外界水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，延長器件使用壽命O
[0043]混合阻擋層的蒸鍍制備過程中的真空度為I X 1-5Pa?I X 10?,第一有機(jī)材料的蒸發(fā)速度為0.5人~ 5A/s。所述第二有機(jī)材料與無機(jī)材料的蒸發(fā)速率依三者的質(zhì)量比而定。所述第一有機(jī)材料、第二有機(jī)材料和無機(jī)材料的蒸發(fā)速度比為4?6:1?5:1?3。
[0044]無機(jī)阻擋層通過磁控濺射的方式沉積在混合阻擋層表面。
[0045]無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧化鈦(T12)、氧化鎂(MgO)、二氧化硅(S12)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鋅(ZnO)或氧化鋁(Al2O3X
[0046]無機(jī)阻擋層為高吸水吸氧性物質(zhì)膜層，其存在可以保護(hù)陰極在后續(xù)操作條件下免遭破壞，延長水、氧滲透路徑，有效減少外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕。
[0047]磁控濺射過程中的本底真空度為I X 1-5Pa?I X 10?,濺射過程通入氬氣和甲燒，IS氣通入流量為5?15sccm,甲燒通入流量為10?20sccm。
[0048]優(yōu)選地，混合阻擋層的厚度為100?200nm,無機(jī)阻擋層的厚度為50?lOOnm。
[0049]混合阻擋層的層數(shù)不限，可以為單層，也可以為兩層或多層。無機(jī)阻擋層的層數(shù)不限，可以為單層，也可以為兩層或多層。優(yōu)選地，混合阻擋層與無機(jī)阻擋層交替疊層設(shè)置4?6次。即先在陰極表面蒸鍍制備第一混合阻擋層，然后在第一混合阻擋層表面磁控濺射制備第一無機(jī)阻擋層，再在第一無機(jī)阻擋層表面蒸鍍制備第二混合阻擋層，依此交替制備多層混合阻擋層與無機(jī)阻擋層。此時(shí)，混合阻擋層與無機(jī)阻擋層層數(shù)相同。
[0050]本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法具有以下有益效果:
[0051](I)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的混合阻擋層和無機(jī)阻擋層的存在可以保護(hù)功能層和陰極在后續(xù)操作過程中免遭破壞，同時(shí)可有效地減少水汽對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命；
[0052](2)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR)達(dá)到10_4g/m2.day，器件壽命(T70il000cd/m2)達(dá) 4500 小時(shí)以上；
[0053](3)本發(fā)明方法適用于封裝以導(dǎo)電玻璃為陽極基板制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，也適用于封裝以塑料或金屬為陽極基底制備的柔性有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明方法尤其適用于封裝柔性有機(jī)電致發(fā)光器件，本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝面透光率可達(dá)到68%以上；
[0054](4)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件材料廉價(jià)，封裝方法工藝簡(jiǎn)單，易大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模使用。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0055]圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0056]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0057]實(shí)施例1
[0058]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0059](I)在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極
[0060]a.導(dǎo)電玻璃基板的前處理
[0061]取ITO玻璃基板，依次進(jìn)行丙酮清洗、乙醇清洗、純水清洗和乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，烘干后，對(duì)洗凈后的ITO玻璃基板進(jìn)行表面活化處理；ΙΤ0厚度10nm;
[0062]b.發(fā)光功能層和陰極的制備
[0063]采用真空蒸鍍的方法在ITO玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極；
[0064]空穴注入層的制備:將MoO3摻雜入N，N’-二苯基-N，N’-二 (1-萘基聯(lián)苯-4，4’-二胺(NPB)中作為空穴注入層材料，摻雜質(zhì)量濃度為30%，厚度為10nm，真空度
3父10-%，蒸發(fā)速度0.1人/5;
[0065]空穴傳輸層的制備:采用4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，真空度3 X 1-5Pa,蒸發(fā)速度0.1A/S，蒸發(fā)厚度30nm ；
[0066]發(fā)光層的制備:主體材料采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)，客體材料摻雜質(zhì)量濃度為5%，將主體材料與客體材料混合摻雜后共蒸，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2A/S，蒸發(fā)厚度20nm ；
[0067]電子傳輸層的制備:釆用4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸材料，真空度3 X 10?,蒸發(fā)速度0.1A/S,蒸發(fā)厚度1nm ；
[0068]電子注入層的制備:將CsN3摻入4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)中作為電子注入層材料，摻雜質(zhì)量濃度30%，真空度3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S,蒸發(fā)厚度20nm ；
[0069]陰極的制備:陰極采用ZnS/Ag/ZnS，ZnS厚度30nm，Ag厚度10nm，真空度為I X l(T5Pa,蒸發(fā)速度為I A/s。
[0070](2)在陰極上制備封裝層
[0071]通過真空蒸鍍的方式在陰極表面制備有一層厚度為150nm的混合阻擋層；
[0072]混合阻擋層的材質(zhì)包括酞菁鎳(NiPc)，TPBi和BaF2,混合阻擋層由NiPc，TPBi和BaF2按質(zhì)量比為4:5:1混合共蒸鍍制備，蒸鍍過程的真空度為IX 10_3Pa，NiPc的蒸發(fā)速度為5A/S, NiPc，TPBi和BaF2的蒸發(fā)速度之比為4:5:1 ；
[0073]通過磁控濺射的方式在混合阻擋層上制備厚度為70nm的Al2O3層作為無機(jī)阻擋層，磁控濺射過程中的本底真空度為lX10_3Pa，通入Ar和CH4, Ar流量為7sCCm，aV流量為13sccm ；
[0074]混合阻擋層和無機(jī)阻擋層交替重復(fù)制備4層，形成封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0075]本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR，cc/m2.day)為
9.0Χ10Λ 壽命(T70@1000cd/m2)為 4500 小時(shí)，透光率為 75%。
[0076]圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括ITO玻璃基板1、空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、電子注入層6、陰極7和封裝層8。所述封裝層8包括4層厚度為150nm的混合阻擋層81、83、85和87、4層厚度為70nm的無機(jī)阻擋層82、84、86和88。
[0077]實(shí)施例2
[0078]—種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0079](I)在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極
[0080]與實(shí)施例1同。
[0081](2)在陰極上制備封裝層
[0082]通過真空蒸鍍的方式在陰極表面制備有一層厚度為150nm的混合阻擋層；
[0083]混合阻擋層的材質(zhì)包括酞菁鋅(ZnPc)，NPB和CeF2,混合阻擋層由ZnPc，NPB和CeF2按質(zhì)量比為5:4:1混合共蒸鍍制備，蒸鍍過程的真空度為5X 10_5Pa，ZnPc的蒸發(fā)速度為0.5A/S，ZnPc, NPB和CeF2的蒸發(fā)速度之比為5:4:1 ；
[0084]通過磁控濺射的方式在混合阻擋層上制備厚度為10nm的MgO層作為無機(jī)阻擋層，磁控濺射過程中的本底真空度為I X10_5Pa，通入Ar和CH4, Ar流量為5sCCm，aV流量為15sccm ；
[0085]混合阻擋層和無機(jī)阻擋層交替重復(fù)制備6層，形成封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0086]本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR, cc/m2.day)為
6.8Χ10Λ 壽命(T70@1000cd/m2)為 4611 小時(shí)，透光率為 69%。
[0087]實(shí)施例3
[0088]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0089](I)在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極
[0090]與實(shí)施例1同。
[0091](2)在陰極上制備封裝層
[0092]通過真空蒸鍍的方式在陰極表面制備有一層厚度為10nm的混合阻擋層；
[0093]混合阻擋層的材質(zhì)包括酞菁鐵(FePc)，Alq3和MgF2,混合阻擋層由FePc，Alq3和MgF2按質(zhì)量比為5:3:2混合共蒸鍍制備，蒸鍍過程的真空度為5X 10_5Pa，F(xiàn)ePc的蒸發(fā)速度為2A/S，F(xiàn)ePc，Alq3和MgF2的蒸發(fā)速度之比為5:3:2 ；
[0094]通過磁控濺射的方式在混合阻擋層上制備厚度為50nm的S12層作為無機(jī)阻擋層，磁控濺射過程中的本底真空度為I X10_5Pa，通入Ar和CH4, Ar流量為7sCCm，aV流量為1sccm ；
[0095]混合阻擋層和無機(jī)阻擋層交替重復(fù)制備6層，形成封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0096]本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR, cc/m2.day)為
7.2Χ10Λ 壽命(T70@1000cd/m2)為 4586 小時(shí)，透光率為 70%。
[0097]實(shí)施例4
[0098]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0099](I)在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極
[0100]與實(shí)施例1同。
[0101](2)在陰極上制備封裝層
[0102]通過真空蒸鍍的方式在陰極表面制備有一層厚度為150nm的混合阻擋層；
[0103]混合阻擋層的材質(zhì)包括酞菁鈷(CoPc)，m-MTDATA和AlF3,混合阻擋層由CoPc，m-MTDATA和AlF3按質(zhì)量比為5:2:3混合共蒸鍍制備，蒸鍍過程的真空度為5 X 10_5Pa，CoPc的蒸發(fā)速度為3A/S，CoPc, m-MTDATA和AlF3的蒸發(fā)速度之比為5:2:3 ;
[0104]通過磁控濺射的方式在混合阻擋層上制備厚度為10nm的ZrO2層作為無機(jī)阻擋層，磁控濺射過程中的本底真空度為5 X 10_5Pa，通入Ar和CH4, Ar流量為15sCCm，CH4流量為 15sccm ；
[0105]混合阻擋層和無機(jī)阻擋層交替重復(fù)制備5層，形成封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0106]本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR, cc/m2.day)為
7.9Χ10Λ 壽命(T70@1000cd/m2)為 4554 小時(shí)，透光率為 72%。
[0107]實(shí)施例5
[0108]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0109](I)在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極
[0110]與實(shí)施例1同。
[0111](2)在陰極上制備封裝層
[0112]通過真空蒸鍍的方式在陰極表面制備有一層厚度為150nm的混合阻擋層；
[0113]混合阻擋層的材質(zhì)包括酞菁錳(MnPc)，BCP和CaF2,混合阻擋層由MnPc，BCP和CaF2按質(zhì)量比為6:1:3混合共蒸鍍制備，蒸鍍過程的真空度為5X 10_5Pa，MnPc的蒸發(fā)速度為lA/s，MnPc, BCP和CaF2的蒸發(fā)速度之比為6:1:3 ；
[0114]通過磁控濺射的方式在混合阻擋層上制備厚度為SOnm的ZnO層作為無機(jī)阻擋層，磁控濺射過程中的本底真空度為5X10_5Pa，通入Ar和CH4, Ar流量為5sCCm，CH4流量為20sccm ；
[0115]混合阻擋層和無機(jī)阻擋層交替重復(fù)制備5層，形成封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0116]本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR, cc/m2.day)為
8.2Χ10Λ 壽命(T70@1000cd/m2)為 4521 小時(shí)，透光率為 73%。
[0117]實(shí)施例6
[0118]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0119]( I)在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極
[0120]與實(shí)施例1同。
[0121](2)在陰極上制備封裝層
[0122]通過真空蒸鍍的方式在陰極表面制備一層厚度為200nm的混合阻擋層；
[0123]混合阻擋層的材質(zhì)包括酞菁銅(CuPc)，TAPC和LiF，混合阻擋層由CuPc，TAPC和LiF按質(zhì)量比為5:2:3混合共蒸鍍制備，蒸鍍過程的真空度為lX10_5Pa，CuPc的蒸發(fā)速度為I A,S CuPc, TAPC和LiF的蒸發(fā)速度之比為5:2:3 ;
[0124]通過磁控濺射的方式在混合阻擋層上制備厚度為10nm的氧化鈦T12層作為無機(jī)阻擋層，磁控濺射過程中的本底真空度為I X 10_5Pa，通入Ar和CH4, Ar流量為lOsccm，CH4流量為20sccm ；
[0125]混合阻擋層和無機(jī)阻擋層交替重復(fù)制備6層，形成封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0126]本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR，cc/m2.day)為
6.4Χ10Λ 壽命(T70@1000cd/m2)為 4670 小時(shí)，透光率為 68%。
[0127]綜上，本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法可有效地減少水汽和氧對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命，并且能夠保護(hù)陰極免遭破壞，提高封裝面的透光率。
[0128]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊設(shè)置的陽極基板、發(fā)光功能層、陰極和封裝層，其特征在于，所述封裝層包括依次層疊的混合阻擋層和無機(jī)阻擋層， 所述混合阻擋層的材質(zhì)為第一有機(jī)材料、第二有機(jī)材料與無機(jī)材料三者混合形成的混合材料，所述第一有機(jī)材料為金屬酞菁化合物，所述第二有機(jī)材料為1，1-二((4-N，N' -二(對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、N，N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)_1，I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7 —二苯基一 1，10—鄰菲羅啉或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述無機(jī)材料為氟化鋰、氟化銫、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇；在所述混合阻擋層的材質(zhì)中，所述第一有機(jī)材料占所述混合阻擋層總質(zhì)量的40%?60%，所述無機(jī)材料的質(zhì)量占所述混合阻擋層總質(zhì)量的10% ?30% ； 所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧化鈦、氧化鎂、二氧化硅、氧化鋯、氧化鋅或氧化鋁。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬酞菁化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳或酞菁鎳。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述混合阻擋層的厚度為100?200nm,所述無機(jī)阻擋層的厚度為50?lOOnm。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述混合阻擋層與所述無機(jī)阻擋層交替疊層設(shè)置4?6次。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極； 通過真空蒸鍍的方式在所述陰極表面蒸鍍制備混合阻擋層，再采用磁控濺射的方式在所述混合阻擋層上制備無機(jī)阻擋層形成封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件； 所述混合阻擋層的材質(zhì)為第一有機(jī)材料、第二有機(jī)材料與無機(jī)材料三者混合形成的混合材料，所述第一有機(jī)材料為金屬酞菁化合物，所述第二有機(jī)材料為1，1-二((4-N，N' -二(對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、N，N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)_1，I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7 —二苯基一 1，10—鄰菲羅啉或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述無機(jī)材料為氟化鋰、氟化銫、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇；在所述混合阻擋層的材質(zhì)中，所述第一有機(jī)材料占所述混合阻擋層總質(zhì)量的40%?60%，所述無機(jī)材料的質(zhì)量占所述混合阻擋層總質(zhì)量的10% ?30% ； 所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧化鈦、氧化鎂、二氧化硅、氧化鋯、氧化鋅或氧化鋁； 所述真空蒸鍍過程中的真空度為lX10_5Pa?lX10_3Pa，所述第一有機(jī)材料的蒸發(fā)速度為0.5A ~ 5A/S ；所述磁控濺射過程中的本底真空度為I X 10_5Pa?I X 10?,濺射過程通入氬氣和甲烷，氬氣通入流量為5?15sccm，甲烷通入流量為10?20sccm。
7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述金屬酞菁化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳或酞菁鎳。
8.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述混合阻擋層的厚度為100?200nm,所述無機(jī)阻擋層的厚度為50?lOOnm。
9.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述混合阻擋層與所述無機(jī)阻擋層交替疊層設(shè)置4?6次。
10.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
【文檔編號(hào)】H01L51/54GK104167503SQ201310186432
【公開日】2014年11月26日 申請(qǐng)日期:2013年5月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月20日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 張振華, 王平 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司