技術(shù)特征：
1.一種摻鍺的銅鋅錫硫硒薄膜制備方法，其特征在于，包括以下步驟：步驟一、制備CuS納米顆粒；步驟二、制備摻Ge的前驅(qū)體漿料：將CuS納米顆粒與Zn源、Sn源、Ge源、S源進行混合，加入適量分散劑混合后進行球磨，得摻Ge的前驅(qū)體漿料，其中Cu︰Zn︰(Sn+Ge)︰S的摩爾比為(1.5～1.9)︰(1.1～1.5)︰1︰4，且Ge︰(Sn+Ge)的摩爾比為0.05～0.7；步驟三、制備摻Ge的前驅(qū)體薄膜：使摻Ge的前驅(qū)體漿料在基底上制成濕膜，將所述濕膜進行干燥處理，制成摻Ge的前驅(qū)體薄膜；步驟四、對所述摻Ge的前驅(qū)體薄膜進行硫化處理，得Cu2ZnSn1-xGexS4薄膜；步驟五、對所述Cu2ZnSn1-xGexS4薄膜進行硒化處理，得Cu2ZnSn1-xGex(S,Se)4薄膜。2.如權(quán)利要求1所述的摻鍺的銅鋅錫硫硒薄膜制備方法，其特征在于，步驟一具體包括：將銅的鹵化物和Na2S分別溶解在有機溶劑中；將溶解銅的鹵化物的溶液和溶解有Na2S的溶液混合；將混合溶液在冰浴條件下攪拌得膠狀溶液；采用離心機對所述膠狀溶液進行離心，得CuS納米顆粒。3.如權(quán)利要求1所述的摻鍺的銅鋅錫硫硒薄膜制備方法，其特征在于，步驟二中采用高速離心機進行球磨，球罐轉(zhuǎn)速為400r/min～1400r/min，采用球磨子的直徑為1～10mm，球磨子與原材料的質(zhì)量比為20:1，球磨時間為5h～30h。4.如權(quán)利要求1所述的摻鍺的銅鋅錫硫硒薄膜制備方法，其特征在于，所述Zn源包括Zn粉、硫化鋅或硒化鋅，所述Sn源包括Sn粉、硫化錫或硒化錫，所述Ge源包括Ge粉或鍺硒酸銅，所述S源包括高純固態(tài)S粉。5.如權(quán)利要求1所述的摻鍺的銅鋅錫硫硒薄膜制備方法，其特征在于，步驟三中，所述干燥處理的溫度范圍為80～250℃，干燥時間為10～60min。6.如權(quán)利要求1所述的摻鍺的銅鋅錫硫硒薄膜制備方法，其特征在于，所述硫化處理的溫度范圍為400～550℃，硫化處理的時間為10～40min。7.如權(quán)利要求1所述的摻鍺的銅鋅錫硫硒薄膜制備方法，其特征在于，所述硒化處理在硒化爐中進行，采用的Se源為高純度固態(tài)Se粉，載氣為Ar或N2，載氣流量為0.1～0.4m3/h，硒源溫度為200～300℃，硒化溫度為350～600℃，硒化時間為20～50min。8.如權(quán)利要求1所述的摻鍺的銅鋅錫硫硒薄膜制備方法，其特征在于，所述CuS納米顆粒的直徑為30～50nm。