發(fā)光二極管晶粒及其制造方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管晶粒，包括：基板；形成在基板上的第一導電層，所述第一導電層為交替層疊的P型氮化鋁銦鎵層以及石墨烯層；依次形成在第一導電層上的P型氮化鋁銦鎵層、發(fā)光結(jié)構(gòu)層、N型氮化鋁銦鎵層；以及第二導電層，形成在N型氮化鋁銦鎵層上。由于石墨烯層的電阻率較低，其將會降低發(fā)光二極管晶粒的內(nèi)阻及改善其發(fā)光效率。本發(fā)明還提供了一種發(fā)光二極管晶粒的制造方法。
【專利說明】發(fā)光二極管晶粒及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管晶粒及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 發(fā)光二極管（Light Emitting Diode, LED)是一種可將電流轉(zhuǎn)換成特定波長范圍 的光的半導體元件。發(fā)光二極管以其亮度高、工作電壓低、功耗小、易與集成電路匹配、驅(qū)動 簡單、壽命長等優(yōu)點，從而可作為光源而廣泛應用于照明領(lǐng)域。
[0003] 為了提升發(fā)光二極管的發(fā)光效率，除了改進磊晶技術(shù)外，在結(jié)構(gòu)上如何降低啟動 電壓，降低發(fā)光二極管的內(nèi)阻以減少散熱，是人們研究的一個重要的課題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，有必要提供一種內(nèi)阻較低的發(fā)光二極管晶粒及其制造方法。
[0005] 一種發(fā)光二極管晶粒，包括： 基板； 形成在基板上的第一導電層，所述第一導電層為交替層疊的P型氮化鋁銦鎵層以及石 墨烯層； 依次形成在第一導電層上的P型氮化鋁銦鎵層、發(fā)光結(jié)構(gòu)層、N型氮化鋁銦鎵層；以及 第二導電層，形成在N型氮化鋁銦鎵層上。
[0006] 一種發(fā)光二極管晶粒制造方法，包括： 提供一臨時基板； 在臨時基板上形成低溫氮化鋁銦鎵犧牲層、第二導電層、N型氮化鋁銦鎵層、發(fā)光結(jié)構(gòu) 層、P型氮化鋁銦鎵層以及第一導電層，所述第一導電層為交替層疊的P型氮化鋁銦鎵層以 及石墨烯層； 去除低溫氮化鋁銦鎵犧牲層以將第二導電層與臨時基板分離； 將一導電基板粘結(jié)至第一導電層；以及 在導電基板與第一導電層相反的表面制作第一電極，在第二導電層的表面制作第二電 極。
[0007] -種發(fā)光二極管晶粒制造方法，包括： 提供一臨時基板； 在臨時基板上形成低溫氮化鋁銦鎵犧牲層、第二導電層、N型氮化鋁銦鎵層、發(fā)光結(jié)構(gòu) 層、P型氮化鋁銦鎵層以及第一導電層，所述第一導電層為交替層疊的P型氮化鋁銦鎵層以 及石墨烯層； 去除低溫氮化鋁銦鎵犧牲層以將第二導電層與臨時基板分離； 制作一蝕刻平臺，該蝕刻平臺從第二導電層延伸至第一導電層以暴露出第一導電層的 部分表面；以及 在暴露的第一導電層的表面制作第一電極，在第二導電層的表面制作第二電極。
[0008] 在上述發(fā)光二極管晶粒及其制造方法中，第一導電層為交替層疊的P型氮化鋁銦 鎵層以及石墨烯層，由于石墨烯材料具有電阻率較低的特點，所述石墨烯材料將會降低發(fā) 光-極管晶粒的內(nèi)阻，從而提1?其發(fā)光效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009] 圖1是本發(fā)明第一實施例所提供的發(fā)光二極管晶粒的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010] 圖2是圖1中的第一導電層的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011] 圖3是圖1中的第二導電層的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012] 圖4-圖8是圖1中的發(fā)光二極管晶粒的制造方法。
[0013] 圖9是本發(fā)明第二實施例所提供的發(fā)光二極管晶粒的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014] 圖10-圖15是圖9中的發(fā)光二極管晶粒的制造方法。
[0015] 主要元件符號說明

【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光二極管晶粒，包括： 基板； 形成在基板上的第一導電層，所述第一導電層為交替層疊的P型氮化鋁銦鎵層以及石 墨烯層； 依次形成在第一導電層上的P型氮化鋁銦鎵層、發(fā)光結(jié)構(gòu)層、N型氮化鋁銦鎵層；以及 第二導電層，形成在N型氮化鋁銦鎵層上。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶粒，其特征在于，所述第二導電層為交替層疊的N 型氮化鋁銦鎵層以及石墨烯層。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管晶粒，其特征在于，所述石墨烯層為單原子層堆 疊結(jié)構(gòu)或者多原子層堆疊結(jié)構(gòu)。
4. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶粒，其特征在于，所述發(fā)光二極管晶粒包括第一 電極和第二電極，第一電極與第一導電層電連接，第二電極與第二導電層電連接。
5. 如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管晶粒，其特征在于，所述基板為導電基板，第一電極 形成在導電基板的與第一導電層相反的表面，第二電極直接形成在第二導電層的表面。
6. 如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管晶粒，其特征在于，所述發(fā)光二極管晶粒形成有蝕 刻平臺，所述蝕刻平臺從第二導電層延伸至第一導電層以暴露出第一導電層的部分表面， 所述第一電極設置在蝕刻平臺上且與第一導電層相接觸，第二電極設置在第二導電層的表 面。
7. -種發(fā)光二極管晶粒制造方法，包括： 提供一臨時基板； 在臨時基板上形成低溫氮化鋁銦鎵犧牲層、第二導電層、N型氮化鋁銦鎵層、發(fā)光結(jié)構(gòu) 層、P型氮化鋁銦鎵層以及第一導電層，所述第一導電層為交替層疊的P型氮化鋁銦鎵層以 及石墨烯層； 去除低溫氮化鋁銦鎵犧牲層以將第二導電層與臨時基板分離； 將一導電基板粘結(jié)至第一導電層；以及 在導電基板與第一導電層相反的表面制作第一電極，在第二導電層的表面制作第二電 極。
8. 如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管晶粒制造方法，其特征在于，所述第二導電層為交 替層疊的N型氮化鋁銦鎵層以及石墨烯層。
9. 一種發(fā)光二極管晶粒制造方法，包括： 提供一臨時基板； 在臨時基板上形成低溫氮化鋁銦鎵犧牲層、第二導電層、N型氮化鋁銦鎵層、發(fā)光結(jié)構(gòu) 層、P型氮化鋁銦鎵層以及第一導電層，所述第一導電層為交替層疊的P型氮化鋁銦鎵層以 及石墨烯層； 去除低溫氮化鋁銦鎵犧牲層以將第二導電層與臨時基板分離； 制作一蝕刻平臺，該蝕刻平臺從第二導電層延伸至第一導電層以暴露出第一導電層的 部分表面；以及 在暴露的第一導電層的表面制作第一電極，在第二導電層的表面制作第二電極。
10. 如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管晶粒制造方法，其特征在于，所述第二導電層為交 替層疊的N型氮化鋁銦鎵層以及石墨烯層。
【文檔編號】H01L33/00GK104253186SQ201310259080
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2013年6月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月26日
【發(fā)明者】曾堅信 申請人:鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司