芯片卡模塊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及芯片卡模塊。在本發(fā)明的各個方面，提供了一種芯片卡模塊。所述芯片卡模塊可以包括在其第一和第二主表面或面上具有金屬噴鍍的柔性襯底。固定到所述第二面的集成電路在芯片墊背對著所述襯底面情況下被定向。線接合可以將所述芯片墊連接到所述金屬噴鍍。
【專利說明】芯片卡模塊
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開的各個方面一般地涉及芯片卡技術(shù)，并且更特別地涉及芯片卡模塊和具有表面接觸面積的芯片卡。
【背景技術(shù)】
[0002]在大小、形狀以及材料上類似‘信用卡’、包含集成電路的器件的芯片卡在大量應(yīng)用領(lǐng)域中得到廣泛使用。諸如具有表面觸點符合ISO標準7816或ISO 7810的那些之類的標準化芯片卡由于它們的標準化而可以毫無困難地跨越各式各樣應(yīng)用和制造商與芯片卡讀取/寫入設(shè)備一起使用。
[0003]根據(jù)標準，接觸面積被布置在芯片卡的預定部分上，所述接觸面積諸如通過引線而被連接到具有適于嵌入在標準化芯片卡內(nèi)的尺寸的半導體芯片?？梢灶A先形成接觸面積以及芯片，包括相關(guān)連接，合成組件被稱為‘芯片模塊’。
[0004]芯片模塊既在芯片模塊被安裝在其中的芯片卡的制造期間又在以后當芯片卡在普通使用中時針對環(huán)境影響為集成電路提供保護。同樣地，芯片模塊應(yīng)該諸如在卡讀取器/寫入器情況下提供可靠的接口方式，并且應(yīng)該由為耐久的優(yōu)選可更新的和/或有成本效益的材料形成。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]公開了芯片卡模塊，其中平面柔性襯底具有兩個主表面，例如正面和背面。第一主面上的金屬噴鍍(metallization)提供至少一個離散電接觸面積。第二主面上的第二金屬噴鍍形成至少一個離散電引線。一面上的接觸面積和另一面上的引線通過穿過襯底的至少一個通孔而被連接在一起，從而建立每一面上的金屬噴鍍之間的電接觸。
[0006]諸如安裝到第二主表面或背面的集成電路之類的器件在頂部上具有至少一個電接觸墊，所述器件被固定到襯底的背面使得(一個或多個)接觸墊背對著襯底。接合到接觸墊的電線電力地將集成電路連接到背面上的(一個或多個)電引線，從而將集成電路連接到正面上的接觸面積。
[0007]根據(jù)本公開的各個方面，所述芯片卡模塊至少部分地由聚酯形成。此外，所述襯底可以由具有熔點低于250° C的諸如塑料之類的材料形成。更特別地所述襯底可以由具有熔點低于200° C的材料形成。又更特別地，所述襯底可以由具有熔點低于150° C的材料形成。
[0008]根據(jù)本公開的另一個方面，所述接合線(bond wire)至少部分地由鋁形成。同樣地，諸如正面或第一主表面上的那些之類的接觸表面能夠至少部分地在沒有任何金的情況下被提供。更特別地，正面上的所有觸點可能是無金的、基本上無金的或者可以僅包含痕量的金。
[0009]根據(jù)本公開的再一方面，在所述襯底的背面上的器件是集成電路情況下，接觸墊可以被定向在單個平面中。這個平面可能與背面的平面平行、通常平行、基本上平行，或者在10度之內(nèi)與其平行。更特別地，第二主表面上的金屬噴鍍或電引線還可以被形成在單個平面中。接觸墊的平面可能與襯底的背面上的電引線的平面平行、通常平行、基本上平行，或者在10度之內(nèi)與其平行。
[0010]根據(jù)本公開的再一方面，封裝可以被提供覆蓋將接觸墊連接到背面金屬噴鍍或電引線的接合線。引線半徑可以被定義為從所述器件的接觸墊以及連接正面和背面金屬噴鍍的至少一個通孔延伸的面積。根據(jù)本公開的另一個方面，所述封裝可以被提供在具有比引線半徑的半徑更小的半徑(封裝半徑)的面積上。
[0011]根據(jù)本公開的一方面，公開了用于制造芯片卡模塊的方法。所述方法可以包括:將第一金屬噴鍍沉積在柔性襯底的第一主表面或正面上；將第二金屬噴鍍沉積在所述襯底的第二主表面或背面上；建立第一金屬噴鍍與第二金屬噴鍍之間的電接觸；將集成電路固定在柔性襯底的第二主表面上，所述集成電路具有背對著第二或背面的多個芯片墊；以及在芯片墊與第二金屬噴鍍之間接合電線。
[0012]在本公開的另外的方面，所述方法可以包括封裝經(jīng)接合的電線。進一步地，芯片墊可以被定向在與第二主表面平行、基本上平行或離與其平行小于10度的平面中。因此，所公開的接合可以發(fā)生在沒有旋轉(zhuǎn)頭技術(shù)的情況下。
[0013]在本公開的又一方面，所述方法可以包括由聚酯形成的襯底，并且其中接合發(fā)生在小于150° C下。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]在圖中，相同的附圖標記通常在不同的視圖中自始至終指定相同的部分。圖未必按比例繪制，重點替代地通常被放在舉例說明所公開實施例的原理之上。在以下描述中，參考以下圖對本公開的各個方面進行描述，其中:
圖1A-B示出了采用第一構(gòu)造的芯片模塊；
圖2A-B示出了采用可替換的構(gòu)造的芯片模塊；
圖3A-C示出了采用根據(jù)本公開的一方面的構(gòu)造的芯片模塊；
圖4示出了根據(jù)本公開的一方面的芯片模塊的制造的方法。
【具體實施方式】
[0015]以下具體描述參考附圖，附圖通過圖示的方式示出了在其中可以實踐本公開的各方面的特定細節(jié)和方面。本公開的這些方面被足夠詳細地描述以使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵺`它?？梢岳帽竟_的其他方面，并且在不背離本公開的范圍的情況下可以進行結(jié)構(gòu)、邏輯以及電氣改變。本公開的各個方面未必是相互排斥的，因為本公開的一些方面能夠與本公開的一個或多個其他方面組合以形成本公開的新的方面。以下具體描述因此將不在限制意義上進行，并且本公開的范圍由所附權(quán)利要求來限定。
[0016]為器件提供了本公開的各個方面，并且為方法提供了本公開的各個方面。將理解的是，器件的基本屬性還適用于方法并且反之亦然。因此，為了簡潔起見，可以省略此類屬性的重復描述。
[0017]如本文所用的術(shù)語“至少一個”可以被理解為包括大于或等于一的任何整數(shù)。
[0018]如本文所用的術(shù)語“多個”可以被理解為包括大于或等于二的任何整數(shù)。[0019]如本文所用的術(shù)語“耦合”或“連接”分別可以被理解為包括直接的“耦合”或直接的“連接”以及間接的“耦合”或間接的“連接”。
[0020]與“正面”和“后面”互換地使用的術(shù)語“主表面”或僅僅諸如類似帶或類似卡片的襯底的“面”或“第一”面和“第二”面意在指示比跨越襯底的厚度延伸的側(cè)表面具有基本上更多表面面積的這樣的結(jié)構(gòu)的兩個表面。
[0021]圖1A-B示出了還被稱為軟板上芯片(chip-on-flex)的芯片模塊100，其具有厚度上典型地在150-200微米之間、被安裝到觸點陣列104的后面的芯片102，該觸點陣列由在這里個別地示出為104a-g的一個或多個金屬化接觸表面形成。模塊100在結(jié)構(gòu)上被載體襯底106支承，所述載體襯底106通常為由具有厚度例如為大約110微米的纖維增強環(huán)氧樹脂形成的環(huán)氧樹脂帶。理想地，所述帶被以卷(未示出)方式提供以便于多個模塊的順序處理。
[0022]布置在模塊100的正面上的陣列104的接觸表面可以由厚度上例如在30-35微米之間的覆銅薄層形成。為了便于與其的電接觸，104的接觸表面可以被電流地鍍鎳和/或金。這樣的電鍍提供觸點陣列104，其阻擋對諸如通過芯片卡讀取器(未示出)與其可靠地建立電接觸有害的氧化和其他影響。
[0023]孔108可以諸如在層壓工藝期間被壓印在帶106中，從而暴露陣列104的觸點的背面。電線Iio從芯片102延伸到相應(yīng)的觸點104a-g，從而于其間建立電連接。典型地，電線110可以由金形成，并且可以被固定到芯片102上的相應(yīng)接觸墊114，以及通過熱超聲接合的應(yīng)用而被固定到陣列104的觸點。特別地，拾取與放置/芯片焊接機諸如用粘合劑112將芯片102固定到模塊100的背面，因此例如具有直徑在20-25微米之間的電線110通過將約150攝氏度施加到接合部位、同時施加超聲波聲能以物理上確保電線與其電接觸而被接合。這個工藝的變化可以被稱為熱超聲接合。最近相似直徑的銅線已以這種方式被接合在芯片與觸點之間。
[0024]球頂部覆蓋物116被提供來保護芯片、電線以及接觸結(jié)構(gòu)不受由于暴露于環(huán)境而導致的損壞。結(jié)果得到的模塊典型地具有約600微米的厚度。
[0025]用于環(huán)氧樹脂帶106的材料必須能夠抵抗熱超聲工藝。特別地，帶106的選擇需要溫度足夠穩(wěn)定以在熱超聲接合期間抵抗熱的施加的材料。
[0026]圖1A-B的模塊還要求使用貴重材料，諸如金，形式為金接合線110或鍍在接觸表面上的金。例如僅到接觸的有限面積的金的選擇性應(yīng)用需要額外的工藝步驟，其可能比能夠在材料成本上節(jié)省的增加更多的花費。
[0027]此外，圖1A-B的模塊100需要跨越接合線110被懸在其上的整個面積的球頂部覆蓋物，其是模塊100的寬度的相當一部分。接合線110的長度還與模塊100對由該模塊的膨脹或撓曲引起的損壞的靈敏度有關(guān)。特別地，較長的接合線110結(jié)合覆蓋它們所需的球頂部116兩者都對能夠?qū)е履K失效的機械應(yīng)力作出貢獻。
[0028]圖2A-B示出了還被稱為襯底/軟板上倒裝芯片的芯片模塊200，其具有厚度上典型地在250-330微米之間、被安裝到載體襯底206的背面的芯片202，所述載體襯底206通常為聚酯(PET)或其他高度柔性的材料。對比芯片模塊100，芯片模塊200具有分別位于載體襯底206的正(接觸)面和背(芯片)面兩者上的金屬噴鍍204、205。特別地，由在這里個別地示出為204a-g的一個或多個金屬化接觸表面或金屬噴鍍形成的觸點陣列204被形成在載體襯底206的正面上。金屬噴鍍205被提供在載體襯底206的背面上。
[0029]金屬噴鍍204和205典型地由厚度上大約10微米的銅形成。銅可以被電流地電鍍有2微米的鎳和/或可選地0.03微米的金。金屬噴鍍204和205可以被光刻地形成在載體襯底206的正面和背面上。任一面上的離散觸點被示出通過通孔207穿過載體襯底206電力地連接到彼此。例如，金屬噴鍍205b被示出通過通孔207b連接到接觸表面金屬噴鍍204b ο
[0030]芯片202具有提供有導電凸塊215的觸點214。再者對比模塊100，模塊200的芯片202在其觸點215在倒置或“倒裝”定向上面向載體襯底206從而凸塊215與相應(yīng)的金屬噴鍍205對齊情況下被安裝。使用諸如NCP之類的底部填料材料218，芯片202相對于金屬噴鍍205被固定在適當位置。
[0031]這個倒裝芯片配置與諸如PET之類的廣泛襯底材料兼容，所述PET不像環(huán)氧樹脂帶106那樣熱穩(wěn)定。特別地，模塊200的配置與使用管芯接合技術(shù)的低溫工藝兼容。用非導電粘合劑使芯片202固定同樣地在模塊200的制作期間將熱暴露限制于載體襯底206。通過時間、溫度以及壓力的控制，能夠限制或者防止對溫度敏感PET材料的損壞。
[0032]模塊200完全缺少在模塊100中發(fā)現(xiàn)的接合線。取決于由于在使用期間施加到模塊的撓曲、彎曲扭矩、張力或壓力而導致的斷線的可能性，模塊200因此可能是更健壯的。并且，不存在對諸如通過球頂部覆蓋物116的封裝的對應(yīng)需要。限制或者消除對諸如金之類的昂貴材料和/或在金屬化表面上使材料成層的耗時步驟的需要或許也是可能的。
[0033]圖3A-C示出了根據(jù)本公開的一方面的芯片模塊300。載體襯底306是柔性的并且可以由諸如FCOS ?帶之類的基于PET的材料制成。圖3C圖示了載體襯底306的正面306f和后面306r，其中已經(jīng)以諸如由光刻所應(yīng)用的金屬噴鍍的形式提供了用于ISO標準芯片卡的觸點304的陣列。觸點304可以由具有厚度為10微米的銅、例如涂有2微米的鎳和0.03微米的金的鎳/金形成?？赡艽嬖诔疚闹兴_的鎳/金涂層之外或者代替其的其他涂層。
[0034]載體襯底306的后面306r被示出具有作為金屬噴鍍形成在其上的導體引線305。引線305可以由具有與觸點304相同的厚度和涂層的銅形成，并且同樣地可以被光刻地形成?？商鎿Q地，針對載體襯底306的相應(yīng)面f和r上的觸點和導體所采用的材料可能是彼此不同的和/或由不同的方式形成。
[0035]圖3A是模塊300在圖3B中所指示的線a_a處的橫截面。金屬噴鍍的橫截面定向被示出。特別地，能夠詳細地看到引線305b和305f分別被定位正對著觸點304b和304f。通孔307建立載體襯底306的正面和后面上的相應(yīng)金屬噴鍍之間的電連接。例如，通孔307b和307f貫穿載體襯底306以建立對應(yīng)引線與觸點之間的接觸。
[0036]芯片302通過管芯膠312而被固定在載體襯底306的后面上的適當位置。如圖3A-B中所示，芯片302在芯片墊314背對著載體襯底306情況下被定向，并且使得芯片墊314被定位通常與引線305的對應(yīng)端鄰近。例如，如圖3B中所示，芯片302是使得芯片墊314b與引線305b鄰近的位置。
[0037]接合線310被示出從芯片墊314延伸到對應(yīng)引線305。接合線310可能是具有厚度在20-25微米之間的鋁線，接合線例如通過鋁楔形-楔形接合技術(shù)而被附連。特別地，使用涉及聲能或超聲波能到接合線310的施加的鋁接合技術(shù)來將它們接合到芯片墊314并到諸如引線305之類的芯片卡表面306上的金屬噴鍍能夠在不用針對襯底306施加在可接受的溫度范圍之外的溫度的情況下實現(xiàn)。
[0038]更特別地，根據(jù)本公開的一方面，對比采用超過襯底的容限范圍的溫度的熱超聲接合技術(shù)，對例如高于150攝氏度的溫度具有有限抵抗的聚酯(PET)襯底能夠有利地與楔形-楔形接合技術(shù)一起利用。將認識到，在圖3A-C中所公開的各方面內(nèi)采用的楔形-楔形接合技術(shù)可以被應(yīng)用于適于芯片卡模塊構(gòu)造的任何襯底，包括基于環(huán)氧樹脂的襯底，而不考慮它們對典型地與包括聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、或聚碳酸酯的熱超聲接合相關(guān)聯(lián)的溫度的抵抗。
[0039]根據(jù)本公開的另一方面，能夠在無需改變由例如襯底材料的改變引起的生產(chǎn)技術(shù)的情況下根據(jù)圖3A-C中所公開的構(gòu)造執(zhí)行芯片卡模塊的生產(chǎn)。同樣地，能夠在沒有生產(chǎn)設(shè)備或工藝的本質(zhì)修改的情況下采用用于包括鋁的接合線310或用于包括[N1、Au、Pd、Ag的金屬化弓I線305的任何適當?shù)牟牧稀ＶT如針對觸點304所利用的N1、Au、Pd之類的材料還可以隨著相似的結(jié)果而變化。例如，可以有利地采用沒有鍍金或任何金部件的觸點。因此，根據(jù)本公開的一方面，特別地圖3A-C的構(gòu)造隨著成本、可用性以及設(shè)計要求可以規(guī)定而容許改變。
[0040]例如，圖1A-B和2A-B的材料可以被組合地使用，包括在不采用倒裝芯片定向的情況下。在這個意義上，能夠組合圖1A-B和2A-B的有利方面。而圖2A-B的‘倒裝芯片’用凸塊215和金屬噴鍍204、205替代圖1A-B的接合線110，像圖3A-C中所示出的那樣在金屬噴鍍情況下采用引線接合技術(shù)可能是有利的。例如，雖然有利地使用了不同的或不太昂貴的材料或工藝，但是使用包括鋁或其他材料的接合線來建立接合墊314與載體襯底306上的金屬噴鍍之間的連接采用引線接合而組合了圖2A-B的倒裝芯片配置的雙面結(jié)構(gòu)化的金屬噴鍍。
[0041]旋轉(zhuǎn)頭引線接合裝置例如能夠提供實現(xiàn)圖1A-B的電線110的接合所必需的多軸移動。然而，根據(jù)本公開的一方面，可以在不使用旋轉(zhuǎn)頭的情況下采用楔形-楔形接合技術(shù)。特別地，通過例如在芯片墊314與相應(yīng)的金屬噴鍍305之間應(yīng)用不到10度(更特別地，0° ±7.5° )的線角度。這樣的應(yīng)用可以避免另外代價高的旋轉(zhuǎn)頭工藝技術(shù)的實施方式。
[0042]同樣地，特別限于從芯片墊314到金屬噴鍍305的距離的接合線310的較短長度提供對相對精密的接合結(jié)構(gòu)所需的較小的保護半徑。如圖3A-C中所示，因此，當與圖1A-B的球頂部116相比較時球頂部316被提供在較小體積內(nèi)。更特別地，因為接合線110從芯片102 —直延伸到孔108，所以球頂部116的直徑比球頂部316要大得多(考慮到標準ISO芯片模塊實施方式)。相比之下，盡管它延伸僅到接合線310與金屬噴鍍305之間的界面為止，但是球頂部316可以保護諸如布線之類的精密結(jié)構(gòu)。取決于所使用的材料，較小的球頂部區(qū)可以降低制造的成本，和/或可以提高芯片卡模塊的健壯性。此外，可以在圖3A-C的芯片模塊300中省略如圖2A-B的倒裝芯片實施方式200中所示出的底部填料218。
[0043]根據(jù)本公開的再一方面，還可以有利地實現(xiàn)材料的替代(諸如不太貴重的金屬替代金)和/或諸如接觸或接合面積的電鍍之類的工藝步驟的消除。
[0044]芯片卡模塊的制造的方法400在圖4中被公開。特別地，該方法包括402將第一金屬噴鍍沉積在柔性襯底的第一面上。例如，圖3A-C公開了針對載體襯底306使用聚酯(PET)的芯片卡模塊。與402 —致，襯底的第一面可以例如提供有觸點304中的一個或陣列。
[0045]在404中，將第二金屬噴鍍沉積在襯底的第二面上可以包括以例如圖3A-C中所示出的引線305的形式提供一個或多個結(jié)構(gòu)化的金屬噴鍍。同樣地，406，建立第一和第二金屬噴鍍中的至少一個之間的電接觸能夠通過例如形成通過襯底的接觸來實現(xiàn)。這樣的接觸的示例在圖3A-C中被示出為通孔307。
[0046]在408中，將集成電路放置在柔性襯底的第二面上有利地包括背對著第二面，即在圖1A-B和3A-C中所示出的未倒裝定向上面向集成電路的芯片墊。可選地，在408a中，集成電路能夠被固定到柔性襯底的第二面，其中芯片墊被定向在離與第二金屬噴鍍平行小于10度的平面中。
[0047]在410中執(zhí)行線接合。特別地，將芯片墊連接到它們相應(yīng)的第二金屬噴鍍的線接合建立芯片墊與第二金屬噴鍍之間的電接觸，并且依照406，借此到第一金屬噴鍍?？梢栽谛∮诶?50°C的溫度下使用楔形-楔形接合技術(shù)根據(jù)410a來實現(xiàn)線接合步驟。此外，就芯片墊被定向在離與第二金屬噴鍍的平面平行小于10度的平面中來說，如408a中所提供的那樣，410b公開了線接合，諸如使用楔形-楔形接合技術(shù)來執(zhí)行、然而在沒有旋轉(zhuǎn)頭技術(shù)的情況下執(zhí)行的線接合。
[0048]依照412，接合區(qū)(其通常包括芯片及其線接合)諸如通過球頂部覆蓋物而被封裝。
[0049]特別參考圖3A-C中所公開的芯片模塊結(jié)構(gòu)，400公開了產(chǎn)生結(jié)合了各特征的芯片模塊結(jié)構(gòu)的方法，所述各特征共同起作用以增加芯片模塊的功能性和/或降低材料和/或生產(chǎn)的成本。例如，在柔性襯底306具有特定溫度靈敏度時，諸如聚酯襯底，410可選地提供410a，其中使用了不采用高于150°C的溫度從而使生產(chǎn)技術(shù)(即楔形-楔形接合)與所采用襯底相匹配的線接合。同樣地，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認識到，取決于襯底的溫度靈敏度特性可以在其他溫度范圍情況下采用楔形-楔形接合。此外，例如，408可選地提供固定集成電路使得第二金屬噴鍍的平面(例如圖3C的平面330)是在與被芯片墊所占用的平面(例如圖3C的平面320)平行的10度之內(nèi)。如果待通過線接合而聯(lián)合的表面之間的正確相對定向被維持則這個定向使得能實現(xiàn)410b，只要能夠在沒有旋轉(zhuǎn)頭技術(shù)的情況下執(zhí)行線接合。同樣地，需要比10度或多或少的不同角度的相對定向的接合技術(shù)被設(shè)想為在400的公開內(nèi)。
[0050]應(yīng)當理解的是，400公開了用于可以結(jié)合如圖3A-C中所公開的芯片卡300的一個或多個成本節(jié)省特征的芯片卡模塊的靈活制造工藝。任何單一材料替代或省略的優(yōu)點可以被作出與對特定芯片卡模塊的設(shè)計要求一致，并且除可能與圖1A-B和2A-B的一個或多個方面兼容的特定簡化技術(shù)的應(yīng)用之外，設(shè)計靈活性特別受到來自圖1A-B和2A-B中所公開的結(jié)構(gòu)的選定特征的可組合性支持。例如，結(jié)構(gòu)300不采用倒裝芯片。因此楔形-楔行接合能夠被成功地采用，而倒裝芯片配置的特定要求能夠被省略。同樣地，像在404中那樣第二金屬噴鍍的引入允許較短的接合線長度、較小的接合區(qū)需要封裝，并且，如果根據(jù)408a正確定向被維持，則可以采用優(yōu)選的線接合技術(shù)。
[0051]本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認識到，可以形成上述示例性實施例的組合。雖然已經(jīng)參考本公開的特定方面特別示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不背離如由所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在本文中作出形式和細節(jié)上的各種改變。本發(fā)明的范圍因此由所附權(quán)利要求來指示,并且落入本權(quán)利要求的等價意義和范圍內(nèi)的所有改變因此旨在被包含。
【權(quán)利要求】
1.一種芯片卡模塊，其包括: 柔性襯底，其具有第一主表面和第二主表面； 第一金屬噴鍍，其在所述第一主表面上提供至少一個離散電接觸面積； 第二金屬噴鍍，其在所述第二主表面上形成至少一個離散電引線； 至少一個通孔，其建立所述第一金屬噴鍍與所述第二金屬噴鍍之間的電接觸； 安裝到所述第二主表面的器件，所述器件具有布置在其上的至少一個電接觸墊，所述接觸墊背對著所述第二主表面；以及 至少一個接合線，其電力地將所述接觸連接到所述電引線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片卡模塊,其中,所述柔性襯底至少部分地由聚酯形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片卡模塊，其中，所述接合線至少部分地由鋁形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片卡模塊，其中，所述電接觸面積至少部分地在沒有任何金的情況下被提供。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片卡模塊，其中，所述器件是集成電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片卡模塊，其中，所述集成電路包括在第一平面中定向的多個接觸墊，并且其中，所述第二金屬噴鍍包括在第二平面中定向的多個電引線，所述第一和第二平面被定向在與彼此平行的10度之內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片卡，其中，提供覆蓋所述多個接合線的封裝。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片卡模塊，其中，所述多個接觸墊中的一個與所述至少一個通孔中的一個之間的距離限定引線半徑，并且其中，所述封裝由小于所述引線半徑的半徑的半徑來限定。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片卡模塊，其中，所述襯底具有小于260攝氏度的溶點。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的芯片卡模塊，其中，所述襯底具有小于200攝氏度的溶點。
11.一種用于制造芯片卡模塊的方法，其包括: 將第一金屬噴鍍沉積在柔性襯底的第一主表面上； 將第二金屬噴鍍沉積在所述襯底的第二主表面上； 建立所述第一和第二金屬噴鍍之間的電接觸； 將集成電路固定在所述柔性襯底的所述第二主表面上，所述集成電路具有背對著所述第二主表面的多個芯片墊；以及 在所述芯片墊與所述第二金屬噴鍍之間接合電線。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其進一步包括封裝經(jīng)接合的電線。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述多個芯片墊中的至少一個被定向在離與所述第二主表面平行小于10度的平面中。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述接合發(fā)生在小于150攝氏度下。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述接合發(fā)生在沒有旋轉(zhuǎn)頭技術(shù)的情況下。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述襯底是聚酯。
【文檔編號】H01L23/488GK103579153SQ201310304708
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年7月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月19日
【發(fā)明者】J.赫格爾, J.波爾, F.皮施納, W.辛德勒 申請人:英飛凌科技股份有限公司