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      薄膜吸附設備的制作方法

      文檔序號:7262656閱讀:216來源:國知局
      薄膜吸附設備的制作方法
      【專利摘要】一種薄膜吸附設備包含支撐座、第一通道、第二通道與泵。支撐座具有吸附面。第一通道貫穿支撐座。第一通道具有第一開口與第二開口,且第一通道的第一開口位于吸附面。第二通道貫穿支撐座。第二通道具有第一開口與第二開口,且第二通道的第一開口位于吸附面。泵連通于第二通道的第二開口。當一薄膜放置于吸附面并覆蓋第一通道的第一開口及第二通道的第一開口時,泵抽氣以驅動一氣流從第一通道的第二開口流入并通過吸附面與薄膜的間隙,以吸附薄膜。
      【專利說明】薄膜吸附設備

      【技術領域】
      [0001]本發(fā)明是有關一種薄膜吸附設備。

      【背景技術】
      [0002]一般而言,量測發(fā)光二極管(Light Emitting D1de ;LED)晶片的發(fā)光特性時,可將貼附有多個LED晶片的藍膜(blue tape)放到一吸附裝置上后,再由量測設備量測LED晶片。吸附裝置初步定位藍膜后,藍膜與吸附裝置間可能因存在空氣而使藍膜凸起不平整,因此需對藍膜與吸附裝置間的空間抽真空,以降低LED晶片的量測誤差。
      [0003]已知吸附裝置通常采用兩段式抽真空的方式來達到定位與整平藍膜的效果。舉例來說,已知吸附裝置可具有內側抽氣口與外側抽氣口。當藍膜放置于吸附裝置上后,可先使用泵先對外側抽氣口施以第一階段抽氣,讓藍膜達初步定位。接著使用泵再對內側抽氣口施以第二階段抽氣,待藍膜與吸附裝置間的空氣被抽出后,藍膜便可呈水平狀態(tài)。
      [0004]然而在實際使用上,若要等藍膜達到水平狀態(tài)后再量測LED晶片的發(fā)光特性,則需花費大量的時間(例如4分鐘),造成上料不便。此外,藍膜具有彈性及粘性,在長時間對藍膜與吸附裝置間的空間抽真空后,會造成藍膜粘貼在夾具上,且在拿取藍膜時會造成拉扯的情形,造成下料不便。


      【發(fā)明內容】

      [0005]本發(fā)明的一技術方式為一種薄膜吸附設備。
      [0006]根據(jù)本發(fā)明一實施方式,一種薄膜吸附設備包含支撐座、第一通道、第二通道與泵。支撐座具有吸附面。第一通道貫穿支撐座。第一通道具有第一開口與第二開口,且第一通道的第一開口位于吸附面。第二通道貫穿支撐座。第二通道具有第一開口與第二開口,且第二通道的第一開口位于吸附面。泵連通于第二通道的第二開口。當一薄膜放置于吸附面并覆蓋第一通道的第一開口及第二通道的第一開口時,泵抽氣以驅動一氣流從第一通道的第二開口流入并通過吸附面與薄膜的間隙,以吸附薄膜。
      [0007]在本發(fā)明一實施方式中,上述薄膜吸附設備還包含第三通道與第四通道。第三通道貫穿支撐座。第三通道具有第一開口與第二開口,且第三通道的第一開口位于吸附面。第四通道貫穿支撐座。第四通道具有第一開口與第二開口。第四通道的第一開口位于吸附面。
      [0008]在本發(fā)明一實施方式中,上述薄膜吸附設備還包含第一閥門與第二閥門。第一閥門具有進氣口與出氣口。第一閥門的進氣口連通于第三通道的第二開口與第四通道的第二開口。第一閥門的出氣口連通于泵。第二閥門具有進氣口與出氣口。第二閥門的進氣口連通于第二通道的第二開口。第二閥門的出氣口連通于泵。當薄膜放置于吸附面并覆蓋第一通道的第一開口、第二通道的第一開口、第三通道的第一開口以及第四通道的第一開口時,泵抽氣,第一閥門先開啟以真空吸附薄膜,再開啟第二閥門,使氣流從第一通道的第二開口流入并通過吸附面與薄膜的間隙,以吸附薄膜。
      [0009]在本發(fā)明一實施方式中,上述薄膜吸附設備還包含流量控制器。流量控制器安裝于第一通道的第二開口,用以控制氣流的流量。
      [0010]在本發(fā)明一實施方式中,上述薄膜吸附設備還包含溫度控制器。溫度控制器安裝于第一通道的第二開口,用以控制氣流的溫度。
      [0011]本發(fā)明的一技術方式為一種薄膜吸附設備。
      [0012]根據(jù)本發(fā)明一實施方式,一種薄膜吸附設備包含支撐座、承載膜、第一通道、第二通道與泵。支撐座具有吸附面。承載膜設置于吸附面上。第一通道貫穿支撐座。第一通道具有第一開口與第二開口,且第一通道的第一開口位于吸附面。第二通道貫穿支撐座。第二通道具有第一開口與第二開口。第二通道的第一開口位于吸附面。泵連通于第一通道的第二開口與第二通道的第二開口,用以驅動使一流體從第一通道的第二開口流入,并通過吸附面與承載膜的間隙,由第二通道的第二開口回到泵。
      [0013]在本發(fā)明一實施方式中,上述薄膜吸附設備還包含流量控制器。流量控制器連通于第一通道的第二開口與泵,用以控制流體的流量。
      [0014]在本發(fā)明一實施方式中,上述薄膜吸附設備還包含溫度控制器。溫度控制器連通于第一通道的第二開口與泵,用以控制流體的溫度。
      [0015]在本發(fā)明一實施方式中,當一薄膜放置于承載膜時,泵驅動流體循環(huán),使承載膜與薄膜之間形成真空,以吸附薄膜。
      [0016]在本發(fā)明一實施方式中,上述流體為氣體或液體。
      [0017]在本發(fā)明上述實施方式中,由于第一通道的第一開口與第二通道的第一開口位于支撐座的吸附面,因此當一薄膜放置于吸附面并覆蓋第一通道的第一開口及第二通道的第一開口時,連通于第二通道的第二開口泵可抽氣以驅動一氣流從第一通道的第二開口流入。此氣流會依序通過第一通道、吸附面與薄膜的間隙、第二通道,當氣流通過吸附面與薄膜的間隙時,可形成層流穩(wěn)定狀態(tài)而產生負壓(伯努力定律),以吸附薄膜。
      [0018]這樣的吸附方式可讓薄膜在不接觸吸附面的情形下達水平狀態(tài),可節(jié)省已知等待第二階段抽氣的時間,方便上料。此外,薄膜吸附設備不需對薄膜與吸附面間的空間抽真空,不僅可避免薄膜粘貼在夾具上,且可避免移除薄膜時造成拉扯的情形,方便下料。

      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0019]圖1示出根據(jù)本發(fā)明一實施方式的薄膜吸附設備的剖視圖;
      [0020]圖2示出圖1的支撐座的吸附面放置薄膜后的剖視圖;
      [0021]圖3示出圖2的第三通道與第四通道抽真空后的剖視圖;
      [0022]圖4示出圖3的第二通道抽氣后的剖視圖;
      [0023]圖5示出根據(jù)本發(fā)明一實施方式的薄膜吸附設備的剖視圖;
      [0024]圖6示出圖5的支撐座的吸附面放置薄膜后的剖視圖;
      [0025]圖7示出圖6的泵驅動流體循環(huán)后的剖視圖。

      【具體實施方式】
      [0026]以下將以圖式描述本發(fā)明的多個實施方式,為明確說明起見,許多實務上的細節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而,應了解到,這些實務上的細節(jié)不應用以限制本發(fā)明。也就是說,在本發(fā)明部分實施方式中,這些實務上的細節(jié)是非必要的。此外,為簡化圖式起見,一些已知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式示出。
      [0027]圖1示出根據(jù)本發(fā)明一實施方式的薄膜吸附設備100的剖視圖。如圖所示,薄膜吸附設備100包含支撐座110、第一通道120、第二通道130、第三通道140與第四通道150。其中,支撐座110具有吸附面112。第一通道120貫穿支撐座110。第一通道120具有第一開口 122與第二開口 124,且第一通道120的第一開口 122位于吸附面112。第二通道130貫穿支撐座110。第二通道130具有第一開口 132與第二開口 134,且第二通道130的第一開口 132位于吸附面112。第三通道140貫穿支撐座110。第三通道140具有第一開口 142與第二開口 144,且第三通道140的第一開口 142位于吸附面112。第四通道150貫穿支撐座110。第四通道150具有第一開口 152與第二開口 154。第四通道150的第一開口 152位于吸附面112。
      [0028]此外,薄膜吸附設備100還包含泵165、第一閥門160與第二閥門170。其中,第一閥門160具有進氣口 162與出氣口 164。第一閥門160的進氣口 162連通于第三通道140的第二開口 144與第四通道150的第二開口 154。第一閥門160的出氣口 164連通于泵165。第二閥門170具有進氣口 172與出氣口 174。第二閥門170的進氣口 172連通于第二通道130的第二開口 134,且第二閥門170的出氣口 174連通于泵165。藉由以上的配置,泵165可透過第一閥門160與第二閥門170選擇性地連通于第二通道130的第二開口 134、第三通道140的第二開口 144與第四通道150的第二開口 154。
      [0029]在以下敘述中,將說明薄膜吸附設備100使用時的狀態(tài)。
      [0030]圖2示出圖1的支撐座110的吸附面112放置薄膜210后的剖視圖。同時參閱圖1與圖2,薄膜210上貼附有多個發(fā)光二極管(Light Emitting D1de ;LED)晶片212。當夾持薄膜210邊緣的夾具(chuck) 220放置于支撐座110時,薄膜210與支撐座110間的空氣會使薄膜210呈凸狀,而形成間隙dl。在本實施方式中,薄膜210可以為藍膜(blue tape),但不以限制本發(fā)明。
      [0031]圖3示出圖2的第三通道140與第四通道150抽真空后的剖視圖。同時參閱圖1與圖3,當薄膜210放置于吸附面112并覆蓋第一通道120的第一開口 122、第二通道130的第一開口 132、第三通道140的第一開口 142及第四通道150的第一開口 152時,泵165抽氣,第一閥門160開啟,因此瞬間可產生氣流F1、F2,使薄膜210被支撐座110外側的第三通道140的第一開口 142及第四通道150的第一開口 152真空吸附,而達到初步定位的效果。此時,薄膜210與支撐座110間仍存在空氣,但薄膜210外側已被吸附,因此間隙d2會小于圖2的間隙dl。
      [0032]圖4示出圖3的第二通道130抽氣后的剖視圖。同時參閱圖1與圖4,在薄膜210被第三通道140的第一開口 142及第四通道150的第一開口 152真空吸附后,開啟第二閥門170 (第一閥門160仍為開啟狀態(tài)),使氣流F3由泵165驅動從第一通道120的第二開口 124流入,氣流F3會依序通過第一通道120、吸附面112與薄膜210的間隙d3、第二通道130,并從第二通道130的第二開口 134流出。當氣流F3通過吸附面112與薄膜210的間隙d3時,可形成層流穩(wěn)定狀態(tài)而產生負壓(伯努力定律),使薄膜210由氣流F3產生的負壓吸附。因此,間隙d3會小于圖3的間隙d2。薄膜210各位置點與吸附面112的垂直距離大致相同,薄膜210可呈水平狀態(tài)。
      [0033]如此一來,支撐座110上方的量測設備(未示出于圖)便可準確量測發(fā)光二極管晶片212的發(fā)光特性,由于薄膜210已呈水平狀態(tài),因此可降低量測誤差。在本實施方式中,支撐座HO具有透光件114 (例如玻璃片),可供量測設備偵測發(fā)光二極管晶片212的位置。
      [0034]薄膜吸附設備100吸附薄膜210的方式可讓薄膜210在不接觸吸附面112的情形下達水平狀態(tài),能節(jié)省已知等待第二階段抽氣的時間,方便上料(即貼附有發(fā)光二極管晶片212的薄膜210)。此外,薄膜吸附設備100不需對薄膜210與吸附面112間的空間抽真空,不僅可避免薄膜210粘貼在夾具220上,且可避免移除薄膜210時造成拉扯的情形,方便下料。
      [0035]在本實施方式中,第二閥門170的進氣口 172設有真空表176。薄膜吸附設備100還可包含流量控制器180。流量控制器180安裝于第一通道120的第二開口 124。使用者可利用真空表176得知氣流F3于間隙d3產生的負壓,并利用流量控制器180控制氣流F3的流量,使氣流F3達層流穩(wěn)定狀態(tài)。
      [0036]此外,薄膜吸附設備100還可包含溫度控制器190。溫度控制器190安裝于第一通道120的第二開口 124,可用來控制氣流F3的溫度,使薄膜210上的發(fā)光二極管晶片212具有穩(wěn)定的量測溫度,避免環(huán)境溫度造成發(fā)光特性有所差異。
      [0037]圖5示出根據(jù)本發(fā)明一實施方式的薄膜吸附設備300的剖視圖。薄膜吸附設備300包含支撐座310、承載膜320、第一通道330、第二通道340與泵350。其中,支撐座310具有吸附面312。承載膜320設置于吸附面312上。第一通道330貫穿支撐座310。第一通道330具有第一開口 332與第二開口 334,且第一通道330的第一開口 332位于吸附面312。第二通道340貫穿支撐座310。第二通道340具有第一開口 342與第二開口 344。第二通道340的第一開口 342位于吸附面312。泵350連通于第一通道330的第二開口 334與第二通道340的第二開口 344,可驅動使流體430從第一通道330的第二開口 334流入,并通過吸附面312與承載膜320的間隙d,由第二通道340的第二開口 344回到泵350。在本實施方式中,流體430可以為氣體或液體。
      [0038]此外,薄膜吸附設備300還可包含流量控制器360與溫度控制器370。其中,流量控制器360連通于第一通道330的第二開口 334與泵350,可控制流體430的流量。溫度控制器370連通于第一通道330的第二開口 334與泵350,可控制流體430的溫度。
      [0039]圖6示出圖5的支撐座310的吸附面312放置薄膜410后的剖視圖。同時參閱圖5與圖6,薄膜410上貼附有多個發(fā)光二極管晶片412。當夾持薄膜410邊緣的夾具420放置于支撐座310時,薄膜410放置于承載膜320,且薄膜410與支撐座310間的空氣會使薄膜410呈凸狀。
      [0040]圖7示出圖6的泵350驅動流體430循環(huán)后的剖視圖。同時參閱圖6與圖7,當薄膜410放置于承載膜320時,泵350可驅動流體430以方向Dl循環(huán),當流體430通過吸附面312與承載膜320的間隙d時,可形成層流穩(wěn)定狀態(tài)而產生負壓(伯努力定律),使承載膜320由流體430產生的負壓吸附,因此間隙d’會小于間隙d。如此一來,承載膜320與薄膜410之間形成真空,使薄膜410被承載膜320吸附而往方向D2移動,進而呈水平狀態(tài)。如此一來,支撐座310上方的量測設備(未示出于圖)便可準確量測發(fā)光二極管晶片412的發(fā)光特性,由于薄膜410已呈水平狀態(tài),因此可降低量測誤差。
      [0041]薄膜吸附設備300吸附薄膜410的方式可讓薄膜410在不接觸吸附面312的情形下達水平狀態(tài),能節(jié)省抽真空的時間,方便上料,不僅可避免薄膜410粘貼在夾具420上,且可避免移除薄膜410時造成拉扯的情形,方便下料。使用者可利用流量控制器360控制流體430的流量,使流體430達層流穩(wěn)定狀態(tài)。溫度控制器370控制流體430的溫度,使薄膜410上的發(fā)光二極管晶片412具有穩(wěn)定的量測溫度,避免環(huán)境溫度造成發(fā)光特性有所差異。
      [0042]雖然本發(fā)明已以實施方式描述如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何本領域技術人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內,當可作各種的更動與潤飾,因此本發(fā)明的保護范圍當視后附的權利要求書所界定者為準。
      【權利要求】
      1.一種薄膜吸附設備,其特征在于包含: 一支撐座,具有一吸附面; 一第一通道,貫穿該支撐座,該第一通道具有一第一開口與一第二開口,且該第一通道的第一開口位于該吸附面; 一第二通道,貫穿該支撐座,該第二通道具有一第一開口與一第二開口,且該第二通道的第一開口位于該吸附面;以及 一泵,連通于該第二通道的第二開口; 其中當一薄膜放置于該吸附面并覆蓋該第一通道的第一開口及該第二通道的第一開口時,該泵抽氣以驅動一氣流從該第一通道的第二開口流入并通過該吸附面與該薄膜的間隙,以吸附該薄膜。
      2.如權利要求1所述的薄膜吸附設備,其特征在于還包含: 一第三通道,貫穿該支撐座,該第三通道具有一第一開口與一第二開口,且該第三通道的第一開口位于該吸附面;以及 一第四通道,貫穿該支撐座,該第四通道具有一第一開口與一第二開口,其中該第四通道的第一開口位于該吸附面。
      3.如權利要求2所述的薄膜吸附設備,其特征在于還包含: 一第一閥門,具有一進氣口,連通于該第三通道的第二開口與該第四通道的第二開口,以及一出氣口,連通于該泵;以及 一第二閥門,具有一進氣口,連通于該第二通道的第二開口,以及一出氣口,連通于該栗; 其中當該薄膜放置于該吸附面并覆蓋該第一通道的第一開口、該第二通道的第一開口、該第三通道的第一開口以及該第四通道的第一開口時,該泵抽氣,該第一閥門先開啟以真空吸附該薄膜,再開啟該第二閥門,使該氣流從該第一通道的第二開口流入并通過該吸附面與該薄膜的間隙,以吸附該薄膜。
      4.如權利要求1所述的薄膜吸附設備,其特征在于還包含: 一流量控制器,安裝于該第一通道的第二開口,用以控制該氣流的流量。
      5.如權利要求1所述的薄膜吸附設備,其特征在于還包含: 一溫度控制器,安裝于該第一通道的第二開口,用以控制該氣流的溫度。
      6.一種薄膜吸附設備,其特征在于包含: 一支撐座,具有一吸附面; 一承載膜,設置于該吸附面上; 一第一通道,貫穿該支撐座,該第一通道具有一第一開口與一第二開口,且該第一通道的第一開口位于該吸附面; 一第二通道,貫穿該支撐座,該第二通道具有一第一開口與一第二開口,其中該第二通道的第一開口位于該吸附面;以及 一泵,連通于該第一通道的第二開口與該第二通道的第二開口,用以驅動使一流體從該第一通道的第二開口流入,并通過該吸附面與該承載膜的間隙,由該第二通道的第二開口回到該泵。
      7.如權利要求6所述的薄膜吸附設備,其特征在于還包含: 一流量控制器,連通于該第一通道的第二開口與該泵,用以控制該流體的流量。
      8.如權利要求6所述的薄膜吸附設備,其特征在于還包含: 一溫度控制器,連通于該第一通道的第二開口與該泵,用以控制該流體的溫度。
      9.如權利要求6所述的薄膜吸附設備,其特征在于當一薄膜放置于該承載膜時,該泵驅動該流體循環(huán),使該承載膜與該薄膜之間形成真空,以吸附該薄膜。
      10.如權利要求6所述的薄膜吸附設備,其特征在于該流體為氣體或液體。
      【文檔編號】H01L21/673GK104425326SQ201310364415
      【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年8月20日 優(yōu)先權日:2013年8月20日
      【發(fā)明者】翁思淵, 蔡馥禧 申請人:致茂電子股份有限公司
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