具有鈍化層的半導(dǎo)體器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了具有鈍化層的半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件包括具有第一表面的半導(dǎo)體本體、布置在第一表面上的接觸電極、以及在第一表面上與接觸電極鄰近的鈍化層。所述鈍化層包括層堆疊，所述層堆疊具有第一表面上的無定形半絕緣層、所述無定形半絕緣層上的第一氮化物層、以及第一氮化物層上的第二氮化物層。
【專利說明】具有鈍化層的半導(dǎo)體器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實施例涉及半導(dǎo)體器件、特別是功率半導(dǎo)體器件并且特別是具有鈍化層的功率半導(dǎo)體器件。
【背景技術(shù)】
[0002]諸如功率二極管或功率晶體管之類的功率半導(dǎo)體器件能夠阻斷幾十伏、幾百伏或者甚至幾千伏(kV)的高電壓。高阻斷電壓與其中集成了半導(dǎo)體器件的有源區(qū)的半導(dǎo)體本體內(nèi)的高電場相關(guān)聯(lián)。尤其是在阻斷狀態(tài)下出現(xiàn)高電場的半導(dǎo)體本體的表面非常敏感，并且需要合適的處理以便防止可能導(dǎo)致降低電壓阻斷能力的惡化效應(yīng)。這樣的處理通常包括在所述表面上形成鈍化層。合適的常規(guī)鈍化層材料例如是半導(dǎo)體氧化物，比如二氧化硅Si02。
[0003]需要提供具有在機械和化學(xué)方面非常魯棒的鈍化層的半導(dǎo)體器件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]第一實施例涉及一種半導(dǎo)體器件。所述半導(dǎo)體器件包括:具有第一表面的半導(dǎo)體本體、布置在第一表面上的接觸電極、以及在第一表面上與接觸電極鄰近的鈍化層。所述鈍化層包括層堆疊，所述層堆疊具有第一表面上的無定形半絕緣層、所述無定形半絕緣層上的第一氮化物層、以及第一氮化物層上的第二氮化物層。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0005]現(xiàn)在將參照附圖來解釋實例。附圖用來說明基本原理，所以只示出對于理解基本原理所必要的方面。附圖不是按比例的。在附圖中，相同的附圖標記表示相同的特征。
[0006]圖1示出包括第一表面上的鈍化層的半導(dǎo)體器件的垂直剖視圖；
圖2示出包括第一表面上的鈍化層和半導(dǎo)體本體中的pn結(jié)的半導(dǎo)體器件的垂直剖視
圖；
圖3示出被實施為二極管的半導(dǎo)體器件的垂直剖視圖；
圖4示出被實施為MOS晶體管的半導(dǎo)體器件的垂直剖視圖；
圖5示出被實施為肖特基二極管的半導(dǎo)體器件的垂直剖視圖；
圖6示出圖1的半導(dǎo)體器件的修改；以及
圖7 (其包括圖7A到7D)示出用于產(chǎn)生包括第一表面上的鈍化層的半導(dǎo)體器件的方法的實施例。
【具體實施方式】
[0007]在下列詳細描述中對附圖進行參照，所述附圖形成其一部分，并且其中通過說明的方式示出其中可以實踐本發(fā)明的特定實施例。
[0008]圖1示出半導(dǎo)體器件(例如功率半導(dǎo)體器件)的一部分(section)的垂直剖視圖。所述半導(dǎo)體器件包括具有第一表面101的半導(dǎo)體本體100。半導(dǎo)體本體100可以包括常規(guī)半導(dǎo)體材料，比如硅(Si)、碳化硅(SiC)等等。所述半導(dǎo)體器件還包括第一表面101上的并且鄰接半導(dǎo)體本體100的接觸電極21。接觸電極21例如包括鋁、銅、鋁合金、銅合金、或者諸如AlSiCu之類的鋁-銅合金。
[0009]接觸電極21沒有完全地覆蓋第一表面101。至少在第一表面101的鄰近接觸電極21并且不被接觸電極21覆蓋的那些區(qū)內(nèi)形成鈍化層30。所述鈍化層保護半導(dǎo)體本體100的第一表面101，并且提供半導(dǎo)體器件的長期穩(wěn)定性。特別是，鈍化層30防止或者至少減少在潮濕空氣中操作半導(dǎo)體器件時可能發(fā)生的惡化過程。這些惡化過程特別可能在第一表面101的可能出現(xiàn)高電場的那些區(qū)內(nèi)發(fā)生。
[0010]圖1中所示的具有半導(dǎo)體本體100、半導(dǎo)體本體100的第一表面101上的接觸電極
21、以及鈍化層30的基本器件結(jié)構(gòu)可以在多個不同的半導(dǎo)體器件中找到，并且不限于一個特定類型的半導(dǎo)體器件。因此，在圖1中僅僅示出半導(dǎo)體本體100，但沒有示出在半導(dǎo)體本體100中實施的特定器件區(qū)。在下面參照圖2到6解釋特定半導(dǎo)體器件的以及半導(dǎo)體本體100中的特定器件結(jié)構(gòu)的一些實施例。
[0011]參照圖1，鈍化層30包括層堆疊，所述層堆疊具有一個形成在另一個之上的幾層。所述層堆疊包括第一表面101上的無定形半絕緣層31。根據(jù)一個實施例，無定形半絕緣層31鄰接第一表面101。所述無定形半絕緣層例如是無定形氫摻雜(含氫)層，比如無定形氫摻雜碳化娃(aSiC:H)層、無定形氫摻雜碳(aC: H)層、無定形氫摻雜娃(aS1:H)層等等。借助于其半絕緣特性，所述無定形半絕緣層可以不僅用來鈍化第一表面101，而且可以充當(dāng)影響沿著第一表面101的電位分布的電活性層。不過，無定形半絕緣層在機械方面非常硬，并且因此提供了對于半導(dǎo)體本體100的良好機械保護。舉例來說，aSiC:H層的硬度(根據(jù)Vickers)是大約21GPa，并且楊氏模量(彈性模量)是大約llOGPa。
[0012]參照圖1，所述層堆疊還包括鄰接無定形半絕緣層的第一氮化物層，比如氮化硅(Si3N4)層。氮化物層(例如第一氮化物層32)具有高的耐化學(xué)性。此外，氮化物層相對較硬。硬度通常是大約23GPa，而楊氏模量是大約165GPa。因此，第一氮化物層在化學(xué)和機械方面保護無定形半絕緣層31，并且因此保護半導(dǎo)體本體100。然而，氮化物層(例如第一氮化物層)相對較脆。為了防止尤其可能在脆的材料層被彎曲的那些區(qū)內(nèi)發(fā)生的機械缺陷，第一氮化物層32 (例如無定形半絕緣層31)是平面層。也就是，第一氮化物層32以及無定形半絕緣層31基本上平行于第一表面101。無定形半絕緣層31和第一氮化物層32都延伸到接觸電極21并且鄰接接觸電極21，但是沒有沿著接觸電極21的側(cè)壁22延伸。在圖1的實施例中，接觸電極21的側(cè)壁22被繪制成基本上是垂直的。然而，這僅僅是實例，側(cè)壁22也可以被形成為相對于第一表面101具有除90°之外的角度。
[0013]參照圖1，鈍化層30的層堆疊還包括第一氮化物層32上方的第二氮化物層34。第二氮化物層34的材料可以對應(yīng)于第一氮化物層32的材料。第二氮化物層34可以沿著接觸電極21的側(cè)壁22延伸，并且可以覆蓋接觸電極21的上表面23的與側(cè)壁22鄰近的部分。然而，第二氮化物層34沒有完全地覆蓋接觸電極21的上表面23。在上表面23的未被第二氮化物層34覆蓋的區(qū)內(nèi)，可以通過接合線(未示出)等等與接觸電極21接觸。
[0014]可選地，所述層堆疊包括第一氮化物層32與第二氮化物層34之間的中間層33(在圖1中用虛線示出)。根據(jù)一個實施例，中間層33是延性層，其具有處于接觸電極21的材料的硬度與第一和第二氮化物層32、34的硬度之間的硬度。根據(jù)一個實施例，中間層33的硬度處于50GPa與70GPa之間，而楊氏模量處于7GPa與IOGPa之間。根據(jù)一個實施例,所述中間層包括硅酸鹽玻璃，比如無摻雜硅酸鹽玻璃(USG)、磷摻雜硅酸鹽玻璃(PSG)、硼摻雜硅酸鹽玻璃(BSG)、或者硼磷摻雜硅酸鹽玻璃(BPSG)。中間層33提供所述層堆疊中的機械緩解(relief)。像第二氮化物層34 —樣，中間層33可以沿著側(cè)壁22延伸，并且可以覆蓋接觸電極21的上表面23的一些部分。
[0015]在鈍化層30中，第二氮化物層34保護第一氮化物層32，并且覆蓋可能存在于第一氮化物層32中的第一氮化物層32的缺陷區(qū)。
[0016]可選地，鈍化層30還包括第二氮化物層34之上的氧化物層35。氧化物層35例如是氧化硅(SiO2)層。
[0017]參照圖1，鈍化層30可以完全地覆蓋接觸電極21與半導(dǎo)體本體100的邊緣表面102之間的半導(dǎo)體本體100上的第一表面101。邊緣表面102在半導(dǎo)體本體100的水平方向上終結(jié)半導(dǎo)體本體100。然而，這僅僅是實例。根據(jù)另一實施例，鈍化層30可以留下第一表面101的一些部分不被覆蓋。舉例來說，在其中集成了功率半導(dǎo)體器件和低電壓半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體本體中，鈍化層可以不覆蓋第一表面101的在其下方集成了低電壓器件的那些區(qū)。然而，在這些實施例的每個中，鈍化層30可以完全地包圍第一表面101上的接觸電極21。
[0018]如上已經(jīng)所述的那樣，圖1的具有半導(dǎo)體本體100、接觸電極21和鈍化層30的拓撲可以被使用在多個不同的半導(dǎo)體器件中。圖2示出具有圖1的拓撲并且包括半導(dǎo)體本體100中的pn結(jié)的半導(dǎo)體器件的垂直剖視圖。pn結(jié)被形成在第一摻雜類型的第一摻雜半導(dǎo)體區(qū)11和與第一摻雜類型互補的第二摻雜類型的第二摻雜半導(dǎo)體區(qū)12之間。第二摻雜半導(dǎo)體區(qū)12被電連接到接觸電極21。第一摻雜半導(dǎo)體區(qū)11可以延伸到邊緣區(qū)102和/或可以延伸到第一表面101。半導(dǎo)體本體100的其中形成pn結(jié)的區(qū)可以被稱作內(nèi)部區(qū)110，并且與內(nèi)部區(qū)110鄰接的區(qū)可以被稱作外部區(qū)或邊緣區(qū)120。邊緣區(qū)20可以從內(nèi)部區(qū)110延伸到半導(dǎo)體本體100的邊緣表面102。然而，這僅僅是實例。根據(jù)另一實施例(未示出)，另外的半導(dǎo)體區(qū)可以鄰接邊緣區(qū)120，比如其中實施了低電壓半導(dǎo)體器件或邏輯器件的半導(dǎo)體區(qū)。
[0019]參照圖2，所述pn結(jié)延伸到表面101，并且被鈍化層30覆蓋。也就是，接觸電極21的側(cè)壁22遠離pn結(jié)延伸到第一表面101的位置。
[0020]可選地，所述半導(dǎo)體器件包括鈍化層30下方的邊緣區(qū)120中的邊緣終結(jié)結(jié)構(gòu)。所述邊緣終結(jié)結(jié)構(gòu)可以包括第二摻雜類型的VLD (橫向變摻雜)區(qū)13、以及第一摻雜類型的并且比第一器件區(qū)11更高摻雜的溝道截斷區(qū)14。VLD區(qū)13和溝道截斷區(qū)14都鄰接第一表面101，并且在半導(dǎo)體本體100的水平(橫向)方向上遠離。不用說，結(jié)合鈍化層還可以使用其他類型的邊緣終結(jié)結(jié)構(gòu)，比如包括場環(huán)和/或場板的邊緣終結(jié)結(jié)構(gòu)。
[0021]鈍化層30適合于被使用在高電壓半導(dǎo)體器件(比如具有幾百伏或者甚至幾千伏(kV)的電壓阻斷能力的半導(dǎo)體器件)中。所述鈍化層特別適合于被使用在具有7kV和更高的電壓阻斷能力的半導(dǎo)體器件中。
[0022]圖2的器件拓撲可以被使用在多個不同的半導(dǎo)體器件中，所述器件拓撲具有包括pn結(jié)的半導(dǎo)體本體100、與形成pn結(jié)的半導(dǎo)體區(qū)之一接觸的接觸電極21、以及至少覆蓋第一表面101的在該處pn結(jié)延伸到表面101的那些區(qū)的鈍化層30。在下面參照圖3和4解釋兩個可能的實施例。
[0023]參照圖3，所述半導(dǎo)體器件可以被實施為二極管、特別是功率二極管。圖3示出具有如參照圖2所解釋的器件拓撲的功率二極管的垂直剖視圖。然而，在圖3中沒有詳細示出鈍化層30，并且沒有示出可選的邊緣終結(jié)結(jié)構(gòu)。如上面參照圖1所解釋的那樣實施鈍化層30。
[0024]在圖3的二極管中，第一器件區(qū)11形成二極管的基極區(qū)，以及第二器件區(qū)12形成二極管的η發(fā)射極或P發(fā)射極中的一個。根據(jù)一個實施例，基極區(qū)11是η摻雜的，從而第二器件區(qū)12是P摻雜的并且形成二極管的P發(fā)射極(陽極)。所述二極管還包括第一摻雜類型的另一發(fā)射極區(qū)14，其比基極區(qū)11更高摻雜并且鄰接基極區(qū)11。接觸電極21被電(歐姆)連接到P發(fā)射極12和二極管的第一端子41。第一端子41在本實施例中形成陽極端子。所述二極管的η發(fā)射極(陰極)被電連接到形成陰極端子的第二端子42。
[0025]圖4示出包括如參照圖2所解釋的器件拓撲的另一半導(dǎo)體器件的垂直剖視圖。圖4的半導(dǎo)體器件被實施為MOS晶體管。在該MOS晶體管中，第一器件區(qū)11是漂移區(qū)，以及第二器件區(qū)12是本體區(qū)。所述MOS晶體管包括多個晶體管單元50。每個晶體管單元包括通過本體區(qū)12與漂移區(qū)11分開的源極區(qū)51、柵電極52以及把柵電極52與源極區(qū)51電介質(zhì)絕緣的柵電介質(zhì)、本體區(qū)12以及漂移區(qū)11。各個晶體管單元50共享漂移區(qū)11和漏極區(qū)
14。柵電極52被電連接到柵電極43。接觸電極21形成源電極，其被連接到形成源極端子的第一端子41。漏極區(qū)14被連接到形成漏極端子的第二端子52。所述MOS晶體管可以被實施為M0SFET。在這種情況下，漏極區(qū)14與漂移區(qū)11具有相同的摻雜類型，但是被更高地摻雜?？商鎿Q地，所述MOS晶體管被實施為IGBT。在這種情況下，漏極區(qū)14與漂移區(qū)11互補地摻雜。所述MOS晶體管可以被實施為η型或P型晶體管。在η型晶體管中，漂移區(qū)11和源極區(qū)51是η摻雜的，而本體區(qū)12是P摻雜的。在P型晶體管中，漂移區(qū)11和源極區(qū)51是P摻雜的，而本體區(qū)12是η摻雜的。
[0026]圖5示出另一半導(dǎo)體器件的一部分的垂直剖視圖。圖5的半導(dǎo)體器件被實施為肖特基二極管，并且包括接觸電極21與半導(dǎo)體本體100之間的肖特基結(jié)。
[0027]圖6示出圖1的器件拓撲的修改。圖6的器件拓撲可以被使用在前面所解釋的半導(dǎo)體器件的每個中。參照圖6，接觸電極21與無定形半絕緣層31和第一氮化物層32交疊。在半導(dǎo)體器件包括pn結(jié)(在圖6中用虛線示出)的情況下，接觸電極21的側(cè)壁22遠離pn結(jié)延伸到第一表面101的位置。
[0028]圖7A到7D示出用于產(chǎn)生如圖1或6中所示的器件拓撲的方法的第一實施例。圖7A到7D示出不同方法步驟中的半導(dǎo)體本體100的垂直剖視圖。
[0029]參照圖7A和7B，所述方法包括:在第一表面101上形成無定形半絕緣層31并且在無定形半絕緣層31上形成第一氮化物層32，使得具有無定形半絕緣層31和第一氮化物層32的層堆疊留下第一表面101的一些部分不被覆蓋。也就是，具有兩層31、32的層堆疊具有開口 26。由于圖7A到7D僅僅示出半導(dǎo)體器件的一部分，因此在圖7B中僅僅示出開口36的一部分。
[0030]形成具有開口 36的層堆疊可以包括:形成無定形半絕緣層31和第一氮化物層32從而使得這些層完全地覆蓋第一表面101，并且隨后在層堆疊中形成開口 36。形成開口 36可以包括利用蝕刻掩模200的蝕刻過程。形成無定形半絕緣層31可以包括化學(xué)氣相沉積(CVD)過程，比如PECVD過程。無定形半絕緣層31例如是aSiC:H層、aC:H層和aS1:H層中的一個。形成第一氮化物層32可以包括諸如CVD過程之類的沉積過程，其利用諸如SiH4之類的含硅前驅(qū)物和諸如NH3或N2之類的含氮前驅(qū)物。在形成第一氮化物層32之前可以執(zhí)行清潔過程以清潔無定形半絕緣層31。這一清潔過程可以包括濺射過程，比如氬(Ar)濺射過程。
[0031]參照圖7C，在接下來的過程步驟中形成接觸電極21。接觸電極21被至少形成在第一層堆疊的開口中，并且至少在一個橫向末端鄰接所述層堆疊?？蛇x地(如圖7C中所示)，接觸電極21被產(chǎn)生為與具有無定形半絕緣層31和第一氮化物層32的層堆疊交疊。形成接觸電極21可以包括:沉積完全地覆蓋半導(dǎo)體本體100的第一表面101的電極層，并且隨后例如利用蝕刻過程結(jié)構(gòu)化電極層以形成接觸電極21。根據(jù)一個實施例，接觸電極21包括鋁、銅、鋁合金、銅合金、以及鋁-銅合金中的一個。 [0032]參照圖7D，產(chǎn)生鈍化層30的層堆疊的剩余層。也就是，在第一氮化物層32、接觸電極21的側(cè)壁和上表面的一些部分上產(chǎn)生第二氮化物層34?？蛇x地，在形成第二氮化物層34之前，在第一氮化物層32上形成中間層33。形成所述層堆疊的剩余層可以包括:形成剩余層以完全地覆蓋第一氮化物層32和接觸電極21，并且隨后從接觸電極21的上表面的將在該處露出接觸電極21以用于連接目的的那些部分中去除所述剩余層。
[0033]雖然已經(jīng)公開了本發(fā)明的各種示例性實施例，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言下述將是顯然的:在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以做出將實現(xiàn)本發(fā)明的一些優(yōu)點的各種改變和修改。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言下述將是明顯的:可以用執(zhí)行相同功能的其他部件來合適地替代。應(yīng)當(dāng)提到的是，可以把參照特定圖解釋的特征與其他圖的特征相組合，即使在還沒有明確提到這一點的那些情況中也是如此。此外，本發(fā)明的方法可以以利用適當(dāng)處理器指令的全軟件實施來實現(xiàn)，或者以利用硬件邏輯與軟件邏輯的組合以實現(xiàn)相同結(jié)果的混合實施來實現(xiàn)。對于本發(fā)明的構(gòu)思的這種修改意圖被所附權(quán)利要求書覆蓋。
[0034]使用諸如“在…下”、“在…下方”、“下”、“在…上”、“上”等等之類的空間相對術(shù)語以易于描述，以便解釋一個元件相對于第二元件的定位。這些術(shù)語意圖除了與附圖中描繪的那些不同的取向之外還包括器件的不同取向。此外，諸如“第一”、“第二”等等之類的術(shù)語也被用來描述各種元件、區(qū)、部分等等，并且也不意圖是限制性的。相同的術(shù)語在整個描述中指代相同的元件。
[0035]如在這里所使用的術(shù)語“具有”、“包含”、“包括”、“包括”等等是開放性術(shù)語，其指示所述元件或特征的存在，但不排除附加的元件或特征。冠詞“一個”、“一”和“所述”意圖包括復(fù)數(shù)以及單數(shù)，除非上下文另有清楚地指示。
[0036]應(yīng)當(dāng)理解，在這里所描述的各種實施例的特征可以彼此組合，除非另有明確地說明。
[0037]雖然在這里已經(jīng)示出并描述了特定實施例，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將認識到，在不背離本發(fā)明的范圍的情況下，可以用多種替換和/或等同實施來替代所示出并描述的特定實施例。本申請意圖覆蓋在這里所討論的特定實施例的任何適配或變型。因此，意圖是本發(fā)明僅由權(quán)利要求書及其等同物來限定。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件，包括: 半導(dǎo)體本體，其包括第一表面； 布置在第一表面上的接觸電極；以及 在第一表面上與所述接觸電極鄰近的鈍化層，所述鈍化層包括層堆疊，所述層堆疊具有第一表面上的無定形半絕緣層、所述無定形半絕緣層上的第一氮化物層、以及第一氮化物層上的第二氮化物層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述無定形半絕緣層包括aSiC:H和aC:H中的至少一個。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述鈍化層還包括: 第一氮化物層與第二氮化物層之間的中間層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述中間層具有的硬度低于所述接觸電極的材料的硬度，并且高于第一和第二氮化物層中的一個的硬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述中間層具有處于50GPa與70GPa之間的楊氏模量，以及其中所述中間層的硬度處于7GPa與IOGPa之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述中間層包括硅酸鹽玻璃。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述中間層包括USG、PSG、BSG和BPSG中的至少一個。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半 導(dǎo)體器件， 其中，所述接觸電極具有側(cè)壁和上表面；以及 其中，所述中間層和第二氮化物層覆蓋所述接觸電極的側(cè)壁和上表面的一部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述接觸電極包括鋁、銅、鋁合金、以及銅合金中的至少一個。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述接觸電極與所述無定形半絕緣層和第一氮化物層交疊。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件， 其中，所述接觸電極具有側(cè)壁和上表面；以及 其中，第二氮化物層覆蓋所述接觸電極的側(cè)壁和上表面的一部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括第一摻雜半導(dǎo)體區(qū)和第二摻雜半導(dǎo)體區(qū)，第一摻雜半導(dǎo)體區(qū)和第二摻雜半導(dǎo)體區(qū)形成Pn結(jié)，其中所述接觸電極被連接到第二摻雜半導(dǎo)體區(qū)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件， 其中，所述Pn結(jié)延伸到第一表面；以及 其中，所述鈍化層覆蓋第一表面之上的pn結(jié)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件被實施為二極管，以及其中第一摻雜半導(dǎo)體區(qū)形成所述二極管的基極區(qū)并且第二摻雜半導(dǎo)體區(qū)形成發(fā)射極區(qū)。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件被實施為MOS晶體管，以及其中第一摻雜半導(dǎo)體區(qū)形成所述MOS晶體管的漂移區(qū)并且第二摻雜半導(dǎo)體區(qū)形成本體區(qū)。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括:由所述接觸電極所接觸的摻雜半導(dǎo)體區(qū)；以及 所述接觸電極與所述摻雜半導(dǎo)體區(qū)之間的肖特基結(jié)。
17.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括: 提供具有第一表面的半導(dǎo)體本體； 在第一表面上形成包括無定形半絕緣層和第一氮化物層的第一層堆疊，第一層堆疊具有開口 ； 在所述開口中形成接觸電極；以及 在第一層堆疊上形成第二氮化物層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述無定形半絕緣層包括aSiC:H和aC:H中的至少一個。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括在形成第二氮化物層之前在第一層堆疊上形成中間層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述中間層具有硬度，所述中間層的硬度低于所述接觸電極的材料的硬度并且高于第一和第二氮化物層中的一個的硬度。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述中間層包括硅酸鹽玻璃。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法， 其中，所述接觸電極包括側(cè)壁和上表面；以及 其中，所述中間層和第二氮化物層`被形成以便覆蓋所述側(cè)壁和所述上表面的一部分。
23.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述接觸電極包括鋁、銅、鋁合金、以及銅合金中的至少一個。
24.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述接觸電極被形成以便與第一層堆疊交疊。
25.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述接觸電極包括側(cè)壁和上表面，以及其中第二氮化物層被形成以便覆蓋所述側(cè)壁和所述上表面的一部分。
【文檔編號】H01L29/41GK103681799SQ201310383590
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月29日
【發(fā)明者】J.鮑爾, O.胡姆貝爾, A.科普羅夫斯基, S.莫納亞庫爾, C.舍費爾, G.施密特 申請人:英飛凌科技股份有限公司