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      保護(hù)帶剝離方法、保護(hù)帶剝離裝置和該保護(hù)帶剝離裝置所用的剝離帶的制作方法

      文檔序號(hào):7263563閱讀:130來(lái)源:國(guó)知局
      保護(hù)帶剝離方法、保護(hù)帶剝離裝置和該保護(hù)帶剝離裝置所用的剝離帶的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明提供保護(hù)帶剝離方法、保護(hù)帶剝離裝置和該保護(hù)帶剝離裝置所用的剝離帶。在將帶保護(hù)帶的晶圓分割成芯片后,對(duì)借助粘合帶保持于環(huán)形框的芯片進(jìn)行加熱,從而使芯片形狀的保護(hù)帶沿同一軸向卷成筒狀,使該保護(hù)帶局部自芯片剝離。利用粘貼輥按壓剝離帶,并且將該剝離帶至少粘貼到芯片分布區(qū)域,該剝離帶具有向芯片分布區(qū)域粘貼的部分的粘合性比與晶圓的外周區(qū)域相面對(duì)的部分的粘合性強(qiáng)的粘合層。通過(guò)將該剝離帶剝離,使卷成筒狀的保護(hù)帶與剝離帶一體地自芯片剝離去除。
      【專利說(shuō)明】保護(hù)帶剝離方法、保護(hù)帶剝離裝置和該保護(hù)帶剝離裝置所用的剝離帶
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種在對(duì)保持粘貼有表面保護(hù)用的保護(hù)帶的狀態(tài)的半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行了切割(夕'' ^ '> >7)處理后,將剝離帶粘貼到該保護(hù)帶上并剝離去除該保護(hù)帶的保護(hù)帶剝離方法、保護(hù)帶剝離裝置和該保護(hù)帶剝離裝置所用的剝離帶。
      【背景技術(shù)】
      [0002]對(duì)于通過(guò)將半導(dǎo)體晶圓(以下適當(dāng)?shù)胤Q為“晶圓”)形成為小片(芯片)而制成的例如CMOS (Complementary metal oxide semiconductor互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)等傳感器類物品,希望在直到即將將該芯片安裝到基板上之前,都能夠避免灰塵向該芯片附著、對(duì)芯片的汚染和損壞該芯片。因此,保持粘貼有在進(jìn)行背面研磨前就粘貼在晶圓表面上的保護(hù)帶的狀態(tài)下,對(duì)晶圓進(jìn)行切割處理。然后,將剝離帶粘貼到借助切割帶粘貼保持于環(huán)形框的芯片上的保護(hù)帶上,剝離該保護(hù)帶(參照日本特開2003 - 209073號(hào)公報(bào))。
      [0003]另外,實(shí)施如下方法:以保持能受熱而沿同一軸向卷成筒狀的保護(hù)帶仍粘貼在該晶圓的表面上的狀態(tài)下,對(duì)晶圓進(jìn)行切割處理。在進(jìn)行了切割后,對(duì)借助切割帶粘貼保持于環(huán)形框的芯片進(jìn)行加熱,剝離保護(hù)帶。然后,將剝離帶粘貼到保護(hù)帶上而自芯片剝離去除該保護(hù)帶(參照日本特開2010 - 129607號(hào)公報(bào))。
      [0004]在以往的保護(hù)帶的剝離方法中,會(huì)產(chǎn)生如下這樣的問(wèn)題。
      [0005]即,在將剝離帶粘貼到保護(hù)帶上時(shí),使粘貼輥在剝離帶上從環(huán)形框的一端側(cè)向另一端側(cè)滾動(dòng)。由于在該粘貼輥?zhàn)饔糜邢蛳碌牧?,所以?huì)產(chǎn)生輥落入環(huán)形框與晶圓之間,剝離帶的粘合面與切割帶的粘合面粘接而無(wú)法剝離去除剝離帶的這樣的問(wèn)題。
      [0006]詳細(xì)而言,通過(guò)加熱剝離帶,使該剝離帶牢固地粘接在自切割后的芯片剝離為筒狀的保護(hù)帶,在自各芯片上剝離去除該保護(hù)帶的工序中,該剝離帶需要具有不會(huì)脫落的較強(qiáng)的粘合性。由于在芯片上載置有筒狀的保護(hù)帶,所以從該粘貼位置到芯片的間隙增加,能夠在粘貼該剝離帶時(shí),抑制剝離帶的粘合面與芯片相接觸。
      [0007]但是,有時(shí)因粘貼輥掉下來(lái)或作業(yè)時(shí)的剝離帶松弛,而使切割帶的粘合面與剝離帶的粘合面粘接。在該情況下,由于兩個(gè)粘接面牢固地粘接起來(lái),所以不能從芯片上剝離去除保護(hù)帶。當(dāng)在該狀態(tài)下強(qiáng)行地拉拽剝離帶時(shí),由于粘接力大于拉拽力,所以也會(huì)發(fā)生切割帶斷裂,或在被夾持在剝離帶與切割帶之間的芯片上作用有過(guò)度的拉拽力而使芯片變形,再或者使芯片破損的問(wèn)題。
      [0008]此外,當(dāng)剝離帶也與環(huán)形框相接觸或者粘接到環(huán)形框上時(shí),想要從該環(huán)形框上剝離掉剝離帶是非常困難的,作業(yè)性明顯下降。另外,當(dāng)強(qiáng)行自環(huán)形框剝掉剝離帶的情況下,可能會(huì)出現(xiàn)用力過(guò)猛而使剝離帶與環(huán)形框以外的部分形成新的接觸,進(jìn)而形成不能剝離去除剝離帶的狀態(tài)。

      【發(fā)明內(nèi)容】
      [0009]本發(fā)明是鑒于上述那樣的情況而做成的,目的在于,提供一種能夠?qū)⑼ㄟ^(guò)切割處理而分割成芯片形狀的保護(hù)帶自芯片高精度地剝離去除的保護(hù)帶剝離方法、保護(hù)帶剝離裝置和該保護(hù)帶剝離裝置所用的剝離帶。
      [0010]那么,本發(fā)明采用如下這樣的結(jié)構(gòu),以達(dá)到上述那樣的目的。
      [0011]S卩,一種保護(hù)帶剝離方法,該保護(hù)帶剝離方法是自借助支承用的粘合帶保持于環(huán)形框的半導(dǎo)體晶圓剝離掉保護(hù)帶的方法,
      [0012]上述方法包含以下工序:
      [0013]第I剝離工序,在將帶上述保護(hù)帶的半導(dǎo)體晶圓分割為芯片后,對(duì)借助上述粘合帶保持于環(huán)形框的該芯片進(jìn)行加熱,從而使芯片形狀的保護(hù)帶沿同一軸向卷成筒狀,而使該保護(hù)帶的局部自芯片剝離;
      [0014]粘貼工序,利用粘貼構(gòu)件按壓剝離帶,將該剝離帶至少粘貼到芯片分布區(qū)域,該剝離帶具有向該芯片分布區(qū)域粘貼的部分的粘合性比與上述半導(dǎo)體晶圓的外周區(qū)域相面對(duì)的部分的粘合性強(qiáng)的粘合層;
      [0015]第2剝離工序,通過(guò)剝離掉上述剝離帶,使卷成筒狀的保護(hù)帶與該剝離帶一體地自芯片剝離去除。
      [0016]采用該方法,剝離帶具有向芯片分布區(qū)域粘貼的部分的粘合性比與半導(dǎo)體晶圓的外周區(qū)域相面對(duì)的部分的粘合性強(qiáng)的粘合層。換言之,對(duì)該外周區(qū)域?qū)嵤┝耸拐承缘陀谂c芯片分布區(qū)域的粘性的低粘合處理、不粘合處理或離型處理。因而,剝離帶不會(huì)與粘合帶(切割帶)的在晶圓與環(huán)形框之間暴露的粘合面粘接。即使發(fā)生粘接,由于剝離帶的粘接力較弱,所以也能容易地自粘合帶剝離掉該剝離帶。另外,即使剝離帶與環(huán)形框粘接,也能容易地剝離掉該剝離帶。
      [0017]S卩,不會(huì)發(fā)生因剝離帶與粘合帶的緊密接觸而產(chǎn)生的剝離錯(cuò)誤。另外,由于能夠自環(huán)形框順利地剝離掉剝離帶,所以也能提高作業(yè)效率。
      [0018]另外,在上述方法中,也可以預(yù)先將剝離帶切斷為帶狀或環(huán)形框的形狀。
      [0019]例如,在剝離帶為帶狀的情況下,優(yōu)選在進(jìn)行了第2剝離工序后,將與保護(hù)帶成為一體的剝離帶卷起回收。
      [0020]采用該方法,能夠不使粘貼在剝離帶上的多個(gè)保護(hù)帶散落地,將這些保護(hù)帶打包成筒狀。
      [0021]另外,例如可以按照如下方式利用環(huán)形框形狀的剝離帶。
      [0022]該保護(hù)帶剝離方法還具有切斷工序,在將剝離帶粘貼到與上述環(huán)形框疊合的剝離用環(huán)形框上后,利用切斷構(gòu)件將剝離帶裁切為該剝離用環(huán)形框的形狀,
      [0023]在粘貼工序中,將粘貼在剝離用環(huán)形框上的剝離帶粘貼到保護(hù)帶上,
      [0024]在第2剝離工序中,隨著剝離用環(huán)形框的回收的進(jìn)行,使保護(hù)帶與剝離帶一體地自芯片剝離掉,
      [0025]該保護(hù)帶剝離方法還具有第3剝離工序,將剝離帶連同保護(hù)帶一起自回收的上述剝離用環(huán)形框剝離去除。
      [0026]或者,在粘貼工序中,將粘貼有預(yù)先切斷成剝離用環(huán)形框的形狀的剝離帶的該剝離用環(huán)形框疊合在上述環(huán)形框之上,將該剝離帶粘貼到保護(hù)帶上,
      [0027]在第2剝離工序中,隨著剝離用環(huán)形框的回收的進(jìn)行,使保護(hù)帶與剝離帶一體地自芯片剝離掉,
      [0028]該保護(hù)帶剝離方法具有第3剝離工序,剝離帶連同保護(hù)帶一起自回收到的上述剝離用環(huán)形框剝離去除。
      [0029]采用該方法,由于使剝離用環(huán)形框重疊在環(huán)形框上,所以能夠形成從支承用的粘合帶的粘合面到剝離帶的間隙。因而,能夠可靠地避免剝離帶與粘合帶的粘接。
      [0030]另外,在上述各方法中,優(yōu)選在粘貼工序中,自保護(hù)帶的打卷的方向粘貼剝離帶。
      [0031]采用該方法,保護(hù)帶受熱而在芯片上成為筒狀。也就是說(shuō),由粘貼構(gòu)件進(jìn)行的向移動(dòng)方向的按壓與保護(hù)帶的打卷方向一致,所以剝離帶易于發(fā)生彈性變形。因而,能夠抑制像在使粘貼構(gòu)件自與保護(hù)帶不易發(fā)生彈性變形的打卷方向交叉的方向移動(dòng)而將剝離帶粘貼到保護(hù)帶上時(shí)那樣的、硬要?jiǎng)冸x保護(hù)帶的應(yīng)力,從而能夠避免因保護(hù)帶對(duì)芯片造成的劃傷、損傷。
      [0032]另外,本發(fā)明采用如下這樣的結(jié)構(gòu),以達(dá)到上述那樣的目的。
      [0033]一種保護(hù)帶剝離裝置,該保護(hù)帶剝離裝置自借助支承用的粘合帶保持于環(huán)形框的半導(dǎo)體晶圓剝離掉保護(hù)帶,
      [0034]上述裝置包括以下結(jié)構(gòu):
      [0035]保持臺(tái),在將帶上述保護(hù)帶的半導(dǎo)體晶圓分割成芯片后,該保持臺(tái)對(duì)借助上述粘合帶保持于環(huán)形框的該芯片和該環(huán)形框進(jìn)行保持;
      [0036]加熱器,其用于加熱上述保持臺(tái)上的芯片;
      [0037]帶供給部,其用于向環(huán)形框和芯片分布區(qū)域供給帶狀的剝離帶,該剝離帶具有向芯片分布區(qū)域粘貼的部分的粘合性比與上述半導(dǎo)體晶圓的外周區(qū)域相面對(duì)的部分的粘合性強(qiáng)的粘合層;
      [0038]粘貼機(jī)構(gòu),其使粘貼輥在上述剝離帶上滾動(dòng)而將該剝離帶粘貼到剝離用環(huán)形框和受加熱器加熱而沿同一軸向卷成筒狀但局部還粘貼于芯片的保護(hù)帶上;
      [0039]剝離機(jī)構(gòu),其用于自芯片剝離掉粘貼有上述保護(hù)帶而與上述保護(hù)帶一體化了的剝離帶;
      [0040]帶回收部,其將上述剝離后的剝離帶卷起并回收。
      [0041]采用該結(jié)構(gòu),在將帶狀的剝離帶粘貼到保護(hù)帶上時(shí),由于剝離帶的與半導(dǎo)體晶圓的外周區(qū)域相面對(duì)的部分的粘合性比芯片分布區(qū)域的粘合性弱,或者剝離帶的與半導(dǎo)體晶圓的外周區(qū)域相面對(duì)的部分不具有粘合性,所以剝離帶和支承用的粘合帶的在半導(dǎo)體晶圓與環(huán)形框之間暴露的粘合面不易粘接。因而,即使粘合帶與剝離帶粘接,也能容易地剝離掉剝離帶。
      [0042]另外,由于將與保護(hù)帶成為一體的剝離帶卷起回收,所以能夠打包筒狀的保護(hù)帶。因而,能夠防止被剝離掉的保護(hù)帶散落。
      [0043]另外,本發(fā)明采用如下這樣的結(jié)構(gòu),以達(dá)到上述那樣的目的。
      [0044]S卩,一種保護(hù)帶剝離裝置,該保護(hù)帶剝離裝置自借助支承用的粘合帶保持于環(huán)形框的半導(dǎo)體晶圓剝離掉保護(hù)帶,其特征在于,
      [0045]上述裝置包括以下結(jié)構(gòu):
      [0046]保持臺(tái),在將帶上述保護(hù)帶的半導(dǎo)體晶圓分割成芯片后,該保持臺(tái)對(duì)借助上述粘合帶保持于環(huán)形框的該芯片、該環(huán)形框以及與該環(huán)形框疊合的剝離用環(huán)形框進(jìn)行保持;[0047]加熱器,其用于加熱上述保持臺(tái)上的芯片;
      [0048]帶供給部,其用于向剝離用環(huán)形框供給帶狀的剝離帶,該剝離帶具有向芯片分布區(qū)域粘貼的部分的粘合性比與上述半導(dǎo)體晶圓的外周區(qū)域相面對(duì)的部分的粘合性強(qiáng)的粘
      合層;
      [0049]粘貼機(jī)構(gòu),其使粘貼輥在上述剝離帶上滾動(dòng)而將該剝離帶粘貼到剝離用環(huán)形框和受加熱器加熱而沿同一軸向卷成筒狀但局部還粘貼于芯片的保護(hù)帶上,;
      [0050]切斷機(jī)構(gòu),其利用切斷構(gòu)件將剝離帶切斷成上述剝離用環(huán)形框的形狀;
      [0051]用于回收切斷后的上述剝離帶的帶回收部;
      [0052]剝離機(jī)構(gòu),其用于使芯片和在上述剝離帶上粘貼了保護(hù)帶的剝離用環(huán)形框進(jìn)行相對(duì)地升降,從而自芯片剝離掉保護(hù)帶;
      [0053]用于自上述剝離用環(huán)形框回收剝離帶的帶回收部。
      [0054]另外,本發(fā)明采用如下這樣的結(jié)構(gòu),以達(dá)到上述那樣的目的。
      [0055]即,一種保護(hù)帶剝離裝置,該保護(hù)帶剝離裝置自借助支承用的粘合帶保持于環(huán)形框的半導(dǎo)體晶圓剝離掉保護(hù)帶,其特征在于,
      [0056]上述裝置包括以下結(jié)構(gòu):
      [0057]保持臺(tái),在將帶上述保護(hù)帶的半導(dǎo)體晶圓分割成芯片后,該保持臺(tái)對(duì)借助上述粘合帶保持于環(huán)形框的該芯片和該環(huán)形框進(jìn)行保持;
      [0058]加熱器,其用于加熱上述保持臺(tái)上的芯片;
      [0059]輸送機(jī)構(gòu),其用于將預(yù)先粘貼有剝離帶的剝離用環(huán)形框載置到上述保持臺(tái)上的環(huán)形框上,該剝離帶具有向芯片分布區(qū)域粘貼的部分的粘合性比與上述半導(dǎo)體晶圓的外周區(qū)域相面對(duì)的部分的粘合性強(qiáng)的粘合層;
      [0060]粘貼機(jī)構(gòu),其使粘貼輥在上述剝離帶上滾動(dòng)而將該剝離帶粘貼到剝離用環(huán)形框和受加熱器加熱而沿同一軸向卷成筒狀但局部還粘貼于芯片的保護(hù)帶上;
      [0061]剝離機(jī)構(gòu),其用于使芯片和在上述剝離帶上粘貼了保護(hù)帶的剝離用環(huán)形框進(jìn)行相對(duì)地升降,從而自芯片剝離掉保護(hù)帶;
      [0062]帶回收部,其自上述剝離用環(huán)形框回收剝離帶。
      [0063]采用上述兩個(gè)結(jié)構(gòu),由于使剝離用環(huán)形框與環(huán)形框重疊,將剝離帶粘貼到該剝離用環(huán)形框上而粘貼到保護(hù)帶上,所以能夠形成從支承用的粘合帶的粘合面到剝離帶的間隙。因而,能夠可靠地避免粘合帶與剝離帶的粘接。
      【專利附圖】

      【附圖說(shuō)明】
      [0064]為了說(shuō)明本發(fā)明,圖示了目前認(rèn)為優(yōu)選的幾個(gè)形態(tài),但希望能理解為本發(fā)明并不限定于如圖示那樣的結(jié)構(gòu)和對(duì)策。
      [0065]圖1是切割處理后的安裝架的立體圖。
      [0066]圖2是保護(hù)帶的剖視圖。
      [0067]圖3是表示通過(guò)加熱而自芯片剝離的保護(hù)帶的立體圖。
      [0068]圖4是剝離帶的仰視圖。
      [0069]圖5是剝離帶和安裝架的剖視圖。
      [0070]圖6是保護(hù)帶剝離裝置的俯視圖。[0071]圖7是保護(hù)帶剝離裝置的主視圖。
      [0072]圖8?圖11是表示保護(hù)帶的剝離動(dòng)作的示意圖。
      [0073]圖12是表示變形例的保護(hù)帶的剝離動(dòng)作的示意圖。
      [0074]圖13?圖19是表示變形例的保護(hù)帶的剝離動(dòng)作的示意圖。
      [0075]圖20?圖21是表示預(yù)先將變形例的剝離帶粘貼到剝離用環(huán)形框上的動(dòng)作的示意圖。
      [0076]圖22?圖23是變形例的剝離帶的剖視圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0077]下面,參照【專利附圖】
      附圖
      【附圖說(shuō)明】本發(fā)明的一實(shí)施例。
      [0078]保護(hù)帶
      [0079]保護(hù)帶用于對(duì)形成在半導(dǎo)體晶圓(以下簡(jiǎn)稱為“晶圓”)的表面上的電路面進(jìn)行保護(hù)。因而,在進(jìn)行背面研磨工序之前,將保護(hù)帶粘貼在晶圓表面上。然后,從背面研磨工序到切割工序的處理結(jié)束為止,在晶圓和切割后的芯片上都粘貼有保護(hù)帶PT。S卩,如圖1所示,保護(hù)帶PT在安裝架MF上被切斷為與芯片I相同的形狀。
      [0080]另外,例如如圖2所示,保護(hù)帶PT包括至少沿一個(gè)軸方向具有收縮性的收縮性膜層2、和用于約束該收縮性膜層2的收縮的約束層3。該保護(hù)帶PT構(gòu)成為:該保護(hù)帶PT受至_被加熱等成為收縮原因的刺激,該保護(hù)帶PT會(huì)自發(fā)性地自晶圓剝離。即,在對(duì)保護(hù)帶PT受到了成為收縮原因的刺激后,該保護(hù)帶PT自一端部向一個(gè)方向自發(fā)地打卷,或者自相反的兩端部向中心自發(fā)地打卷,如圖3所示形成有I個(gè)或2個(gè)筒狀的打卷體,并且自芯片I剝離。另外,保護(hù)帶PT在成為打卷體的時(shí)刻,粘合性并未完全消失,所以該保護(hù)帶PT的局部粘貼在芯片I上。
      [0081]剝離帶
      [0082]剝離帶用于粘貼于在切割工序后通過(guò)加熱而在各芯片I之上成為筒狀的保護(hù)帶PT而剝離該保護(hù)帶PT。
      [0083]如圖4和圖5所示,剝離帶Ts在基材4上形成有粘合力不同的粘合層5、6。S卩,如圖4所示,基材4形成為比借助支承用的粘合帶DT (切割帶)將晶圓粘接到環(huán)形框f上而形成的安裝架MF的外形寬。該基材4可以是單張的片狀或帶狀。此外,在利用了具有粘合層6的圓形的預(yù)切帶的情況下,將基材4用作載帶。
      [0084]基材4的材料沒(méi)有特別限定,可以使用通常的材料。例如除了聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯基材、聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴基材以外,還可以使用聚氯乙烯基材、乙烯-醋酸乙烯酯丙烯酸酯基材、聚酰亞胺基材、聚酰胺基材、金屬、紙等由這些材料中的至少I種以上材料構(gòu)成的單層或多層基材。特別是,聚烯烴基材、聚氯乙烯基材和乙烯-醋酸乙烯酯丙烯酸酯基材的伸縮性高,所以在保護(hù)帶是自打卷性粘合帶而因熱處理打起卷的狀態(tài)的情況下,當(dāng)粘貼該剝離帶時(shí),該剝離帶易于追隨打卷體的形狀,進(jìn)而能夠進(jìn)一步提高粘合性,從這一點(diǎn)出發(fā),優(yōu)選使用上述聚烯烴基材、聚氯乙烯基材和乙烯-醋酸乙烯酯丙烯酸酯基材。
      [0085]粘合層5以位于與在切割處理后被分割成多個(gè)的芯片分布區(qū)域7面對(duì)的部分的外側(cè)的方式形成在基材4上。換言之,在與晶圓形狀的外周區(qū)域相面對(duì)的部分形成有該粘合層5。
      [0086]粘合層5的材料可以采用以丙烯酸樹脂、天然橡膠、合成橡膠和有機(jī)硅橡膠為主要成分的公知的粘合劑。
      [0087]粘合層6以與芯片分布區(qū)域7相面對(duì)的方式形成在基材4上。該粘合層6由粘合性比粘合層5強(qiáng)的粘合劑形成。
      [0088]另外,優(yōu)選粘合層6的大小大于等于晶圓外形的大小。即,在自芯片I剝離保護(hù)帶PT的工序中,保護(hù)帶PT成為筒狀,有時(shí)其自芯片I完全剝離掉而后重新粘接于芯片I。屆時(shí),保護(hù)帶PT有時(shí)稍微滾動(dòng)而使朝向和位置發(fā)生偏離原位置,并重新粘接到芯片I上。當(dāng)在芯片分布區(qū)域7的外周附近發(fā)生了該現(xiàn)象的情況下,有時(shí)保護(hù)帶PT自該芯片分布區(qū)域7稍微暴露。因而,優(yōu)選粘合層6與相當(dāng)于芯片分布區(qū)域的晶圓外形相比大幾毫米。
      [0089]這里,粘合層6的粘合力只要是可剝離去除筒狀的保護(hù)帶PT的足夠的粘合力和粘合性或黏性(夕'7々、粘性)即可。例如在粘貼到不銹鋼(SUS304)上的情況下,在剝離角度為180°、剝離速度為300mm/分、室溫氣氛條件下的粘合力為2.5N/20mm以上。上述條件下的粘合力優(yōu)選為3.5N/20mm以上,更優(yōu)選為7.0N/20mm以上。
      [0090]當(dāng)粘合力低于2.5N/20mm時(shí),無(wú)法保持自芯片I剝離掉的保護(hù)帶PT而使會(huì)該保護(hù)帶PT掉落。
      [0091]粘性需要滿足能在向保護(hù)帶PT粘貼剝離帶Ts的同時(shí)粘接并保持著保護(hù)帶PT。在利用探針測(cè)量粘性時(shí),粘性為250kN/m2以上,優(yōu)選為300kN/m2以上,更優(yōu)選為350kN/m2以上。在粘性低于250kN/m2的情況下,難以在瞬間粘接保持保護(hù)帶PT。
      [0092]另外,根據(jù)如下條件測(cè)量該粘性。準(zhǔn)備將具有與本發(fā)明相同的粘合層6的剝離帶Ts粘貼到75mmX 20mm的玻璃載片上而得到的結(jié)構(gòu)體。另外,對(duì)于剝離帶Ts,準(zhǔn)備將雙面膠帶(日東電工株式會(huì)社制的N0.5610)粘貼到該玻璃載片上,然后將剝離帶Ts的基材面粘貼到該雙面膠帶上而得到的結(jié)構(gòu)體。
      [0093]評(píng)價(jià)裝置是粘性試驗(yàn)機(jī)(株式會(huì)社rhesca制,TAC -1I)。該評(píng)價(jià)裝置的條件和設(shè)定等是:探針的材質(zhì)為SUS304,探針的直徑為5mm,探針壓入速度為30mm/分,探針上拉速度為30mm/分,加壓載荷為IOOgf,加壓時(shí)間為3秒,以及測(cè)量溫度為23°C。
      [0094]測(cè)量將在該條件下垂直上拉與粘合層6的表面相接觸的探針時(shí)的最大載荷,求出n=10的平均值,作為探針粘性值。
      [0095]另外,為了可靠地粘接保持變形為筒狀的保護(hù)帶,希望粘合層6以追隨保護(hù)帶PT的形狀的方式進(jìn)行變形。因此,為了能夠?qū)崿F(xiàn)這種變形,使粘合層6的厚度X楊氏模量的值在5 X l(T3N/m?3 X 103N/m的范圍內(nèi),優(yōu)選在1.5 X l(T2N/m?2.3 X 103N/m的范圍內(nèi),更優(yōu)選在3 X l(T2N/m?1.5 X 103N/m的范圍內(nèi)。
      [0096]在粘合層6的厚度X楊氏模量的值低于5 X 10_3N/m的情況下,粘合層6的變形變得過(guò)大,粘合層6也與保護(hù)帶PT的下方的芯片表面相接觸,可能無(wú)法只回收保護(hù)帶PT。
      [0097]當(dāng)粘合層6的厚度X楊氏模量的值大于3 X 103N/m時(shí),粘合層6的變形不充分,粘合層6與保護(hù)帶PT的密合性低,不能良好地剝離去除保護(hù)帶PT。
      [0098]粘合層6的厚度在5 μ m?2000 μ m的范圍內(nèi),優(yōu)選在15 μ m?1500 μ m的范圍內(nèi),更優(yōu)選在30μπι?IOOOym的范圍內(nèi)。另外,該粘合層6的粘合劑的楊氏模量(23°C的氣氛下,拉拽速度50mm/分)在0.0OlMPa?1.5MPa的范圍內(nèi)。[0099]另外,以如下條件測(cè)量楊氏模量。以測(cè)量裝置為坦錫倫萬(wàn)能試驗(yàn)機(jī)(株式會(huì)社orientec制,RTC - 1150A)、拉拽速度為50mm/分、夾具間距離為10mm、測(cè)量溫度為23°C氣氛的條件下,將50mmX 50mm的粘合層6團(tuán)成棒狀而獲得了試樣。以試樣卡盤間距離為IOmm的條件進(jìn)行安裝,以50_/分的速度進(jìn)行拉拽,從而獲得了應(yīng)力一變形的相關(guān)的測(cè)量值。在變形為0.2%和0.45%這兩個(gè)值時(shí)求出應(yīng)力,獲得楊氏模量。對(duì)同一試樣反復(fù)進(jìn)行5次該測(cè)量,采用其平均值。
      [0100]保護(hù)帶剝離裝置
      [0101]本實(shí)施例的保護(hù)帶剝離裝置在對(duì)粘貼有上述保護(hù)帶PT的狀態(tài)的晶圓W進(jìn)行了切割處理后,將上述剝離帶Ts粘貼到如圖1所示地借助支承用的粘合帶DT粘接保持于環(huán)形框f的多個(gè)芯片I所分布的芯片分布區(qū)域7上,然后剝離掉該剝離帶Ts。
      [0102]圖6涉及該發(fā)明的一實(shí)施例,是表示保護(hù)帶剝離裝置的整體結(jié)構(gòu)的俯視圖,圖7是該保護(hù)帶剝離裝置的整體結(jié)構(gòu)的主視圖。
      [0103]保護(hù)帶剝離裝置包括保持臺(tái)10、帶供給部11、粘貼單元12、剝離單元13、帶回收部14以及光學(xué)傳感器15等。
      [0104]保持臺(tái)10用于吸附保持安裝架MF。另外,保持臺(tái)10構(gòu)成為能夠利用驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)使該保持臺(tái)10沿所鋪設(shè)的導(dǎo)軌16在安裝架MF的載置位置與剝離帶Ts的粘貼位置之間進(jìn)行往返移動(dòng)。另外,在保持臺(tái)10中埋設(shè)有加熱器17。另外,加熱器17相當(dāng)于本發(fā)明的加熱器。
      [0105]如圖7所示,帶供給部11向剝離輥19引導(dǎo)自供給卷軸18連續(xù)放出的帶離型紙s的剝離帶Ts。剝離輥19收卷并引導(dǎo)隔離件S,自剝離帶Ts剝離掉該離型紙s而向離型紙回收部20引導(dǎo)該離型紙S。因而,帶供給部11構(gòu)成為將剝離掉了離型紙s的剝離帶Ts引導(dǎo)到粘貼單元12。
      [0106]供給卷軸18與電磁制動(dòng)器連結(jié)并與電磁制動(dòng)器聯(lián)動(dòng),而在供給卷軸18上被施加有適度的旋轉(zhuǎn)阻力,以防止放出過(guò)多的剝離帶。
      [0107]離型紙回收部20具有用于將自剝離帶Ts剝離掉的離型紙s卷起來(lái)的回收卷軸21,由馬達(dá)對(duì)該離型紙回收部20進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)控制。
      [0108]在粘貼單元12上安裝有粘貼輥23,并能利用作動(dòng)缸等致動(dòng)器使該粘貼輥23相對(duì)于可動(dòng)框22升降,該可動(dòng)框22安裝于可動(dòng)臺(tái)。另外,粘貼單元12被支承為整體能夠沿導(dǎo)軌24進(jìn)行水平移動(dòng),并且利用借助馬達(dá)25進(jìn)行正反旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的絲杠軸26對(duì)該粘貼單元12進(jìn)行往返絲杠進(jìn)給驅(qū)動(dòng)。另外,粘貼單元12相當(dāng)于本發(fā)明的粘貼機(jī)構(gòu)。
      [0109]在剝離單元13上安裝有剝離輥27。另外,該剝離單元13被支承為整體能沿引導(dǎo)軌道24進(jìn)行水平移動(dòng),并且利用借助馬達(dá)30進(jìn)行正反旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的絲杠軸31對(duì)該剝離單元13進(jìn)行往返絲杠進(jìn)給驅(qū)動(dòng)。在該剝離單元13的下游側(cè)具有被馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的輸出輥28和夾送輥29。另外,剝離單元13相當(dāng)于本發(fā)明的剝離機(jī)構(gòu)。
      [0110]帶回收部14將粘貼有被剝離單元13剝離掉的保護(hù)帶PT的剝離帶Ts卷在卷軸32上進(jìn)行回收。
      [0111]光學(xué)傳感器15配置在粘貼位置的上方。該光學(xué)傳感器15由相機(jī)和光傳感器等構(gòu)成。因而,光學(xué)傳感器15監(jiān)測(cè)剝離帶Ts的粘合層6的位置,并且向給控制部35發(fā)送該監(jiān)測(cè)時(shí)的圖像數(shù)據(jù)。[0112]控制部35根據(jù)自光學(xué)傳感器15發(fā)送過(guò)來(lái)的圖像數(shù)據(jù),控制帶供給部11的工作,并且以使剝離帶Ts的粘合層6與芯片分布區(qū)域7疊合的方式,控制剝離帶Ts的連續(xù)放出的動(dòng)作,。
      [0113]接下來(lái),根據(jù)圖7?圖11說(shuō)明上述實(shí)施例裝置的一個(gè)循環(huán)的動(dòng)作。
      [0114]利用圖6所示的輸送機(jī)構(gòu)33將進(jìn)行過(guò)切割處理后的安裝架MF載置到位于載置位置的保持臺(tái)10上。吸附保持著安裝架MF的保持臺(tái)10向粘貼位置移動(dòng)。此時(shí),如圖7所示,粘貼單元12和剝離單元13位于左側(cè)的初始位置。
      [0115]當(dāng)保持臺(tái)10到達(dá)粘貼位置時(shí),使加熱器17工作,將保護(hù)帶PT卷成筒狀而使保護(hù)帶PT自芯片I剝離。此時(shí),在保護(hù)帶PT的中心的與芯片I相接觸的部位,該保護(hù)帶PT局部粘貼在芯片I上。
      [0116]當(dāng)利用加熱器17進(jìn)行的加熱處理結(jié)束時(shí),使作動(dòng)缸工作而使夾送輥29下降,利用該夾送輥29和輸出輥28把持剝離帶Ts。
      [0117]接著,如圖8所示,粘貼輥23下降,并且粘貼單元12前進(jìn)移動(dòng)。隨著粘貼輥23的移動(dòng)而按壓剝離帶Ts。因而,粘合層5被粘貼到環(huán)形框f上,并且逐漸粘貼于芯片分布區(qū)域7。
      [0118]如圖9所示,當(dāng)粘貼單元12到達(dá)了超過(guò)保持臺(tái)10的結(jié)束位置時(shí),剝離單元13開始工作。也就是說(shuō),解除由夾送輥29對(duì)剝離帶Ts進(jìn)行的的把持,使剝離單元13整體移動(dòng)到剝離作業(yè)的結(jié)束位置。此時(shí),能夠容易地自環(huán)形框f剝離粘合性弱的粘合層5的部分。粘合性強(qiáng)的粘合層6的部分與保護(hù)帶PT緊密接觸,所以能夠持續(xù)自芯片I剝離該保護(hù)帶PT。
      [0119]如圖10所示,當(dāng)剝離單元13到達(dá)了超出保持臺(tái)10的結(jié)束位置時(shí),帶回收部14將剝離帶Ts卷起回收,并且自帶供給部11連續(xù)放出規(guī)定長(zhǎng)度的剝離帶Ts。同時(shí),剝離單元13和粘貼單元12如圖11所示返回到初始位置。
      [0120]此外,保持臺(tái)10從粘貼位置移動(dòng)到載置位置。然后,搬出進(jìn)行過(guò)保護(hù)帶剝離處理的安裝架MF。
      [0121]至此完成了實(shí)施例裝置的一個(gè)循環(huán)的動(dòng)作,之后將反復(fù)進(jìn)行相同的動(dòng)作直到達(dá)到規(guī)定片數(shù)。
      [0122]采用上述實(shí)施例裝置,剝離帶Ts的與芯片分布區(qū)域7外側(cè)的區(qū)域相面對(duì)的粘合層5的粘合性比粘貼到芯片分布區(qū)域7的粘合層6的粘合性弱。即使剝離帶Ts與粘合帶DT的自芯片分布區(qū)域7的外周向芯片分布區(qū)域7與環(huán)形框f之間暴露的粘合面相接觸,也不會(huì)牢固地粘接在一起。因而,能夠自粘合帶DT容易地剝離該剝離帶Ts。另外,由于粘合層5的部分還粘貼在環(huán)形框f上,所以也能容易地自該環(huán)形框f剝離該粘合層5。因而,既不會(huì)發(fā)生剝離錯(cuò)誤,又能提高剝離處理的作業(yè)效率。
      [0123]另外,由于粘合性弱的粘合層5的部分粘貼在環(huán)形框f上,所以也能容易地自該環(huán)形框f剝離該粘合層5。
      [0124]另外,也可以利用如下這樣的實(shí)施方式來(lái)實(shí)施本發(fā)明。
      [0125](I)在上述實(shí)施例裝置中,如圖12所示,例如也可以將環(huán)形框f與形狀與該環(huán)形框f相同的剝離用環(huán)形框40重疊而粘貼剝離帶Ts。即,圖13所示,以跨剝離用環(huán)形框40和保護(hù)帶PT的方式粘貼剝離帶Ts。當(dāng)完成了粘貼處理時(shí),如圖14所示,自剝離用環(huán)形框40將剝離帶Ts剝離。然后,如圖15所示,使保護(hù)帶PT與該剝離帶Ts —體地自芯片I剝離掉并被卷起回收到帶回收部14。
      [0126]另外,作為另一實(shí)施方式,也可以在將剝離帶Ts粘貼到保護(hù)帶PT和與環(huán)形框f重疊的剝離用環(huán)形框40上后,在剝離用環(huán)形框40之上將剝離帶Ts裁切成圓形。然后,將保護(hù)帶PT連同剝離用環(huán)形框40 —起剝離回收。
      [0127]在想要實(shí)現(xiàn)該剝離方法的情況下,例如可采用在上述實(shí)施例裝置上安裝帶切斷機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。即,如圖16所示,配置有能夠在粘貼位置的上方升降的帶切斷機(jī)構(gòu)45。
      [0128]帶切斷機(jī)構(gòu)45在自可動(dòng)臺(tái)上懸臂支承的臂的前端下部借助沿徑向延伸的支承臂46具有刀具單元47,上述可動(dòng)臺(tái)能夠沿縱框升降。刀具單元47安裝有能夠空轉(zhuǎn)的、刀尖朝下的圓刀的刀具48。
      [0129]刀具單元47能夠繞與保持臺(tái)10相同的軸心旋轉(zhuǎn)。另外,刀具單元47構(gòu)成為能夠借助支承臂46調(diào)整回旋半徑。
      [0130]因而,在該變形例裝置的情況下,在以跨環(huán)形框f和芯片分布區(qū)域7的方式粘貼了剝離帶Ts后,使刀具單元47下降到能讓刀具48按壓剝離帶Ts而進(jìn)行切斷的高度。在該狀態(tài)下,如圖17所示,使刀具48在剝離用環(huán)形框40之上回旋而切斷剝離帶Ts。
      [0131]當(dāng)完成剝離帶Ts的切斷時(shí),使刀具單元47返回到上方的待機(jī)位置,使剝離單元13工作。與上述變形例相同,當(dāng)剝離單元13到達(dá)圖18所示的超出保持臺(tái)10的結(jié)束位置時(shí),帶回收部14將剝離帶Ts卷起回收,并且自帶供給部11連續(xù)放出規(guī)定長(zhǎng)度的剝離帶Ts。同時(shí),剝離單元13和粘貼單元12如圖19所示返回到初始位置。
      [0132]此外,保持臺(tái)10從粘貼位置移動(dòng)到載置位置。在載置位置,當(dāng)搬出了與環(huán)形框f重疊且還粘貼著剝離帶Ts的狀態(tài)的剝離用環(huán)形框40后,搬出完成了保護(hù)帶剝離處理的安裝架MF。
      [0133]另外,在其他工序等中自剝離用環(huán)形框40剝離去除剝離帶Ts,然后對(duì)該剝離用環(huán)形框40進(jìn)行再利用。
      [0134](2)在如上述變形例那樣地利用剝離用環(huán)形框40的情況下,也可以在預(yù)先將剝離帶Ts粘貼到該剝離用環(huán)形框40上的狀態(tài)下,使剝離用環(huán)形框40與環(huán)形框f疊合。對(duì)于向剝離用環(huán)形框40粘貼剝離帶Ts的操作,可以利用其他裝置來(lái)粘貼帶狀的剝離帶Ts并在該剝離用環(huán)形框40之上將剝離帶Ts裁切成圓形?;蛘咭部梢詫A形的預(yù)切型的剝離帶Ts粘貼到剝離用環(huán)形框40上。
      [0135]S卩,如圖20和圖21所示,利用邊緣構(gòu)件50使載帶4折返,將以規(guī)定間距形成在該載帶上的剝離帶Ts剝離。利用粘貼輥51按壓該剝離帶Ts的前端而將該剝離帶Ts粘貼到剝離用環(huán)形框40上。然后,與使剝離帶Ts自載帶4剝離的速度同步地使保持臺(tái)移動(dòng),并且逐漸將該剝離帶Ts粘貼到剝離用環(huán)形框40上。
      [0136](3)在上述變形例中,剝離帶Ts的粘合層6可以是紫外線固化型或受熱發(fā)泡膨脹而使粘接力降低或消失的粘合劑。通過(guò)利用該剝離帶Ts,能夠在剝離掉保護(hù)帶PT后,對(duì)粘合層5進(jìn)行加熱或照射紫外線,從而使粘合層5的粘接力消失,而自環(huán)形框f容易地剝離去除剝離帶Ts。因而,能夠容易地對(duì)剝離用環(huán)形框40進(jìn)行再生利用。
      [0137](4)上述各實(shí)施例的剝離帶Ts的粘合層5的部分也可以不具有粘合劑。即,如圖22所示,在粘合層6的周邊,保持基材I的背面暴露的狀態(tài)。
      [0138](5)如圖23所示,也可以是上述各實(shí)施例的剝離帶Ts的粘合層5的部分的厚度比粘合層6的部分的厚度薄。采用該結(jié)構(gòu),能夠從芯片分布區(qū)域7的外側(cè)的粘合帶DT的粘合面到剝離帶Ts形成有間隙。因而,在將剝離帶Ts粘貼到保護(hù)帶PT上時(shí),能夠更加準(zhǔn)確地避免粘合帶DT與剝離帶Ts的粘接。
      [0139]能夠不脫離本發(fā)明的思想或本質(zhì)地以其他的【具體實(shí)施方式】來(lái)實(shí)施本發(fā)明,因而,表現(xiàn)為本發(fā)明保護(hù)范圍的描述并不是以上說(shuō)明內(nèi)容,而應(yīng)該參照所附的權(quán)利要求書。
      【權(quán)利要求】
      1.一種保護(hù)帶剝離方法,該保護(hù)帶剝離方法是自借助支承用的粘合帶保持于環(huán)形框的半導(dǎo)體晶圓剝離掉保護(hù)帶的方法,其特征在于, 上述方法包含以下工序: 第I剝離工序,在將帶上述保護(hù)帶的半導(dǎo)體晶圓分割為芯片后,對(duì)借助上述粘合帶保持于環(huán)形框的該芯片進(jìn)行加熱,從而使芯片形狀的保護(hù)帶沿同一軸向卷成筒狀,而使該保護(hù)帶的局部自芯片剝離; 粘貼工序,利用粘貼構(gòu)件按壓剝離帶,將該剝離帶至少粘貼到芯片分布區(qū)域,該剝離帶具有向該芯片分布區(qū)域粘貼的部分的粘合性比與上述半導(dǎo)體晶圓的外周區(qū)域相面對(duì)的部分的粘合性強(qiáng)的粘合層; 第2剝離工序,通過(guò)剝離掉上述剝離帶,使卷成筒狀的保護(hù)帶與該剝離帶一體地自芯片剝離去除。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)帶剝離方法,其中, 上述剝離帶為帶狀, 在進(jìn)行了上述第2剝離工序后,將與上述保護(hù)帶成為一體的剝離帶卷起并回收。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)帶剝離方法,其中, 該保護(hù)帶剝離方法還具有切斷工序,在將剝離帶粘貼到與上述環(huán)形框疊合的剝離用環(huán)形框上后,利用切斷構(gòu)件將剝離帶裁切為該剝離用環(huán)形框的形狀, 在上述粘貼工序中 ,將粘貼在剝離用環(huán)形框上的剝離帶粘貼到保護(hù)帶上, 在上述第2剝離工序中,隨著上述剝離用環(huán)形框的回收的進(jìn)行,使保護(hù)帶與剝離帶一體地自芯片剝離掉, 該保護(hù)帶剝離方法還具有第3剝離工序,剝離帶連同保護(hù)帶一起自回收的上述剝離用環(huán)形框剝離去除。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)帶剝離方法,其中, 在上述粘貼工序中,將粘貼有預(yù)先切斷成剝離用環(huán)形框的形狀的剝離帶的該剝離用環(huán)形框疊合在上述環(huán)形框之上,將該剝離帶粘貼到保護(hù)帶上, 在上述第2剝離工序中,隨著剝離用環(huán)形框的回收的進(jìn)行,使保護(hù)帶與剝離帶一體地自芯片剝離掉, 該保護(hù)帶剝離方法具有第3剝離工序,剝離帶連同保護(hù)帶一起自回收到的上述剝離用環(huán)形框剝離去除。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)帶剝離方法,其中, 在上述粘貼工序中,自保護(hù)帶的打卷方向粘貼剝離帶。
      6.一種保護(hù)帶剝離裝置,該保護(hù)帶剝離裝置自借助支承用的粘合帶保持于環(huán)形框的半導(dǎo)體晶圓剝離掉保護(hù)帶,其特征在于, 上述裝置包括以下結(jié)構(gòu): 保持臺(tái),在將帶上述保護(hù)帶的半導(dǎo)體晶圓分割成芯片后,該保持臺(tái)對(duì)借助上述粘合帶保持于環(huán)形框的該芯片和該環(huán)形框進(jìn)行保持; 加熱器,其用于加熱上述保持臺(tái)上的芯片; 帶供給部,其用于向環(huán)形框和芯片分布區(qū)域供給帶狀的剝離帶,該剝離帶具有向芯片分布區(qū)域粘貼的部分的粘合性比與上述半導(dǎo)體晶圓的外周區(qū)域相面對(duì)的部分的粘合性強(qiáng)的粘合層; 粘貼機(jī)構(gòu),其使粘貼輥在上述剝離帶上滾動(dòng)而將該剝離帶粘貼到剝離用環(huán)形框和受加熱器加熱而沿同一軸向卷成筒狀但局部還粘貼于芯片的保護(hù)帶上; 剝離機(jī)構(gòu),其用于自芯片剝離掉粘貼有上述保護(hù)帶而與上述保護(hù)帶一體化了的剝離帶; 帶回收部,其將上述剝離后的剝離帶卷起并回收。
      7.一種保護(hù)帶剝離裝置,該保護(hù)帶剝離裝置自借助支承用的粘合帶保持于環(huán)形框的半導(dǎo)體晶圓剝離掉保護(hù)帶,其特征在于, 上述裝置包括以下結(jié)構(gòu): 保持臺(tái),在將帶上述保護(hù)帶的半導(dǎo)體晶圓分割成芯片后,該保持臺(tái)對(duì)借助上述粘合帶保持于環(huán)形框的該芯片、該環(huán)形框以及與該環(huán)形框疊合的剝離用環(huán)形框進(jìn)行保持; 加熱器,其用于加熱上述保持臺(tái)上的芯片; 帶供給部,其用于向剝離用環(huán)形框供給帶狀的剝離帶,該剝離帶具有向芯片分布區(qū)域粘貼的部分的粘合性比與上述半導(dǎo)體晶圓的外周區(qū)域相面對(duì)的部分的粘合性強(qiáng)的粘合層; 粘貼機(jī)構(gòu),其使粘貼輥在上述剝離帶上滾動(dòng)而將該剝離帶粘貼到剝離用環(huán)形框和受加熱器加熱而沿同一軸向卷成筒狀但局部還粘貼于芯片的保護(hù)帶上,; 切斷機(jī)構(gòu),其利用切斷構(gòu)件將剝離帶切斷成上述剝離用環(huán)形框的形狀; 用于回收切斷后的上述剝離帶的帶回收部; 剝離機(jī)構(gòu),其用于使芯片和在上述剝離帶上粘貼了保護(hù)帶的剝離用環(huán)形框進(jìn)行相對(duì)地升降,從而自芯片剝離掉保護(hù)帶; 用于自上述剝離用環(huán)形框回收剝離帶的帶回收部。
      8.一種保護(hù)帶剝離裝置,該保護(hù)帶剝離裝置自借助支承用的粘合帶保持于環(huán)形框的半導(dǎo)體晶圓剝離掉保護(hù)帶,其特征在于, 上述裝置包括以下結(jié)構(gòu): 保持臺(tái),在將帶上述保護(hù)帶的半導(dǎo)體晶圓分割成芯片后,該保持臺(tái)對(duì)借助上述粘合帶保持于環(huán)形框的該芯片和該環(huán)形框進(jìn)行保持; 加熱器,其用于加熱上述保持臺(tái)上的芯片; 輸送機(jī)構(gòu),其用于將預(yù)先粘貼有剝離帶的剝離用環(huán)形框載置到上述保持臺(tái)上的環(huán)形框上,該剝離帶具有向芯片分布區(qū)域粘貼的部分的粘合性比與上述半導(dǎo)體晶圓的外周區(qū)域相面對(duì)的部分的粘合性強(qiáng)的粘合層; 粘貼機(jī)構(gòu),其使粘貼輥在上述剝離帶上滾動(dòng)而將該剝離帶粘貼到剝離用環(huán)形框和受加熱器加熱而沿同一軸向卷成筒狀但局部還粘貼于芯片的保護(hù)帶上; 剝離機(jī)構(gòu),其用于使芯片和在上述剝離帶上粘貼了保護(hù)帶的剝離用環(huán)形框進(jìn)行相對(duì)地升降,從而自芯片剝離掉保護(hù)帶; 帶回收部,其自上述剝離用環(huán)形框回收剝離帶。
      9.一種剝離帶,在權(quán)利要求1~5中任意一項(xiàng)所述的保護(hù)帶剝離方法中使用該剝離帶,其特征在于, 該剝離帶的形狀比上述半導(dǎo)體晶圓的形狀大,該剝離帶具有向芯片分布區(qū)域粘貼的部分的粘合性比與該半導(dǎo)體晶圓的外周區(qū)域相面對(duì)的部分的粘合性強(qiáng)的粘合層。
      10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的剝離帶,其中, 將該剝離帶的向芯片分布區(qū)域粘貼的部分的粘合層的厚度形成得比與上述半導(dǎo)體晶圓的外周區(qū)域相面 對(duì)的部分厚。
      【文檔編號(hào)】H01L21/683GK103681434SQ201310385401
      【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月29日
      【發(fā)明者】木內(nèi)一之 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社
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