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      一種低壓自愈式并聯(lián)電容器的脈沖式真空浸漬處理方法

      文檔序號:7264377閱讀:175來源:國知局
      一種低壓自愈式并聯(lián)電容器的脈沖式真空浸漬處理方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種低壓自愈式并聯(lián)電容器的脈沖式真空浸漬處理方法,先準(zhǔn)備好可加溫的真空浸漬缸、組裝好待浸漬的電容器;再按照三個階段對電容器進(jìn)行浸漬處理,第三階段完成之后,持續(xù)持續(xù)抽真空保持真空度10Pa,時間為6小時;真空時間過后,向真空浸漬缸內(nèi)灌注已處理好的浸漬料。本發(fā)明減少了原先電容內(nèi)部無法抽盡的氣泡和水氣;將原先熱處理和真空浸漬兩個工藝合二為一,減少了生產(chǎn)周期;改變了預(yù)先直接真空熱處理加熱漫長且電容內(nèi)部芯組受熱不均的現(xiàn)象。
      【專利說明】一種低壓自愈式并聯(lián)電容器的脈沖式真空浸漬處理方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明主要涉及電力電子領(lǐng)域,尤其涉及一種低壓自愈式并聯(lián)電容器的脈沖式真空浸潰處理方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]現(xiàn)有技術(shù)中對電容器的智真空浸潰處理方法為:先將電容單個芯組熱處理,待組裝焊接后一直進(jìn)行真空處理加熱。
      [0003]缺點(diǎn):1、熱處理后直接真空浸潰處理,留在電容芯組內(nèi)部的氣泡和水氣將無法處理掉。
      [0004]2、真空后熱處理,時間漫長、電容受熱不均。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]本發(fā)明目的就是為了彌補(bǔ)已有技術(shù)的缺陷,提供一種一種低壓自愈式并聯(lián)電容器的脈沖式真空浸潰處理方法。
      [0006]本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
      一種低壓自愈式并聯(lián)電容器的脈沖式真空浸潰處理方法,其特征在于,先準(zhǔn)備好可加溫的真空浸潰缸、組裝好待浸潰的電容器;再按照如下三個階段對電容器進(jìn)行浸潰處理:
      第一階段:
      (1)將組裝好待浸潰的電容器放入真空浸潰缸;
      (2)將真空浸潰缸加溫至45-50°C保持I小時;
      (3)加溫時間過后持續(xù)抽真空保持真空浸潰缸真空度為10Pa,時間為I小時;
      第二階段:
      (4)真空時間過后,破真空至標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下,真空浸潰缸加溫至75-80°C保持I小時;
      (5)加溫時間過后持續(xù)抽真空保持真空浸潰缸真空度為10Pa,時間為I小時;
      第二階段循環(huán)2次;
      第三階段:
      (6)第二階段完成之后,破真空至標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下,真空浸潰缸加溫至100-105°C保持I小時;
      (7)加溫時間過后持續(xù)抽真空保持真空浸潰缸真空度為10Pa,時間為I小時;
      第三階段循環(huán)4次;
      (8)第三階段完成之后,持續(xù)持續(xù)抽真空保持真空度10Pa,時間為6小時;
      (9)真空時間過后,向真空浸潰缸內(nèi)灌注已處理好的浸潰料;
      (10)灌注浸潰料后保持浸潰缸溫度80-85°C,持續(xù)真空度10Pa,時間為6小時;
      (11)處理時間完成后,破真空,抽回浸潰料,取出電容器。
      [0007]本發(fā)明的原理是:
      本發(fā)明通過連續(xù)的抽真空、破真空熱處理使得電容內(nèi)部芯子因真空收縮和破真空熱處理膨脹,減少芯子內(nèi)部氣泡和水氣。
      [0008]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是:
      1、減少了原先電容內(nèi)部無法抽盡的氣泡和水氣。
      [0009]2、將原先熱處理和真空浸潰兩個工藝合二為一,減少了生產(chǎn)周期。
      [0010]3、改變了預(yù)先直接真空熱處理加熱漫長且電容內(nèi)部芯組受熱不均的現(xiàn)象。
      【具體實(shí)施方式】
      [0011]一種低壓自愈式并聯(lián)電容器的脈沖式真空浸潰處理方法,先準(zhǔn)備好可加溫的真空浸潰缸、組裝好待浸潰的電容器;再按照如下三個階段對電容器進(jìn)行浸潰處理:
      第一階段:
      (1)將組裝好待浸潰的電容器放入真空浸潰缸;
      (2)將真空浸潰缸加溫至45-50°C保持I小時;
      (3)加溫時間過后持續(xù)抽真空保持真空浸潰缸真空度為10Pa,時間為I小時;
      第二階段:
      (4)真空時間過后,破真空至標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下,真空浸潰缸加溫至75-80°C保持I小時;
      (5)加溫時間過后持續(xù)抽真空保持真空浸潰缸真空度為10Pa,時間為I小時;
      第二階段循環(huán)2次;
      第三階段:
      (6)第二階段完成之后,破真空至標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下,真空浸潰缸加溫至100-105°C保持I小時;
      (7)加溫時間過后持續(xù)抽真空保持真空浸潰缸真空度為10Pa,時間為I小時;
      第三階段循環(huán)4次;
      (8)第三階段完成之后,持續(xù)持續(xù)抽真空保持真空度10Pa,時間為6小時;
      (9)真空時間過后,向真空浸潰缸內(nèi)灌注已處理好的浸潰料;
      (10)灌注浸潰料后保持浸潰缸溫度80-85°C,持續(xù)真空度10Pa,時間為6小時;
      (11)處理時間完成后,破真空,抽回浸潰料,取出電容器。
      【權(quán)利要求】
      1.一種低壓自愈式并聯(lián)電容器的脈沖式真空浸潰處理方法,其特征在于,先準(zhǔn)備好可加溫的真空浸潰缸、組裝好待浸潰的電容器;再按照如下三個階段對電容器進(jìn)行浸潰處理: 第一階段: (1)將組裝好待浸潰的電容器放入真空浸潰缸; (2)將真空浸潰缸加溫至45-50°C保持I小時; (3)加溫時間過后持續(xù)抽真空保持真空浸潰缸真空度為lOPa,時間為I小時; 第二階段: (4)真空時間過后,破真空至標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下,真空浸潰缸加溫至75-80°C保持I小時; (5)加溫時間過后持續(xù)抽真空保持真空浸潰缸真空度為lOPa,時間為I小時; 第二階段循環(huán)2次; 第三階段: (6)第二階段完成之后,破真空至標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下,真空浸潰缸加溫至100-105°C保持I小時; (7)加溫時間過后持續(xù)抽真空保持真空浸潰缸真空度為lOPa,時間為I小時; 第三階段循環(huán)4次; (8)第三階段完成之后,持續(xù)持續(xù)抽真空保持真空度lOPa,時間為6小時; (9)真空時間過后,向真空浸潰缸內(nèi)灌注已處理好的浸潰料; (10)灌注浸潰料后保持浸潰缸溫度80-85°C,持續(xù)真空度10Pa,時間為6小時; (11)處理時間完成后,破真空,抽回浸潰料,取出電容器。
      【文檔編號】H01G13/04GK103500670SQ201310402666
      【公開日】2014年1月8日 申請日期:2013年9月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月7日
      【發(fā)明者】陳肥生, 羅運(yùn)林, 史賢豹, 葉小虎, 王明明 申請人:蕪湖市金誠電子有限責(zé)任公司
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