一種自停止的gst化學機械拋光液及其制備方法和應用的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及化學機械拋光領域，特別是涉及一種可有效應用于相變材料GST的自停止化學機械拋光液及其制備方法和應用。本發(fā)明提供一種自停止化學機械拋光液，其原料按重量份計，包括如下組分：拋光顆粒0.2-30份；有機物保護劑0.0001-5份；氧化劑0.01-5份；表面活性劑0.01-4份；水性介質(zhì)85-95份；pH調(diào)節(jié)劑適量；所述自停止化學機械拋光液的pH值的范圍為2-6。本發(fā)明提供的用于相變材料GST圖形片自停止化學機械拋光液，其中含有的有機物保護劑能夠在GST的高度低于氧化硅的時候附著在GST的表面，在GST的表面形成一種保護膜，起到保護GST的作用，從而避免了蝶形坑的形成。
【專利說明】一種自停止的GST化學機械拋光液及其制備方法和應用
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及化學機械拋光領域，特別是涉及一種可有效應用于相變材料GST的自停止化學機械拋光液及其制備方法和應用。
【背景技術】
[0002]相變存儲器因具有高速讀取、高可擦寫次數(shù)、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗強震動和抗輻射等優(yōu)點，而被國際半導體行業(yè)協(xié)會認為最有可能取代目前的閃存存儲器而成為未來存儲器主流產(chǎn)品和最先成為商用產(chǎn)品的器件。
[0003]相變存儲器技術的基本原理是以硫系化合物為存儲介質(zhì)，利用電能(熱量）使材料在晶態(tài)(低阻）與非晶態(tài)(高阻）之間相互轉(zhuǎn)換實現(xiàn)信息的寫入與擦除，信息的讀出則靠測量電阻的變化實現(xiàn)。典型的相變材料是硫族化合物合金薄膜，最成熟的材料是GeSbTe合金。存儲單元包括由電介質(zhì)材料定義的細孔，相變材料沉積在細孔中，相變材料在細孔的一端上連接電極。電極接觸使電流通過該通道產(chǎn)生焦耳熱對該單元進行編程，或者讀取該單元的電阻狀態(tài)。
[0004]目前，在構(gòu)建相變存儲單元時，通行的做法是：先通過磁控濺射的方法沉積相變材料在由電介質(zhì)材料定義的細孔中，然后通過反應離子刻蝕（RIE)或者化學機械拋光（CMP)的方法，將細空上方的相變材料進行去除。相比于RIE而言，CMP因具有表面低損傷和能實現(xiàn)全局平坦化的優(yōu)點，受到了許多研究人員和半導體公司的親睞。
[0005]為滿足制備納電子相變存儲器中CMP工藝的需求，需要可控的無損傷地對相變材料進行去除，同時還希望盡可能減少下層絕緣材料的損失。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]鑒于以上所述現(xiàn)有技術的缺點，本發(fā)明提供一種用于相變材料Ge2Sb2Te5 (GST)的自停止化學機械拋光（CMP)液，用于解決現(xiàn)有技術中的問題，所述自停止化學機械拋光液主要用于GST圖形片的拋光。本專利發(fā)明人經(jīng)廣泛研究發(fā)現(xiàn)一種有機物保護劑，能夠在GST的表面形成保護膜，在GST的高度低于SiO2的時候，附著在GST的表面，起到保護GST的作用。這種保護作用降低了蝶形坑的高度，并且速率可控、表面低損傷并且無殘留的拋光，可滿足制備納電子相變存儲器中CMP工藝的需要。
[0007]為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的， 本發(fā)明第一方面提供一種自停止化學機械拋光液，其原料按重量份計，包括如下組分：
[0008]拋光顆粒0.2-30份;
有機物保護劑0.0001-5份；
氧化劑0.01-5份；
表面活性劑0.01-4份；
水性介質(zhì)85-95份；
pH調(diào)節(jié)劑適量；
[0009]所述自停止化學機械拋光液的pH值的范圍為2-6。
[0010]優(yōu)選的，所述自停止化學機械拋光液，其原料按重量份計，包括如下組分：
[0011]
拋光顆粒1-6份；
有機物保護劑0.01-1份：
氧化劑0.1-5份；
表面活性劑0.05-2份；
水性介質(zhì)85-95份；
pH調(diào)節(jié)劑適量；優(yōu)選為0.01 -1份；
[0012]所述自停止化學機械拋光液的pH值的范圍為2-6。
[0013]本領域技術人員可根據(jù)實際情況，加入適量pH調(diào)節(jié)劑，以達到所需pH值。
[0014]優(yōu)選的，所述pH調(diào)節(jié)劑選自氨水、羥乙基乙二氨水溶液、硝酸水溶液和鹽酸水溶液中的一種或多種的組合。
[0015]優(yōu)選的，所述拋光顆粒的粒徑為80_120nm。
[0016]更優(yōu)選的，所述拋光顆粒為二氧化硅溶膠。
[0017]進一步優(yōu)選的，所述二氧化硅溶膠的溶劑為水，固含量為25_35wt%。
[0018]優(yōu)選的，所述有機物保護劑選自丙烯基硫脲（CAS No ： 109-57-9)、四氫噻唑硫酮（CAS No : 2682-49-7)、磺基水楊酸（CAS No :5965_83_3)、羧甲基纖維素（CAS No:9004-32-4)、羥乙基纖維素（CAS No :9004-62-0)和十二烷基甜菜堿(十二烷基二甲基胺乙內(nèi)酯）（CAS No :683-10-3)中的一種或多種的組合。
[0019]所述羧甲基纖維素的平均分子量為900-15000。
[0020]所述羥乙基纖維素的平均分子量為540-31000。
[0021 ] 優(yōu)選的，所述氧化劑選自鐵氰化鉀、高錳酸鉀、高碘酸和雙氧水中的一種或多種的組合。
[0022]更優(yōu)選的，所述雙氧水的濃度約為30wt%。
[0023]本發(fā)明提供的用于相變材料GST圖形片的自停止化學機械拋光液包含氧化劑。對于金屬拋光，一般公認的過程為金屬氧化形成質(zhì)軟的水化氧化層，然后氧化層被去除，重新露出新鮮的金屬。如此過程往復，從而實現(xiàn)拋光過程的連續(xù)進行。對于相變薄膜材料GST而言，Sb和Te具有很明顯的金屬性。因此，在相變材料GST的拋光過程中，氧化劑對于拋光過程連續(xù)進行具有極其重要的作用。[0024]優(yōu)選的，所述表面活性劑為陰離子型表面活性劑。
[0025]更優(yōu)選的，所述表面活性劑選自脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉（Sodium AlcoholEther Sulphate, AES)、聚丙烯酸鈉和脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯中的一種或多種的組合。
[0026]本發(fā)明提供的于相變材料GST圖形片的自動停止化學機械拋光液包含至少一種表面活性劑。表面活性劑以其特有的結(jié)構(gòu)和一定的帶電情況，可以改善拋光液的穩(wěn)定性，從而利于相變材料GST的化學機械拋光。
[0027]所述脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉（AES)的平均分子量為357-412。
[0028]所述聚丙烯酸鈉的平均分子量為900-25000。
[0029]所述脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯的平均分子量為850-52000。
[0030]優(yōu)選的，所述水性介質(zhì)為水。
[0031]更優(yōu)選的，所述水性介質(zhì)為去離子水。
[0032]本發(fā)明第二方面提供所述自停止化學機械拋光液的制備方法，包括如下步驟：
[0033]I)按配方，將氧化劑加入水性介質(zhì)中，充分攪拌；
[0034]2)按配方，在步驟I所得混合物中加入表面活性劑，充分攪拌后，使用pH調(diào)節(jié)劑將混合液的PH調(diào)至2-6 ；
[0035]3)按配方，在步驟2所得混合物中加入有機保護劑，充分攪拌；
[0036]4)按配方，在步驟3所得混合物中加入拋光磨料，充分攪拌后即得所述自停止化學機械拋光液。
[0037]本發(fā)明第三方面提供所述自停止化學機械拋光液在相變材料拋光領域的應用。
[0038]本發(fā)明提供的用于相變材料GST圖形片自停止化學機械拋光液，其中含有的有機物保護劑能夠在GST的高度低于氧化硅的時候附著在GST的表面，在GST的表面形成一種保護膜，起到保護GST的作用，從而避免了蝶形坑的形成。
[0039]在GST圖形片拋光過程中，由于GST/Si02具有一定的選擇比，對GST圖形片拋光液一般要求：不僅要有高的拋光速率，同時還要具有高的選擇比。在拋光過程中，GST圖形片拋光液由于具有高的選擇比，所以當拋光GST的截面的時候，由于高選擇比，GST的去除速率遠遠大約氧化硅的速率，容易造成蝶形坑的形成，這種結(jié)果嚴重影響了下一步工藝的進行。本發(fā)明發(fā)明人研發(fā)了一種自停止的GST酸性拋光液，所述拋光液中包含了一種有機物保護劑，能在拋光過程中附著在GST的表面。由于這種有機物易去除，所以這種保護劑并沒有影響到GST的去除速率。當拋到GST截面時，GST的高度低于氧化硅時，有機物會附著在GST的表面，起到保護GST的作用，這種保護作用降低了蝶形坑的高度，即所謂的dishing的問題，達到了自停止GST去除。同時這種保護劑不會粘附在GST的表面，通過清洗的過程就可以去除附著在GST表面的保護劑。此拋光液中還包含了氧化劑、表面活性劑以及水性介質(zhì)，同時降低了表面粗糙度，GST的去除速率達到200nm/min，并且速率可控、表面低損傷，可滿足制備納電子相變存儲器中CMP工藝的需要。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0040]圖I顯示為GST圖形片結(jié)構(gòu)。
[0041]圖2顯示為GST圖形片上的蝶形坑。
[0042]圖3顯示為GST圖形片拋光過程。[0043]圖4顯示為拋光到GST截面的結(jié)構(gòu)圖。
[0044]圖5顯示為沒有添加保護劑的拋光測試結(jié)果圖。
[0045]圖6顯示為添加保護劑的拋光測試結(jié)果圖。
[0046]元件標號說明
[0047]1 SiO2
[0048]2 GST
[0049]3 有機物保護劑
[0050]4 拋光顆粒
【具體實施方式】
[0051]以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應用，本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進行各種修飾或改變。
[0052]須知，下列實施例中未具體注明的工藝設備或裝置均采用本領域內(nèi)的常規(guī)設備或裝置；所有壓力值和范圍都是指絕對壓力。
[0053]此外應理解，本發(fā)明中提到的一個或多個方法步驟并不排斥在所述組合步驟前后還可以存在其他方法步驟或在這些明確提到的步驟之間還可以插入其他方法步驟，除非另有說明；還應理解，本發(fā)明中提到的一個或多個設備/裝置之間的組合連接關系并不排斥在所述組合設備/裝置前后還可以存在其他設備/裝置或在這些明確提到的兩個設備/裝置之間還可以插入其他設備/裝置，除非另有說明。而且，除非另有說明，各方法步驟的編號僅為鑒別各方法步驟的便利工具，而非為限制各方法步驟的排列次序或限定本發(fā)明可實施的范圍，其相對關系的改變或調(diào)整，在無實質(zhì)變更技術內(nèi)容的情況下，當亦視為本發(fā)明可實施的范疇。
[0054]本發(fā)明提供一種用于相變材料Ge2Sb2Te5 (GST)的自停止化學機械拋光(CMP)液，其拋光液中含有有機物保護劑，主要用于解決在GST圖形片的拋光過程中，由于高選擇比所造成的蝶形坑。常規(guī)的GST的圖形片的結(jié)構(gòu)圖如I所示，這種結(jié)構(gòu)要求GST跟SiO2具有一定的選擇比，一般情況下，高的選擇比在拋光過程中容易造成蝶形坑的形成，如圖2所示，給下一步的工藝造成缺陷。針對在GST圖形片拋光過程中出現(xiàn)蝶形坑的問題，本發(fā)明發(fā)明人在拋光液中加入一種有機物保護劑，能夠在GST的表面形成保護膜，在GST的高度低于SiO2的時候，附著在GST的表面，起到保護GST的作用，達到了自動停止GST的去除，從而避免了蝶形坑的形成。
[0055]本發(fā)明的有機物保護劑能夠在拋光過程中附著在GST的表面，其拋光過程如圖3所示。從圖上我們可以看出在拋光過程中，有機物附著在GST的表面，由于這種有機物易去除，所以這種保護劑并沒有影響到GST的去除速率。當拋到GST截面時，GST的高度低于氧化硅時，有機物附著在GST的表面，起到保護GST的作用，這種保護作用降低了蝶形坑的高度，即所謂的dishing的問題。其示意圖如圖4所示。從圖上可以看到在拋光的過程中，當GST的高度低于SiO2的高度的時候，有機物附著在GST的表面，保護了 GST的去除，從而避免了蝶形坑的形成。達到了自停止GST去除。同時這種保護劑不會粘附在GST的表面，通過清洗的過程就可以去除附著在GST表面的保護劑。此拋光液中還包含了氧化劑、表面活性劑以及水性介質(zhì)。同時實現(xiàn)了速率可控，降低了表面粗糙度。
[0056]本發(fā)明各實施例中GST圖形片拋光測試條件如下:
[0057]儀器:CMPtester (CETR CP-4)
[0058]條件:壓力(DownForce):3psi
[0059]拋光墊轉(zhuǎn)速(PadSpeed): IOOrpm
[0060]拋光頭轉(zhuǎn)速(CarrierSpeed):IOOrpm
[0061]溫度:25°C
[0062]拋光液流速(FeedRate):100ml/min
[0063]拋光液:取實施例所得的拋光液進行測試。
[0064]實施例1
[0065]按重量份計，拋光液組成如下:
[0066]拋光顆粒:二氧化娃溶膠(30wt%,粒徑:IOOnm):2份；
[0067]氧化劑:雙氧水(30wt%):5份；
[0068]表面活性劑:脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉:1份；
[0069]有機物保護劑:0份；
[0070]水性介質(zhì):去離子水:92份；
[0071]pH值=3 (10?丨％硝酸水溶液調(diào))。
[0072]具體配置過程如下:第一:將去離子水加入配置溶液的容器中；第二:按配方在容器中加入所需雙氧水的量；第三:按配方在容器中加入所需聚氧乙烯硫酸鈉的量；第四:用10wt%的稀硝酸調(diào)試pH值到3，用量約為0.3重量份；第五:按配方在溶劑中加入固含量為30wt%的二氧化硅溶膠，充分攪拌即得拋光液。
[0073]拋光測試結(jié)果如圖5所示。
[0074]實施例2
[0075]按重量份計，拋光液組成如下:
[0076]拋光顆粒:二氧化硅溶膠(30wt%，粒徑:IOOnm)含量:2份；
[0077]氧化劑:雙氧水(30wt%):5份；
[0078]表面活性劑:脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉:1份
[0079]有機物保護劑:羧甲基纖維素:1份；
[0080]水性介質(zhì):去離子水:91份；
[0081]pH值=3 (10wt%稀硝酸水溶液調(diào))。
[0082]具體配置過程如下:第一:將去離子水加入配置溶液的容器中；第二:按配方在容器中加入所需雙氧水的量；第三:按配方在容器中加入所需聚氧乙烯硫酸鈉的量；第四:用少量10wt%的稀硝酸調(diào)試pH值到3 ;第五:按配方在溶劑中加入羧甲基纖維素；第六:在溶劑中加入固含量為30wt%的二氧化硅溶膠，充分攪拌即得拋光液。
[0083]拋光測試結(jié)果如圖6所示。
[0084]從圖5跟圖6的對比，我們可以得出，在GST拋光液中沒有添加有機物保護劑的時候，拋光之后有蝶形坑的形成；添加之后的拋光液，在拋光之后沒有蝶形坑的形成。證明了在拋光的過程中，有機物保護劑起到了有效的保護GST的作用，從而避免了蝶形坑的形成，達到了自停止的效果。
[0085]實施例3
[0086]按重量份計,拋光液組成如下:
[0087]拋光顆粒:二氧化硅溶膠(30wt%,粒徑:120nm)含量:1份；
[0088]氧化劑:高錳酸鉀:0.1份；
[0089]表面活性劑:聚丙稀酸鈉:0.05份
[0090]有機物保護劑:丙烯基硫脲:0.01份；
[0091]水性介質(zhì):去離子水:85份；
[0092]pH 值=6 (28wt% 氨水調(diào))。
[0093]具體配置過程如下:第一:將去離子水加入配置溶液的容器中；第二:按配方在容器中加入所需高錳酸鉀的量；第三:按配方在容器中加入所需聚丙稀酸鈉的量；第四:用28被％氨水調(diào)試pH值到6 ;第五:按配方在溶劑中加入丙烯基硫脲；第六:在溶劑中加入固含量為30被％的二氧化硅溶膠，充分攪拌即得拋光液。本實施例所得拋光液的拋光測試結(jié)果與實施例2相近，能夠有效的保護GST，避免蝶形坑的形成。
[0094]實施例4
[0095]按重量份計，拋光液組成如下:`[0096]拋光顆粒:二氧化娃溶膠(30wt%,粒徑:80nm)含量:6份；
[0097]氧化劑:高碘酸:4份；
[0098]表面活性劑:脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯:2份
[0099]有機物保護劑:四氫噻唑硫酮:0.5份；
[0100]水性介質(zhì):去離子水:95份；
[0101]pH值=2 (10wt%鹽酸水溶液調(diào))。
[0102]具體配置過程如下:第一:將去離子水加入配置溶液的容器中；第二:按配方在容器中加入所需高碘酸的量；第三:按配方在容器中加入所需脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯的量；第四:用10被％鹽酸水溶液調(diào)試pH值到2 ;第五:按配方在溶劑中加入四氫噻唑硫酮；第六:在溶劑中加入固含量為30被％的二氧化硅溶膠，充分攪拌即得拋光液。本實施例所得拋光液的拋光測試結(jié)果與實施例2相近，能夠有效的保護GST，避免蝶形坑的形成。
[0103]實施例5
[0104]按重量份計,拋光液組成如下:
[0105]拋光顆粒:二氧化娃溶膠(25wt%,粒徑:80nm)含量:3份；
[0106]氧化劑:鐵氰化鉀:3份；
[0107]表面活性劑:脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯:1份
[0108]有機物保護劑:磺基水楊酸:0.4份；
[0109]水性介質(zhì):去離子水:90份；
[0110]pH值=5 (10wt%羥乙基二胺水溶液調(diào))。
[0111]具體配置過程如下:第一:將去離子水加入配置溶液的容器中；第二:按配方在容器中加入所需鐵氰化鉀的量；第三:按配方在容器中加入所需脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯的量；第四:用10被％羥乙基二胺水溶液調(diào)試pH值到5 ;第五:按配方在溶劑中加入磺基水楊酸；第六:在溶劑中加入固含量為30wt%的二氧化硅溶膠，充分攪拌即得拋光液。本實施例所得拋光液的拋光測試結(jié)果與實施例2相近，能夠有效的保護GST，避免蝶形坑的形成。
[0112]實施例6
[0113]按重量份計，拋光液組成如下:
[0114]拋光顆粒:二氧化娃溶膠(35wt%,粒徑:80nm)含量:3份；
[0115]氧化劑:高碘酸:2份；
[0116]表面活性劑:脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉:1份
[0117]有機物保護劑:羥乙基纖維素:0.5份；
[0118]水性介質(zhì):去離子水:95份；
[0119]pH值=3 (10wt%稀硝酸水溶液調(diào))。
[0120]具體配置過程如下:第一:將去離子水加入配置溶液的容器中；第二:按配方在容器中加入所需高碘酸的量；第三:按配方在容器中加入所需脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉的量；第四:用10wt%稀硝酸水溶液調(diào)試pH值到3 ;第五:按配方在溶劑中加入羥乙基纖維素；第六:在溶劑中加入固含量為30被％的二氧化硅溶膠，充分攪拌即得拋光液。本實施例所得拋光液的拋光測試結(jié)果與實施例2相近，能夠有效的保護GST，避免蝶形坑的形成。
[0121]實施例7
[0122]按重量份計，拋光液 組成如下:
[0123]拋光顆粒:二氧化娃溶膠(30wt%,粒徑:80nm)含量:3份；
[0124]氧化劑:雙氧水(28wt%):2份；
[0125]表面活性劑:脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉:1份
[0126]有機物保護劑:十二烷基甜菜堿:1份；
[0127]水性介質(zhì):去離子水:90份；
[0128]pH值=3 (10wt%稀鹽酸水溶液)。
[0129]具體配置過程如下:第一:將去離子水加入配置溶液的容器中；第二:按配方在容器中加入所需雙氧水的量；第三:按配方在容器中加入所需脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉的量；第四:用10wt%稀鹽酸水溶液調(diào)試pH值到3 ;第五:按配方在溶劑中加入十二烷基甜菜堿；第六:在溶劑中加入固含量為30wt%的二氧化硅溶膠，充分攪拌即得拋光液。本實施例所得拋光液的拋光測試結(jié)果與實施例2相近，能夠有效的保護GST，避免蝶形坑的形成。
[0130]綜上所述，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。
[0131]上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術領域】中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本發(fā)明的權利要求所涵蓋。
【權利要求】
1.一種自停止化學機械拋光液，其原料按重量份計，包括如下組分：拋光顆粒0.2-30份；有機物保護劑0.0001-5份；氧化劑0.01-5份；表面活性劑0.01-4份；水性介質(zhì)85-95份；
pH調(diào)節(jié)劑適量 所述自停止化學機械拋光液的PH值的范圍為2-6。
2.如權利要求1所述的自停止化學機械拋光液，其特征在于，所述自停止化學機械拋光液，其原料按重量份計，包括如下組分：拋光顆粒1-6份有機物保護劑0.01-1份；氧化劑0.1-5份；表面活性劑0.05-2份；水性介質(zhì)85-95份；
pH調(diào)節(jié)劑適量； 所述自停止化學機械拋光液的PH值的范圍為2-6。
3.如權利要求1所述的自停止化學機械拋光液，其特征在于，所述PH調(diào)節(jié)劑選自氨水、羥乙基乙二氨水溶液、硝酸水溶液和鹽酸水溶液中的一種或多種的混合。
4.如權利要求1所述的自停止化學機械拋光液，其特征在于，所述拋光顆粒為二氧化硅溶膠。
5.如權利要求1所述的自停止化學機械拋光液，其特征在于，所述有機物保護劑選自丙烯基硫脲、四氫噻唑硫酮、磺基水楊酸、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素和十二烷基甜菜堿中的一種或多種的混合。
6.如權利要求1所述的自停止化學機械拋光液，其特征在于，所述氧化劑選自鐵氰化鉀、高錳酸鉀、高碘酸和雙氧水中的一種或多種的混合。
7.如權利要求1所述的自停止化學機械拋光液，其特征在于，所述表面活性劑為陰離子型表面活性劑。
8.如權利要求8所述的自停止化學機械拋光液，其特征在于，所述表面活性劑選自脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉、聚丙烯酸鈉和脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯中的一種或多種的組合。
9.如權利要求1所述的自停止化學機械拋光液，其特征在于，所述水性介質(zhì)為去離子水。
10.如權利要求1-9任一權利要求所述的自停止化學機械拋光液的制備方法，包括如下步驟： 按配方，將氧化劑加入水性介質(zhì)中，充分攪拌；2)按配方，在步驟I所得混合物中加入表面活性劑，充分攪拌后，使用pH調(diào)節(jié)劑將混合液的PH調(diào)至2-6 ； 3)按配方，在步驟2所得混合物中加入有機保護劑，充分攪拌； 4)按配方，在步驟3所得混合物中加入拋光磨料，充分攪拌后即得所述自停止化學機械拋光液。
11.如權利要求1-9任一權利要求所述的自停止化學機械拋光液在相變材料拋光領域的應用。`
【文檔編號】H01L21/306GK103484025SQ201310447272
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年9月25日 優(yōu)先權日:2013年9月25日
【發(fā)明者】閆未霞, 王良詠, 劉衛(wèi)麗, 宋志棠 申請人:上海新安納電子科技有限公司