三極管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種三極管，包括：第一類型襯底；一第二類型阱區(qū)；一第一類型輕摻雜區(qū)域；一第二類型高摻雜區(qū)域；一第一類型高摻雜區(qū)域；該第一類型高摻雜區(qū)域、該第二類型高摻雜區(qū)域、該第一類型輕摻雜區(qū)域、該第二類型阱區(qū)及該第一類型襯底依次層疊設(shè)置，該第一類型輕摻區(qū)域為該三極管之集電極區(qū)域，該第二類型高摻雜區(qū)域為該三極管之基極區(qū)域，該第一類型高摻雜區(qū)域為該三極管之發(fā)射極區(qū)域，該第二類型阱區(qū)與該第二類型高摻雜區(qū)域之間形成一導(dǎo)電通道。
【專利說明】三極管

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種三極管。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著科技之發(fā)展，電子產(chǎn)品種類越來越多。而三極管由于其具有電流放大作用，常 常作為電子產(chǎn)品中的電流放大器件而被廣泛使用。然而，目前三極管在制做的時候容易產(chǎn) 生寄生的三極管，比如，在制做一 PNP三極管的時候則會生成一寄生PNP三極管及一寄生 NPN三極管。該寄生NPN三極管之發(fā)射極和集電極之間容易產(chǎn)生漏電流，從而造成對該PNP 三極管的損壞。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 因此，有必要提供一種不容易損壞的三極管。
[0004] 一種三極管，包括： 第一類型襯底； 一第二類型阱區(qū)； 一第一類型輕摻雜區(qū)域； 一第二類型高摻雜區(qū)域； 一第一類型高摻雜區(qū)域； 該第一類型高摻雜區(qū)域、該第二類型高摻雜區(qū)域、該第一類型輕摻雜區(qū)域、該第二類型 阱區(qū)及該第一類型襯底依次層疊設(shè)置，該第一類型輕摻區(qū)域為該三極管之集電極區(qū)域，該 第二類型高摻雜區(qū)域為該三極管之基極區(qū)域，該第一類型高摻雜區(qū)域為該三極管之發(fā)射極 區(qū)域，該第二類型阱區(qū)與該第二類型高摻雜區(qū)域之間形成一導(dǎo)電通道。
[0005] 與現(xiàn)有技術(shù)相較，本發(fā)明三極管中該第二類型阱區(qū)與該第二類型高摻雜區(qū)域之間 形成一導(dǎo)電通道以使第二類型阱區(qū)與該第二類型高摻雜區(qū)域不會因為摻雜濃度的比例控 制不當(dāng)而造成第二類型阱區(qū)與該第二類型高摻雜區(qū)域之間擊穿之現(xiàn)象，從而避免了該三極 管的損壞。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0006] 下面結(jié)合附圖及較佳實施方式對本發(fā)明作進一步詳細描述。
[0007] 圖1為本發(fā)明三極管第一實施例之平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0008] 圖2為本發(fā)明圖1中所示三極管沿II-II線第一實施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009] 圖3為本發(fā)明圖1中所示三極管沿II-II線第二實施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010] 圖4為本發(fā)明三極管第一實施例之等效電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011] 圖5為本發(fā)明三極管第二實施例之平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012] 圖6為本發(fā)明圖5中所示三極管沿VI-VI線第一實施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013] 圖7為本發(fā)明圖5中所示三極管沿VI-VI線第二實施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014] 圖8為本發(fā)明三極管第三實施例之平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015] 圖9為本發(fā)明圖8中所示三極管沿IX-IX線第一實施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016] 圖10為本發(fā)明圖8中所示三極管沿IX-IX線第二實施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017] 圖11為本發(fā)明三極管第三實施例之等效電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018] 主要元件符號說明

【權(quán)利要求】
1. 一種三極管，包括： 第一類型襯底； 一第二類型阱區(qū)； 一第一類型輕摻雜區(qū)域； 一第二類型高摻雜區(qū)域； 一第一類型高摻雜區(qū)域； 該第一類型高摻雜區(qū)域、該第二類型高摻雜區(qū)域、該第一類型輕摻雜區(qū)域、該第二類型 阱區(qū)及該第一類型襯底依次層疊設(shè)置，該第一類型輕摻區(qū)域為該三極管之集電極區(qū)域，該 第二類型高摻雜區(qū)域為該三極管之基極區(qū)域，該第一類型高摻雜區(qū)域為該三極管之發(fā)射極 區(qū)域，該第二類型阱區(qū)與該第二類型高摻雜區(qū)域之間形成一導(dǎo)電通道。
2. 如權(quán)利要求1所述的三極管，其特征在于，該第二類型高摻雜區(qū)域包括主體部及聯(lián) 通部，且該聯(lián)通部作為該導(dǎo)電通道聯(lián)通并電連接該第二類型阱區(qū)及該主體部。
3. 如權(quán)利要求2所述的三極管，其特征在于，該第一類型輕摻雜區(qū)域包括第一部分及 第二部分，該第二部分位于該聯(lián)通部及該第一部分之間，該第一部分的摻雜濃度大于該第 二部分的摻雜濃度。
4. 如權(quán)利要求2所述的三極管，其特征在于，該第二類型阱區(qū)包括第一區(qū)域及第二區(qū) 域，該第一區(qū)域、該第一類型輕摻雜區(qū)域及該聯(lián)通部設(shè)置于該第二區(qū)域上，該第一區(qū)域鄰近 該第一部分的外側(cè)設(shè)置，該第一區(qū)域的摻雜濃度小于該第二區(qū)域的摻雜濃度。
5. 如權(quán)利要求2所述的三極管，其特征在于，該第二類型阱區(qū)與該第二類型高摻雜區(qū) 域被施加相同的電壓。
6. 如權(quán)利要求5所述的三極管，其特征在于，三極管還包括自該第一類型高摻雜區(qū)域 引出第一金屬引線，自第二類型高摻雜區(qū)域引出第二金屬引線，自該第一類型輕摻雜區(qū)域 引出第三金屬引線，及自該第二類型阱區(qū)引出第四金屬引線；其中，該第一金屬引線為該三 極管之發(fā)射極，該第一類型高摻雜區(qū)域透過該第一金屬引線加載發(fā)射極電壓；該第二金屬 引線為該三極管之基極，該第二類型高摻雜區(qū)域透過該第二金屬引線加載基極電壓；該第 三金屬引線為該三極管之集電極，該第一類型輕摻雜區(qū)域透過該第三金屬引線加載集電極 電壓，該第二類型阱區(qū)透過該第四金屬引線加載與該第二類型高摻雜區(qū)域上加載的電壓相 同的電壓。
7. 如權(quán)利要求6所述的三極管，其特征在于，該第二金屬引線與該第四金屬引線通過 金屬布線電連接。
8. 如權(quán)利要求6所述的三極管，其特征在于，該三極管的表面覆蓋有絕緣層，其中該絕 緣層分別對應(yīng)該第一類型高摻雜區(qū)域開設(shè)第一開孔、對應(yīng)該第二類型高摻雜區(qū)域開設(shè)第二 開孔、對應(yīng)該第一類型輕摻雜區(qū)域開設(shè)第三開孔及對該第二類型阱區(qū)開設(shè)第四開孔，該三 極管分別自該第一開孔引出該第一金屬引線，自該第二開孔引出該第二金屬引線，自該第 三開孔引出該第三金屬引線，自該第四開孔引出該第四金屬引線。
9. 如權(quán)利要求8所述的三極管，其特征在于，該保護層還包括對應(yīng)該第一類型襯底開 始的第五開孔，該三極管自該第五開孔引出第五金屬引線，該第五金屬引線接地。
10. 如權(quán)利要求8所述的三極管，其特征在于，該保護層為二氧化硅。
11. 如權(quán)利要求8所述的三極管，其特征在于，該三極管還包括對該第一類型高摻雜區(qū) 域進行第一類型摻雜形成的發(fā)射極歐姆接觸區(qū)，對該第二類型高摻雜區(qū)域進行第二類型摻 雜形成的基極歐姆接觸區(qū)，對該第一類型輕摻雜區(qū)域進行第二類型摻雜形成的基極歐姆接 觸區(qū)，對該第二類型阱區(qū)進行第二類型摻雜形成的阱區(qū)歐姆接觸區(qū)，該三極管透過該發(fā)射 極歐姆接觸區(qū)引出該第一金屬引線，透過該基極歐姆接觸區(qū)引出該第二金屬引線，透過該 基極歐姆接觸區(qū)引出該第三金屬引線，透過該阱區(qū)歐姆接觸區(qū)引出該第四金屬引線。
12. 如權(quán)利要求1所述的三極管，其特征在于，該第一類型為N型，該第二類型為P型。
13. 如權(quán)利要求1所述的三極管，其特征在于，該第一類型為P型，該第二類型為N型。
【文檔編號】H01L29/06GK104518011SQ201310456033
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2013年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月30日
【發(fā)明者】鄭志男 申請人:天鈺科技股份有限公司