半導(dǎo)體基板及其制造方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體基板及其制造方法，該制造方法包括以下步驟：提供一半導(dǎo)體基材，該半導(dǎo)體基材具有多個(gè)深溝槽；在該半導(dǎo)體基材上形成多個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)，每一個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)具有一隔離部和一突出部，該隔離部位于深溝槽內(nèi)，該突出部位于隔離部上且突出部的溢出部分覆蓋半導(dǎo)體基材，且相鄰的兩個(gè)突出部之間定義出一位元線區(qū)域；接著形成一犧牲層覆蓋這些突出部和這些位元線區(qū)域，該犧牲層具有多個(gè)開口；之后在這些開口內(nèi)形成多個(gè)遮蔽結(jié)構(gòu)；最后以這些遮蔽結(jié)構(gòu)為自對(duì)準(zhǔn)罩幕，選擇性地移除部分該犧牲層和該半導(dǎo)體基材，以便在每一位元線區(qū)域內(nèi)形成兩個(gè)位元線溝槽而可減少一次光罩的使用。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體基板及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體工藝技術(shù)，特別是指一種可應(yīng)用在存儲(chǔ)器元件上的以免光 罩方式定義位元線溝槽的半導(dǎo)體基板（semiconductor substrate)及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 存儲(chǔ)器，顧名思義是用來(lái)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體元件，一般在數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的儲(chǔ)存上習(xí)慣 以位元（Bit)表示存儲(chǔ)器的容量，而存儲(chǔ)器內(nèi)每個(gè)用于儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的單元?jiǎng)t是稱為存儲(chǔ)單 元（cell)。隨著電腦微處理器的功能愈來(lái)愈復(fù)雜，軟件程序所進(jìn)行的運(yùn)算也愈來(lái)愈龐大， 故存儲(chǔ)器的制作技術(shù)已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所不可忽略的重要技術(shù)之一。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ) 器（Dynamic Random Access Memory, DRAM)屬于一種揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其為多個(gè)存儲(chǔ)單元所 組成，每一個(gè)存儲(chǔ)單元包含一個(gè)晶體管與一個(gè)電容器，且每一個(gè)存儲(chǔ)單元通過(guò)字線（Word Line, WL)與位元線（Bit Line, BL)彼此電性連接。
[0003] 隨著半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)則的復(fù)雜化，光學(xué)微影蝕刻技術(shù)勢(shì)必會(huì)朝向更小的線寬發(fā) 展。對(duì)現(xiàn)今微影工藝而言，在相同晶片面積中元件密度提高（圖案的復(fù)雜度提高)以及線寬、 線距大幅縮減的前提下，對(duì)精確度的要求也變的越來(lái)越高。已知微影工藝在待蝕刻材料層 上形成一層光阻層，之后再以投影曝光方式（Projection),將光罩（Photo mask)上的圖案 (Pattern)以步進(jìn)且重復(fù)（Step and repeat)或步進(jìn)且掃描（Step and scan)方式轉(zhuǎn)移到 晶片上。
[0004] 然而，基于上述工藝所形成的圖案雖具有較佳的分辨率，但此微影工藝的復(fù)雜度 高，且會(huì)受制于光罩對(duì)準(zhǔn)位置、放大倍數(shù)（Magnification)誤差、步進(jìn)機(jī)（stepper)和掃 描機(jī)（S c an n e r )的對(duì)準(zhǔn)正確性以及機(jī)械裝置間的搭配等問(wèn)題，導(dǎo)致工藝的裕度（P r 〇 c e s s window)變得更加緊縮，從而增加了對(duì)準(zhǔn)上的困難度，甚至在工藝上有可能造成缺陷 (Defect)。
[0005] 此外，金屬-絕緣物-金屬（metal-insulator-metal，MIM)電容器是眾多類型的 電容器中常用的一種，但制作MM電容器通常需要三層以上的光罩以及繁復(fù)的工藝，因而 容易對(duì)工藝良率有不良影響（因?yàn)榉睆?fù)的工藝是良率降低的潛在性原因之一)。因此，對(duì)MIM 電容器的工藝而言，在減少光罩的使用上有著迫切的需求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提出一種以免光罩方式定義位元線溝槽 的半導(dǎo)體基板及其制造方法，可降低對(duì)光罩的需求數(shù)量，以及可避免因光罩未對(duì)準(zhǔn) (Mis-alignment)造成電容器的預(yù)定成型區(qū)域面積過(guò)小或位置偏移。
[0007] 為達(dá)到上述目的及效果，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：一種以免光罩方式定義位元 線溝槽的半導(dǎo)體基板的制造方法，包括以下步驟：首先，提供一半導(dǎo)體基材，具有多個(gè)深溝 槽；接著，形成多個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)于該半導(dǎo)體基材上，每一絕緣結(jié)構(gòu)具有一隔離部和一突出部， 這些隔離部位于這些深溝槽內(nèi)，這些突出部位于這些隔離部上且這些突出部的溢出部分覆 蓋該半導(dǎo)體基材，其中相鄰的兩個(gè)突出部之間定義出一位元線區(qū)域；然后，形成一犧牲層于 這些突出部和這些位元線區(qū)域上，該犧牲層具有多個(gè)開口；之后，形成多個(gè)遮蔽結(jié)構(gòu)于在些 開口內(nèi)；最后，以這些遮蔽結(jié)構(gòu)為自對(duì)準(zhǔn)罩幕，選擇性地移除部分該犧牲層和該半導(dǎo)體基 材，以于每一位元線區(qū)域內(nèi)形成兩個(gè)位元線溝槽。
[0008] 基于上述方法，本發(fā)明還提供一種以免光罩方式定義位元線溝槽的半導(dǎo)體基板， 其包括一半導(dǎo)體基材、多個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)、一犧牲層和多個(gè)遮蔽結(jié)構(gòu)。其中該半導(dǎo)體基材具有多 個(gè)深溝槽；這些絕緣結(jié)構(gòu)平行間隔地設(shè)置于該半導(dǎo)體基材上，每一絕緣結(jié)構(gòu)具有一隔離部 和一突出部，這些隔離部位于這些深溝槽內(nèi)，這些突出部位于這些隔離部上且這些突出部 的溢出部分覆蓋該半導(dǎo)體基材，其中相鄰的兩個(gè)突出部之間定義出一位元線區(qū)域；該犧牲 層覆蓋這些突出部和這些位元線區(qū)域，該犧牲層具有多個(gè)開口；這些遮蔽結(jié)構(gòu)位元于這些 開口內(nèi)。
[0009] 采用的制造方法，不需要使用光罩即可準(zhǔn)確定義出主動(dòng)區(qū)和其中的位元線溝槽、 電容器預(yù)定成型區(qū)域以及位元線接觸窗預(yù)定成型區(qū)域，因此可降低對(duì)光罩的需求以節(jié)省工 藝成本。再者，由于絕緣結(jié)構(gòu)的突出部與遮蔽結(jié)構(gòu)可共同當(dāng)作自對(duì)準(zhǔn)罩幕，因此可進(jìn)一步防 止電容器預(yù)定成型區(qū)域、位元線接觸窗預(yù)定成型區(qū)域因?yàn)楣庹治磳?duì)準(zhǔn)而造成位置偏移、面 積過(guò)小，進(jìn)而可有效提升工藝良率，且有助于存儲(chǔ)器元件的微型化。
[0010] 以上關(guān)于本
【發(fā)明內(nèi)容】
的說(shuō)明以及以下實(shí)施方式的說(shuō)明用以舉例并解釋本發(fā)明的 原理，并且提供本發(fā)明的專利申請(qǐng)范圍的進(jìn)一步的解釋。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011] 圖1為本發(fā)明的以免光罩方式定義位元線溝槽的半導(dǎo)體基板的制造方法的流程 示意圖。
[0012] 圖2至圖8為本發(fā)明的以免光罩方式定義位元線溝槽的半導(dǎo)體基板的制造方法的 工藝示意圖。
[0013] 【符號(hào)說(shuō)明】
[0014] 10半導(dǎo)體基材
[0015] DT深溝槽
[0016] 11 基底
[0017] 12氧化層
[0018] 13硬遮罩層
[0019] ST淺溝槽
[0020] 14圖案化光阻層
[0021] 20絕緣結(jié)構(gòu)
[0022] 21隔離部
[0023] 22突出部
[0024] 22a內(nèi)端部
[0025] 22b外端部
[0026] 220b緩坡結(jié)構(gòu)
[0027] 23位元線區(qū)域
[0028] 30犧牲層
[0029] 31 開口
[0030] 40遮蔽結(jié)構(gòu)
[0031] 50位元線溝槽
[0032] AA主動(dòng)區(qū)域
[0033] C電容器預(yù)定成型區(qū)域
[0034] BLC位元線接觸窗預(yù)定成型區(qū)域

【具體實(shí)施方式】
[0035] 本說(shuō)明書提出一種以免光罩方式定義位元線溝槽的半導(dǎo)體基板的制造方法，其通 過(guò)特殊工藝設(shè)計(jì)，可利用自對(duì)準(zhǔn)機(jī)制在半導(dǎo)體基材上形成沿相同方向延伸的多個(gè)隔離結(jié)構(gòu) 和位元線溝槽而不需使用光罩。值得一提的是，本發(fā)明的方法在形成位元線溝槽的同時(shí)，可 進(jìn)一步定義出電容器（Capacitor)預(yù)定成型區(qū)域和位元線接觸窗（BL contact)預(yù)定成型區(qū) 域，因此能夠防止預(yù)定成型區(qū)域因?yàn)楣庹治磳?duì)準(zhǔn)而造成位置偏移、面積過(guò)小。
[0036] 請(qǐng)參考圖1，為本發(fā)明的以免光罩方式定義位元線溝槽的半導(dǎo)體基板的制造方法 的流程示意圖，并請(qǐng)配合參考圖2至圖7,分別為對(duì)應(yīng)該制造方法的各步驟的工藝示意圖。 下文特列舉一優(yōu)選實(shí)施例并配合附圖對(duì)本發(fā)明的制造方法作詳細(xì)說(shuō)明如下。
[0037] 首先，執(zhí)行步驟S10,提供一半導(dǎo)體基材10,其具有多個(gè)深溝槽DT (如圖2所示)， 其中相鄰的兩個(gè)深溝槽DT相隔一預(yù)定距離，提供后續(xù)步驟定義出主動(dòng)區(qū)域AA (active area)。在本實(shí)施例中，預(yù)定距離約介于1000A至1500A之間，但本發(fā)明并不以此為限，所 述的預(yù)定距離可根據(jù)工藝需求而有所調(diào)整。
[0038] 具體地說(shuō)，半導(dǎo)體基材10依序?yàn)橐换?1、一墊層12、一硬遮罩層13以及一圖案 化光阻層14堆疊所構(gòu)成，而形成深溝槽DT的方法包括以下步驟：首先提供基底11，接著在 基底11上形成墊層12,在墊層12上形成硬遮罩層13,并在硬遮罩層13上形成圖案化光阻 層14,然后移除未被圖案化光阻層14遮蔽的部分。在本實(shí)施例中，基底11例如是一多晶硅 基底，墊層12例如是墊氧化層（pad oxide)或墊氮化層（pad nitride),硬遮罩層13的材 質(zhì)可包括氧化硅、氮化硅或其組合，但本發(fā)明并不以此為限，所述的堆疊結(jié)構(gòu)的各層材質(zhì)可 根據(jù)蝕刻選擇比（Selectivity)而有所調(diào)整。
[0039] 接著，執(zhí)行步驟S12,在半導(dǎo)體基材10上形成多個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)20 (如圖5所示)，每 一個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)20具有一隔離部21和一突出部22,其中這些隔離部21位于這些深溝槽DT 內(nèi)，這些突出部22位于這些隔離部21上，且突出部的溢出部分覆蓋半導(dǎo)體基材10 ;值得說(shuō) 明的是，相鄰的兩個(gè)突出部22之間可定義出一位元線區(qū)域23,以便于在后續(xù)步驟中以免光 罩方式制作位元線溝槽(未繪示)。
[0040] 具體地說(shuō)，這些絕緣結(jié)構(gòu)20利用自對(duì)準(zhǔn)方式形成，所采用的方法包括以下步驟： 首先移除步驟S10殘留的圖案化光阻層14,接著以選擇性蝕刻方式對(duì)硬遮罩層13進(jìn)行圖案 化(如圖3所示）以形成多個(gè)淺溝槽ST，這些淺溝槽ST分別與這些深溝槽DT相對(duì)應(yīng)且淺溝 槽ST的內(nèi)徑大于深溝槽DT的內(nèi)徑，然后填充絕緣材料于每一淺溝槽ST及其相對(duì)應(yīng)的深溝 槽DT內(nèi)（如圖4所示)，最后再移除圖案化的硬遮罩層13(如圖5所示)。在本實(shí)施例中，絕 緣材料例如是氧化物或氮氧化物，但本發(fā)明并不以此為限。
[0041] 更詳細(xì)地說(shuō)，每一個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)20的突出部22可進(jìn)一步區(qū)分成一內(nèi)端部22a和至 少一外端部22b，其中內(nèi)端部22a由隔離部21朝遠(yuǎn)離半導(dǎo)體基材10的方向延伸成型，外端 部22b位于內(nèi)端部22a的至少一側(cè)，以覆蓋隔離部21的至少一側(cè)的部分半導(dǎo)體基材10。藉 此，本發(fā)明在利用自對(duì)準(zhǔn)方式形成絕緣結(jié)構(gòu)20的同時(shí)，也定義出了電容器預(yù)定成型區(qū)域C (landing area)。
[0042] 然后，執(zhí)行步驟S14和S16,首先在這些絕緣結(jié)構(gòu)20和位元線區(qū)域23上沉積一層 犧牲層30,且所述的犧牲層30可界定出多個(gè)暴露于這些絕緣結(jié)構(gòu)20之間的開口 31 (如圖 6A所示)，再形成多個(gè)遮蔽結(jié)構(gòu)40于這些開口 31內(nèi)（如圖7所示)。具體地說(shuō)，犧牲層30經(jīng) 由原子沉積工藝（Atomic layer deposition, ALD)所形成，其優(yōu)點(diǎn)在于，犧牲層30的厚度可 控制在A等級(jí)且均勻性極佳。進(jìn)一步地，為使?fàn)奚鼘?0可共形地覆蓋在絕緣結(jié)構(gòu)20的外 表面，以確保開口 31呈立方狀，每一個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)20的外端部22b上可形成一緩坡結(jié)構(gòu)220b (如圖6B所示)。
[0043] 在本實(shí)施例中，犧牲層30的材質(zhì)例如是氮化硅，但本發(fā)明并不以此為限；需要注 意的是，犧牲層30必須和基底11同時(shí)選擇為富含硅的材質(zhì)，以利于在同一蝕刻步驟中將兩 者同時(shí)移除，并且遮蔽結(jié)構(gòu)40必須和絕緣結(jié)構(gòu)20同時(shí)選擇為富含氧化物的材質(zhì)，以利于在 該蝕刻步驟中起到阻擋作用。但是在一變化實(shí)施例中，犧牲層30也可以和基底11同時(shí)選 擇為富含氧化物的材質(zhì)，遮蔽結(jié)構(gòu)40則可以和絕緣結(jié)構(gòu)20同時(shí)選擇為富含硅的材質(zhì)。
[0044] 最后，執(zhí)行步驟S18,以這些絕緣結(jié)構(gòu)20和遮蔽結(jié)構(gòu)40共同作為自行對(duì)準(zhǔn)罩幕進(jìn) 行蝕刻(如圖8所示)，以形成多個(gè)位元線溝槽50。具體地說(shuō)，此步驟所采用的蝕刻方式為 非等向性蝕刻，例如是等離子體蝕刻（Plasma etching)或反應(yīng)性離子蝕刻（Reactive ion etching),但本發(fā)明并不以此為限。
[0045] 再者，蝕刻反應(yīng)氣體可選擇使用含溴化氫（HBr)氣體與含氧（02)氣體的混合氣體。 原因在于，含溴化氫氣體對(duì)多晶娃材質(zhì)的基底11與氮化娃材質(zhì)的犧牲層30具有良好的選 擇性，因而可減少蝕刻過(guò)程中對(duì)其他層的影響。據(jù)此，可依序?qū)⑽幢唤^緣結(jié)構(gòu)20和遮蔽結(jié) 構(gòu)40所遮蔽的犧牲層30和基底11移除，以免光罩方式在每一個(gè)位元線區(qū)域23內(nèi)形成兩 個(gè)位元線溝槽50。
[0046] 請(qǐng)繼續(xù)參考圖2、圖5以及圖8,本發(fā)明以免光罩方式定義位元線溝槽的半導(dǎo)體基 板的制造方法的技術(shù)特征已詳述如上，基于此制造方法可以制作出一種可應(yīng)用在存儲(chǔ)器元 件上的半導(dǎo)體基板，其包括一半導(dǎo)體基材10、多個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)20、一犧牲層30以及多個(gè)遮蔽 結(jié)構(gòu)40 (如圖7所示)。
[0047] 具體而言，半導(dǎo)體基材10具有多個(gè)深溝槽DT，這些絕緣結(jié)構(gòu)20平行間隔地設(shè)置于 半導(dǎo)體基材10上，且每一絕緣結(jié)構(gòu)20具有一隔離部21和一突出部22。特別地，這些隔離 部21分別位于這些深溝槽DT內(nèi)，可在半導(dǎo)體基材10上定義出多個(gè)主動(dòng)區(qū)域AA ;這些突出 部22分別位于這些隔離部21上，突出部的溢出部分則覆蓋部分半導(dǎo)體基材10,如此相鄰的 兩個(gè)突出部22之間可定義出一位元線區(qū)域23,且突出部的溢出部分可定義出多個(gè)電容器 預(yù)定成型區(qū)域C ;犧牲層30位于(覆蓋）這些突出部22和這些位元線區(qū)域23上，且犧牲層 30可界定出多個(gè)位于位元線區(qū)域23上方的開口 31，而這些遮蔽結(jié)構(gòu)40分別位于這些開口 31內(nèi)。
[0048] 非常明顯地，采用本發(fā)明的半導(dǎo)體基板，由于絕緣結(jié)構(gòu)20的突出部22和遮蔽結(jié)構(gòu) 40可當(dāng)作蝕刻過(guò)程中的自對(duì)準(zhǔn)罩幕，因此不需要使用光罩便可準(zhǔn)確地定義出主動(dòng)區(qū)域AA 和其中的兩個(gè)位元線溝槽50、兩個(gè)位元線溝槽50之間的位元線接觸窗預(yù)定成型區(qū)域BLC、 位元線溝槽50與隔離部21之間的電容器預(yù)定成型區(qū)域C。
[0049] 進(jìn)一步值得說(shuō)明的是，本發(fā)明的制造方法除了能以免光罩方式定義出位元線溝槽 50、位元線接觸窗預(yù)定成型區(qū)域BLC和電容器預(yù)定成型區(qū)域C外，還可調(diào)整通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)罩幕 以調(diào)整這些區(qū)域的尺寸（dimension)和/或深度（depth);具體地，位元線接觸窗預(yù)定成型 區(qū)域BLC的尺寸可經(jīng)由遮蔽結(jié)構(gòu)40的寬度進(jìn)行調(diào)整，電容器預(yù)定成型區(qū)域C的尺寸可經(jīng)由 突出部22的外端部22b的寬度進(jìn)行調(diào)整，位元線溝槽50的尺寸則可同時(shí)經(jīng)由遮蔽結(jié)構(gòu)40 的寬度與外端部22b的寬度進(jìn)行調(diào)整，并且所有位元線溝槽50的深度均相等。藉此，可以 大大提升工藝效率和可靠度。
[0050] 因此，相較于傳統(tǒng)利用光罩定義出位元線溝槽的工藝，本發(fā)明的以免光罩方式定 義位元線溝槽的半導(dǎo)體基板的制造方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)：
[0051] 1.本發(fā)明所提出的制造方法不需要使用光罩即可準(zhǔn)確定義出主動(dòng)區(qū)域和其中的 位元線溝槽、電容器預(yù)定成型區(qū)域以及位元線接觸窗預(yù)定成型區(qū)域，可降低對(duì)光罩的需求 以節(jié)省工藝成本。
[0052] 2.本發(fā)明所提出的制造方法可利用絕緣結(jié)構(gòu)的突出部和遮蔽結(jié)構(gòu)共同當(dāng)作自對(duì) 準(zhǔn)罩幕，因此除了工藝簡(jiǎn)單外，還可防止電容器預(yù)定成型區(qū)域、位元線接觸窗預(yù)定成型區(qū)域 因?yàn)楣庹治磳?duì)準(zhǔn)而造成位置偏移、面積過(guò)小，進(jìn)而可有效提升工藝良率，且有助于存儲(chǔ)器元 件的微型化。
[0053] 3.承上，本發(fā)明的半導(dǎo)體基板因?yàn)橥ㄟ^(guò)絕緣結(jié)構(gòu)的突出部和遮蔽結(jié)構(gòu)共同當(dāng)作自 對(duì)準(zhǔn)罩幕，因此很容易通過(guò)調(diào)整工藝參數(shù)以控制電容器預(yù)定成型區(qū)域、位元線接觸窗預(yù)定 成型區(qū)域的面積，進(jìn)而由后續(xù)步驟所制成的電容器、位元線接觸窗等元件具有良好的一致 性。
[0054] 綜上所述，本發(fā)明實(shí)已符合新型專利的要件，依法提出申請(qǐng)。然而以上所披露的內(nèi) 容，僅為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例而已，自不能以此限定本發(fā)明的權(quán)利要求范圍，因此依本發(fā)明申 請(qǐng)范圍所做的均等變化或修飾，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體基板的制造方法包括以下步 驟： 提供一半導(dǎo)體基材，具有多個(gè)深溝槽； 在所述半導(dǎo)體基材上形成多個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)，每一個(gè)所述絕緣結(jié)構(gòu)具有一隔離部和一突出 部，所述隔離部位于所述深溝槽內(nèi)，所述突出部位于所述隔離部上且所述突出部的溢出部 分覆蓋所述半導(dǎo)體基材，其中相鄰的兩個(gè)所述突出部之間定義出一位元線區(qū)域； 在所述突出部和所述位元線區(qū)域上形成一犧牲層，所述犧牲層具有多個(gè)開口； 在所述開口內(nèi)形成多個(gè)遮蔽結(jié)構(gòu)；以及 以所述遮蔽結(jié)構(gòu)為自對(duì)準(zhǔn)罩幕，選擇性地移除部分所述犧牲層和所述半導(dǎo)體基材，以 在每一個(gè)所述位元線區(qū)域內(nèi)形成兩個(gè)位元線溝槽。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于，所述提供一半導(dǎo)體基 材的步驟中還包括以下步驟： 提供一基底； 在所述基底上形成一墊層； 在所述墊層上形成一硬遮罩層； 在所述硬遮罩層上形成一圖案化光阻層；以及 蝕刻未被所述圖案化光阻層遮蔽的所述硬遮罩層、所述墊層以及部分的所述基底，以 形成所述深溝槽。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體基材上 形成多個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)的步驟中還包括以下步驟： 移除所述圖案化光阻層； 對(duì)所述硬遮罩層進(jìn)行圖案化處理以形成多個(gè)淺溝槽，所述淺溝槽分別對(duì)應(yīng)所述深溝 槽，每一個(gè)所述淺溝槽的內(nèi)徑大于相對(duì)應(yīng)的所述深溝槽的內(nèi)徑； 在每一個(gè)所述淺溝槽和相對(duì)應(yīng)的所述深溝槽內(nèi)填充絕緣材料；以及 移除圖案化的所述硬遮罩層，以形成所述絕緣結(jié)構(gòu)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于，每一個(gè)所述突出部具 有一內(nèi)端部和至少一位于所述內(nèi)端部的一側(cè)的外端部，所述內(nèi)端部分別與所述隔離部相對(duì) 應(yīng)且能在所述半導(dǎo)體基材上定義出多個(gè)主動(dòng)區(qū)域，所述外端部能在所述半導(dǎo)體基材上定義 出多個(gè)電容器預(yù)定成型區(qū)域，所述遮蔽結(jié)構(gòu)能在所述半導(dǎo)體基材上定義出多個(gè)接觸窗預(yù)定 成型區(qū)域。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于，每一個(gè)所述絕緣結(jié)構(gòu) 的突出部的邊緣還形成一緩坡結(jié)構(gòu)。
6. -種半導(dǎo)體基板，其特征在于，所述半導(dǎo)體基板包括： 一半導(dǎo)體基材，具有一基底和多個(gè)深溝槽； 多個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)，平行間隔地設(shè)置于所述半導(dǎo)體基材上，每一個(gè)所述絕緣結(jié)構(gòu)具有一隔 離部和一突出部，所述隔離部位于所述深溝槽內(nèi)，所述突出部位于所述隔離部上且所述突 出部的溢出部分覆蓋所述半導(dǎo)體基材，其中相鄰的兩個(gè)所述突出部之間定義出一位元線區(qū) 域； 一犧牲層，覆蓋所述突出部和所述位元線區(qū)域，所述犧牲層具有多個(gè)開口；以及 多個(gè)遮蔽結(jié)構(gòu)，位于所述開口內(nèi)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，每一個(gè)所述突出部的外徑大于相 對(duì)應(yīng)的所述隔離部的外徑。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，每一個(gè)所述突出部具有一內(nèi)端部 和至少一位于所述內(nèi)端部的一側(cè)的外端部，所述內(nèi)端部分別與所述隔離部相對(duì)應(yīng)且能在所 述半導(dǎo)體基材上定義出多個(gè)主動(dòng)區(qū)域，所述外端部能在所述半導(dǎo)體基材上定義出多個(gè)電容 器預(yù)定成型區(qū)域，所述遮蔽結(jié)構(gòu)能在所述半導(dǎo)體基材上定義出多個(gè)接觸窗預(yù)定成型區(qū)域。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，每一個(gè)所述突出部的邊緣還形成 一緩坡結(jié)構(gòu)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，所述犧牲層和所述基底為富含硅 的材質(zhì)，所述絕緣結(jié)構(gòu)和所述遮蔽結(jié)構(gòu)為富含氧化物的材質(zhì)。
【文檔編號(hào)】H01L21/77GK104517955SQ201310487796
【公開日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2013年10月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月30日
【發(fā)明者】李宗輸, 胡耀文, 吳圣雄 申請(qǐng)人:華亞科技股份有限公司