一種透明電容的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種透明電容的制造方法，包括：形成第一透明電極（1）；在第一透明電極（1）上通過(guò)涂覆、絲網(wǎng)印刷等工藝形成透明絕緣介質(zhì)層（2）；在透明絕緣介質(zhì)層（2）上通過(guò)蒸鍍或?yàn)R射等工藝形成第二透明電極（3）。本發(fā)明的透明電容的各層都為透明材料，對(duì)光的透過(guò)性良好，不遮光，從而可提高整個(gè)顯示面板的光分布性以及透光性，進(jìn)而提高顯示面板的性能。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種透明電容的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，特別涉及一種透明電容的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在顯示領(lǐng)域，特別是有源矩陣顯示面板領(lǐng)域，有源矩陣顯示面板包括用于驅(qū)動(dòng)像素單元的薄膜晶體管，位于薄膜晶體管上的像素電極以及電連接像素電極的存儲(chǔ)電容器。存儲(chǔ)電容器用于存儲(chǔ)電荷，通常包括電容下電極、電容上電極以及兩者之間的絕緣介質(zhì)。在有源矩陣顯示面板中，可利用透明材料制作透明薄膜晶體管，例如ZnO等材料，這樣可以提高顯示面板的整體透明度，提高光取出效率，而用于存儲(chǔ)電荷的存儲(chǔ)電容器通常都采用常規(guī)材料進(jìn)行制造，常用的材料不透明，因此會(huì)遮光，從而影響顯示面板的透明度，進(jìn)而影響整個(gè)顯示面板的性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，提出了一種透明電容的制造方法。其應(yīng)用于有源矩陣顯示面板中并用作存儲(chǔ)電容器，透明電容的下電極、上電極以及其間的絕緣介質(zhì)都為透明材料，對(duì)光的透過(guò)性良好，不遮光，從而可提高整個(gè)顯示面板的光分布性以及透光性，進(jìn)而提高顯示面板的性能。
[0004]本發(fā)明提出的透明電容的制造方法包括:
[0005]形成第一透明電極I ;
[0006]在第一透明電極I上形成透明絕緣介質(zhì)層2 ；以及
[0007]在透明絕緣介質(zhì)層2上形成第二透明電極3。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]附圖1為本發(fā)明提出的透明電容的整體結(jié)構(gòu)。
【具體實(shí)施方式】
[0009]以下參考圖1詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的透明電容的結(jié)構(gòu)及其制造方法。為清楚起見(jiàn)，附圖中所示的各個(gè)結(jié)構(gòu)均未按比例繪制，且本發(fā)明并不限于圖中所示結(jié)構(gòu)。
[0010]如圖1中所示，本發(fā)明的透明電容包括第一透明電極1，其用作透明電容的下電極；位于第一透明電極I上的透明絕緣介質(zhì)層2，其用作透明電容的電荷存儲(chǔ)部；以及位于透明絕緣介質(zhì)層2上的第二透明電極3，其用作透明電容的上電極。
[0011]其中第一透明電極I和第二透明電極3的材料可以是具有透明導(dǎo)電性的材料，例如TCO (透明導(dǎo)電氧化物)，具體可以是ITO (氧化銦錫)、ZnO (氧化鋅)、Sn02 (氧化錫)、FT0(氟摻雜銦氧化物)、ATO (銻摻雜銦氧化物)、AZO (鋁摻雜鋅氧化物)中的一種或多種或上述材料的復(fù)合薄膜。第一透明電極I和第二透明電極3的材料可以相同或不同，且它們的厚度小于等于3 μ m,優(yōu)選0.3 μ m-3 μ m,更優(yōu)選I μ m-2.6 μ m,更優(yōu)選1.2 μ m-2.2 μ m,更優(yōu)選1.45-1.75 μ m。
[0012]透明絕緣介質(zhì)層2的材料可以是透明無(wú)機(jī)材料或透明有機(jī)材料，優(yōu)選透明有機(jī)材料，具體包括:透明聚丙烯薄膜、透明聚酯薄膜(PET)、透明聚苯硫醚薄膜(PPS)、透明聚碳酸酯薄膜(PC)、透明聚苯亞甲萘薄膜(PEN)、透明聚偏二氟乙烯薄膜(PVPF)等等，或上述材料的復(fù)合膜，且透明絕緣介質(zhì)層2的厚度小于等于3 μ m,優(yōu)選0.3 μ m-3 μ m,更優(yōu)選I μ m-2.6 μ m,更優(yōu)選 1.2 μ m-2.2 μ m,更優(yōu)選 1.45-1.75 μ m。
[0013]以下說(shuō)明圖1中的透明電容的制造方法。
[0014]步驟一:形成第一透明電極I ;
[0015]步驟二:在第一透明電極I上通過(guò)涂覆、絲網(wǎng)印刷等工藝形成透明絕緣介質(zhì)層2 ；
[0016]步驟三:在透明絕緣介質(zhì)層2上通過(guò)蒸鍍或?yàn)R射等工藝形成第二透明電極3。
[0017]其中第一透明電極I和第二透明電極3的材料可以是具有透明導(dǎo)電性的材料，例如TCO (透明導(dǎo)電氧化物)，具體可以是ITO (氧化銦錫)、ZnO (氧化鋅)、Sn02 (氧化錫)、FT0(氟摻雜銦氧化物)、ATO (鋪摻雜銦氧化物)、AZO (招摻雜鋅氧化物)。第一透明電極I和第二透明電極3的材料可以相同或不同，且它們的厚度小于等于3 μ m，優(yōu)選0.3 μ m-3 μ m，更優(yōu)選 I μ m-2.6 μ m，更優(yōu)選 1.2 μ m-2.2 μ m,更優(yōu)選 1.45-1.75 μ m。
[0018]透明絕緣介質(zhì)層2的材料可以是透明無(wú)機(jī)材料或透明有機(jī)材料，優(yōu)選透明有機(jī)材料，具體包括:透明聚丙烯薄膜、透明聚酯薄膜(PET)、透明聚苯硫醚薄膜(PPS)、透明聚碳酸酯薄膜(PC)、透明聚苯亞甲萘薄膜(PEN)、透明聚偏二氟乙烯薄膜(PVPF)等等，且透明絕緣介質(zhì)層2的厚度小于等于3 μ m,優(yōu)選0.3 μ m-3 μ m,更優(yōu)選I μ m-2.6 μ m,更優(yōu)選
1.2 μ m-2.2 μ m,更優(yōu)選 1.45-1.75 μ m。
[0019]至此，上文已經(jīng)詳細(xì)的說(shuō)明了本發(fā)明的透明電容及其制造方法，相對(duì)于現(xiàn)有方法制得的電容，本發(fā)明的透明電容由于其下電極、上電極以及其間的絕緣介質(zhì)都為透明材料，因此對(duì)光的透過(guò)性良好，不遮光，從而可提高整個(gè)顯示面板的光分布性以及透光性，進(jìn)而提高顯示面板的性能。上文所述實(shí)施例僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，其旨在對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明而非對(duì)其進(jìn)行限定。在不脫離本發(fā)明所附權(quán)利要求的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然可對(duì)本發(fā)明做出任何改變和改進(jìn)，且本發(fā)明的保護(hù)范圍由所附權(quán)利要求進(jìn)行限定。
【權(quán)利要求】
1.一種透明電容的制造方法，包括: 步驟一:形成第一透明電極； 步驟二:在第一透明電極上通過(guò)涂覆、絲網(wǎng)印刷等工藝形成透明絕緣介質(zhì)層； 步驟三:在透明絕緣介質(zhì)層上通過(guò)蒸鍍或?yàn)R射等工藝形成第二透明電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明電容的制造方法，其中: 第一透明電極和第二透明電極的材料是具有透明導(dǎo)電性的材料，例如TCO，其中TCO是ITO、ZnO、SnO2、FTO、ATO、AZO中的一種或多種或上述材料的復(fù)合薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透明電容的制造方法，其中: 第一透明電極和第二透明電極的厚度小于等于3μηι,優(yōu)選0.3 μ m-3 μ m,更優(yōu)選I μ m-2.6 μ m,更優(yōu)選 1.2 μ m_2.2 μ m,更優(yōu)選 1.45-1.75 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透明電容的制造方法，其中: 透明絕緣介質(zhì)層的材料包括:透明聚丙烯薄膜、透明聚酯薄膜(PET)、透明聚苯硫醚薄膜(PPS)、透明聚碳酸酯薄膜(PC)、透明聚苯亞甲萘薄膜(PEN)、透明聚偏二氟乙烯薄膜(PVPF)或上述材料的復(fù)合膜,且透明絕緣介質(zhì)層的厚度小于等于3 μ m,優(yōu)選0.3 μ m-3 μ m,更優(yōu)選 I μ m-2.6 μ m，更優(yōu)選 1.2 μ m-2.2 μ m,更優(yōu)選 1.45-1.75 μ m。
【文檔編號(hào)】H01L23/64GK103594333SQ201310554256
【公開(kāi)日】2014年2月19日 申請(qǐng)日期:2013年11月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月8日
【發(fā)明者】張翠 申請(qǐng)人:溧陽(yáng)市江大技術(shù)轉(zhuǎn)移中心有限公司