一種結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管及其制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管及其制備方法，該結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管包括由N型半導(dǎo)體構(gòu)成的有源區(qū)，所述有源區(qū)內(nèi)設(shè)置有多個(gè)P型摻雜區(qū)，所述P型摻雜區(qū)在所述有源區(qū)的分布呈點(diǎn)陣型結(jié)構(gòu)分布，其中，任意兩個(gè)相鄰的P型摻雜區(qū)之間的距離相等，以致在相同有源區(qū)面積的情況下，本發(fā)明實(shí)施例所需要的P型摻雜區(qū)的數(shù)量和面積最小，即所謂的“死區(qū)”的面積最小。相較于現(xiàn)有技術(shù)中的P型摻雜區(qū)的分布，這種P型摻雜區(qū)的分布有利于提高結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的正向?qū)щ娔芰Α?br> 【專(zhuān)利說(shuō)明】一種結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，尤其涉及一種結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管及其制作方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]結(jié)勢(shì)魚(yú)肖特基二極管(Junction-Barriercontrolled Schottky diode,簡(jiǎn)稱(chēng)JBS)是一種利用反偏PN結(jié)的空間電荷區(qū)使肖特基二極管SBD能夠承受較高反向偏壓，從而可使其適當(dāng)降低肖特基勢(shì)壘以保持較低正向壓降的復(fù)合結(jié)構(gòu)型器件。
[0003]JBS器件的器件結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示，JBS是在普通Power肖特基二極管(SBD)的陽(yáng)極金屬層03下方的由N型半導(dǎo)體01 (N型外延層)構(gòu)成的有源區(qū)內(nèi)形成多個(gè)間隔的P型摻雜區(qū)02，從而使得在陽(yáng)極金屬層03下方有源區(qū)內(nèi)形成N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體橫向相間結(jié)構(gòu)，即多個(gè)梳妝PN結(jié)。
[0004]在JBS器件反向偏置時(shí)，當(dāng)JBS器件的反向偏壓超過(guò)一定電壓時(shí)，相鄰的PN結(jié)柵耗盡區(qū)會(huì)開(kāi)始交迭，進(jìn)而造成多個(gè)PN結(jié)耗盡層的穿通。由于這一現(xiàn)象在導(dǎo)電通道中會(huì)形成勢(shì)壘，隨著反偏電壓的增大，耗盡層向?qū)щ娡ǖ老路降摩?襯底擴(kuò)展，所增加的反向電壓降落在耗盡層上。因此，由于耗盡層的存在，肖特基勢(shì)壘受外加電壓的影響被耗盡層形成的勢(shì)壘所屏蔽，有效抑制了肖特基勢(shì)壘的降低，從而使反向漏電流大為降低。
[0005]但是，當(dāng)JBS器件正向偏置時(shí)，其中的PN結(jié)也進(jìn)入正偏狀態(tài)，但SBD的開(kāi)啟電壓比PN結(jié)開(kāi)啟電壓低得多，正向電流將繞過(guò)P型摻雜區(qū)02通過(guò)肖特基勢(shì)壘接觸走PN結(jié)之間的SBD通道。所以在JBS器件正向偏置時(shí)，P型摻雜區(qū)02不導(dǎo)通正向電流，是正向電流的“死區(qū)”。在有源區(qū)01面積一定時(shí)，P型摻雜區(qū)02的面積越大，具有導(dǎo)通電流能力的N型半導(dǎo)體的面積就越小，相同電壓對(duì)應(yīng)的正向電流越小。所以，JBS器件中的P型摻雜區(qū)02的面積對(duì)JBS器件的正向性能產(chǎn)生負(fù)面影響。
[0006]在JBS器件中，相鄰的PN結(jié)柵耗盡層在穿通后會(huì)形成空間電荷區(qū)，阻斷反向電流。由于P型摻雜區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于N型半導(dǎo)體，因而空間電荷區(qū)是由P型摻雜區(qū)在三維方向上向N型半導(dǎo)體區(qū)延伸。一般PN結(jié)二極管器件在阻斷模式下PN結(jié)的耗盡層僅在一維方向(ζ軸方向)上延伸，而JBS器件的PN結(jié)耗盡層則在三維方向上延伸。所以如何利用JBS器件的PN結(jié)的耗盡層的延伸特性，設(shè)計(jì)有源區(qū)中P型摻雜區(qū)的布局，對(duì)于優(yōu)化JBS器件性能是至關(guān)重要的。
[0007]因此，為了保證在JBS器件反向偏置時(shí)肖特基勢(shì)壘不降低，同時(shí)又盡可能增大正向電流，需要充分利用PN結(jié)反偏時(shí)形成的耗盡層的橫向擴(kuò)展能力。
[0008]目前，JBS器件的有源區(qū)的P型摻雜區(qū)的分布結(jié)構(gòu)一般為條形或環(huán)形，如圖2(I)和圖(2)所示，其陰影區(qū)域?yàn)镻型摻雜區(qū)，空白區(qū)域?yàn)镹型半導(dǎo)體。這兩種分布結(jié)構(gòu)的P型摻雜區(qū)在平面上是一維結(jié)構(gòu)，所以，這兩種分布結(jié)構(gòu)在反向阻斷時(shí)形成的耗盡層擴(kuò)展也是一維的，導(dǎo)致這兩種分布結(jié)構(gòu)均沒(méi)有充分利用在反向阻斷時(shí)PN結(jié)耗盡層在三維方向的延伸能力。進(jìn)而導(dǎo)致需要的P型摻雜區(qū)的面積和數(shù)量較多，使得JBS器件的正向?qū)娏鬏^小的缺點(diǎn)。[0009]為了進(jìn)一步充分利用PN結(jié)反偏時(shí)形成的耗盡層的橫向擴(kuò)展能力，提出了一種點(diǎn)陣型結(jié)構(gòu)分布的P型摻雜區(qū)，如圖3所示。其中，黑點(diǎn)表示P型摻雜區(qū)，空白區(qū)域表示N型半導(dǎo)體區(qū)。該點(diǎn)陣型結(jié)構(gòu)分布的P型摻雜區(qū)可以看作是把條形P型摻雜區(qū)(如圖2 (I)所示)分割成一個(gè)個(gè)等同寬度的圓點(diǎn)，相鄰圓點(diǎn)之間的間隔區(qū)域被N型半導(dǎo)體所填充，可以作為正向?qū)娏鞯膶?dǎo)通區(qū)域，而這些間隔區(qū)域被原來(lái)的條形P型摻雜區(qū)所占用，是正向電流的“死區(qū)”，沒(méi)有正向?qū)娏魍ㄟ^(guò)。所以，這種點(diǎn)陣型結(jié)構(gòu)分布的P型摻雜區(qū)的分布增加了正向?qū)娏鞯膶?dǎo)通面積。
[0010]但是，這種點(diǎn)陣型結(jié)構(gòu)分布的P型摻雜區(qū)沒(méi)有充分利用PN結(jié)耗盡層在三維方向上的延伸能力，還可以對(duì)該點(diǎn)陣型結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，以達(dá)到進(jìn)一步提高PN結(jié)耗盡層利用率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]為了充分利用PN結(jié)反向阻斷時(shí)耗盡層在三維方向的延伸能力，本發(fā)明的一方面
提供了一種結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管。
[0012]相應(yīng)地，本發(fā)明的另一方面提供了一種結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的制作方法。
[0013]為了達(dá)到上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案:
[0014]一種結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管，包括由N型半導(dǎo)體構(gòu)成的有源區(qū)，所述有源區(qū)內(nèi)設(shè)置有多個(gè)P型摻雜區(qū)，所述P型摻雜區(qū)在所述有源區(qū)的分布呈點(diǎn)陣型結(jié)構(gòu)分布，任意兩個(gè)相鄰的P型摻雜區(qū)之間的距離相等。
[0015]優(yōu)選地，任意三個(gè)不在同一直線上的P型摻雜區(qū)的連線構(gòu)成等邊三角形，且P型摻雜區(qū)位于所述等邊三角形的頂點(diǎn)處。
[0016]優(yōu)選地，所述P型摻雜區(qū)的形狀為圓形或正η邊形，其中，n≥4。
[0017]一種結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的制作方法，包括，
[0018]提供N型半導(dǎo)體襯底，所述N型半導(dǎo)體襯底包括相對(duì)的第一表面和第二表面；
[0019]在N型半導(dǎo)體襯底的第一表面上生成N型外延層；
[0020]對(duì)所述N型外延層的預(yù)定局部區(qū)域進(jìn)行光刻圖案化，以形成P型摻雜區(qū)的離子注入窗口 ；其中，所述P型摻雜區(qū)的離子注入窗口包括若干個(gè)子窗口，所述子窗口呈點(diǎn)陣型結(jié)構(gòu)分布，其中，任意兩個(gè)相鄰的子窗口之間的距離相等；
[0021]依據(jù)所述P型摻雜區(qū)的離子注入窗口，進(jìn)行P型離子注入形成P型摻雜區(qū)；
[0022]在所述預(yù)定局部區(qū)域的外緣區(qū)域制作結(jié)終端；
[0023]在所述第二表面形成陰極歐姆接觸，在所述預(yù)定局部區(qū)域的上方形成陽(yáng)極金屬接觸。
[0024]優(yōu)選地，任意三個(gè)不在同一直線上的子窗口的連線構(gòu)成等邊三角形，且子窗口位于所述等邊三角形的頂點(diǎn)處。
[0025]優(yōu)選地，所述子窗口的形狀為圓形或正η邊形，其中，η≥4。
[0026]本發(fā)明提供的結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管，其P型摻雜區(qū)在有源區(qū)內(nèi)的分布呈點(diǎn)陣型結(jié)構(gòu)分布，并且任意兩個(gè)相鄰的P型摻雜區(qū)之間的距離相等。由于P型摻雜區(qū)呈點(diǎn)陣型結(jié)構(gòu)分布，在反向電壓下，利用PN結(jié)耗盡層的三維方向的延伸能力，PN結(jié)所形成的耗盡層可以位于P型摻雜區(qū)的四周。由于PN結(jié)形成的耗盡層的橫向擴(kuò)展寬度在各個(gè)方向上是相等的，本發(fā)明實(shí)施例提供的這種 點(diǎn)陣型結(jié)構(gòu)分布由于任意兩個(gè)相鄰的P型摻雜區(qū)之間的距離相等，所以當(dāng)反向電壓達(dá)到一定值后，PN結(jié)所產(chǎn)生的耗盡層能夠在各個(gè)方向上同時(shí)連接，從而實(shí)現(xiàn)PN結(jié)耗盡層的穿通。在這種情況下，由于PN結(jié)形成的耗盡層能夠連接形成空間電荷區(qū)，阻斷反向電流，實(shí)現(xiàn)對(duì)反偏電壓的屏蔽，進(jìn)而能夠防止肖特基勢(shì)壘降低，降低反向漏電流。
[0027]同時(shí)，在相同有源區(qū)面積的情況下，本發(fā)明實(shí)施例提供的JBS器件所需要的P型摻雜區(qū)的數(shù)量和面積最小，即所謂的“死區(qū)”的面積最小。相較于現(xiàn)有技術(shù)中的P型摻雜區(qū)的分布，這種P型摻雜區(qū)的分布有利于提高結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的正向?qū)щ娔芰Α?br> 【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028]為了清楚地理解本發(fā)明實(shí)施例的【具體實(shí)施方式】，下面將描述【具體實(shí)施方式】時(shí)所需要使用到的附圖進(jìn)行簡(jiǎn)要說(shuō)明。顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1是JBS器件的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；
[0030]圖2 (I)是現(xiàn)有技術(shù)中環(huán)形結(jié)構(gòu)的P型摻雜區(qū)分布圖；圖2 (2)是現(xiàn)有技術(shù)中條形結(jié)構(gòu)的P型摻雜區(qū)分布圖；
[0031]圖3是點(diǎn)陣型結(jié)構(gòu)分布的P型摻雜區(qū)分布結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖4是本發(fā)明實(shí)施例的P型摻雜區(qū)分布示意圖；
[0033]圖5 (I)和圖5 (2)分別是本發(fā)明實(shí)施例的反向模式下JBS器件有源區(qū)和現(xiàn)有技術(shù)具有點(diǎn)陣型結(jié)構(gòu)分布的P型摻雜區(qū)的JBS器件有源區(qū)的局部放大圖；
[0034]圖6是本發(fā)明實(shí)施例的JBS器件的制作方法流程示意圖；
[0035]圖7 (I)至圖7 (6)是本發(fā)明實(shí)施例的JBS器件的制作方法一系列制程對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036]以下將結(jié)合附圖所示的【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。但這些實(shí)施方式并不限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所做出的結(jié)構(gòu)、方法或功能上的變換均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0037]JBS器件的輸運(yùn)機(jī)理如下:當(dāng)JBS器件正向偏置時(shí)，由于PN結(jié)的開(kāi)啟電壓比肖特基結(jié)的開(kāi)啟電壓高得多，器件中導(dǎo)通的只有肖特基成份。所以器件在正向偏壓下其電學(xué)特性與SBD類(lèi)似，只是由于P型區(qū)的存在而電流密度會(huì)減小。
[0038]當(dāng)器件反向偏置時(shí)，PN結(jié)形成的耗盡層將會(huì)沿著導(dǎo)電通道向兩邊擴(kuò)展，當(dāng)耗盡區(qū)相連時(shí)會(huì)夾斷導(dǎo)電通道，從而在導(dǎo)電通道區(qū)形成一個(gè)勢(shì)壘。隨著反偏電壓的增大，耗盡層將向?qū)щ娡ǖ老路窖由欤黾拥姆聪螂妷簩?huì)落在耗盡層上。除此以外，由于耗盡層的存在，肖特基結(jié)被屏蔽于高電場(chǎng)之外，勢(shì)壘降低效應(yīng)被有效抑制了，從而反向漏電流大為降低。
[0039]但是，JBS器件正向偏置時(shí)，P型摻雜區(qū)不能導(dǎo)通正向電流，為正向電流的“死區(qū)”。所以P型摻雜區(qū)的存在減小了正向?qū)娏?。在正向偏置時(shí)，P型摻雜區(qū)成為影響正向?qū)娏鞯牟焕蛩亍榱嗽诓挥绊慞型摻雜區(qū)在反向偏置時(shí)降低反向漏電流的作用，需要充分利用PN結(jié)形成的耗盡層的三維延伸性能，以達(dá)到盡量減少P型摻雜區(qū)的面積的目的。[0040]基于上述構(gòu)思，為了充分利用PN結(jié)在反向偏置時(shí)形成的耗盡層在三維方向上的延伸性能，本發(fā)明提供了一種JBS的新型P型摻雜區(qū)的分布，以使得JBS在一定反向電壓下，PN結(jié)所形成的耗盡層能夠?qū)崿F(xiàn)同時(shí)連接。
[0041]結(jié)合圖4，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的P型摻雜區(qū)分布進(jìn)行描述。圖4所示的P型摻雜區(qū)在N型半導(dǎo)體區(qū)的分布呈點(diǎn)陣型結(jié)構(gòu)分布，從而在結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的有源區(qū)的橫向方向上形成了多個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu)。
[0042]進(jìn)一步地，分布在N型外延層上任意兩個(gè)相鄰的P型摻雜區(qū)之間的距離相等。由于P型摻雜區(qū)在有源區(qū)內(nèi)呈點(diǎn)陣型結(jié)構(gòu)分布，在反向電壓下，PN結(jié)所形成的耗盡層向各個(gè)方向延伸，PN結(jié)所形成的耗盡層可以位于P型摻雜區(qū)的四周。本發(fā)明實(shí)施例提供的P型摻雜區(qū)的這種點(diǎn)陣型結(jié)構(gòu)分布由于任意兩個(gè)相鄰的P型摻雜區(qū)之間的距離相等，并且每個(gè)PN結(jié)產(chǎn)生的耗盡層延伸的寬度相等。所以當(dāng)反向電壓達(dá)到一定值后，PN結(jié)所產(chǎn)生的耗盡層能夠在各個(gè)方向上同時(shí)連接，從而實(shí)現(xiàn)PN結(jié)耗盡層的穿通。PN結(jié)耗盡層的穿通能夠形成空間電荷區(qū)，阻斷反向電流，實(shí)現(xiàn)對(duì)反偏電壓的屏蔽，進(jìn)而能夠防止肖特基勢(shì)壘降低，減少反向漏電流。
[0043]同時(shí)，這種P型摻雜區(qū)的分布，在實(shí)現(xiàn)反向模式時(shí)，PN結(jié)耗盡層穿通的前提下，在相同有源區(qū)面積的情況下，所需要的P型摻雜區(qū)的數(shù)量和面積最小，即所謂的“死區(qū)”的面積最小。相較于現(xiàn)有技術(shù)中的P型摻雜區(qū)的分布，這種P型摻雜區(qū)的分布有利于提高結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的正向?qū)щ娔芰Α?br> [0044]更進(jìn)一步地，連接分布在有源區(qū)內(nèi)的任意三個(gè)相鄰的不在一條直線上的P型摻雜區(qū)構(gòu)成一等邊三角形。每個(gè)P型摻雜區(qū)位于其所屬等邊三角形的頂點(diǎn)處。
[0045]上述P型摻雜區(qū)的分布也可以這么理解:該P(yáng)型摻雜區(qū)分布的點(diǎn)陣型結(jié)構(gòu)包括多個(gè)重復(fù)單元，每個(gè)重復(fù)單元的結(jié)構(gòu)的連線為正六邊形，如圖4右側(cè)的圖所示。每個(gè)P型摻雜區(qū)位于正六邊形的六個(gè)頂點(diǎn)位置以及其中心位置。也可以這么理解:該P(yáng)型摻雜區(qū)分布的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)為:以一個(gè)P型摻雜區(qū)為中心，距離該P(yáng)型摻雜區(qū)最近的P型摻雜區(qū)有六個(gè)，并且這六個(gè)P型摻雜區(qū)到位于中心的P型摻雜區(qū)的距離相等，并且均勻分布在位于中心位置的P型摻雜區(qū)的周?chē)?br> [0046]這種分布結(jié)構(gòu)使得位于中心處的P型摻雜區(qū)與位于相鄰兩個(gè)頂點(diǎn)處的P型摻雜區(qū)構(gòu)成等邊三角形。由于每個(gè)P型摻雜區(qū)鑲嵌在N型半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)，所以，其構(gòu)成的PN結(jié)在反向偏置時(shí)形成的耗盡層位于P型摻雜區(qū)的四周。這樣，每個(gè)PN結(jié)會(huì)在不同的方向上產(chǎn)生耗盡層，也可以說(shuō)耗盡層向各個(gè)方向延伸。圖5 (I)所示為本發(fā)明實(shí)施例的反向模式下JBS器件有源區(qū)的局部放大圖。陰影區(qū)域表示P型摻雜區(qū)，P型摻雜區(qū)的邊緣和虛線之間的區(qū)域表示每個(gè)PN結(jié)產(chǎn)生的耗盡層。由圖5 (I)可以很容易地得出，由于其任意三個(gè)不在一條直線上P型摻雜區(qū)位于等邊三角形的頂點(diǎn)處，相鄰PN結(jié)形成的耗盡層會(huì)相互靠近并攏，當(dāng)反向電壓達(dá)到一定值后，相鄰兩個(gè)PN結(jié)形成的耗盡層連接在一起。由于每個(gè)PN結(jié)形成的耗盡層寬度在各個(gè)方向上均是相同的，又由于任意兩個(gè)相鄰的PN結(jié)之間的距離相等，所以，當(dāng)其中相鄰的兩個(gè)PN結(jié)形成的耗盡層連接在一起時(shí)，所有PN結(jié)形成的耗盡層在其所在的等邊三角形的每條邊上均會(huì)實(shí)現(xiàn)連接，使得所有PN結(jié)形成的耗盡層穿通。相鄰PN結(jié)柵耗盡層在穿通后會(huì)形成空間電荷區(qū)，阻斷反向電流，從而形成對(duì)反向外加電壓的屏蔽。
[0047]而現(xiàn)有技術(shù)中具有點(diǎn)陣型結(jié)構(gòu)分布的P型摻雜區(qū)，其重復(fù)單元如圖3的右側(cè)圖所示，為矩形。在反向模式下該具有該P(yáng)型摻雜區(qū)分布的JBS器件有源區(qū)的局部放大圖如圖5(2)所示。其每相鄰兩個(gè)P型摻雜區(qū)之間的距離不完全相同，例如P型摻雜區(qū)1、2之間的距離小于P型摻雜區(qū)1、3之間的距離。該分布結(jié)構(gòu)可以看作每相鄰的4個(gè)P型摻雜區(qū)為矩形的四個(gè)頂點(diǎn)。當(dāng)相距距離較近的P型摻雜區(qū)形成的耗盡層連接時(shí)，相距較遠(yuǎn)的P型摻雜區(qū)之間仍然沒(méi)有連接，如果要實(shí)現(xiàn)相距較遠(yuǎn)的P型摻雜區(qū)之間也形成連接，需要再增加P型摻雜區(qū)的面積或數(shù)量，導(dǎo)致P型摻雜區(qū)的面積較大。
[0048]通過(guò)比較圖3和圖4所示的點(diǎn)陣型P型摻雜區(qū)的面積大小，可以得出圖4所示的是點(diǎn)陣型P型摻雜區(qū)分布(本發(fā)明實(shí)施例)結(jié)構(gòu)的P型摻雜區(qū)的面積小于圖3所述的點(diǎn)陣型P型摻雜區(qū)分布結(jié)構(gòu)的P型摻雜區(qū)的面積。具體推導(dǎo)過(guò)程如下:
[0049]假設(shè)圓形P型摻雜區(qū)直徑為W，圓點(diǎn)之間的間隔為S。則圖3所示的點(diǎn)陣型P型摻雜分布的圓形的P型摻雜分布的可重復(fù)單元面積為2s2，可重復(fù)單元所占用圓點(diǎn)P型摻雜區(qū)面積為
【權(quán)利要求】
1.一種結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管，包括由N型半導(dǎo)體構(gòu)成的有源區(qū)，所述有源區(qū)內(nèi)設(shè)置有多個(gè)P型摻雜區(qū)，所述P型摻雜區(qū)在所述有源區(qū)的分布呈點(diǎn)陣型結(jié)構(gòu)分布，其特征在于，任意兩個(gè)相鄰的P型摻雜區(qū)之間的距離相等。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管，其特征在于，任意三個(gè)不在同一直線上的P型摻雜區(qū)的連線構(gòu)成等邊三角形，且P型摻雜區(qū)位于所述等邊三角形的頂點(diǎn)處。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管，其特征在于，所述P型摻雜區(qū)的形狀為圓形或正η邊形,其中，η≥4。
4.一種結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的制作方法，其特征在于，包括， 提供N型半導(dǎo)體襯底,所述N型半導(dǎo)體襯底包括相對(duì)的第一表面和第二表面； 在N型半導(dǎo)體襯底的第一表面上生成N型外延層； 對(duì)所述N型外延層的預(yù)定局部區(qū)域進(jìn)行光刻圖案化，以形成P型摻雜區(qū)的離子注入窗口 ；其中，所述P型摻雜區(qū)的離子注入窗口包括若干個(gè)子窗口，所述子窗口呈點(diǎn)陣型結(jié)構(gòu)分布，其中，任意兩個(gè)相鄰的子窗口之間的距離相等； 依據(jù)所述P型摻雜區(qū)的離子注入窗口，進(jìn)行P型離子注入形成P型摻雜區(qū)； 在所述預(yù)定局部區(qū)域的外緣區(qū)域制作結(jié)終端； 在所述第二表面形成陰極歐姆接觸，在所述預(yù)定局部區(qū)域的上方形成陽(yáng)極金屬接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，任意三個(gè)不在同一直線上的子窗口的連線構(gòu)成等邊三角形，且子窗口位于所述等邊三角形的頂點(diǎn)處。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的制作方法，其特征在于，所述子窗口的形狀為圓形或正η邊形，其中，η≥4。
【文檔編號(hào)】H01L29/872GK103545382SQ201310559459
【公開(kāi)日】2014年1月29日 申請(qǐng)日期:2013年11月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月12日
【發(fā)明者】李誠(chéng)瞻, 吳煜東, 劉可安, 吳佳, 史晶晶, 楊勇雄 申請(qǐng)人:株洲南車(chē)時(shí)代電氣股份有限公司