一種led標(biāo)準(zhǔn)方片及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種LED標(biāo)準(zhǔn)方片及其制作方法，該標(biāo)準(zhǔn)方片包括膠膜，膠膜上設(shè)置多個(gè)晶粒，所述晶粒選自具有相同襯底、相同磊晶工藝的外延結(jié)構(gòu)、相同芯片制造工藝的LED晶圓片，所述LED晶圓片的波長(zhǎng)的標(biāo)準(zhǔn)差6≥λstd≥3、光強(qiáng)IV標(biāo)準(zhǔn)差I(lǐng)Vstd≤8；所述多個(gè)晶粒劃分為n個(gè)BIN，按照以下分組規(guī)則對(duì)n個(gè)BIN進(jìn)行分組：至少1個(gè)BIN構(gòu)成一組BIN，構(gòu)成該組BIN的任意晶粒的光強(qiáng)符合范圍IV.avg×(0.95～1.10)。本發(fā)明提升了LED晶圓片測(cè)試機(jī)校正的精準(zhǔn)度和可靠度，同時(shí)在一定程度上改善了測(cè)試機(jī)校正或監(jiān)控作業(yè)的效果、效率和成本。
【專利說明】一種LED標(biāo)準(zhǔn)方片及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于LED芯片制造領(lǐng)域，特別是涉及一種LED標(biāo)準(zhǔn)方片及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在LED芯片制造領(lǐng)域中，通常會(huì)采用品質(zhì)優(yōu)良的LED晶圓片或LED封裝器件對(duì)測(cè)試機(jī)進(jìn)行一致性校正和穩(wěn)定性監(jiān)控，確認(rèn)機(jī)臺(tái)狀況良好之后再投入LED量產(chǎn)晶圓片測(cè)試。而目前LED晶圓片測(cè)試機(jī)校正或監(jiān)控的做法是，用同一張或幾張LED晶圓片或一套LED封裝器件來校正各測(cè)試機(jī)與標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試機(jī)之間的一致性。但單張LED晶圓片用作校正或監(jiān)控件難以覆蓋到的全波長(zhǎng)段，造成部分波長(zhǎng)段未校正，且因不同光強(qiáng)的晶粒校正得出的系數(shù)也會(huì)不同，所以光強(qiáng)集中性差亦會(huì)造成校正系數(shù)離散、校正準(zhǔn)確度差。同時(shí)在機(jī)臺(tái)校正或監(jiān)控時(shí)，若采用多張LED晶圓片作為校正或監(jiān)控件，通過對(duì)其Mapping測(cè)試若干排晶粒的做法，不僅難以克服上述光強(qiáng)集中性差的問題，同時(shí)會(huì)增加切換校正或監(jiān)控件帶來測(cè)試作業(yè)手法的誤差。若對(duì)該校正或監(jiān)控件采用固定間隔晶粒的方式抽測(cè)，則不但會(huì)與LED量產(chǎn)晶圓片采用的Mapping全測(cè)存在方式上的差異而引起誤差，而且多數(shù)晶粒會(huì)因被探測(cè)多次而導(dǎo)致電極上針痕粗大的問題，在后制程中不易被集中起來挑除導(dǎo)致分選時(shí)混至良品中，從而造成生產(chǎn)制程的其他異常問題，并且同樣無法規(guī)避上述光強(qiáng)集中性差的問題。若采用LED封裝器件作為校正或監(jiān)控件，非但制作成本較高，亦會(huì)存在光衰，特別是使用時(shí)定位一致性差使發(fā)光角度偏移引起誤差、而且只能通過人工逐顆定位測(cè)試，效率極低，同時(shí)，它與LED量產(chǎn)晶圓片存在形態(tài)上的差異亦會(huì)引起誤差。因此迫切需要有一種新的完全可靠的測(cè)試機(jī)校正、監(jiān)控件的出現(xiàn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供的一種LED標(biāo)準(zhǔn)方片及其制作方法，提升了 LED晶圓片測(cè)試機(jī)校正的精準(zhǔn)度和可靠度，同時(shí)在一定程度上改善了測(cè)試機(jī)校正或監(jiān)控作業(yè)的效果、效率和成本。
[0004]本發(fā)明的第一種技術(shù)解決方案是:
[0005]一種LED標(biāo)準(zhǔn)方片，其特殊之處在于:包括膠膜，膠膜上設(shè)置多個(gè)晶粒，所述晶粒選自具有相同襯底、相同磊晶工藝的外延結(jié)構(gòu)、相同芯片制造工藝的LED晶圓片，所述LED晶圓片的波長(zhǎng)的標(biāo)準(zhǔn)差6 3 λ std ^ 3、光強(qiáng)IV標(biāo)準(zhǔn)差I(lǐng)Vstd ( 8 ;所述晶粒的漏電流Ir的最大值均相等、順向電壓Vf的最小值均相等、順向電壓Vf的最大值均相等；
[0006]所述多個(gè)晶粒按波長(zhǎng)劃分為η個(gè)BIN，分別為BIN1、BIN2、...、BINn，n為大于或等于10的自然數(shù)且小于或等于分選設(shè)備最大可分類數(shù)；BIN1、BIN2、…、BINn在膠膜上由左向右依次排布，每個(gè)BIN有I列Μ排；
[0007]ΒΙΝ1中任意晶粒的波長(zhǎng)為λ 1，ΒΙΝ2中任意晶粒的波長(zhǎng)為λ 2，…、BINn中任意晶粒的波長(zhǎng)為λ η ；
[0008]λ 1、λ 2、…、λ η符合以下條件:
[0009]χ < λ 1 < x+a, x+a < λ 2 < x+2a,..., x+(n_l)a < λη < x+na,[0010]其中，445nm≤ x ≤450nm, 0.lnm ≤a ≤ 2.0nm ；
[0011]按照以下分組規(guī)則對(duì)n個(gè)BIN進(jìn)行分組:至少1個(gè)BIN構(gòu)成一組BIN，第一組BIN中任意晶粒的光強(qiáng)為IV1、第二組BIN中任意晶粒的光強(qiáng)為IV2、…、第t組BIN中任意晶粒的光強(qiáng)為IVt，t為正整數(shù)；
[0012]IV1、IV2、…、IVt符合以下條件:
[0013]IV1.avgX0.95 ≤ IV1 < IV1.avgX 1.10, IV2.avgX0.95 ≤IV2 < IV2.avgX 1.10,…、IVt.avgX0.95 ≤ IVt < IVt.avgX 1.10 ；
[0014]其中，IV1.avg為第一組BIN中所有晶粒的光強(qiáng)均值，IV2.avg為第二組BIN中所有晶粒的光強(qiáng)均值，…，ivt.avg為第t組BIN中所有晶粒的光強(qiáng)均值；
[0015]各個(gè)BIN排布的最大列數(shù)Imax =分選設(shè)備置晶行程/Bw/n、排布的最大排數(shù)Mmax=分選設(shè)備置晶行程/B1 ;Bw為標(biāo)準(zhǔn)方片橫向上相鄰的兩個(gè)晶粒同一側(cè)長(zhǎng)邊的間距，B1為標(biāo)準(zhǔn)方片縱向上相鄰的兩個(gè)晶粒同一側(cè)短邊的間距。
[0016]上述a = 1.0nm。
[0017]上述晶粒的形狀是長(zhǎng)方形，在所述膠膜上，每個(gè)晶粒的兩個(gè)長(zhǎng)邊位于左右兩側(cè)，兩個(gè)短邊位于上下兩側(cè)。
[0018]上述n = 30 ;該30個(gè)BIN中晶粒的漏電流Ir的最大值為luA~2uA、晶粒的順向電壓Vf的最小值和最大值分別為2.8V~3.0V和3.2V~3.4V ;
[0019]所述BIN1中λ 1的最小值為445nm、λ 1的最大值為445.9nm，自BIN1起，每個(gè)BIN中波長(zhǎng)的最小值和最大值均按照等差1.0nm方式遞增。
[0020]上述30個(gè)BIN中晶粒的漏電流Ir的最大值為luA、晶粒的順向電壓Vf的最小值和最大值分別為2.8V和3.2V ；
[0021]所述分組規(guī)則是指:設(shè)BIN1至BIN5為第一組BIN，第一組BIN中晶粒的光強(qiáng)的最小值為80mcd、最大值為90mcd,各組BIN中晶粒的光強(qiáng)的最小值和最大值均按照等差lOmcd的方式遞增。
[0022]本發(fā)明的第二種技術(shù)解決方案是:
[0023]LED標(biāo)準(zhǔn)方片的制作方法，其特殊之處在于:包括以下步驟:
[0024]1】挑選LED晶圓片:
[0025]從Mapping全測(cè)完的LED量產(chǎn)晶圓片中挑選制作LED標(biāo)準(zhǔn)方片所需的LED晶圓片；所述LED晶圓片具備相同材料和品質(zhì)的襯底、相同嘉晶工藝和品質(zhì)的外延結(jié)構(gòu)、相同芯片制造工藝和品質(zhì)；且單張LED晶圓片波長(zhǎng)λ的標(biāo)準(zhǔn)差6≥λ std≥3、光強(qiáng)IV標(biāo)準(zhǔn)差I(lǐng)Vstd ≤ 8 ;所述LED晶圓片的數(shù)量至少為2張；所述單張LED圓晶片的漏電流Ir、順向電壓Vf和抗靜電性能ESD的良率均≥80% ；
[0026]2】對(duì)步驟1】中挑選的LED晶圓片的Mapping全測(cè)值進(jìn)行分類:
[0027]將步驟1】中挑選的LED晶圓片的晶粒按照以下條件劃分為η個(gè)BIN:n個(gè)BIN中晶粒的漏電流Ir的最大值均相等，順向電壓Vf的最小值均相等，順向電壓Vf的最大值均相等；
[0028]BIN1中晶粒的波長(zhǎng)為λ 1，ΒΙΝ2中晶粒的波長(zhǎng)為λ 2，…、BINn中晶粒的波長(zhǎng)為
入η ；
[0029]λ1、λ2、…、λ η符合以下條件:[0030]x < λ 1 < x+a, x+a < λ 2 < x+2a,..., x+(n_l)a < λη < x+na,
[0031]其中，445nm^ x ^ 450nm, 0.lnm ^ a ^ 2.0nm ；
[0032]按照以下分組規(guī)則對(duì)n個(gè)BIN進(jìn)行分組:至少1個(gè)BIN構(gòu)成一組BIN，第一組BIN中任意晶粒的光強(qiáng)為IV1、第二組BIN中任意晶粒的光強(qiáng)為IV2、…、第t組BIN中任意晶粒的光強(qiáng)為IVt，t為正整數(shù)；
[0033]IV1、IV2、…、IVt符合以下條件:
[0034]IV1.avgX0.95 ( IV1 < IV1.avgX 1.10, IV2.avgX0.95 ( IV2 < IV2.avgX 1.10,…、IVt.avgX0.95 ^ IVt < IVt.avgX 1.10 ；
[0035]其中，IV1.avg為第一組BIN中所有晶粒的光強(qiáng)均值，IV2.avg為第二組BIN中所有晶粒的光強(qiáng)均值，…，ivt.avg為第t組BIN中所有晶粒的光強(qiáng)均值；
[0036]按照上述條件對(duì)每張LED晶圓片的Mapping全測(cè)值進(jìn)行分類，得出符合制作標(biāo)準(zhǔn)方片的類別BINn和各BIN晶粒顆數(shù)的分布；
[0037]3】預(yù)計(jì)可制作標(biāo)準(zhǔn)方片的張數(shù)Q:
[0038]結(jié)合上述BINn和各BIN晶粒顆數(shù)的分布、預(yù)設(shè)單張標(biāo)準(zhǔn)方片中每個(gè)BIN的列數(shù)1、排數(shù)M，預(yù)計(jì)總共可制作標(biāo)準(zhǔn)方片的張數(shù)Q，所述預(yù)計(jì)算法為Q = BINn中最少晶粒顆數(shù)/1/Μ ；
[0039]4】確定LED標(biāo)準(zhǔn)方片的參數(shù):
[0040]確定LED標(biāo)準(zhǔn)方片所使用的膠膜材質(zhì)及擴(kuò)張參數(shù)、晶粒形態(tài)及晶粒與晶粒之間的間距；
[0041]5】排布LED晶粒:
[0042]根據(jù)上述信息將LED晶圓片中BIN1、BIN2、…、BINn的晶粒逐一排布成LED標(biāo)準(zhǔn)方片，使橫向上相鄰兩個(gè)晶粒的同側(cè)長(zhǎng)邊以間距Bw設(shè)置、縱向上相鄰兩個(gè)晶粒的同側(cè)短邊以間距B1設(shè)置，每個(gè)晶粒的兩個(gè)長(zhǎng)邊位于左右兩側(cè)，兩個(gè)短邊位于上下兩側(cè)，分別在Q張膠膜上擺放完I列BIN1后再切換分選下一個(gè)BIN，直至Q張膠膜上分別擺放完I列最后的BINn,以此方式完成Q張LED標(biāo)準(zhǔn)方片的制作。
[0043]上述步驟2】中a = 1.0nm。
[0044]上述LED晶圓片的數(shù)量為3張，且3張LED晶圓片的波長(zhǎng)均值分別滿足:λ (n/4)_2nm ≤ λ lavg ≤ λ (n/4)+2nm、λ (2n/4)_2nm ≤ λ 2avg ≤ λ (2n/4)+2nm、λ (3n/4) -2nm ≤ λ 3avg ≤ λ (3n/4) +2nm ；
[0045]其中，劃分的n個(gè)BIN中，BIN1波長(zhǎng)的最小值為λ lmin，BINn波長(zhǎng)的最大值為Anmax,設(shè) k= ( λ nmax-λ lmin)/4, K 取四舍五入保留小數(shù)點(diǎn)后 1 位，λ (η/4) = λ lmin+K,λ (2n/4) = λ lmin+2K, λ (3n/4) = λ lmin+3K。
[0046]上述LED晶圓片的數(shù)量為2張，且2張LED晶圓片的波長(zhǎng)均值分別滿足:
[0047]λ (n/3)_2nm ≤ λ lavg ≤ λ (n/3)+2nm、λ (2n/3) -2nm ≤ λ 2avg ≤ λ (2n/3) +2nm ；
[0048]其中，劃分的n個(gè)BIN中，BIN1波長(zhǎng)的最小值為λ lmin，BINn波長(zhǎng)的最大值為Anmax,設(shè) k= ( λ nmax-λ lmin)/3, K 取四舍五入保留小數(shù)點(diǎn)后 1 位，λ (η/3) = λ lmin+K,λ (2n/3) = λ lmin+2K。
[0049]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn):[0050]本發(fā)明基于LED晶圓片的Mapping全測(cè)數(shù)據(jù)，制備一種具備全波長(zhǎng)跨度、光強(qiáng)集中性好、電性參數(shù)良好的分選方片作為L(zhǎng)ED晶圓片測(cè)試機(jī)校正和監(jiān)控用的標(biāo)準(zhǔn)方片，不但可有效解決目前采用多張LED晶圓片諸如光強(qiáng)集中性不好、測(cè)試作業(yè)手法誤差、測(cè)試方式誤差與探測(cè)針痕異常的晶?；烊肓计肪Я５膯栴}，同時(shí)也解決了 LED封裝器件的制作成本、發(fā)光角度變化、使用時(shí)定位一致性差及應(yīng)用效率低的問題，可作為L(zhǎng)ED芯片制造領(lǐng)域晶圓片測(cè)試機(jī)校正或監(jiān)控的通用標(biāo)準(zhǔn)件。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0051]圖1是LED晶圓片示意圖；
[0052]圖2是LED標(biāo)準(zhǔn)方片示意圖；
[0053]圖3是LED標(biāo)準(zhǔn)方片晶粒排列方式示意圖；
[0054]圖4是圖2中A的局部放大圖。
【具體實(shí)施方式】
[0055]本發(fā)明的LED標(biāo)準(zhǔn)方片，包括膠膜，膠膜上設(shè)置多個(gè)晶粒，膠膜上的晶粒選自具有良好且相同材料和品質(zhì)的襯底、相同磊晶工藝和品質(zhì)的外延結(jié)構(gòu)、相同芯片制造工藝和品質(zhì)的LED晶圓片，這種做法可確保LED晶圓片中被分選作標(biāo)準(zhǔn)方片的晶粒具有相同且優(yōu)良的LED特性，穩(wěn)定可靠。
[0056]本發(fā)明的LED晶圓片應(yīng)該具備波長(zhǎng)跨度大(波長(zhǎng)標(biāo)準(zhǔn)差λ std盡量大)，光強(qiáng)集中性好(光強(qiáng)標(biāo)準(zhǔn)差I(lǐng)Vstd盡 量小)且光強(qiáng)均值IV.avgX (0.95~1.10)代表LED量產(chǎn)晶圓片主產(chǎn)光強(qiáng)水平。這樣可以用最少的LED晶圓片分選到最有效的LED標(biāo)準(zhǔn)方片，同時(shí)使校正系數(shù)與LED量產(chǎn)晶圓片匹配度最佳。所選用上述LED晶圓片的波長(zhǎng)的標(biāo)準(zhǔn)差6 3 λ std >3、光強(qiáng)IV標(biāo)準(zhǔn)差I(lǐng)Vstd ( 8 ；
[0057]膠膜上的晶粒劃分為的η個(gè)BIN，分別為BIN1、BIN2、...、BINn，n為大于或等于10的自然數(shù)且小于或等于分選設(shè)備最大可分類數(shù)；BIN1、BIN2、…、BINn在膠膜上由左向右依次排布，每個(gè)BIN有I列Μ排。
[0058]ΒΙΝ1中任意晶粒的波長(zhǎng)為λ 1，ΒΙΝ2中任意晶粒的波長(zhǎng)為λ 2，…、BINn中任意晶粒的波長(zhǎng)為λ η ; λ 1、λ 2、…、λ η符合以下條件:
[0059]χ < λ 1 < x+a, x+a < λ 2 < x+2a,..., x+(n_l)a < λη < x+na,
[0060]其中，445nm^ x ^ 450nm, 0.lnm ^ a ^ 2.0nm,優(yōu)選 a = 1.0nm。
[0061]按照以下分組規(guī)則對(duì)n個(gè)BIN進(jìn)行分組:至少1個(gè)BIN構(gòu)成一組BIN，第一組BIN中任意晶粒的光強(qiáng)為IV1、第二組BIN中任意晶粒的光強(qiáng)為IV2、…、第t組BIN中任意晶粒的光強(qiáng)為IVt，t為正整數(shù)；
[0062]IV1、IV2、…、IVt符合以下條件:
[0063]IV1.avgX0.95 ( IV1 < IV1.avgX 1.10, IV2.avgX0.95 ( IV2 < IV2.avgX 1.10,…、IVt.avgX0.95 ^ IVt < IVt.avgX 1.10。
[0064]其中，IV1.avg為第一組BIN中所有晶粒的光強(qiáng)均值，IV2.avg為第二組BIN中所有晶粒的光強(qiáng)均值，…，ivt.avg為第t組BIN中所有晶粒的光強(qiáng)均值。
[0065]各個(gè)BIN排布的最大列數(shù)Imax =分選設(shè)備置晶行程/Bw/n、排布的最大排數(shù)Mmax=分選設(shè)備置晶行程/B1 ;Bw為標(biāo)準(zhǔn)方片橫向上相鄰的兩個(gè)晶粒同一側(cè)長(zhǎng)邊的間距，B1為標(biāo)準(zhǔn)方片縱向上相鄰的兩個(gè)晶粒同一側(cè)短邊的間距。
[0066]本發(fā)明可通過預(yù)設(shè)各個(gè)BIN的最大列數(shù)I使LED標(biāo)準(zhǔn)方片中每排最大限度的排布全波長(zhǎng)晶粒，尤其適用于大尺寸晶粒制作標(biāo)準(zhǔn)方片，在Mmax范圍以內(nèi)可根據(jù)LED標(biāo)準(zhǔn)方片的使用頻率設(shè)定Μ值，便于實(shí)際應(yīng)用過程中標(biāo)準(zhǔn)方片的管理。
[0067]如圖2中以每個(gè)BIN連續(xù)排布列數(shù)I = 3為例。每張標(biāo)準(zhǔn)方片所含排數(shù)Μ可結(jié)合實(shí)際使用情況進(jìn)行設(shè)置，如每天使用1排，則可按周、月分別設(shè)置Μ = 7、30，亦可根據(jù)機(jī)臺(tái)數(shù)量等設(shè)置Μ值。所以，單張LED標(biāo)準(zhǔn)方片含晶粒數(shù)為I*n*M。
[0068]本發(fā)明標(biāo)準(zhǔn)方片中晶粒的形狀是長(zhǎng)方形，在膠膜上，每個(gè)晶粒的兩個(gè)長(zhǎng)邊位于左右兩側(cè)，兩個(gè)短邊位于上下兩側(cè)。本發(fā)明膠膜的材質(zhì)及擴(kuò)張參數(shù)與LED量產(chǎn)晶圓片所使用的膠膜是完全一致的。
[0069]本發(fā)明可以設(shè)置30個(gè)BIN，該30個(gè)BIN中晶粒的漏電流Ir的最大值可以為luA~2uA，具體可以為luA ;晶粒的順向電壓Vf的最小值和最大值可以分別為2.8V~3.0V和
3.2V~3.4V，晶粒的順向電壓Vf的最小值和最大值具體可以分別為2.8V和3.2V。
[0070]當(dāng)有30個(gè)BIN時(shí)，a = 1.0nm, BIN1中晶粒的波長(zhǎng)的最小值為445nm、最大值為445.9nm。自BIN1起，每個(gè)BIN中波長(zhǎng)的最小值和最大值均按照等差1.0nm方式遞增。其中，第一組BIN中晶粒的光強(qiáng)的最小值可以為80mcd、最大值可以為90mcd，設(shè)BIN1至BIN5為第一組BIN，各組BIN中晶粒的光強(qiáng)的最小值和最大值均按照等差lOmcd的方式遞增。
[0071]LED標(biāo)準(zhǔn)方片上的晶粒形態(tài)與LED量產(chǎn)晶圓片應(yīng)保持完全相同。且不限于晶粒間距、膠膜材質(zhì)和膠膜是否擴(kuò)張。標(biāo)準(zhǔn)方片中晶粒形態(tài)完全仿真或等效于LED量產(chǎn)晶圓片中晶粒所處的形態(tài)，以規(guī)避各方面的誤差。
[0072]假設(shè)在市場(chǎng)上主流運(yùn)用的藍(lán)光LED晶圓片波長(zhǎng)范圍為445nm~475nm(即全波長(zhǎng)段)，且 BIN 有 30 個(gè),a = 1.0nm。另外，假若 445nm ~450nm ~455nm ~460nm ~465nm ~470nm~475nm對(duì)應(yīng)LED量產(chǎn)晶圓片主產(chǎn)光強(qiáng)IV.avgX0.95~IV.avgXl.10分別為80mcd ~90mcd ~lOOmcd ~llOmcd ~120mcd ~130mcd ~140mcd,漏電流 Ir ^ luA, 2.8 ^順向電壓Vf≤3.2。則制作該藍(lán)光LED標(biāo)準(zhǔn)方片的分類BIN表如表1所示。
[0073]表1LED晶圓片分類BIN表
[0074]
【權(quán)利要求】
1.一種LED標(biāo)準(zhǔn)方片，其特征在于:包括膠膜，膠膜上設(shè)置多個(gè)晶粒，所述晶粒選自具有相同襯底、相同磊晶工藝的外延結(jié)構(gòu)、相同芯片制造工藝的LED晶圓片，所述LED晶圓片的波長(zhǎng)的標(biāo)準(zhǔn)差6 3 λ std ^ 3、光強(qiáng)IV標(biāo)準(zhǔn)差I(lǐng)Vstd ( 8 ;所述晶粒的漏電流Ir的最大值均相等、順向電壓Vf的最小值均相等、順向電壓Vf的最大值均相等；所述多個(gè)晶粒按波長(zhǎng)劃分為η個(gè)BIN，分別為BIN1、BIN2、...、BINn，n為大于或等于10的自然數(shù)且小于或等于分選設(shè)備最大可分類數(shù)；BIN1、BIN2、…、BINn在膠膜上由左向右依次排布，每個(gè)BIN有I列Μ排； ΒΙΝ1中任意晶粒的波長(zhǎng)為λ 1，ΒΙΝ2中任意晶粒的波長(zhǎng)為λ 2，…、BINn中任意晶粒的波長(zhǎng)為入η ；λ 1、λ 2、…、λ η符合以下條件:χ < λ 1 < x+a, x+a < λ 2 < x+2a,…，x+ (n_l) a < λ n < x+na,其中，445nm ^ x ^ 450nm, 0.lnm ^ a ^ 2.0nm ；按照以下分組規(guī)則對(duì)n個(gè)BIN進(jìn)行分組:至少1個(gè)BIN構(gòu)成一組BIN，第一組BIN中任意晶粒的光強(qiáng)為IV1、第二組BIN中任意晶粒的光強(qiáng)為IV2、…、第t組BIN中任意晶粒的光強(qiáng)為IVt，t為正整數(shù)；IV1、IV2、…、IVt符合以下條件:IV1.avgX0.95 ( IV1 < IV1.avgX 1.10，IV2.avgX0.95 ( IV2 < IV2.avgX 1.10，…、IVt.avgX0.95 ( IVt < IVt.avgX 1.10 ；其中，IV1.avg為第一組BIN中所有晶粒的光強(qiáng)均值，IV2.avg為第二組BIN中所有晶粒的光強(qiáng)均值，…，IVt.avg為第t組BIN中所有晶粒的光強(qiáng)均值；各個(gè)BIN排布的最大列數(shù)Imax =分選設(shè)備置晶行程/Bw/n、排布的最大排數(shù)Mmax =分選設(shè)備置晶行程/B1 ;Bw為標(biāo)準(zhǔn)方片橫向上相鄰的兩個(gè)晶粒同一側(cè)長(zhǎng)邊的間距，B1為標(biāo)準(zhǔn)方片縱向上相鄰的兩個(gè)晶粒同一側(cè)短邊的間距。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED標(biāo)準(zhǔn)方片，其特征在于:所述a= 1.0nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LED標(biāo)準(zhǔn)方片，其特征在于:所述晶粒的形狀是長(zhǎng)方形，在所述膠膜上，每個(gè)晶粒的兩個(gè)長(zhǎng)邊位于左右兩側(cè)，兩個(gè)短邊位于上下兩側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED標(biāo)準(zhǔn)方片，其特征在于:所述η= 30 ;該30個(gè)BIN中晶粒的漏電流Ir的最大值為luA~2uA、晶粒的順向電壓Vf的最小值和最大值分別為2.8V~3.0V 和 3.2V ~3.4V ;所述BIN1中λ 1的最小值為445nm、λ 1的最大值為445.9nm,自BIN1起，每個(gè)BIN中波長(zhǎng)的最小值和最大值均按照等差1.0nm方式遞增。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED標(biāo)準(zhǔn)方片，其特征在于:所述30個(gè)BIN中晶粒的漏電流Ir的最大值為luA、晶粒的順向電壓Vf的最小值和最大值分別為2.8V和3.2V；所述分組規(guī)則是指:設(shè)BIN1至BIN5為第一組BIN，第一組BIN中晶粒的光強(qiáng)的最小值為80mcd、最大值為90mcd,各組BIN中晶粒的光強(qiáng)的最小值和最大值均按照等差lOmcd的方式遞增。
6.權(quán)利要求1所述LED標(biāo)準(zhǔn)方片的制作方法，其特征在于:包括以下步驟:1】挑選LED晶圓片:從Mapping全測(cè)完的LED量產(chǎn)晶圓片中挑選制作LED標(biāo)準(zhǔn)方片所需的LED晶圓片；所述LED晶圓片具備相同材料和品質(zhì)的襯底、相同嘉晶工藝和品質(zhì)的外延結(jié)構(gòu)、相同芯片制造工藝和品質(zhì)；且單張LED晶圓片波長(zhǎng)λ的標(biāo)準(zhǔn)差6≥λ std≥3、光強(qiáng)IV標(biāo)準(zhǔn)差I(lǐng)Vstd≤ 8 ；所述LED晶圓片的數(shù)量至少為2張；所述單張LED圓晶片的漏電流Ir、順向電壓Vf和抗靜電性能ESD的良率均≥80% ；2】對(duì)步驟1】中挑選的LED晶圓片的Mapping全測(cè)值進(jìn)行分類:將步驟1】中挑選的LED晶圓片的晶粒按照以下條件劃分為η個(gè)BIN:n個(gè)BIN中晶粒的漏電流Ir的最大值均相等，順向電壓Vf的最小值均相等，順向電壓Vf的最大值均相等；BIN1中晶粒的波長(zhǎng)為λ 1，ΒΙΝ2中晶粒的波長(zhǎng)為λ 2，...、ΒΙΝη中晶粒的波長(zhǎng)為λη ;λ 1、λ 2、…、λ η符合以下條件:x < λ 1 < x+a, x+a < λ 2 < x+2a,..., x+ (n_l) a < λ n < x+na,其中，445nm ≤ x ≤ 450nm, 0.lnm ^ a ^ 2.0nm ；按照以下分組規(guī)則對(duì)n個(gè)BIN進(jìn)行分組:至少1個(gè)BIN構(gòu)成一組BIN，第一組BIN中任意晶粒的光強(qiáng)為IV1、第二組BIN中任意晶粒的光強(qiáng)為IV2、…、第t組BIN中任意晶粒的光強(qiáng)為IVt，t為正整數(shù)；IV1、IV2、…、IVt符合以下條件:IV1.avgX0.95 ( IV1 < IV1.avgX 1.10，IV2.avgX0.95 ( IV2 < IV2.avgX 1.10，…、IVt.avgX0.95 ( IVt < IVt.avgX 1.10 ；其中，IV1.avg為第一組BIN中所有晶粒的光強(qiáng)均值，IV2.avg為第二組BIN中所有晶粒的光強(qiáng)均值，…，IVt.avg為第t組BIN中所有晶粒的光強(qiáng)均值；按照上述條件對(duì)每張LED晶圓片的Mapping全測(cè)值進(jìn)行分類，得出符合制作標(biāo)準(zhǔn)方片的類別BINn和各BIN晶粒顆數(shù)的分布；3】預(yù)計(jì)可制作標(biāo)準(zhǔn)方片的張數(shù)Q:結(jié)合上述BINn和各BIN晶粒顆數(shù)的分布、預(yù)設(shè)單張標(biāo)準(zhǔn)方片中每個(gè)BIN的列數(shù)1、排數(shù)M，預(yù)計(jì)總共可制作標(biāo)準(zhǔn)方片的張數(shù)Q，所述預(yù)計(jì)算法為Q = BINn中最少晶粒顆數(shù)/I/M ；4】確定LED標(biāo)準(zhǔn)方片的參數(shù):確定LED標(biāo)準(zhǔn)方片所使用的膠膜材質(zhì)及擴(kuò)張參數(shù)、晶粒形態(tài)及晶粒與晶粒之間的間距；5】排布LED晶粒:根據(jù)上述信息將LED晶圓片中BIN1、BIN2、...、BINn的晶粒逐一排布成LED標(biāo)準(zhǔn)方片，使橫向上相鄰兩個(gè)晶粒的同側(cè)長(zhǎng)邊以間距Bw設(shè)置、縱向上相鄰兩個(gè)晶粒的同側(cè)短邊以間距B1設(shè)置，每個(gè)晶粒的兩個(gè)長(zhǎng)邊位于左右兩側(cè)，兩個(gè)短邊位于上下兩側(cè)，分別在Q張膠膜上擺放完I列BIN1后再切換分選下一個(gè)BIN，直至Q張膠膜上分別擺放完I列最后的BINn，以此方式完成Q張LED標(biāo)準(zhǔn)方片的制作。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED標(biāo)準(zhǔn)方片的制作方法，其特征在于:所述步驟2】中a=1.0nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED標(biāo)準(zhǔn)方片的制作方法，其特征在于:所述LED晶圓片的數(shù)量為3張，且3張LED晶圓片的波長(zhǎng)均值分別滿足:λ (n/4)-2nm≤λ lavg≤ λ (n/4)+2nm、λ (2n/4)_2nm< λ 2avg ≤ λ (2n/4)+2nm、λ (3η/4) -2nm ≤ λ 3avg ≤ λ (3η/4) +2nm ；其中，劃分的η個(gè)BIN中,ΒΙΝΙ波長(zhǎng)的最小值為λ lmin, BINn波長(zhǎng)的最大值為λ nmax,設(shè)k = ( λ nmax- λ lmin) /4, K取四舍五入保留小數(shù)點(diǎn)后1位，λ (η/4) = λ lmin+K,λ (2n/4) = λ lmin+2K, λ (3n/4) = λ lmin+3K。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED標(biāo)準(zhǔn)方片的制作方法，其特征在于:所述LED晶圓片的數(shù)量為2張，且2張LED晶圓片的波長(zhǎng)均值分別滿足:λ (n/3) -2nm ^ λ lavg ^ λ (n/3)+2nm、λ (2n/3) -2nm ^ λ 2avg ^ λ (2n/3) +2nm ；其中，劃分的n個(gè)BIN中,ΒΙΝΙ波長(zhǎng)的最小值為λ lmin,BINn波長(zhǎng)的最大值為λ nmax,設(shè)k = ( λ nmax- λ lmin)/3, K取四舍五入保留小數(shù)點(diǎn)后1位，λ (η/3) = λ lmin+K,λ (2n/3) = λ lmin+2K。`
【文檔編號(hào)】H01L33/00GK103681988SQ201310654117
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年12月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月5日
【發(fā)明者】賴余盟, 陳起偉, 周立業(yè), 繆炳有, 李斌 申請(qǐng)人:西安神光皓瑞光電科技有限公司