發(fā)光裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的一個(gè)方式抑制發(fā)光裝置的串?dāng)_現(xiàn)象的發(fā)生。本發(fā)明的一個(gè)方式是一種發(fā)光裝置，包括：第一下部電極；第二下部電極；隔壁；導(dǎo)電性高的層；發(fā)光層；以及上部電極，其中，導(dǎo)電性高的層的導(dǎo)電性高于發(fā)光層且低于第一下部電極及上部電極的每一個(gè)，隔壁具有位于第一下部電極一側(cè)的第一斜面及位于第二下部電極一側(cè)的第二斜面，關(guān)于位于第一斜面上的導(dǎo)電性高的層的垂直于第一斜面的方向上的厚度與位于第二斜面上的導(dǎo)電性高的層的垂直于第二斜面的方向上的厚度不同。
【專利說明】發(fā)光裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種具有單元件或串聯(lián)元件的發(fā)光裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)EL (Electro Luminescence:電致發(fā)光)顯示器的商品化日益加速。為了使顯示器能夠承受在室外的使用，對(duì)顯示器亮度的要求也逐年增高。另一方面，已知有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度與電流成正比地變高且可以以高亮度發(fā)光。
[0003]但是，施加大電流會(huì)加快有機(jī)EL元件的劣化。所以，如果能夠以小電流實(shí)現(xiàn)高亮度，就可以延長(zhǎng)發(fā)光元件的使用壽命。于是，作為能夠以小電流實(shí)現(xiàn)高亮度的發(fā)光元件，已提出了層疊有多個(gè)EL層的串聯(lián)元件(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。
[0004]另外，作為有機(jī)EL元件，可以舉出:在兩個(gè)電極(陰極與陽(yáng)極)之間具有一個(gè)包括發(fā)光層的EL層的單元件；以及在兩個(gè)電極之間通過中間層層疊有兩層以上的EL層的串聯(lián)元件。通過在串聯(lián)元件中采用層疊η個(gè)EL層的結(jié)構(gòu)，可以在不使電流密度上升的狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)η倍的亮度。
[0005]在本說明書等中，發(fā)光層是指包含發(fā)光有機(jī)化合物的層。發(fā)光層既可以以按每個(gè)元件分離為島狀的方式形成，又可以以在多個(gè)元件中共同的方式形成。另外，電極包括下部電極、上部電極、陽(yáng)極及陰極。EL層至少包括發(fā)光層，除了發(fā)光層之外，還可以適當(dāng)?shù)嘏c空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、電荷產(chǎn)生層等組合。另外，中間層包括電子注入緩沖層、電子中繼層、電荷產(chǎn)生層。
[0006]注意，后面說明的導(dǎo)電性高的層是指其導(dǎo)電性高于發(fā)光層且低于電極的層。導(dǎo)電性高的層包括電子注入層、電子傳輸層、空穴注入層、空穴傳輸層及中間層。導(dǎo)電性高的層的材料包括有機(jī)化合物和金屬氧化物的混合材料或?qū)щ姼叻肿硬牧系取Ｈ绱?，在EL層中，包括導(dǎo)電性高的層和以發(fā)光層為代表的導(dǎo)電性低的層。
[0007]另外，中間層所具有的電子注入緩沖層也可具有極薄的厚度。此外，電子注入緩沖層的材料也可以存在于與電子注入緩沖層接觸的EL層的一部分。
[0008]在包括形成有導(dǎo)電性高的載流子注入層(電子注入層及空穴注入層)、載流子傳輸層(電子傳輸層及空穴傳輸層)及中間層的單元件或串聯(lián)元件的顯示器中，存在串?dāng)_現(xiàn)象的問題。串?dāng)_現(xiàn)象是指，電流泄漏到隔著EL元件的導(dǎo)電性高的層相鄰的像素的EL元件而導(dǎo)致發(fā)光的現(xiàn)象。隨著顯示器的高清晰化而后面說明的設(shè)置在EL元件彼此之間的隔壁的幅度減少，由此該串?dāng)_現(xiàn)象成為更深刻的問題。
[0009]尤其是，在串聯(lián)元件中，隔著中間層層疊有多個(gè)EL層，并且，為了使驅(qū)動(dòng)電壓低電壓化，在很多情況下使用有機(jī)化合物和金屬氧化物的混合層或包含導(dǎo)電高分子等的導(dǎo)電性高的載流子注入層，因此在結(jié)構(gòu)上包括導(dǎo)電性高的層及導(dǎo)電性低的層。另外，與單元件相t匕，在串聯(lián)元件中，陽(yáng)極與陰極之間的電阻高，而電流容易經(jīng)過導(dǎo)電性高的層擴(kuò)散到相鄰的像素。
[0010]另外，存在串?dāng)_現(xiàn)象的問題的元件不局限于串聯(lián)元件。即使使用單元件，如果在EL元件中設(shè)置有載流子注入層及載流子傳輸層等導(dǎo)電性高的層，則電流泄漏到相鄰的像素，由此也可能導(dǎo)致串?dāng)_現(xiàn)象。
[0011]根據(jù)元件結(jié)構(gòu)和泄漏發(fā)生的地方，串?dāng)_現(xiàn)象的原因至少可以考慮下述模式。
[0012]1.單元件的載流子注入層及載流子傳輸層的泄漏
2.串聯(lián)元件的中間層的泄漏
3.串聯(lián)元件的載流子注入層及載流子傳輸層的泄漏
無(wú)論載流子注入層及載流子傳輸層是空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層和電子傳輸層中的任何一個(gè)，比發(fā)光層更近于下部電極一側(cè)的泄漏都成為問題。
[0013]〈1.單元件的載流子注入層及載流子傳輸層的泄漏〉
圖8是用來說明如下情況的示意圖:由于導(dǎo)電性高的載流子注入層及載流子傳輸層導(dǎo)致的電流泄漏，在單元件中產(chǎn)生串?dāng)_現(xiàn)象，使相鄰的像素發(fā)光的情況。圖8是示出如下情況的截面圖:在發(fā)射呈現(xiàn)紅色(R)的光的紅色單元件、發(fā)射呈現(xiàn)綠色(G)的光的綠色單元件及發(fā)射呈現(xiàn)藍(lán)色(B)的光的藍(lán)色單元件被設(shè)置為三個(gè)條狀的發(fā)光面板中，只驅(qū)動(dòng)綠色單元件。另外，除了條狀之外，在馬賽克狀、三角形狀等的排列中也可能產(chǎn)生串?dāng)_現(xiàn)象。
[0014]發(fā)光面板包括以彼此相鄰的方式設(shè)置的紅色單元件、綠色單元件及藍(lán)色單元件。紅色單元件設(shè)置在上部電極81與第一下部電極82之間。綠色單元件設(shè)置在上部電極81與第二下部電極83之間。藍(lán)色單元件設(shè)置在上部電極81與第三下部電極84之間。
[0015]在紅色單元件、綠色單元件及藍(lán)色單元件的每一個(gè)中，依次層疊有空穴注入/傳輸層90、發(fā)光層91及電子傳輸/注入層92。
[0016]在使用具有透光性的上部電極81的情況下，可以在上部電極81上設(shè)置對(duì)置玻璃襯底88，并且將具有反射性的電極用作下部電極。雖然未圖示，但是對(duì)置玻璃襯底88可以具有紅色濾色片、綠色濾色片、藍(lán)色濾色片。紅色濾色片與第一下部電極82重疊,綠色濾色片與第二下部電極83重疊，藍(lán)色濾色片與第三下部電極84重疊。
[0017]在上述發(fā)光面板中，當(dāng)對(duì)第二下部電極83與上部電極81之間施加電壓而只驅(qū)動(dòng)綠色單元件時(shí)，有時(shí)電流泄漏到隔著導(dǎo)電性高的空穴注入/傳輸層90相鄰的紅色單元件或藍(lán)色單元件，發(fā)光紅色行(紅色單元件)或藍(lán)色行(藍(lán)色單元件)而產(chǎn)生串?dāng)_現(xiàn)象。另外，電子按箭頭93所示那樣流過，空穴按箭頭94所示那樣流過。
[0018]〈2.串聯(lián)元件的中間層的泄漏〉
圖9是用來說明由于導(dǎo)電性高的中間層86的電流泄漏導(dǎo)致串聯(lián)元件中的串?dāng)_現(xiàn)象發(fā)生而相鄰的像素發(fā)光的示意圖，并且是示出在發(fā)射呈現(xiàn)白色的光的串聯(lián)元件被設(shè)置為三個(gè)條狀的發(fā)光面板(白色面板)中，僅驅(qū)動(dòng)第二串聯(lián)元件時(shí)的狀況的截面圖。
[0019]發(fā)光面板具有被彼此相鄰地配置的第一至第三串聯(lián)元件。第一串聯(lián)元件配置在上部電極81和第一下部電極82之間。第二串聯(lián)元件配置在上部電極81和第二下部電極83之間。第三串聯(lián)元件配置在上部電極81和第三下部電極84之間。
[0020]在第一至第三串聯(lián)元件中分別依次層疊有第一 EL層85、中間層86和第二 EL層87。例如，在采用如下結(jié)構(gòu)時(shí)，可以獲得呈現(xiàn)白色的發(fā)光。該結(jié)構(gòu)為:第一 EL層85具有發(fā)射呈現(xiàn)藍(lán)色的光的發(fā)光層且第二 EL層87具有發(fā)射呈現(xiàn)綠色的光的發(fā)光層和發(fā)射呈現(xiàn)紅色的光的發(fā)光層。
[0021]在采用具有透光性的上部電極81的情況下，可以在上部電極81上配置對(duì)置玻璃襯底88,可以將具有反射性的電極用于下部電極。對(duì)置玻璃襯底88具有未圖不的藍(lán)色濾光片、紅色濾光片和綠色濾光片。紅色濾光片重疊于第一下部電極82，藍(lán)色濾光片重疊于第二下部電極83，綠色濾光片重疊于第三下部電極84。
[0022]在上述發(fā)光面板中對(duì)第二下部電極83和上部電極81施加電壓并僅驅(qū)動(dòng)藍(lán)色行(第二串聯(lián)元件)時(shí)，電流有時(shí)泄漏到隔著導(dǎo)電性高的中間層86相鄰的第一串聯(lián)元件或第三串聯(lián)元件，從而使紅色行(第一串聯(lián)元件)或綠色行(第三串聯(lián)元件)發(fā)光而產(chǎn)生串?dāng)_現(xiàn)象。
[0023]〈3.串聯(lián)元件的載流子注入層及載流子傳輸層的泄漏>
圖10是用來說明由于導(dǎo)電性高的載流子注入層及載流子傳輸層(空穴注入層及空穴傳輸層)89的電流泄漏導(dǎo)致串聯(lián)元件中的串?dāng)_現(xiàn)象發(fā)生而相鄰的像素發(fā)光的示意圖，并且是示出在發(fā)光面板(白色面板)中僅驅(qū)動(dòng)藍(lán)色行(第二串聯(lián)元件)時(shí)的狀況的圖。
[0024]在第一至第三串聯(lián)元件中分別依次層疊有含有導(dǎo)電性高的載流子注入層及載流子傳輸層89的第一 EL層85、中間層86和第二 EL層87。
[0025]另外，在串聯(lián)元件中，有時(shí)同時(shí)產(chǎn)生導(dǎo)電性高的中間層86、載流子注入層及載流子傳輸層89、其他導(dǎo)電性高的層中的對(duì)相鄰的像素的電流泄漏。
[0026]以下，對(duì)抑制串?dāng)_現(xiàn)象的發(fā)生的現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行說明。
[0027]<現(xiàn)有技術(shù)I (參照專利文獻(xiàn)2) >
圖11是示意性地示出現(xiàn)有技術(shù)I的發(fā)光裝置的截面圖。在襯底70上形成有第一至第三下部電極82至84，在第一至第三下部電極82至84彼此之間形成有隔壁72。在隔壁72及第一至第三下部電極82至84上通過蒸鍍法形成有包括導(dǎo)電性高的層及發(fā)光層的EL層71。在EL層71上形成有上部電極81。
[0028]在上述現(xiàn)有技術(shù)I中，通過增大隔壁72的斜面74的傾斜角，減薄通過蒸鍍法形成在斜面74上的EL層71的厚度，由此減薄EL層71所包括的導(dǎo)電性高的層的厚度。就是說，與形成在第一至第三下部電極82至84上的EL層71所包括的導(dǎo)電性高的層的厚度，減薄形成在斜面74上的EL層71所包括的導(dǎo)電性高的層的厚度。由此，與形成在第一至第三下部電極82至84上的EL層71所包括的導(dǎo)電性高的層的電阻相比，可以增大形成在隔壁72的斜面74上的EL層71所包括的導(dǎo)電性高的層的電阻。其結(jié)果，可以防止電流泄漏到隔著形成在隔壁72上的導(dǎo)電性高的層相鄰的發(fā)光元件，而可以抑制串?dāng)_現(xiàn)象的發(fā)生。
[0029]但是，如果增大隔壁72的斜面74的傾斜角，則形成在斜面74上的上部電極81也減薄而有時(shí)產(chǎn)生斷開或膜的高電阻化，可能產(chǎn)生發(fā)光不良。
[0030]〈現(xiàn)有技術(shù)2(參照專利文獻(xiàn)3) >
圖12是示意性地示出現(xiàn)有技術(shù)2的發(fā)光裝置的截面圖。在襯底70上形成有第一至第三下部電極82至84，在第一至第三下部電極82至84彼此之間形成有隔壁72。在第一至第三下部電極82至84上形成有層疊有導(dǎo)電性高的層及發(fā)光層的EL層71。在隔壁72上不形成EL層71。在隔壁72及EL層71上形成有上部電極81。
[0031 ] 在上述現(xiàn)有技術(shù)2中，在隔壁72上不形成EL層71，因此電流不泄漏到隔著形成在隔壁72上的導(dǎo)電性高的層相鄰的發(fā)光元件，其結(jié)果，可以防止串?dāng)_現(xiàn)象的發(fā)生。
[0032]但是，為了在隔壁72上不形成EL層71，通過使用掩模的蒸鍍法或噴墨法等，需要在第一至第三下部電極82至84上選擇性地形成EL層71。因此，在蒸鍍法中，當(dāng)制造需要高清晰面板時(shí)需要高價(jià)的高清晰掩模，有制造成本增高的缺點(diǎn)。另外，在噴墨法中，難以控制撞擊位置，有成品率降低的缺點(diǎn)。
[0033][專利文獻(xiàn)I]日本專利申請(qǐng)公開2008-234885號(hào)公報(bào)；
[專利文獻(xiàn)2]日本專利申請(qǐng)公開2009-277590號(hào)公報(bào)；
[專利文獻(xiàn)3]日本專利申請(qǐng)公開2006-302870號(hào)公報(bào)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0034]本發(fā)明的一個(gè)方式的課題是抑制包括串聯(lián)元件或單元件的發(fā)光裝置的串?dāng)_現(xiàn)象的發(fā)生。
[0035]本發(fā)明的一個(gè)方式是一種發(fā)光裝置，包括:第一下部電極及第二下部電極；形成在所述第一下部電極與所述第二下部電極之間的隔壁；相比所述第一下部電極、所述隔壁及所述第二下部電極形成于上層的上部電極；形成在所述第一下部電極、所述隔壁、所述第二下部電極與所述上部電極之間的導(dǎo)電性高的層及發(fā)光層，其中，所述導(dǎo)電性高的層的導(dǎo)電性高于所述發(fā)光層且低于所述第一下部電極、所述第二下部電極及所述上部電極的每一個(gè)，所述隔壁具有位于所述第一下部電極一側(cè)的第一斜面及位于所述第二下部電極一側(cè)的第二斜面，并且，關(guān)于夾在所述第一下部電極、所述隔壁、所述第二下部電極與所述上部電極之間的所述導(dǎo)電性高的層及發(fā)光層的總厚度，垂直于所述第一斜面的方向上的總厚度與垂直于所述第二斜面的方向上的總厚度不同。
[0036]另外，在上述本發(fā)明的一個(gè)方式中，優(yōu)選的是，所述斜面的總厚度中的總厚度薄的斜面的總厚度薄于垂直于所述第一下部電極、所述第二下部電極的方向上的總厚度，總厚度厚的斜面的總厚度厚于垂直于所述第一下部電極、所述第二下部電極的方向上的總厚度。
[0037]本發(fā)明的一個(gè)方式是一種發(fā)光裝置，包括:具有第一下部電極、導(dǎo)電性高的層、發(fā)光層和上部電極的第一發(fā)光元件；以及具有第二下部電極、所述導(dǎo)電性高的層、發(fā)光層和所述上部電極的第二發(fā)光元件，其中，包括:形成在所述第一下部電極與所述第二下部電極之間的隔壁；形成在所述第一下部電極、所述隔壁及所述第二下部電極的每一個(gè)上的所述導(dǎo)電性高的層；位于所述第一下部電極上且相比所述導(dǎo)電性高的層形成于上層的所述第一發(fā)光元件的所述發(fā)光層；位于所述第二下部電極上且相比所述導(dǎo)電性高的層形成于上層的所述第二發(fā)光元件的所述發(fā)光層；以及相比所述第一發(fā)光元件的發(fā)光層、所述導(dǎo)電性高的層及所述第二發(fā)光元件的發(fā)光層形成于上層的所述上部電極，所述導(dǎo)電性高的層的導(dǎo)電性高于所述第一發(fā)光元件的發(fā)光層及所述第二發(fā)光元件的發(fā)光層的每一個(gè)且低于所述第一下部電極、所述第二下部電極及所述上部電極的每一個(gè)，所述隔壁具有位于所述第一下部電極一側(cè)的第一斜面及位于所述第二下部電極一側(cè)的第二斜面，并且，位于所述第一斜面上的所述導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度與位于所述第二斜面上的所述導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度不同。
[0038]本發(fā)明的一個(gè)方式是一種發(fā)光裝置，包括:第一下部電極及第二下部電極；形成在所述第一下部電極與所述第二下部電極之間的隔壁；相比所述第一下部電極、所述隔壁及所述第二下部電極的每一個(gè)形成于上層的第一發(fā)光層；相比所述第一發(fā)光層形成于上層的導(dǎo)電性高的層；相比所述導(dǎo)電性高的層形成于上層的第二發(fā)光層；以及相比所述第二發(fā)光層形成于上層的上部電極，其中，所述導(dǎo)電性高的層的導(dǎo)電性高于所述第一發(fā)光層及所述第二發(fā)光層的每一個(gè)且低于所述第一下部電極、所述第二下部電極及所述上部電極的每一個(gè)，所述隔壁具有位于所述第一下部電極一側(cè)的第一斜面及位于所述第二下部電極一側(cè)的第二斜面，并且，位于所述第一斜面上的所述導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度與位于所述第二斜面上的所述導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度不同。
[0039]本發(fā)明的一個(gè)方式是一種發(fā)光裝置，包括:第一下部電極及第二下部電極；形成在所述第一下部電極與所述第二下部電極之間的隔壁；形成在所述第一下部電極、所述隔壁及所述第二下部電極的每一個(gè)上的第一導(dǎo)電性高的層；相比于所述第一導(dǎo)電性高的層形成于上層的第一發(fā)光層；相比所述第一發(fā)光層形成于上層的第二導(dǎo)電性高的層；相比所述第二導(dǎo)電性高的層形成于上層的第二發(fā)光層；以及相比所述第二發(fā)光層形成于上層的上部電極，其中，所述第一導(dǎo)電性高的層及所述第二導(dǎo)電性高的層的導(dǎo)電性高于所述第一發(fā)光層及所述第二發(fā)光層的每一個(gè)且低于所述第一下部電極、所述第二下部電極及所述上部電極的每一個(gè)，所述隔壁具有位于所述第一下部電極一側(cè)的第一斜面及位于所述第二下部電極一側(cè)的第二斜面，并且，位于所述第一斜面上的所述第一導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度與位于所述第二斜面上的所述第一導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度不同。
[0040]另外，在上述本發(fā)明的一個(gè)方式中，優(yōu)選的是，位于所述第一斜面上的所述第二導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度與位于所述第二斜面上的所述第二導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度不同。
[0041]另外，在上述本發(fā)明的一個(gè)方式中，優(yōu)選的是，位于所述第一斜面上的所述導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度及位于所述第二斜面上的所述導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度中的薄的一方的厚度為厚的一方的厚度的2分之I以下。
[0042]另外，在上述本發(fā)明的一個(gè)方式中，優(yōu)選的是，位于所述第一斜面上的所述導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度及位于所述第二斜面上的所述導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度中的薄的一方的厚度為位于所述第一下部電極上的所述導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第一下部電極的方向上的厚度的2分之I以下。
[0043]另外，在上述本發(fā)明的一個(gè)方式中，優(yōu)選的是，位于所述第一斜面上的所述第一導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度及位于所述第二斜面上的所述第一導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度中的薄的一方的厚度為厚的一方的厚度的2分之I以下。
[0044]另外，在上述本發(fā)明的一個(gè)方式中，優(yōu)選的是，位于所述第一斜面上的所述第一導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度及位于所述第二斜面上的所述第一導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度中的薄的一方的厚度為位于所述第一下部電極上的所述第一導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第一下部電極的方向上的厚度的2分之I以下。
[0045]另外，在上述本發(fā)明的一個(gè)方式中，優(yōu)選的是，位于所述第一斜面上的所述第二導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度及位于所述第二斜面上的所述第二導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度中的薄的一方的厚度為厚的一方的厚度的2分之I以下。
[0046]另外，在上述本發(fā)明的一個(gè)方式中，優(yōu)選的是，位于所述第一斜面上的所述第二導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度及位于所述第二斜面上的所述第二導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度中的薄的一方的厚度為位于所述第一下部電極上的所述第二導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第一下部電極的方向上的厚度的2分之I以下。
[0047]另外，所述第一發(fā)光元件的發(fā)光層所發(fā)射的光的顏色優(yōu)選與所述第二發(fā)光元件的發(fā)光層所發(fā)射的光的顏色不同。
[0048]另外，在上述本發(fā)明的一個(gè)方式中，優(yōu)選的是，將發(fā)射呈現(xiàn)第一顏色的光的多個(gè)所述第一發(fā)光元件配置為直線狀，將發(fā)射呈現(xiàn)第二顏色的光的多個(gè)所述第二發(fā)光元件配置為直線狀，所述多個(gè)第一發(fā)光元件的每一個(gè)具有所述第一發(fā)光元件的發(fā)光層，所述多個(gè)第二發(fā)光元件的每一個(gè)具有所述第二發(fā)光元件的發(fā)光層，在所述多個(gè)第一發(fā)光元件的每一個(gè)與所述多個(gè)第二發(fā)光元件的每一個(gè)之間配置有所述隔壁。
[0049]此外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，優(yōu)選包括形成在所述上部電極的濾色片，所述濾色片包括與所述第一下部電極重疊的具有第一顏色的區(qū)域以及與所述第二下部電極重疊的具有第二顏色的區(qū)域，并且所述第一顏色與所述第二顏色不同。
[0050]另外，在上述本發(fā)明的一個(gè)方式中，優(yōu)選的是，將發(fā)射呈現(xiàn)第一顏色的光的多個(gè)第一發(fā)光元件配置為直線狀，將發(fā)射呈現(xiàn)第二顏色的光的多個(gè)第二發(fā)光元件配置為直線狀，所述多個(gè)第一發(fā)光元件的每一個(gè)具有位于所述第一下部電極與所述上部電極之間的所述第一發(fā)光層及所述第二發(fā)光層，所述多個(gè)第二發(fā)光元件的每一個(gè)具有位于所述第二下部電極與所述上部電極之間的所述第一發(fā)光層及所述第二發(fā)光層，在所述多個(gè)第一發(fā)光元件的每一個(gè)與所述多個(gè)第二發(fā)光元件的每一個(gè)之間配置有所述隔壁。
[0051]本發(fā)明的一個(gè)方式是一種發(fā)光裝置的制造方法，包括如下步驟:在襯底上形成第一下部電極及第二下部電極；準(zhǔn)備在所述第一下部電極與所述第二下部電極之間形成有隔壁的襯底；以及通過在相對(duì)于所述襯底的表面傾斜的方向上發(fā)射從蒸鍍?cè)串a(chǎn)生的蒸鍍物，在所述第一下部電極、所述隔壁及所述第二下部電極的每一個(gè)上形成導(dǎo)電性高的層，其中，所述導(dǎo)電性高的層的導(dǎo)電性低于所述第一下部電極及所述第二下部電極的每一個(gè)，所述隔壁具有位于所述第一下部電極一側(cè)的第一斜面及位于所述第二下部電極一側(cè)的第二斜面，并且，位于所述第一斜面上的所述導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度與位于所述第二斜面上的所述導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度不同。
[0052]本發(fā)明的一個(gè)方式是一種發(fā)光裝置的制造方法，包括如下步驟:在襯底上將多個(gè)第一下部電極及多個(gè)第二下部電極分別配置為直線狀；準(zhǔn)備在所述多個(gè)第一下部電極的每一個(gè)與所述多個(gè)第二下部電極的每一個(gè)之間形成有隔壁的襯底；以及通過在相對(duì)于所述襯底的表面傾斜的方向上發(fā)射從蒸鍍?cè)串a(chǎn)生的蒸鍍物，在所述多個(gè)第一下部電極、所述隔壁及所述多個(gè)第二下部電極的每一個(gè)上形成導(dǎo)電性高的層，其中，所述傾斜方向是與所述直線交叉的方向，所述導(dǎo)電性高的層的導(dǎo)電性低于所述多個(gè)第一下部電極及所述多個(gè)第二下部電極的每一個(gè)，所述隔壁具有位于所述多個(gè)第一下部電極的每一個(gè)一側(cè)的第一斜面及位于所述多個(gè)第二下部電極的每一個(gè)一側(cè)的第二斜面，并且，位于所述第一斜面上的所述導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度與位于所述第二斜面上的所述導(dǎo)電性高的層的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度不同。
[0053]另外,在上述本發(fā)明的一個(gè)方式中，在相對(duì)于所述襯底的表面傾斜的方向上發(fā)射所述蒸鍍物優(yōu)選是指如下情況:在所述蒸鍍物與所述襯底之間配置具有狹縫的掩模，使用所述掩模遮蔽從所述蒸鍍?cè)串a(chǎn)生的蒸鍍物，由此在相對(duì)于所述襯底的表面傾斜的方向上發(fā)射穿過所述狹縫的蒸鍍物。
[0054]另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置的制造方法還包括如下步驟:在形成所述導(dǎo)電性高的層之后，在所述導(dǎo)電性高的層上形成位于所述第一下部電極及所述第二下部電極的每一個(gè)上的發(fā)光層，在所述發(fā)光層上形成上部電極，其中，所述導(dǎo)電性高的層的導(dǎo)電性高于所述發(fā)光層且低于所述上部電極是優(yōu)選的。
[0055]通過應(yīng)用本發(fā)明的一個(gè)方式，可以抑制具有單元件或串聯(lián)元件的發(fā)光裝置的串?dāng)_現(xiàn)象的發(fā)生。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0056]圖1A是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置的電路圖，圖1B是示意性地示出作為比較例子的發(fā)光裝置的截面圖，圖1C是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置的截面圖；
圖2A是用來說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置的制造方法的截面圖，圖2B是圖2A所示的發(fā)光裝置的平面圖；
圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置的制造方法的一個(gè)例子的截面圖；
圖4A和圖4B是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置的制造方法的一個(gè)例子的截面
圖；
圖5A是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的單結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件的截面圖，圖5B是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的單結(jié)構(gòu)的底部發(fā)射型發(fā)光元件的截面圖，圖5C是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的單結(jié)構(gòu)的頂部發(fā)射型發(fā)光元件的截面圖；
圖6A是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的串聯(lián)結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件的截面圖，圖6B是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的串聯(lián)結(jié)構(gòu)的底部發(fā)射型發(fā)光元件的截面圖，圖6C是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的串聯(lián)結(jié)構(gòu)的頂部發(fā)射型發(fā)光元件的截面圖；
圖7A是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置的制造方法的一個(gè)例子的截面圖，圖7B是圖7A的平面圖，圖7C是圖7A所示的蒸鍍?cè)?01的平面圖；
圖8是用來說明由于導(dǎo)電性高的載流子注入層及載流子傳輸層的電流泄漏導(dǎo)致單元件中的串?dāng)_現(xiàn)象而相鄰的像素發(fā)光的情況的示意圖；
圖9是用來說明導(dǎo)電性高的中間層導(dǎo)致串?dāng)_現(xiàn)象的情況的示意圖；
圖10是用來說明導(dǎo)電性高的載流子注入層及載流子傳輸層導(dǎo)致串?dāng)_現(xiàn)象的情況的示意圖；
圖11是示意性地示出現(xiàn)有技術(shù)I的發(fā)光裝置的截面圖；
圖12是示意性地示出現(xiàn)有技術(shù)2的發(fā)光裝置的截面圖。
[0057]本發(fā)明的選擇圖為圖5A至圖5C。
【具體實(shí)施方式】[0058]下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。但是，本發(fā)明不局限于以下說明，而所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個(gè)事實(shí)就是其方式及詳細(xì)內(nèi)容在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅局限在以下所示的實(shí)施方式所記載的內(nèi)容中。
[0059]實(shí)施方式I
圖1A是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置的電路圖，圖1B是示意性地示出作為比較例子的發(fā)光裝置的截面圖，圖1C是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置的截面圖。圖2A是用來說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置的制造方法的截面圖，圖2B是圖2A所示的發(fā)光裝置的平面圖。
[0060]圖1A所示的發(fā)光裝置包括發(fā)射呈現(xiàn)紅色的光的有機(jī)EL元件(0LED元件)R、發(fā)射呈現(xiàn)綠色的光的有機(jī)EL元件(0LED元件)G以及發(fā)射呈現(xiàn)藍(lán)色的光的有機(jī)EL元件(0LED元件)B,有機(jī)EL元件R、有機(jī)EL元件G及有機(jī)EL元件B的每一個(gè)與晶體管401、402、403連接。
[0061]圖1B和圖1C所示的發(fā)光裝置具有襯底101，在該襯底101上形成有晶體管，在其上形成有第一下部電極102a、第二下部電極102b及第三下部電極102c作為夾著層間絕緣膜且使用透明電極等連接電極與晶體管電連接的下部電極(例如，陽(yáng)極)。在第一下部電極102a、第二下部電極102b及第三下部電極102c的彼此之間形成有隔壁103，它們以分離為島狀的方式形成，而彼此電分離。在隔壁103及第一下部電極102a、第二下部電極102b及第三下部電極102c上通過蒸鍍法形成有包括導(dǎo)電性高的層及發(fā)光層的EL層71。在EL層71上通過蒸鍍法形成有上部電極110 (例如，陰極)。
[0062]因?yàn)镋L層71通過蒸鍍法形成在襯底101的整個(gè)面，所以如圖1B所示，形成在隔壁103上的EL層71具有幾乎一定的厚度。因此，根據(jù)EL層71中的導(dǎo)電性高的層的電阻率，與OLED元件R、G、B的電阻Roled相比，相鄰的像素之間的電阻Rrg小得不能忽略，泄漏電流Irg流過相鄰的像素之間(參照?qǐng)D1A)。例如，當(dāng)使OLED元件R發(fā)射紅色光時(shí)，泄漏電流Irg流過相鄰的像素之間，由此導(dǎo)致相鄰的OLED元件G也發(fā)射綠色光的串?dāng)_現(xiàn)象(參照?qǐng)D1A和圖1B)。
[0063]于是，如圖1C及圖2A所示，在相對(duì)于所述襯底101的表面傾斜的方向(箭頭305a)上發(fā)射從蒸鍍?cè)串a(chǎn)生的蒸鍍物，由此形成可能成為電流路徑的導(dǎo)電性高的層。
[0064]在此，不被隔壁103遮蔽的部分的斜面(即，圖1C的隔壁103的左側(cè)的斜面)為第一斜面，形成在第一斜面上的包括發(fā)光層和導(dǎo)電性高的層的EL層的垂直于第一斜面的方向上的厚度為第一總厚度。另外，被隔壁103遮蔽的部分的斜面(B卩，圖1C的隔壁103的右側(cè)的斜面)為第二斜面，形成在第二斜面上的EL層的垂直于第二斜面的方向上的厚度為第二總厚度。此外，形成在第一下部電極102a、第二下部電極102b及第三下部電極102c上的EL層的垂直于下部電極的方向上的厚度為第三總厚度。
[0065]此時(shí)，通過在相對(duì)于襯底101的表面傾斜的方向(箭頭305a)上發(fā)射從蒸鍍?cè)串a(chǎn)生的蒸鍍物，可以將第二總厚度設(shè)定為薄于第一總厚度、第三總厚度的每一個(gè)的厚度。另外，可以將第一總厚度設(shè)定為厚于第三總厚度的厚度。換言之，可以將第一總厚度、第二總厚度及第三總厚度設(shè)定為彼此不同的厚度。
[0066]更詳細(xì)地，可以采用如下結(jié)構(gòu):形成在第一斜面上的導(dǎo)電性高的層的垂直于第一斜面的方向上的厚度為第一厚度。另外，形成在第二斜面上的導(dǎo)電性高的層的垂直于第二斜面的方向上的厚度為第二厚度。此外，形成在第一下部電極102a、第二下部電極102b及第三下部電極102c上的導(dǎo)電性高的層的垂直于下部電極的方向上的厚度為第三厚度。此時(shí)，可以將第二厚度設(shè)定為薄于第一厚度和第三厚度的每一個(gè)的厚度。另外，可以將第一厚度設(shè)定為厚于第三厚度的厚度。
[0067]更優(yōu)選的是，第二總厚度或第二厚度設(shè)定為第一總厚度或第一厚度及第三總厚度或第三厚度的每一個(gè)的2分之I以下。由此，與OLED元件的電阻Roled相比，相鄰的像素之間的電阻Rrg大得可以忽略，所以可以抑制對(duì)于相鄰的像素之間的電流的泄漏Irg。
[0068]其結(jié)果，可以抑制串?dāng)_現(xiàn)象的發(fā)生，可以提高顯示品質(zhì)。注意，在本說明書中，垂直于斜面的方向上的厚度是指該斜面上的最大的厚度。
[0069]如上所述，從傾斜方向(箭頭305a)上蒸鍍EL層71中的導(dǎo)電性高的層諸如空穴注入層和中間層，將導(dǎo)電性高的層的隔壁斜面的厚度設(shè)定為薄，由此可以在隔壁斜面上使導(dǎo)電性高的層高電阻化，抑制串?dāng)_現(xiàn)象的發(fā)生。并且，通過將這種發(fā)光裝置用于有機(jī)EL顯示器，可以制造實(shí)現(xiàn)串?dāng)_對(duì)策的有機(jī)EL顯示器。
[0070]如圖2B所示，當(dāng)有機(jī)EL顯示器的像素具有條狀結(jié)構(gòu)時(shí)，從斜面蒸鍍的方向優(yōu)選為箭頭305a的方向。就是說，當(dāng)具有多個(gè)紅色的像素R及它們的像素R每一個(gè)的下部電極被配置為直線狀，多個(gè)綠色的像素G及它們的像素G每一個(gè)的下部電極被配置為直線狀，多個(gè)藍(lán)色的像素B及它們的像素B每一個(gè)的下部電極被配置為直線狀的條狀結(jié)構(gòu)時(shí)，蒸鍍方向(箭頭305a)優(yōu)選為與所述直線交叉的方向。由此，可以抑制橫方向的串?dāng)_(不同顏色之間的串?dāng)_)，可以抑制NTSC比的降低。另一方面，從箭頭305b的方向(不與所述直線交叉的方向)的斜面蒸鍍雖然可以抑制縱方向的串?dāng)_(相同顏色之間的串?dāng)_)，但是不能抑制橫方向的串?dāng)_，所以發(fā)生混色，N TSC比降低。
[0071]另外，作為EL層71的結(jié)構(gòu)可以采用各種結(jié)構(gòu)，具體而言也，可以采用如下結(jié)構(gòu)。例如，既可以采用具有適當(dāng)?shù)貙盈B導(dǎo)電性高的層、發(fā)光層等的EL層71的單元件，又可以采用隔著中間層層疊有包括導(dǎo)電性高的層的多個(gè)EL層的串聯(lián)元件。
[0072]另外，優(yōu)選的是，從襯底101的正面方向形成EL層71中的導(dǎo)電性低的層或電壓的降低成為問題的上部電極110，來防止隔壁斜面的層的高低電阻化。
[0073]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置的制造方法的一個(gè)例子的截面圖。圖3示出從相對(duì)于襯底101傾斜方向上形成導(dǎo)電性高的層時(shí)的隔壁的角度與蒸鍍角度之間的關(guān)系。另外，為了容易理解，將圖3的蒸鍛源301傾斜地表不。
[0074]當(dāng)使蒸鍍物的發(fā)射角度單純化為Φ，并且將隔壁103的斜面上的導(dǎo)電性高的層的厚度設(shè)定為t時(shí)，滿足下述算式(I)。
[0075]t=R sin (Φ-Θ)…(I)
R:蒸鍍?cè)?01垂直于襯底101時(shí)的導(dǎo)電性高的層的厚度 Φ:蒸鍍方向(箭頭305)與襯底101之間的角度
Θ:相對(duì)于第一下部電極102a、第二下部電極102b或襯底101的隔壁103的斜面的角
度
在將能夠抑制串?dāng)_現(xiàn)象的發(fā)生的導(dǎo)電性高的層的厚度設(shè)定為α的情況下，上述算式(I)成為下述算式(2)、(3)。[0076]R sin (Φ- θ ) < α...(2)
sin (Φ- θ ) < α /R...(3)
換言之，設(shè)定滿足上述算式(3)的條件的蒸鍍角度Φ和隔壁斜面的角度Θ，一邊將襯底101在箭頭304的方向上移動(dòng)一邊在箭頭305的方向上從蒸鍍?cè)?01發(fā)射蒸鍍物。如此，通過蒸鍍法在隔壁103及第一下部電極102a、第二下部電極102b上形成導(dǎo)電性高的層。由此，可以減薄導(dǎo)電性高的層，即電子注入層、電子傳輸層、空穴注入層、空穴傳輸層及中間層的隔壁103在一個(gè)斜面上的厚度。另外，導(dǎo)電性高的層的厚度的上述關(guān)系與包括導(dǎo)電性高的層的EL層的厚度的關(guān)系同樣。
[0077]另外，根據(jù)所使用的材料或元件結(jié)構(gòu)，可以任意設(shè)定能夠抑制串?dāng)_現(xiàn)象的發(fā)生的導(dǎo)電性高的層的厚度α。
[0078]圖4Α和圖4Β是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置的制造方法的一個(gè)例子的截面圖。如圖4Α和圖4Β所示，也可以在蒸鍍?cè)?01以垂直于襯底101的方式立起來的狀態(tài)下，在襯底101與蒸鍍?cè)?01之間配置掩模302a或掩模302b，由此進(jìn)行成膜。
[0079]在圖4A中，在蒸鍍?cè)?01與襯底101之間配置有遮蔽蒸鍍物的一部分的掩模302a。由此，在相對(duì)于襯底101的表面傾斜的方向(箭頭305)上發(fā)射從蒸鍍?cè)?01產(chǎn)生的蒸鍍物。并且，通過在掩模302a上將襯底101在水平方向(箭頭304)上移動(dòng)，可以只將傾斜方向的某個(gè)范圍的角度發(fā)射的蒸鍍物附著于襯底上。由此，可以減薄所形成的導(dǎo)電性高的隔壁103在一個(gè)斜面的厚度。
[0080]另外，為了更均勻地形成蒸鍍物，如圖4B所示，也可以配置具有狹縫的掩模302b。通過在蒸鍍?cè)?01與襯底101之間配置具有狹縫的掩模302b，可以只將傾斜方向的某個(gè)角度發(fā)射的蒸鍍物附著于襯底上，可以將蒸鍍物更均勻地形成在襯底101上。
[0081]實(shí)施方式2
參照?qǐng)D5A、圖5B和圖5C以及圖6A、圖6B和圖6C對(duì)根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置的一個(gè)例子進(jìn)行說明。
[0082]〈單結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件〉
作為單元件的一個(gè)例子，圖5A示出發(fā)光元件201。發(fā)光元件201在作為陽(yáng)極的電極102與作為陰極的上部電極110之間包括一層的EL層151。EL層151從電極102—側(cè)依次包括空穴注入層104、空穴傳輸層105、發(fā)光層106、電子傳輸層107、電子注入層108。為了簡(jiǎn)化附圖，在圖5B及圖5C中，將電子傳輸層107和電子注入層108合并表示為層109。
[0083]<單結(jié)構(gòu)的 底部發(fā)射型發(fā)光元件、空穴注入層的傾斜蒸鍍>
圖5B不出底部發(fā)射型發(fā)光裝置211中的第一發(fā)光兀件201a、第二發(fā)光兀件201b及第三發(fā)光兀件201c的部分的截面。第一發(fā)光兀件201a、第二發(fā)光兀件201b及第三發(fā)光兀件201c發(fā)射各不相同的顏色的光,分別包括發(fā)光層106a、發(fā)光層106b及發(fā)光層106c。另外，第一發(fā)光元件201a、第二發(fā)光元件201b及第三發(fā)光元件201c包括依次層疊的彼此分離為島狀的第一下部電極102a、第二下部電極102b及第三下部電極102c、共同的空穴注入層104、空穴傳輸層105、層109 (電子傳輸層107、電子注入層108)及上部電極110。發(fā)光層106a、發(fā)光層106b及發(fā)光層106c分別位于第一下部電極102a、第二下部電極102b、第三下部電極102c上。共同的空穴注入層104、空穴傳輸層105、層109 (電子傳輸層107、電子注入層108)及上部電極110也形成在隔壁103的頂面及斜面上，由隔壁103分離在各發(fā)光元件。
[0084]更具體而言，在第一發(fā)光元件201a中，在襯底101上依次層疊有分離為島狀的第一下部電極102a、與其他發(fā)光兀件共同的空穴注入層104、與其他發(fā)光兀件共同的空穴傳輸層105、發(fā)光層106a、與其他發(fā)光兀件共同的層109 (電子傳輸層107、電子注入層108)、與其他發(fā)光元件共同的上部電極110。與此同樣，在第二發(fā)光元件201b中，在襯底101上依次層疊有分離為島狀的第二下部電極102b、與其他發(fā)光元件共同的空穴注入層104、與其他發(fā)光兀件共同的空穴傳輸層105、發(fā)光層106b、與其他發(fā)光兀件共同的層109 (電子傳輸層107、電子注入層108)、與其他發(fā)光元件共同的上部電極110。與此同樣，在第三發(fā)光元件201c中，在襯底101上依次層疊有分離為島狀的第三下部電極102c、與其他發(fā)光元件共同的空穴注入層104、與其他發(fā)光兀件共同的空穴傳輸層105、發(fā)光層106c、與其他發(fā)光兀件共同的層109 (電子傳輸層107、電子注入層108)、與其他發(fā)光元件共同的上部電極110。另外，可以使發(fā)光層106a、發(fā)光層106b及發(fā)光層106c發(fā)射彼此不同的顏色的光,例如可以米用發(fā)光層106a、發(fā)光層106b及發(fā)光層106c分別發(fā)射R、G、B的結(jié)構(gòu)(不局限于R、G、B,也可以具有不同的波長(zhǎng))。
[0085]另外，在襯底101與第一下部電極102a之間優(yōu)選設(shè)置有濾色片162a。當(dāng)通過襯底101取出光時(shí)，可以提高顏色的純度。與此同樣，優(yōu)選的是，在襯底101與第二下部電極102b之間設(shè)置有濾色片162b，在襯底101與第三下部電極102c之間設(shè)置有濾色片162c。此外，在各濾色片之間優(yōu)選設(shè)置有遮光層161。可以使濾色片162a、162b、162c的顏色彼此不同，例如可以采用濾色片162a、162b、162c分別對(duì)應(yīng)于R、G、B的結(jié)構(gòu)(不局限于R、G、B,也可以具有不同的波長(zhǎng))。
[0086]在本實(shí)施方式中，導(dǎo)電性高的層是形成在下部電極及隔壁與發(fā)光層之間的空穴注入層104、空穴傳輸層105以及形成在發(fā)光層(發(fā)光層106a、106b、106c)與上部電極110之間的電子傳輸層107、電子注入層108。隔壁103具有位于第一下部電極一側(cè)的第一斜面(區(qū)域104a)及位于第二下部電極一側(cè)的第二斜面(區(qū)域104b)。位于第一斜面(區(qū)域104a)上的導(dǎo)電性高的層的垂直于第一斜面的方向上的厚度與位于第二斜面(區(qū)域104b)上的導(dǎo)電性高的層的垂直于第二斜面的方向上的厚度不`同。另外，它們的厚度也與垂直于下部電極的方向(區(qū)域104c)上的厚度不同。在本實(shí)施方式中，從厚到薄的厚度的順序是區(qū)域104a、區(qū)域104c、區(qū)域104b。以下，使用空穴注入層104進(jìn)行具體的說明。
[0087]在此，隔壁103的第一發(fā)光元件201a —側(cè)的接觸于第一斜面的區(qū)域104a的空穴注入層104的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度、隔壁103的第二發(fā)光元件201b—側(cè)的接觸于第二斜面的區(qū)域104b的空穴注入層104的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度、接觸于第二下部電極102b的區(qū)域104c的空穴注入層104的垂直于第二下部電極102b的方向上的厚度滿足以下關(guān)系。
[0088]區(qū)域104a > 區(qū)域 104c > 區(qū)域 104b 區(qū)域 104a=R sin (Φ+ θ )
區(qū)域 104c=R β?ηΦ 區(qū)域 104b=R sin (Φ- θ )
從上述算式，
tanO < sin θ / (1-cos θ )設(shè)定滿足上述算式的蒸鍍角度Φ和隔壁斜面的角度Θ即可。例如，當(dāng)隔壁斜面的角度為20°時(shí)將蒸鍍角度設(shè)定為80°以下，當(dāng)隔壁斜面的角度為40°時(shí)將蒸鍍角度設(shè)定為70°以下，當(dāng)隔壁斜面的角度為50°時(shí)將蒸鍍角度設(shè)定為65°以下，當(dāng)隔壁斜面的角度為55°時(shí)將蒸鍍角度設(shè)定為62.5°以下，即可。
[0089]另外，如下所述，區(qū)域104b的空穴注入層104的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度優(yōu)選為區(qū)域104c的空穴注入層104的垂直于第二下部電極102b的方向上的厚度的2分之I以下。區(qū)域104b的空穴注入層104的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度優(yōu)選為區(qū)域104a的空穴注入層104的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度的2分之I以下。此外，在區(qū)域104b中，也可以存在不形成空穴注入層104的區(qū)域(也稱為空穴注入層104的斷開)。
[0090]區(qū)域104a/2 > 區(qū)域 104c/2 > 區(qū)域 104b 區(qū)域 104a=R sin (Φ+ θ )
區(qū)域 104c=R β?ηΦ 區(qū)域 104b=R sin (Φ- θ )
從上述算式，
tanO < sin θ / (cos θ -1/2) & sin θ / (1-cos θ )
設(shè)定滿足上述算式的蒸鍍角度Φ和隔壁斜面的角度Θ即可。例如，當(dāng)隔壁斜面的角度為20°時(shí)將蒸鍍角度設(shè)定為38°以下，當(dāng)隔壁斜面的角度為40°時(shí)將蒸鍍角度設(shè)定為68°以下，當(dāng)隔壁斜面的角度為50°時(shí)將蒸鍍角度設(shè)定為65°以下，當(dāng)隔壁斜面的角度為55°時(shí)將蒸鍍角度設(shè)定為62.5°以下，即可。
[0091]如此，通過減薄區(qū)域104b的空穴注入層104的厚度，可以增大發(fā)光元件之間(在此情況下，第一發(fā)光元件201a與第二發(fā)光元件201b之間)的電阻Rrg。由此，與發(fā)光元件的電阻Roled相比，Rrg的電阻大得可以認(rèn)為發(fā)光元件之間的電阻Rrg為絕緣，所以可以抑制對(duì)于其他發(fā)光元件的電流的泄漏。
[0092]雖然上述是空穴注入層104的厚度的說明，但是其他導(dǎo)電性高的層，即電子注入層108、電子傳輸層107、空穴傳輸層105及后面說明的中間層142的厚度也是同樣的。
[0093]<單結(jié)構(gòu)的頂部發(fā)射型發(fā)光元件、空穴注入層的傾斜蒸鍍>
另外，雖然在圖5B中說明底部發(fā)射型發(fā)光元件，但是如圖5C，也可以將本發(fā)明的一個(gè)方式應(yīng)用于頂部發(fā)射型發(fā)光元件。當(dāng)使用頂部發(fā)射型發(fā)光元件的情況下，優(yōu)選在第一下部電極102a、第二下部電極102b、第三下部電極102c上設(shè)置根據(jù)發(fā)射不同的顏色的光的元件厚度不同的透明導(dǎo)電層112a、112b。例如，在圖5C中，發(fā)光裝置212中的第一發(fā)光元件201a、第二發(fā)光兀件201b、第三發(fā)光兀件201c的每一個(gè)中，第一發(fā)光兀件201a為發(fā)射最長(zhǎng)波長(zhǎng)的光的兀件，第二發(fā)光兀件201b為發(fā)射第一發(fā)光兀件201a與第三發(fā)光兀件201c之間的波長(zhǎng)的光的元件，第三發(fā)光元件201c為發(fā)射最短波長(zhǎng)的光的元件。在此情況下，優(yōu)選的是，在第一發(fā)光兀件201a的第一下部電極102a上設(shè)置透明導(dǎo)電層112a,在第二發(fā)光兀件201b的第二下部電極102b上設(shè)置薄于透明導(dǎo)電層112a的透明導(dǎo)電層112b。在第三發(fā)光元件201c的第三下部電極102c上既可以設(shè)置薄于透明導(dǎo)電層112b的透明導(dǎo)電層，又可以如圖5C那樣不設(shè)置透明導(dǎo)電層。
[0094]另外，除了設(shè)置上述透明導(dǎo)電層112a、112b之外，圖5C所示的頂部發(fā)射型發(fā)光元件具有與圖5B所示的底部發(fā)射型發(fā)光元件同樣的結(jié)構(gòu)。
[0095]通過按每個(gè)發(fā)射不同顏色的光的元件來設(shè)置厚度不同的透明導(dǎo)電層，可以將各發(fā)光元件的厚度設(shè)定為與所希望的顏色的波長(zhǎng)共振的厚度。由此，可以提高各發(fā)光元件的顏色純度。
[0096]另外，雖然未圖示，優(yōu)選在重疊于各發(fā)光元件的對(duì)置玻璃襯底上設(shè)置濾色片。通過設(shè)置對(duì)應(yīng)于各發(fā)光元件的顏色彼此不同的濾色片，當(dāng)將光取出到對(duì)置襯底一側(cè)時(shí)可以提高顏色的純度。
[0097]另外，具有根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的單結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件的發(fā)光裝置也可以具有如下結(jié)構(gòu):多個(gè)第一發(fā)光元件201a配置為直線狀，多個(gè)第二發(fā)光元件201b配置為直線狀，多個(gè)第三發(fā)光元件201c配置為直線狀，在多個(gè)第一發(fā)光元件201a的每一個(gè)與多個(gè)第二發(fā)光元件201b的每一個(gè)之間配置有隔壁103，在多個(gè)第二發(fā)光元件201b的每一個(gè)與多個(gè)第三發(fā)光元件201c的每一個(gè)之間配置有隔壁103。
[0098]<串聯(lián)結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件>
圖6A示出發(fā)光元件201作為串聯(lián)元件的一個(gè)例子。發(fā)光元件201在作為陽(yáng)極的電極102與作為陰極的上部電極110之間具有兩層的EL層，即EL層152及EL層153。在EL層152與EL層153之間具有中間層142。與單結(jié)構(gòu)不同，在串聯(lián)結(jié)構(gòu)中，在相鄰的發(fā)光元件之間不將發(fā)光層分離為島狀，而也可以在多個(gè)元件中共同使用發(fā)光層。
[0099]EL層152包括空穴注入層114、空穴傳輸層115、第一發(fā)光層116及電子傳輸層117。為了簡(jiǎn)化附圖，在圖6B和圖6C中，將空穴注入層114及空穴傳輸層115合并而表示為層140。另外,將第一發(fā)光層116及電子傳輸層117合并而表不為層141。
[0100]中間層142具有電子注入緩沖層121、電子中繼層122及電荷產(chǎn)生層123。為了簡(jiǎn)化附圖，在圖6B及圖6C中，將電子注入緩沖層121、電子中繼層122及電荷產(chǎn)生層123合并而表示為中間層142。
[0101]EL層153包括空穴傳輸層135、第二發(fā)光層136、電子傳輸層137及電子注入層138。為了簡(jiǎn)化附圖，在圖6B及圖6C中，將空穴傳輸層135、第二發(fā)光層136、電子傳輸層137及電子注入層138合并而表不為EL層153。例如,第一發(fā)光層116為藍(lán)色,第二發(fā)光層136為綠色及紅色的發(fā)光層(不局限于藍(lán)色、綠色及紅色，也可以具有不同的波長(zhǎng))。
[0102]圖6B示出底部發(fā)射型發(fā)光裝置213中的第一發(fā)光元件201a、第二發(fā)光元件201b及第三發(fā)光兀件201c的部分的截面。第一發(fā)光兀件201a、第二發(fā)光兀件201b及第三發(fā)光元件201c包括依次層疊的彼此分離為島狀額第一下部電極102a(或第二下部電極102b、第三下部電極102c)、共同的層140 (空穴注入層114及空穴傳輸層115)、層141 (第一發(fā)光層116及電子傳輸層117)、中間層142、EL層153及上部電極110。共同的空穴注入層114、層141 (第一發(fā)光層116及電子傳輸層117)、中間層142、EL層153及上部電極110也形成在隔壁103的頂面及斜面，由隔壁103分離在各發(fā)光元件。
[0103]在本實(shí)施方式中，導(dǎo)電性高的層是形成在下部電極及隔壁與發(fā)光層之間的空穴注入層114及空穴傳輸層115以及形成在第一發(fā)光層116與上部電極110之間的電子傳輸層117、中間層142 (電子注入緩沖層121、電子中繼層122及電荷產(chǎn)生層123)、空穴傳輸層135、電子傳輸層137及電子注入層138。
[0104]如本實(shí)施方式那樣，當(dāng)層疊多個(gè)導(dǎo)電性高的層時(shí)，例如也可以將空穴注入層114及空穴傳輸層115合并而稱為第一導(dǎo)電性高的層,將中間層142稱為第二導(dǎo)電性高的層。
[0105]隔壁103具有位于第一下部電極一側(cè)的第一斜面(區(qū)域142a)及位于所述第二下部電極一側(cè)的第二斜面(區(qū)域142b)。位于第一斜面(區(qū)域142a)上的導(dǎo)電性高的層的垂直于第一斜面的方向上的厚度與位于第二斜面(區(qū)域142b)上的導(dǎo)電性高的層的垂直于第二斜面的方向上的厚度不同。另外，它們的厚度也與垂直于下部電極的方向(區(qū)域142c)上的厚度不同。在本實(shí)施方式中，從厚到薄的厚度的順序是區(qū)域142a、區(qū)域142c、區(qū)域142b。
[0106]以下，使用中間層142進(jìn)行具體的說明。在此，設(shè)置在隔壁103的第一發(fā)光元件201a —側(cè)的第一斜面的區(qū)域142a的中間層142的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度、設(shè)置在隔壁103的第二發(fā)光元件201b —側(cè)的第二斜面的區(qū)域142b的中間層142的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度、設(shè)置在第二下部電極102b上的區(qū)域142c的中間層142的垂直于第二下部電極102b的方向上的厚度滿足以下關(guān)系。[0107]區(qū)域142a > 區(qū)域 142c > 區(qū)域 142b 區(qū)域 142a=R sin (Φ+ θ )
區(qū)域 142c=R β?ηΦ 區(qū)域 142b=R sin (Φ- θ )
從上述算式，
tanO < sin θ / (1-cos θ )
設(shè)定滿足上述算式的蒸鍍角度Φ和隔壁斜面的角度Θ即可。例如，當(dāng)隔壁斜面的角度為20°時(shí)將蒸鍍角度設(shè)定為80°以下，當(dāng)隔壁斜面的角度為40°時(shí)將蒸鍍角度設(shè)定為70°以下，當(dāng)隔壁斜面的角度為50°時(shí)將蒸鍍角度設(shè)定為65°以下，當(dāng)隔壁斜面的角度為55°時(shí)將蒸鍍角度設(shè)定為62.5°以下，即可。
[0108]另外，如下所述，區(qū)域142b的中間層142的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度優(yōu)選為區(qū)域142c的中間層142的垂直于第二下部電極102b的方向上的厚度的2分之I以下。區(qū)域142b的中間層142的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度優(yōu)選為區(qū)域142a的中間層142的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度的2分之I以下。此外，在區(qū)域142b中，也可以存在不形成中間層142的區(qū)域(也稱為中間層142的斷開)。
[0109]區(qū)域142a/2 > 區(qū)域 142c/2 > 區(qū)域 142b 區(qū)域 142a=R sin (Φ+ θ )
區(qū)域 142c=R β?ηΦ 區(qū)域 142b=R sin (Φ- θ )
從上述算式，
tanO < sin θ / (cos θ -1/2) & sin θ / (1-cos θ )
設(shè)定滿足上述算式的蒸鍍角度Φ和隔壁斜面的角度Θ即可。例如，當(dāng)隔壁斜面的角度為20°時(shí)將蒸鍍角度設(shè)定為38°以下，當(dāng)隔壁斜面的角度為40°時(shí)將蒸鍍角度設(shè)定為68°以下，當(dāng)隔壁斜面的角度為50°時(shí)將蒸鍍角度設(shè)定為65°以下，當(dāng)隔壁斜面的角度為55°時(shí)將蒸鍍角度設(shè)定為62.5°以下，即可。
[0110]如此，通過減薄區(qū)域142b的中間層142的厚度，可以增大發(fā)光元件之間(在此情況下，第一發(fā)光元件201a與第二發(fā)光元件201b之間)的電阻Rrg。由此，與發(fā)光元件的電阻Roled相比，Rrg的電阻大得可以認(rèn)為發(fā)光元件之間的電阻Rrg為絕緣，所以可以抑制對(duì)于其他發(fā)光元件的電流的泄漏。
[0111]另外，中間層142所包括的電子注入緩沖層121和電子中繼層122中的至少一個(gè)具有上述厚度，即可。通過它們中的至少一個(gè)的厚度滿足上述關(guān)系，可以抑制對(duì)于其他發(fā)光元件的電流的泄漏。
[0112]雖然上述是中間層142的厚度的說明，但是其他泄漏成為問題的導(dǎo)電性高的層，即空穴注入層114、空穴傳輸層115的厚度也是同樣的。
[0113]如此，通過減薄區(qū)域142b的導(dǎo)電性高的層的厚度，可以增大發(fā)光元件之間(在此情況下，第一發(fā)光元件201a與第二發(fā)光元件201b之間)的電阻Rrg。由此，與發(fā)光元件的電阻Roled相比，Rrg的電阻大得可以認(rèn)為發(fā)光元件之間的電阻Rrg為絕緣，所以可以抑制對(duì)于其他發(fā)光元件的電流的泄漏。
[0114]另外，在襯底101與第一下部電極102a之間設(shè)置濾色片162a。與此同樣，在襯底101與第二下部電極102b之間設(shè)置濾色片162b，在襯底101與第三下部電極102c之間設(shè)置濾色片162c。此外,在各濾色片之間優(yōu)選設(shè)置有遮光層161?？梢允篂V色片162a、162b、162c的顏色彼此不同，例如可以采用濾色片162a、162b、162c分別對(duì)應(yīng)于R、G、B的結(jié)構(gòu)(不局限于R、G、B,也可以具有不同的波長(zhǎng))。
[0115]<串聯(lián)結(jié)構(gòu)的頂部發(fā)射型發(fā)光元件、中間層+空穴注入層的傾斜蒸鍍>
另外，雖然在圖6B中說明底部發(fā)射型發(fā)光元件，但是如圖6C，也可以將本發(fā)明的一個(gè)方式應(yīng)用于頂部發(fā)射型發(fā)光元件。當(dāng)使用頂部發(fā)射型發(fā)光元件的情況下，優(yōu)選在第一下部電極102a、第二下部電極102b、第三下部電極102c上設(shè)置厚度不同的透明導(dǎo)電層112a、112b。例如,在圖6C中，發(fā)光裝置214中的第一發(fā)光兀件201a、第二發(fā)光兀件201b、第三發(fā)光元件201c的每一個(gè)中，第一發(fā)光元件201a為想要取出最長(zhǎng)波長(zhǎng)的光的元件，第二發(fā)光元件201b為想要取出第一發(fā)光元件201a與第三發(fā)光元件201c之間的波長(zhǎng)的光的元件，第三發(fā)光元件201c為想要取出最短波長(zhǎng)的光的元件。在此情況下，優(yōu)選的是，在第一發(fā)光元件201a的第一下部電極102a上設(shè)置透明導(dǎo)電層112a，在第二發(fā)光元件201b的第二下部電極102b上設(shè)置薄于透明導(dǎo)電層112a的透明導(dǎo)電層112b。在第三發(fā)光元件201c的第三下部電極102c上既可以設(shè)置薄于透明導(dǎo)電層112b的透明導(dǎo)電層，又可以如圖6C那樣不設(shè)置透明導(dǎo)電層。
[0116]另外，雖然未圖示，在重疊于各發(fā)光元件的對(duì)置玻璃襯底上設(shè)置濾色片。
[0117]另外，除了設(shè)置上述透明導(dǎo)電層112a、112b之外，圖6C所示的頂部發(fā)射型發(fā)光元件具有與圖6B所示的底部發(fā)射型發(fā)光元件同樣的結(jié)構(gòu)。
[0118]通過按每個(gè)想要取出不同的顏色的光的元件來設(shè)置厚度不同的透明導(dǎo)電層，可以將各發(fā)光元件的厚度設(shè)定為與想要取出的所希望的顏色的波長(zhǎng)共振的厚度。
[0119]另外，雖然在圖6B和圖6C中，中間層142及層140 (空穴注入層114及空穴傳輸層115)都根據(jù)區(qū)域而厚度不同，但是不局限于此。既可以只中間層142根據(jù)區(qū)域而厚度不同，又可以只層140 (空穴注入層114及空穴傳輸層115)根據(jù)區(qū)域而厚度不同。
[0120]另外，具有根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的串聯(lián)結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件的發(fā)光裝置也可以具有如下結(jié)構(gòu):多個(gè)第一發(fā)光元件201a配置為直線狀，多個(gè)第二發(fā)光元件201b配置為直線狀，多個(gè)第三發(fā)光元件201c配置為直線狀，在多個(gè)第一發(fā)光元件201a的每一個(gè)與多個(gè)第二發(fā)光元件201b的每一個(gè)之間配置有隔壁103，在多個(gè)第二發(fā)光元件201b的每一個(gè)與多個(gè)第三發(fā)光元件201c的每一個(gè)之間配置有隔壁103。
[0121]以下，對(duì)發(fā)光元件的各構(gòu)成要素進(jìn)行說明。
[0122]<能夠用于襯底的材料>
作為襯底101，當(dāng)從襯底一側(cè)取出光時(shí)可以使用透明襯底或半透明襯底，當(dāng)從與襯底相反一側(cè)取出光時(shí)可以使用不透明襯底。作為襯底材料，可以適當(dāng)?shù)厥褂眠x自玻璃、塑料、陶瓷、半導(dǎo)體材料、在表面進(jìn)行絕緣處理的金屬材料等的材料，也可以使用柔性材料。
[0123]〈能夠用于隔壁的材料〉
隔壁103的材料例如可以使用聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂等，作為制造方法可以使用絲網(wǎng)印刷法、狹縫涂布(Slit Coating)法等。另外，也可以使用氧化硅(SiOx)等無(wú)機(jī)絕緣材料。
[0124]〈可以用于陽(yáng)極的材料〉
作為陽(yáng)極的電極102優(yōu)選使用功函數(shù)大(具體而言，優(yōu)選為4.0eV以上)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物以及它們的混合物等。具體而言，例如可以舉出銦錫氧化物(ΙΤ0 =Indium TinOxide)、含有硅或氧化硅的銦錫氧化物、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide)、含有氧化鎢及
氧化鋅的氧化銦等。
[0125]此外，可以舉出下述物質(zhì):金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、|fi(Pd)、鈦(Ti)、金屬材料的氮化物(例如氮化鈦等)、鑰氧化物、鑰；氧化物、釕氧化物、鎢氧化物、錳氧化物、鈦氧化物等。
[0126]但是，當(dāng)以與電極102接觸的方式設(shè)置后面說明的復(fù)合材料時(shí)，可以不考慮功函數(shù)地將各種導(dǎo)電材料用于電極102。具體而言，不僅可以使用功函數(shù)大的材料，還可以使用功函數(shù)小的材料。
[0127]〈可以用于陰極的材料〉
雖然作為陰極的上部電極110優(yōu)選使用功函數(shù)小(具體地低于4.0eV)的材料，但是通過將復(fù)合材料以與上部電極110接觸的方式設(shè)置在上部電極110與發(fā)光層之間，上部電極110可以與功函數(shù)的大小無(wú)關(guān)地使用各種導(dǎo)電材料。
[0128]另外，使用使可見光透過的導(dǎo)電膜形成上部電極110和電極102中的至少取出光一側(cè)的一方。作為使可見光透過的導(dǎo)電膜，例如可以舉出含有氧化鎢的銦氧化物、含有氧化鎢的銦鋅氧化物、含有氧化鈦的銦氧化物、含有氧化鈦的銦錫氧化物、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、添加有氧化硅的銦錫氧化物等。此外，也可以使用能夠透過光的厚度(優(yōu)選為5nm以上且30nm以下左右)的金屬薄膜。
[0129]〈可以用于EL層的材料〉
以下示出可以用于構(gòu)成上述EL層的各層的材料的具體例子。
[0130]〈空穴注入層〉
空穴注入層是包含具有高空穴注入性物質(zhì)的層。作為高空穴注入性物質(zhì)，例如可以使用鑰氧化物、釩氧化物、釕氧化物、鎢氧化物、錳氧化物等。此外，還可以使用酞菁類化合物如酞菁(簡(jiǎn)稱=H2Pc)或酞菁銅(簡(jiǎn)稱:(:迎(3)、高分子如聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PED0T/PSS)等形成空穴注入層。
[0131]另外，作為空穴注入層可以使用復(fù)合材料。當(dāng)使用復(fù)合材料時(shí)，如上所述，可以不考慮功函數(shù)地使用各種導(dǎo)電材料作為電極102。[0132]復(fù)合材料是包含空穴傳輸性高的物質(zhì)和受主物質(zhì)的材料。另外，由復(fù)合材料構(gòu)成的空穴注入層，既可以含有空穴傳輸性高的物質(zhì)和受主物質(zhì)，又可以層疊有包含空穴傳輸性高的物質(zhì)的層和包含受主物質(zhì)的層。
[0133]另外，優(yōu)選的是，在復(fù)合材料中，以受主物質(zhì)與空穴傳輸性高的物質(zhì)的質(zhì)量比為
0.1以上且4.0以下的比率添加受主物質(zhì)。
[0134]作為用于復(fù)合材料的受主物質(zhì)，優(yōu)選使用過渡金屬氧化物，尤其是屬于元素周期表中的第四族至第八族的金屬的氧化物。具體而言，氧化鑰是特別優(yōu)選的。另外，氧化鑰具有吸濕性低的特征。
[0135]此外，作為用于復(fù)合材料的高空穴傳輸性物質(zhì)，可以使用各種有機(jī)化合物諸如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烴、高分子化合物(包括低聚物、樹狀聚合物、聚合體)等。具體而言，優(yōu)選使用具有10_6cm2/Vs以上的空穴遷移率的物質(zhì)。但是，只要是空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì)，使用上述以外的物質(zhì)也可以。
[0136]〈空穴傳輸層〉
空穴傳輸層是包含空穴傳輸性高的物質(zhì)的層?？昭▊鬏攲硬幌抻趩螌?，也可以層疊兩層以上的包含高空穴傳輸性物質(zhì)的層。作為空穴傳輸層使用空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì)即可。因?yàn)榭梢越档桶l(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓，所以尤其優(yōu)選使用具有10-6cm2/Vs以上的空穴遷移率的物質(zhì)。
[0137]〈發(fā)光層〉
發(fā)光層是包含發(fā)光物質(zhì)的層。發(fā)光層不限于單層，也可以為層疊有兩層以上的包含發(fā)光物質(zhì)的層的疊層。作為發(fā)光物質(zhì)，可以使用熒光化合物或磷光化合物。將磷光化合物用于發(fā)光物質(zhì)可以提高發(fā)光元件的發(fā)光效率，所以是優(yōu)選的。
[0138]優(yōu)選將發(fā)光物質(zhì)分散在施主材料中使用。作為施主材料，優(yōu)選使用其激發(fā)能量大于發(fā)光物質(zhì)的激發(fā)能量的材料。
[0139]<電子傳輸層>
電子傳輸層是包含電子傳輸性高的物質(zhì)的層。電子傳輸層不局限于單層結(jié)構(gòu)，也可以是層疊兩層以上的包含電子傳輸性高的物質(zhì)的層的結(jié)構(gòu)。作為電子傳輸層使用電子傳輸性高于空穴傳輸性的物質(zhì)即可。因?yàn)榭梢越档桶l(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓，所以特別優(yōu)選使用具有10_6cm2/Vs以上的電子遷移率的物質(zhì)。
[0140]<電子注入層>
電子注入層是包含電子注入性高的物質(zhì)的層。電子注入層不限于單層，也可以是層疊兩層以上的包含電子注入性高的物質(zhì)的層的疊層。通過采用設(shè)置電子注入層的結(jié)構(gòu)，可以提高來自上部電極110的電子注入效率而降低發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓，所以是優(yōu)選的。
[0141]作為電子注入性高的物質(zhì)，例如可以舉出鋰(Li)、銫(Cs)、鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF2)等堿金屬、堿土金屬或它們的化合物。另外，還可以使用其中含有堿金屬、堿土金屬、鎂(Mg)或它們的化合物的具有電子傳輸性的物質(zhì)，例如，其中含有鎂(Mg)的Alq等。
[0142]<可以用于中間層的材料>
以下示出可以用于構(gòu)成上述中間層的各層的材料的具體例子。
[0143]<可以用于電荷產(chǎn)生層的材料> 電荷產(chǎn)生層是包含空穴傳輸性高的物質(zhì)和受主物質(zhì)的層，可以使用上述復(fù)合材料。
[0144]<可以用于電子中繼層的材料>
電子中繼層122是能夠快速接收由受主物質(zhì)在電荷產(chǎn)生層中抽出的電子的層。因此，電子中繼層122是包含高電子傳輸性物質(zhì)的層，并且其LUMO能級(jí)位于電荷產(chǎn)生層中的受主物質(zhì)的受主能級(jí)與發(fā)光層的LUMO能級(jí)之間。具體而言，優(yōu)選設(shè)定為-5.0eV以上且-3.0eV以下。
[0145]作為用于電子中繼層122的物質(zhì)，例如，可以舉出二萘嵌苯衍生物和含氮稠環(huán)芳香化合物。另外，因?yàn)楹憝h(huán)芳香化合物是穩(wěn)定的化合物，所以作為用于電子中繼層122的物質(zhì)是優(yōu)選的。再者，通過使用含氮稠環(huán)芳香化合物中的具有氰基或氟等電子吸引基的化合物，能夠使電子中繼層122中的電子接受變得更容易，所以是優(yōu)選的。
[0146]<可以用于電子注入緩沖層的材料>
電子注入緩沖層121是使電子容易從電荷產(chǎn)生層注入到發(fā)光層的層。通過在電荷產(chǎn)生層和發(fā)光層之間設(shè)置電子注入緩沖層121，可以緩和兩者的注入勢(shì)壘。
[0147]電子注入緩沖層121可以使用堿金屬、堿土金屬、稀土金屬以及它們的化合物(堿金屬化合物(包括氧化鋰等氧化物、齒化物、碳酸鋰或碳酸銫等碳酸鹽)、堿土金屬化合物(包括氧化物、齒化物、碳酸鹽)或稀土金屬的化合物(包括氧化物、齒化物、碳酸鹽))等高電子注入性物質(zhì)。
[0148]另外，在電子注入緩沖層121包含高電子傳輸性物質(zhì)和施主物質(zhì)而形成的情況下，優(yōu)選以施主物質(zhì)與高電子傳輸性物質(zhì)的質(zhì)量比為0.001以上且0.1以下的比率添加施主物質(zhì)。另外，作為施主物質(zhì)，除了堿金屬、堿土金屬、稀土金屬和它們的化合物(堿金屬化合物(包括氧化鋰等氧化物、齒化物、碳酸鋰或碳酸銫等碳酸鹽)、堿土金屬化合物(包括氧化物、齒化物、碳酸鹽)或稀土金屬的化合物(包括氧化物、齒化物、碳酸鹽))以外，還可以使用四硫并四苯(tetrathianaphthacene )(簡(jiǎn)稱:TTN)、二茂鎳、十甲基二茂鎳等有機(jī)化合物。另外，作為高電子傳輸性物質(zhì)，可以使用與以上說明的可以形成在EL層中的一部分的電子傳輸層的材料同樣的材料來形成。
[0149]例如，在圖5B的發(fā)光裝置211所具有的第一發(fā)光元件201a中，當(dāng)對(duì)第一下部電極102a與上部電極110之間施加高于第一發(fā)光兀件201a的閾值電壓的電壓時(shí),空穴從第一下部電極102a —側(cè)通過空穴注入層104及空穴傳輸層105注入到發(fā)光層中，電子從下部電極110—側(cè)通過電子注入層108及電子傳輸層107注入到發(fā)光層中。被注入的空穴和電子在發(fā)光層中重新結(jié)合，包含在第一發(fā)光兀件201a的發(fā)光層106a中的發(fā)光有機(jī)化合物發(fā)光。
[0150]另外，也可以采用不設(shè)置空穴傳輸層105而空穴注入層104兼用作空穴傳輸層105的結(jié)構(gòu)。此外，也可以采用不設(shè)置電子傳輸層107而電子注入層108兼用作空穴傳輸層107的結(jié)構(gòu)。
[0151]另外，如圖6B和圖6C的發(fā)光裝置213、214那樣，在采用串聯(lián)結(jié)構(gòu)的發(fā)光裝置的情況下，第一發(fā)光元件201a在EL層152與EL層153之間具有中間層142。
[0152]此外，設(shè)置在陽(yáng)極與陰極之間的EL層的個(gè)數(shù)不局限于兩個(gè)。例如，在陽(yáng)極與陰極之間設(shè)置η (η為2以上的自然數(shù))層的EL層的情況下，采用在第m (m為自然數(shù)，I以上(η-1)以下)EL層與第(m+1) EL層之間分別設(shè)置中間層的結(jié)構(gòu)。
[0153]接著，參照?qǐng)D7A至圖7C對(duì)在像素被配置為條狀的襯底101上形成導(dǎo)電性高的層的方法進(jìn)行說明。
[0154]準(zhǔn)備如圖7B所示的具有條狀結(jié)構(gòu)的襯底101，其中多個(gè)第一顏色的像素配置為直線狀，多個(gè)第二顏色的像素配置為直線狀，多個(gè)第三顏色的像素配置為直線狀。
[0155]接著，如圖7A所示那樣，在蒸鍍?cè)?01以垂直于襯底101的方式立起來的狀態(tài)下，在襯底101與蒸鍍?cè)?01之間配置具有狹縫的掩模302b，在該掩模302b與襯底101之間配置掩模303，由此進(jìn)行成膜。另外，如圖7C所示，蒸鍍?cè)?01也可以是將多個(gè)點(diǎn)源311配置為直線狀的蒸鍍?cè)础?br> [0156]就是說，如圖7A所示，在蒸鍍?cè)?01與襯底101之間配置具有狹縫的掩模302b，使用掩模302b遮蔽從蒸鍍?cè)?01產(chǎn)生的蒸鍍物，由此在相對(duì)于襯底101的表面傾斜的方向(箭頭305)上發(fā)射穿過狹縫的蒸鍍物。并且，通過在狹縫上將襯底101在水平方向(箭頭304)上移動(dòng)，可以只將某個(gè)規(guī)定的角度發(fā)射的蒸鍍物附著于襯底上。由此，可以減薄所形成的導(dǎo)電性高的隔壁的一方的斜面的厚度。
[0157]符號(hào)說明 71 EL 層
72隔壁 74斜面 81上部電極 82?84下部電極
85EL 層
86中間層
87EL 層
88對(duì)置玻璃襯底 89載流子傳輸層 90空穴注入/傳輸層 91發(fā)光層
92電子注入/傳輸層 93,94箭頭 101襯底
102電極(下部電極)
102a第一下部電極
102b第二下部電極
102c第三下部電極
103隔壁
104空穴注入層
104a、104b、104c 區(qū)域
105空穴傳輸層
106、106a、106b、106c 發(fā)光層
107電子傳輸層
108電子注入層109層110上部電極112a、112b透明導(dǎo)電層114空穴注入層115空穴傳輸層116第一發(fā)光層117電子傳輸層121電子注入緩沖層123電荷產(chǎn)生層135空穴傳輸層136第二發(fā)光層137電子傳輸層138電子注入層140?141 層142中間層142a、142b、142c 區(qū)域151 ?153 EL 層161遮光層
162a、162b、162c 濾色片
201、201a、201b、201c 發(fā)光元件
211?214發(fā)光裝置
301蒸鍍?cè)?br> 302a,302b,302c 掩模
304,305,305a,305b 箭頭
311點(diǎn)源
401?403晶體管。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光裝置，包括: 第一下部電極和第二下部電極； 所述第一下部電極與所述第二下部電極之間的隔壁； 所述第一下部電極、所述隔壁和所述第二下部電極上的上部電極；以及所述上部電極與所述第一下部電極、所述隔壁、所述第二下部電極之間的導(dǎo)電層和發(fā)光層， 其中，所述導(dǎo)電層的導(dǎo)電性高于所述發(fā)光層的導(dǎo)電性且低于所述第一下部電極、所述第二下部電極和所述上部電極的每一個(gè)的導(dǎo)電性， 所述隔壁包括位于第一下部電極一側(cè)的第一斜面和位于第二下部電極一側(cè)的第二斜面， 并且，位于所述第一斜面上的所述導(dǎo)電層和所述發(fā)光層的垂直于所述第一斜面的方向上的總厚度大于位于所述第二斜面上的所述導(dǎo)電層和所述發(fā)光層的垂直于所述第二斜面的方向上的總厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置， 其中位于所述第二斜面上的所述導(dǎo)電層和所述發(fā)光層的垂直于所述第二斜面的所述方向上的所述總厚度小于位于所述第一下部電極上的所述導(dǎo)電層和所述發(fā)光層的垂直于所述第一下部電極的方向上的總厚度， 并且位于所述第一斜面上的所述導(dǎo)電層和所述發(fā)光層的垂直于所述第一斜面的所述方向上的所述總厚度大于位于所述第一下部電極上的所述導(dǎo)電層和所述發(fā)光層的垂直于所述第一下部電極的所述方向上的所述總厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中位于所述第二斜面上的所述導(dǎo)電層的垂直于所述第二斜面的所述方向上的厚度小于或等于位于所述第一斜面上的所述導(dǎo)電層的垂直于所述第一斜面的所述方向上的厚度的2分之I。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中位于所述第二斜面上的所述導(dǎo)電層的垂直于所述第二斜面的所述方向上的厚度小于或等于位于所述第一下部電極上的所述導(dǎo)電層的垂直于所述第一下部電極的所述方向上的厚度的2分之I。
5.一種發(fā)光裝置，包括: 第一下部電極和第二下部電極； 所述第一下部電極與所述第二下部電極之間的隔壁； 所述第一下部電極、所述隔壁和所述第二下部電極的每一個(gè)上的第一發(fā)光層； 所述第一發(fā)光層上的第一導(dǎo)電層； 所述第一導(dǎo)電層上的第二發(fā)光層；以及 所述第二發(fā)光層上的上部電極， 其中，所述第一導(dǎo)電層的導(dǎo)電性高于所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層的每一個(gè)的導(dǎo)電性且低于所述第一下部電極、所述第二下部電極和所述上部電極的每一個(gè)的導(dǎo)電性，所述隔壁包括位于第一下部電極一側(cè)的第一斜面和位于第二下部電極一側(cè)的第二斜面， 并且，位于所述第一斜面上的所述第一導(dǎo)電層的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度大于位于所述第二斜面上的所述第一導(dǎo)電層的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其中位于所述第二斜面上的所述第一導(dǎo)電層的垂直于所述第二斜面的所述方向上的厚度小于或等于位于所述第一斜面上的所述第一導(dǎo)電層的垂直于所述第一斜面的所述方向上的厚度的2分之I。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其中位于所述第二斜面上的所述第一導(dǎo)電層的垂直于所述第二斜面的所述方向上的厚度小于或等于位于所述第一下部電極上的所述第一導(dǎo)電層的垂直于所述第一下部電極的所述方向上的厚度的2分之I。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，還包括所述上部電極上的濾色片， 其中所述濾色片包括與所述第一下部電極重疊的具有第一顏色的區(qū)域以及與所述第二下部電極重疊的具有第二顏色的區(qū)域， 并且所述第一顏色與所述第二顏色不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置， 其中發(fā)射第一顏色的光的多個(gè)第一發(fā)光元件配置為線狀， 發(fā)射第二顏色的光的多個(gè)第二發(fā)光元件配置為線狀， 所述多個(gè)第一發(fā)光元件的每一個(gè)包括位于所述第一下部電極與所述上部電極之間的所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層， 所述多個(gè)第二發(fā)光元件的每一個(gè)包括位于所述第二下部電極與所述上部電極之間的所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層， 并且所述隔壁設(shè)置在所述多個(gè)第一發(fā)光元件的每一個(gè)與所述多個(gè)第二發(fā)光元件的每一個(gè)之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光`裝置，還包括:所述第一下部電極、所述隔壁和所述第二下部電極的每一個(gè)的上方且所述第一發(fā)光層的下方的第二導(dǎo)電層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其中位于所述第一斜面上的所述第二導(dǎo)電層的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度大于位于所述第二斜面上的所述第二導(dǎo)電層的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其中位于所述第二斜面上的所述第二導(dǎo)電層的垂直于所述第二斜面的所述方向上的厚度小于或等于位于所述第一斜面上的所述第二導(dǎo)電層的垂直于所述第一斜面的所述方向上的厚度的2分之I。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其中位于所述第二斜面上的所述第二導(dǎo)電層的垂直于所述第二斜面的所述方向上的厚度小于或等于位于所述第一下部電極上的所述第二導(dǎo)電層的垂直于所述第一下部電極的所述方向上的厚度的2分之I。
14.一種發(fā)光裝置的制造方法，包括如下步驟: 準(zhǔn)備具有多個(gè)第一下部電極、多個(gè)第二下部電極和所述多個(gè)第一下部電極的每一個(gè)與所述多個(gè)第二下部電極的每一個(gè)之間的隔壁的襯底；以及 以在相對(duì)于所述襯底的表面傾斜的方向上發(fā)射從蒸鍍?cè)凑翦兊恼翦兾锏姆绞?，在所述多個(gè)第一下部電極、所述隔壁和所述多個(gè)第二下部電極的每一個(gè)上形成導(dǎo)電層， 其中，所述導(dǎo)電層的導(dǎo)電性低于所述多個(gè)第一下部電極和所述多個(gè)第二下部電極的每一個(gè)的導(dǎo)電性， 所述隔壁各包括位于第一下部電極一側(cè)的第一斜面和位于第二下部電極一側(cè)的第二斜面，并且，位于所述第一斜面上的所述導(dǎo)電層的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度大于位于所述第二斜面上的所述導(dǎo)電層的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置的制造方法， 其中所述多個(gè)第一下部電極和所述多個(gè)第二下部電極各配置為線狀， 并且所述傾斜的方向是交叉所述線的方向。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中相對(duì)于所述襯底的所述表面傾斜的所述方向上的所述蒸鍍物的發(fā)射是指如下情況:從所述蒸鍍?cè)凑翦兊乃稣翦兾锉辉O(shè)置在所述蒸鍍?cè)磁c所述襯底之間的具有狹縫的掩模遮蔽，并且在相對(duì)于所述襯底的所述表面傾斜的所述方向上發(fā)射穿過所述狹縫的所述蒸鍍物。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置的制造方法，還包括如下步驟: 在形成所述導(dǎo)電層之后，在所述導(dǎo)電層上形成位于所述第一下部電極和所述第二下部電極的每一個(gè)上的發(fā)光層；以及在所述發(fā)光層上形成上部電極， 其中所述導(dǎo)電層 的導(dǎo)電性高于所述發(fā)光層的導(dǎo)電性且低于所述上部電極的導(dǎo)電性。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK103887443SQ201310708062
【公開日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2013年12月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月21日
【發(fā)明者】橫山浩平, 小坂知裕, 下敷領(lǐng)文一, 川戶伸一, 菊池克浩, 二星學(xué), 越智貴志, 塚本優(yōu)人, 大崎智文 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所, 夏普株式會(huì)社