專利名稱：一種uv硅膠封裝led的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種UV硅膠，進(jìn)一步還涉及該UV硅膠封裝LED及其封裝工藝。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)LED封裝使用材料以硅膠為主，攪拌均勻脫泡后(去除混合體中氣體)點在焊好金絲的LED芯片上，芯片可固定在支架中，也可在多個集成的基板上的一定范圍內(nèi)，這種工藝過程稱為點膠。點膠有多種方法:噴涂、定量定點、印刷。完成點膠后，用烘烤的辦法來固化硅膠。烘烤常常在100°C以上，長達(dá)6-12個小時。這個工藝過程在LED生產(chǎn)中是時間最長、能源成本最高一個步驟。
發(fā)明內(nèi)容為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷不足，本發(fā)明的目的是提供一種易存儲、固化快、綠色環(huán)保的UV硅膠封裝LED及其封裝工藝。為了實現(xiàn)以上目的，本發(fā)明提供了一種UV硅膠封裝LED，包括位于底層的散熱基座，所述的散熱基座的上表面鍍有金屬層，所述的散熱基座的預(yù)定位置向下凹陷形成若干凹杯，各個所述的凹杯的底部設(shè)置有電路、LED芯片，所述的凹杯的內(nèi)腔中填充有至少一層UV硅膠，每層所述的UV硅膠內(nèi)均勻分布有熒光粉顆粒。作為進(jìn)一步的改進(jìn)，所述的凹杯的內(nèi)腔中填充有第一 UV硅膠層以及位于所述的第一 UV娃膠層上方的第二 UV娃膠層,分布于所述的第二 UV娃膠層內(nèi)的突光粉顆粒的種類由第一 UV硅膠層的出射光與預(yù)期光的色度差決定。根據(jù)本發(fā)明的·另一方面，本發(fā)明提供了一種UV硅膠，包括質(zhì)量百分比為40%飛0%的U硅膠、質(zhì)量百分比為40%飛0%的V硅膠、熒光粉，所述的U硅膠、V硅膠內(nèi)分別含有光引發(fā)固化劑，所述的光引發(fā)固化劑在U硅膠和V硅膠混合后的固化頻率為紫外段，從而當(dāng)U硅膠和V硅膠混合并被紫外線照射后才可被固化。作為進(jìn)一步的改進(jìn)，所述的U硅膠包括改性丙烯酸脂齊聚體、丙烯酸脂單體、光引發(fā)固化劑以及助劑。作為進(jìn)一步的改進(jìn)，所述的V硅膠包括改性丙烯酸脂齊聚體、丙烯酸脂單體、光引發(fā)固化劑、硅、二氧化硅以及助劑。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，本發(fā)明提供了一種UV硅膠封裝LED封裝工藝，包括如下步驟:a)對LED芯片進(jìn)彳丁固晶、焊金絲；b)將U硅膠和熒光粉均勻混合后加入V膠并脫泡后形成UV硅膠；c)將UV硅膠通過點膠工序點在凹杯內(nèi)；d)使用紫外燈照射UV硅膠使固化成為第一 UV硅膠層。作為進(jìn)一步的改進(jìn)，在所述的步驟d)之后還有二次點膠步驟，包括在凹杯的內(nèi)腔中的第一 UV娃膠層上方點膠并固化形成第二 UV娃膠層,分布于所述的第二 UV娃膠層內(nèi)的熒光粉顆粒的種類由第一 UV硅膠層的出射光與預(yù)期光的色度差決定。作為進(jìn)一步的改進(jìn)，所述的步驟d)中紫外燈所產(chǎn)生的紫外光波長為32(T370nm。作為進(jìn)一步的改進(jìn)，所述的步驟d)中紫外燈的功率為125W。作為進(jìn)一步的改進(jìn)，所述的步驟d)中紫外燈的照射時間為5S。由于采用了以上技術(shù)方案，本發(fā)明的UV硅膠易存儲、固化快、綠色環(huán)保，并且由于其快速固化的特點，使得分布于其中的熒光粉顆粒十分均勻，從而使得UV硅膠封裝LED具有出光均勻、可以矯正出光色度等優(yōu)點，而據(jù)此的UV硅膠封裝LED封裝工藝則生產(chǎn)周期短、能耗較低。

附圖1為根據(jù)本發(fā)明的UV硅膠封裝LED的主剖視圖；附圖2為根據(jù)本發(fā)明的UV硅膠封裝LED封裝工藝流程圖；圖中:1、散熱基座；2、金屬層；3、LED芯片；4、第一 UV硅膠層；5、第二 UV硅膠層。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的較佳實施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。附圖1為根據(jù)本發(fā)明的UV硅膠封裝LED的主剖視圖，本實施例中的UV硅膠封裝LED包括位于底層的散熱基座1，所述的散熱基座I的上表面鍍有金屬層2，所述的散熱基座I的預(yù)定位置向下凹陷 形成若干凹杯，各個所述的凹杯的底部設(shè)置有電路、LED芯片3，所述的凹杯的內(nèi)腔中填充有第一 UV硅膠層4以及位于所述的第一 UV硅膠層4上方的第二 UV娃膠層5,第一 UV娃膠層4與第二 UV娃膠層5中各自均勻分布有突光粉顆粒,其中，分布于所述的第二 UV硅膠層5內(nèi)的熒光粉顆粒的種類(例如RGB三基色熒光粉的比例)由第一UV硅膠層4的出射光與預(yù)期光的色度差(RGB差值)決定，從而可以在第一 UV硅膠層4上做出一定的修正光色度，或者，在第一 UV硅膠層4基礎(chǔ)上形成多種局部的不同色度的出射光。本發(fā)明中的UV硅膠，包括質(zhì)量百分比為40% 60%的U硅膠、質(zhì)量百分比為40% 60%的V硅膠、熒光粉，U硅膠含有光引發(fā)固化劑，V硅膠也含有光引發(fā)固化劑，上述的光引發(fā)固化劑在U硅膠和V硅膠混合后的固化頻率為紫外段，從而當(dāng)U硅膠和V硅膠混合并被紫外線照射后固化。而在U膠和V膠未混合時不能固化，很便于膠的保存，有很好的透光率，高達(dá)98%以上，按一定比例范圍U膠:0.4-0.6，V膠0.6-0.4，可以決定固化后材料硬度，這個硬度范圍和市場上硅膠硬度范圍相同，攪拌均勻后，固化條件和UV膠相同，用一定波長(320—370nm)、一定強度紫外線照射幾秒鐘即可固化。固化后密封性和UV膠相同，強度好，粘接力好，硅成分的導(dǎo)熱性好，隨溫度變化小。不變色，不怕紫外線，壽命長，是LED理想封裝材料。具體的，U硅膠包括改性丙烯酸脂齊聚體、丙烯酸脂單體、光引發(fā)固化劑以及助劑，V硅膠包括改性丙烯酸脂齊聚體、丙烯酸脂單體、光引發(fā)固化劑、硅、二氧化硅以及助劑。參見附圖2，為根據(jù)本發(fā)明的UV硅膠封裝LED封裝工藝流程圖，包括如下步驟:1.不論是支架方式、集成封裝方式，按原有工藝對LED芯片進(jìn)行固晶、焊金絲；2.將無色透明U膠和熒光粉混合后，在公轉(zhuǎn)與自轉(zhuǎn)攪拌機均勻攪拌，加入V膠，攪拌脫泡；U膠和V膠比例是:U膠0.4-0.6，V膠0.6-0.4 ;熒光粉是一定量；[0028]3.將經(jīng)過上述處理后的混合液體UV硅膠通過點膠工序點在凹杯內(nèi)；4.使用125W紫外線燈照射UV硅膠5秒以內(nèi)迅即固化成為第一 UV硅膠層，紫外燈所產(chǎn)生的紫外光波長為32(T370nm。實驗證明紫外線照射對LED芯片和熒光粉無不良影響，本材料可用于貼片式LED生產(chǎn)和集成封裝LED生產(chǎn)；整個生產(chǎn)過程從原來的數(shù)小時縮短到數(shù)分鐘，大大提高了生產(chǎn)效率；此外，因為取消了烘烤，大大節(jié)約了電能，以及在長時間烘烤過程中帶來熒光粉沉淀負(fù)面影響。在步驟4)之后還有二次點膠步驟，包括在凹杯的內(nèi)腔中的第一 UV硅膠層上方點膠并固化形成第二 UV硅膠層，分布于所述的第二 UV硅膠層內(nèi)的熒光粉顆粒的種類由第一UV硅膠層的出射光與預(yù)期光的色度差決定。以上實施方式只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人了解本發(fā)明的內(nèi)容并加以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡根據(jù)本發(fā)明精神實質(zhì)所做的等效變化或修飾 ，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種UV娃膠封裝LED,其特征在于:包括位于底層的散熱基座(I),所述的散熱基座(I)的上表面鍍有金屬層(2)，所述的散熱基座(I)的預(yù)定位置向下凹陷形成若干凹杯，各個所述的凹杯的底部設(shè)置有電路、LED芯片(3)，所述的凹杯的內(nèi)腔中填充有至少一層UV硅膠(4，5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的UV硅膠封裝LED，其特征在于:所述的凹杯的內(nèi)腔中填充有第一 UV硅膠層(4)以及位于·所述的第一 UV硅膠層(4)上方的第二 UV硅膠層(5)。
專利摘要一種UV硅膠封裝LED，包括位于底層的散熱基座，所述的散熱基座的上表面鍍有金屬層，所述的散熱基座的預(yù)定位置向下凹陷形成若干凹杯，各個所述的凹杯的底部設(shè)置有電路、LED芯片，所述的凹杯的內(nèi)腔中填充有至少一層UV硅膠，每層所述的UV硅膠內(nèi)均勻分布有熒光粉顆粒。本實用新型解決了現(xiàn)有技術(shù)中的問題，提供一種易存儲、固化快、綠色環(huán)保的UV硅膠封裝LED。
文檔編號H01L33/56GK203103352SQ20132006031
公開日2013年7月31日 申請日期2013年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月25日
發(fā)明者張興, 李天海, 王群力 申請人:嘉悠國際貿(mào)易(上海)有限公司