一種紫外及藍光led雙驅動白光照明裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種紫外及藍光LED雙驅動白光照明裝置，包括4塊發(fā)光體。4塊發(fā)光體中有2塊為藍光芯片激發(fā)的白光LED，另外2塊為紫外光芯片激發(fā)的白光LED。所述紫外光芯片激發(fā)的白光LED中，紫外光芯片發(fā)射光譜的波長范圍為大于345nm而小于395nm。所述紫外光芯片激發(fā)的白光LED中，紫外光芯片激發(fā)的熒光粉的化學成分為Na3Y0.97Dy0.295Tm0.005Si3O9。照明裝置工作時，2塊藍光芯片激發(fā)的白光LED與2塊紫外光芯片激發(fā)的白光LED同時發(fā)光。
【專利說明】—種紫外及藍光LED雙驅動白光照明裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及照明領域，特別是涉及ー種紫外及藍光LED雙驅動白光照明裝置。
【背景技術】
[0002]LED (Light emitting diode,發(fā)光二極管)是ー種能將電能轉化為光能的半導體器件。由于白光LED具有高效、節(jié)能、環(huán)保、結構堅固、使用壽命長及響應時間短等優(yōu)點，目前已廣泛應用于指示、背光源及照明領域。常見的白光LED多依靠熒光粉轉換實現(xiàn)白光輸出，較為普遍的方式包括以下兩種:
[0003]①藍光芯片激發(fā)的白光LED。該類型的白光LED中，芯片發(fā)出的藍色光激發(fā)了黃色突光粉得到黃光，未被吸收的藍光和黃光復合得到白光。
[0004]②紫外光芯片激發(fā)的白光LED。利用紫外光(UV) LED激發(fā)熒光粉。該白光LED的特點為光源器件中光譜的可見光部分完全由熒光粉產(chǎn)生。
[0005]LED器件中，有3個比較重要的參數(shù):效率、顯色指數(shù)和色溫。效率越高，LED越節(jié)能；顯色指數(shù)越高(最高為100)，LED照射下物體表現(xiàn)出的顔色越接近太陽光照射下的顏色；LED的色溫越高，物體表現(xiàn)出的色調越冷(冷色調的光源不適合室內照明)。藍光芯片激發(fā)的白光LED的特點是照明器件的色溫低，缺點是發(fā)光效率低，顯色指數(shù)低；紫外光芯片激發(fā)的白光LED，優(yōu)點是紫外光的能量比藍光的能量高，所以紫外光LED的發(fā)光效率比較高，顯色指數(shù)高，缺點是色溫偏高。
[0006]傳統(tǒng)LED照明器件中，要么使用藍光激發(fā)的白光LED，要么使用紫外光芯片激發(fā)的白光LED，還沒有混合使用兩種LED的照明器件。如何綜合利用這兩種不同種類白光LED的各自優(yōu)點、克服兩者的缺點、實現(xiàn)白光照明是ー項新的研究課題。
實用新型內容
[0007]本實用新型需要解決的技術問題就在于克服現(xiàn)有技術的缺陷，提供ー種紫外及藍光LED雙驅動白光照明裝置，它是ー種高發(fā)光效率、高顯色指數(shù)、低色溫的混合LED照明裝置，綜合利用了藍光芯片激發(fā)的白光LED照明器件色溫低和紫外光芯片激發(fā)的白光LED的發(fā)光效率比較高、顯色指數(shù)高的優(yōu)點，克服藍光芯片激發(fā)的白光LED照明器件發(fā)光效率低、顯色指數(shù)低和紫外光芯片激發(fā)的白光LED色溫偏高的缺點，實現(xiàn)白光照明。
[0008]為解決上述問題，本實用新型采用如下技術方案:
[0009]本實用新型提供了ー種紫外及藍光LED雙驅動白光照明裝置，裝置的發(fā)光體共有4塊，所述4塊發(fā)光體中有2塊為藍光芯片激發(fā)的白光LED，另外2塊為紫外光芯片激發(fā)的白光LED，所述2塊藍光芯片激發(fā)的白光LED中，一塊位于照明裝置的右上角，另外ー塊位于照明裝置的左下角，所述紫外光芯片激發(fā)的白光LED，一塊位于照明裝置的左上角，另外ー塊位于照明裝置的右下角。
[0010]所述藍光芯片激發(fā)的白光LED中，包括熒光粉及藍光芯片，熒光粉的化學組成為Y2.328CeaQ72MgQ.2A14.401Q.4，芯片為發(fā)射波長范圍為大于400 nm而小于485 nm的GaInN芯片。
[0011]所述紫外光芯片激發(fā)的白光LED中，包括熒光粉及紫外光芯片，熒光粉的化學組成為Na3Ya97Dya 295Tmatltl5Si3O9,芯片為發(fā)射波長范圍為大于345 nm而小于395 nm的紫外光芯片。
[0012]4塊發(fā)光體連接到同一驅動電路中，照明裝置工作吋，2塊藍光芯片激發(fā)的白光LED與2塊紫外光芯片激發(fā)的白光LED同時發(fā)光。
[0013]本實用新型提供的是ー種紫外及藍光LED雙驅動白光照明裝置，該照明裝置具有高發(fā)光效率、高顯色指數(shù)、低色溫的優(yōu)點。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0014]圖1為本實用新型ー種紫外及藍光LED雙驅動白光照明裝置的結構示意圖。
[0015]圖2為本實用新型中所述LED的封裝結構形式。
[0016]圖3為本實用新型中所述紫外光芯片激發(fā)的白光LED的發(fā)射光譜。
[0017]圖4為本實用新型中所述藍光芯片激發(fā)的白光LED的發(fā)射光譜。
[0018]圖5為本實用新型ー種紫外及藍光LED雙驅動白光照明裝置的發(fā)射光譜。
【具體實施方式】
[0019]參見圖1，本實用新型ー種紫外及藍光LED雙驅動白`光照明裝置，此裝置中發(fā)光體共有4塊。4塊發(fā)光體中有2塊為藍光芯片激發(fā)的白光LED (001)，另外2塊為紫外光芯片激發(fā)的白光LED(002)，按照如圖1所述的方式排列。圖2給出了藍光芯片激發(fā)的白光LED(OOl)和紫外光芯片激發(fā)的白光LED (002)都采用的封裝形式11，EMC (Epoxy MoldingCompound )基板19上固定有兩條引線12、13,這些引線的一端位于基板的中央部位,另ー端引出到外部做安裝到電路板時的焊接電極。在引線12的一端放置了芯片14，芯片14的下部電極和下方引線的底面用導電膠連接，上部電極和另外一條引線13用細金線15連接。將熒光粉以15%質量濃度混合到環(huán)氧樹脂中，用點膠機將混合好的熒光粉17與環(huán)氧樹脂16涂覆于芯片14的上方，18是用來固定14和17的ー種樹脂，部件20的作用是將芯片14和熒光粉17發(fā)出的光反射出去。在上述封裝結構中，當芯片14為藍光芯片時，所用熒光粉的化學成分為Y2.328Cea^Mga2Al44Oia4,當芯片14為紫外光芯片時，所用熒光粉的化學成分為Na3Ytl.97Dy0.295T1H0.005S i 309。
[0020]圖3給出了紫外光芯片激發(fā)的白光LED的光譜，紫外光芯片發(fā)射光譜的波長范圍為大于345 nm而小于395 nm,主峰位于360 nm,紫外光芯片激發(fā)的突光粉的化學成分為Na3Ya97Dya 295Tmatltl5Si3O9 ;紫外光芯片激發(fā)的白光LED的效率為140 lm/W，顯色指數(shù)為88，色溫為9000 K?？梢钥闯觯贤夤庑酒ぐl(fā)的白光LED的光效較高，顯色指數(shù)較高，但是色溫偏尚。
[0021]圖4給出了藍光芯片激發(fā)的白光LED的光譜，藍光芯片發(fā)射光譜的波長范圍為大于400 nm而小于485 nm,主峰位于450 nm,藍光芯片激發(fā)的突光粉的化學成分為Y2.S28Ce0.Q72Mg0.2AI4.A0.4 ;藍光芯片激發(fā)的白光LED的效率為78 lm/ff,顯色指數(shù)為78，色溫為4800 K。可以看出，藍光芯片激發(fā)的白光LED的光效較低，顯色指數(shù)偏低，但是色溫較低。
[0022]圖5給出了本實用新型ー種紫外及藍光LED雙驅動白光照明裝置。2塊為藍光芯片激發(fā)的白光LED (OOl),藍光芯片發(fā)射光譜的波長范圍為大于400 nm而小于485 nm,主峰位于450 nm，藍光芯片激發(fā)的熒光粉的化學成分為Y2.328Cea^Mga2Al44Oia4 ;2塊為紫外光芯片激發(fā)的白光LED (002),紫外光芯片發(fā)射光譜的波長范圍為大于345 nm而小于395 nm,主峰位于360 nm，紫外光芯片激發(fā)的熒光粉的化學成分為Na3Ya97Dya 295Tmacitl5Si3O915本實用新型ー種紫外及藍光LED雙驅動白光照明裝置的效率為130 lm/W，顯色指數(shù)為83，色溫為5400 K。本實用新型ー種紫外及藍光LED雙驅動白光照明裝置，光效較高，顯色指數(shù)也較高，且色溫比較合適。
[0023]最后應說明的是:顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明本實用新型所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引申出的顯而易見的變化 或變動仍處于本實用新型的保護范圍之中。
【權利要求】
1.ー種紫外及藍光LED雙驅動白光照明裝置，其特征在于:裝置的發(fā)光體共有4塊，所述4塊發(fā)光體中有2塊為藍光芯片激發(fā)的白光LED，另外2塊為紫外光芯片激發(fā)的白光LED，所述2塊藍光芯片激發(fā)的白光LED中，一塊位于照明裝置的右上角，另外ー塊位于照明裝置的左下角，所述紫外光芯片激發(fā)的白光LED，一塊位于照明裝置的左上角，另外ー塊位于照明裝置的右下角。
2.根據(jù)權利要求1所述的ー種紫外及藍光LED雙驅動白光照明裝置，其特征在于:所述藍光芯片激發(fā)的白光LED中，包括熒光粉及藍光芯片，熒光粉的化學組成為Y2.328CeaQ72MgQ.2A14.401Q.4，芯片為發(fā)射波長范圍為大于400 nm而小于485 nm的GaInN芯片。
3.根據(jù)權利要求1所述的ー種紫外及藍光LED雙驅動白光照明裝置，其特征在干:所述紫外光芯片激發(fā)的白光LED中，包括熒光粉及紫外光芯片，熒光粉的化學組成為Na3Ya97Dya 295Tmatltl5Si3O9,芯片為發(fā)射波長范圍為大于345 nm而小于395 nm的紫外光芯片。
4.根據(jù)權利要求1所述的ー種紫外及藍光LED雙驅動白光照明裝置，其特征在干，4塊發(fā)光體連接到同一驅動電路中，照明裝置工作吋，2塊藍光芯片激發(fā)的白光LED與2塊紫外光芯片激發(fā)的白光LED同時發(fā)光。
【文檔編號】H01L33/50GK203386804SQ201320598795
【公開日】2014年1月8日 申請日期:2013年9月27日 優(yōu)先權日:2013年9月27日
【發(fā)明者】趙文玉, 樊彬, 安勝利 申請人:內蒙古科技大學