光電子器件和用于制造光電子器件的方法
【專(zhuān)利摘要】在不同的實(shí)施例中提供一種光電子器件(100)，所述光電子器件具有：第一有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)(112)；第二有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)(116)；和在第一有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)(112)和第二有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)(116)之間的載流子生成層結(jié)構(gòu)(114)，其中載流子生成層結(jié)構(gòu)(114)具有傳導(dǎo)空穴的載流子生成層(306)、傳導(dǎo)電子的載流子生成層(302)和在傳導(dǎo)空穴的載流子生成層(306)和傳導(dǎo)電子的載流子生成層(302)之間的擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)(304)，并且其中擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)(304)具有至少一種酞菁衍生物。
【專(zhuān)利說(shuō)明】光電子器件和用于制造光電子器件的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 不同的實(shí)施例涉及一種光電子器件和一種用于制造光電子器件的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)基礎(chǔ)的光電子器件(例如，有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light EmittingD1de, OLED),例如白色的有機(jī)發(fā)光二極管(White Organic Light Emitting D1de,W0LED)，太陽(yáng)能電池等)的特征通常在于其機(jī)械的靈活性和適度的制造條件。與由無(wú)機(jī)材料制成的器件相比，有機(jī)基礎(chǔ)的光電子器件由于大面積制造方法(例如，卷對(duì)卷制造方法)的可行性能夠潛在低成本地制造。
[0003]WOLED例如包括陽(yáng)極和陰極以及在其之間的功能層系統(tǒng)。功能層系統(tǒng)包括:一個(gè)或多個(gè)發(fā)射體層，在所述一個(gè)或多個(gè)發(fā)射體層中產(chǎn)生光；一個(gè)或多個(gè)載流子生成層結(jié)構(gòu)，所述一個(gè)或多個(gè)載流子生成層結(jié)構(gòu)分別由兩個(gè)或更多個(gè)載流子生成層(“chargegenerating layer”，CGL)構(gòu)成以用于生成電荷；以及一個(gè)或多個(gè)電子阻擋層，也稱(chēng)作為空穴傳輸層(“hole transport layer”,HTL);和一個(gè)或多個(gè)空穴阻擋層，也稱(chēng)作為電子傳輸層(“electron transport layer，，，ETL),以便定向電流。
[0004]載流子生成層結(jié)構(gòu)在最簡(jiǎn)單的實(shí)施方案中通常由P型摻雜的和η型摻雜的載流子生成層構(gòu)成，所述載流子生成層彼此直接連接，使得直觀地形成ρη結(jié)。在ρη結(jié)中構(gòu)成空間電荷區(qū)，在所述空間電荷區(qū)中，η型摻雜的載流子生成層的電子遷移到P型摻雜的載流子生成層中。通過(guò)沿截止方向在ρη結(jié)上施加電壓，在空間電荷區(qū)中產(chǎn)生瓦尼爾莫特激子，所述瓦尼爾莫特激子能夠在發(fā)射體層中通過(guò)復(fù)合產(chǎn)生電磁輻射(例如可見(jiàn)光)。
[0005]OLED能夠以良好的效率和使用壽命借助于導(dǎo)電摻雜利用p-1_n(p型摻雜-本征-η型摻雜)結(jié)類(lèi)似于傳統(tǒng)的無(wú)機(jī)LED制造。在此，載流子從P型摻雜的或η型摻雜的層有針對(duì)性地注入到本征層中，在所述本征層中形成激子。
[0006]通過(guò)一個(gè)或多個(gè)本征層的疊置堆疊(stacking)，在OLED中在效率實(shí)際相同并且亮度相同的情況下與具有僅一個(gè)本征層的OLED相比實(shí)現(xiàn)明顯更長(zhǎng)的使用壽命。因此，在電流密度相同的情況下，實(shí)現(xiàn)兩倍至三倍的亮度。對(duì)于疊置堆疊而言需要由高摻雜的Pn結(jié)構(gòu)成的載流子生成層。
[0007]P型摻雜的和η型摻雜的載流子生成層能夠分別由一種或多種有機(jī)的和/或無(wú)機(jī)的材料(基體)構(gòu)成。相應(yīng)的基體通常在制造載流子生成層時(shí)摻入一種或多種有機(jī)的或無(wú)機(jī)的材料(摻雜材料)，以便提高基體的電導(dǎo)率。所述摻雜能夠在基體中產(chǎn)生作為載流子的電子(η型摻雜的；摻雜材料，例如為逸出功低的金屬，例如Na、Ca、CS、L1、Mg或其化合物，例如Cs2C03、Cs3PO4，或N0VALED公司的有機(jī)摻雜劑，例如，NDN-U NDN-26)或空穴(p型摻雜的；摻雜材料例如是過(guò)渡金屬氧化物，例如Mo0x、W0X、VOx，有機(jī)化合物，例如Cu(I)pFBz、F4-TCNQ,或N0VALED公司的有機(jī)摻雜劑，例如NDP-2、NDP-9)。
[0008]在本說(shuō)明書(shū)的范圍中，能夠不考慮相應(yīng)的聚集態(tài)將有機(jī)材料理解成以化學(xué)一致的形式存在的、特征在于特征性的物理和化學(xué)特性的碳化合物。此外，在本說(shuō)明書(shū)的范圍中，能夠不考慮相應(yīng)的聚集態(tài)將無(wú)機(jī)材料理解成以化學(xué)一致的形式存在的、特征在于特征性的物理和化學(xué)特性的不具有碳的化合物或單碳化合物。在本說(shuō)明書(shū)的范圍中，能夠不考慮相應(yīng)的聚集態(tài)將有機(jī)-無(wú)機(jī)材料(混合材料)理解成以化學(xué)一致的形式存在的、特征在于特征性的物理和化學(xué)特性的具有包含碳的化合物部分和不具有碳的化合物部分的化合物。在本說(shuō)明書(shū)的范圍中，術(shù)語(yǔ)“材料”包括全部上述材料，例如有機(jī)材料、無(wú)機(jī)材料和/或混合材料。此外，在本說(shuō)明書(shū)的范圍中，能夠如下理解材料混合物:組成部分由兩種或更多種不同材料構(gòu)成，其組成部分例如非常精細(xì)地分布。
[0009]在光電子構(gòu)件中使用CGL的前提是簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，即盡可能少的層，所述層可盡可能容易地制造。此外，在CGL之上的小的電壓降、以及CGL層的盡可能高的透射率是必要的，這就是說(shuō)，在由OLED發(fā)射的光譜范圍中的盡可能小的吸收損耗是必要的。
[0010]與在半導(dǎo)體器件中的無(wú)機(jī)層中不同，有機(jī)層的分子能夠局部地?cái)U(kuò)散到其他的有機(jī)層中(局部的層相互擴(kuò)散)，例如，OLED中的載流子生成層結(jié)構(gòu)的η型摻雜的載流子生成層的一部分?jǐn)U散到P型摻雜的載流子生成層中。在將電場(chǎng)施加到載流子生成層結(jié)構(gòu)上時(shí)，借助于層相互擴(kuò)散能夠測(cè)量在所述層結(jié)構(gòu)之上的電壓降。所述電壓降隨著運(yùn)行時(shí)間而增大，因?yàn)閭鲗?dǎo)性的聚合物的擴(kuò)散在電場(chǎng)中定向。這限制了光電子器件的運(yùn)行時(shí)間。
[0011]為了抑制局部的層相互擴(kuò)散(阻擋效應(yīng))，能夠在各個(gè)有機(jī)層之間、例如在P型摻雜的和η型摻雜的載流子生成層之間插入擴(kuò)散阻擋層。然而，擴(kuò)散阻擋層在載流子生成層結(jié)構(gòu)中為光電阻并且能夠降低光電子器件的效率。在不同的實(shí)施方式中，能夠?qū)⒃趯雍碗娮柚欣缤ㄟ^(guò)在所述層之上的電壓降來(lái)吸收電磁輻射、例如可見(jiàn)光理解為層的光電阻。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]在不同的實(shí)施方式中，提供一種光電子器件以及一種用于制造所述光電子器件的方法，所述光電子器件具有光電阻小的擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)和傳導(dǎo)空穴的載流子生成層。
[0013]在不同的實(shí)施方式中，提供一種光電子器件，其具有:第一有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)、第二有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)和在第一有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)和第二有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)之間的載流子生成層結(jié)構(gòu)，其中載流子生成層結(jié)構(gòu)具有:傳導(dǎo)空穴的載流子生成層；傳導(dǎo)電子的載流子生成層和在傳導(dǎo)空穴的載流子生成層和傳導(dǎo)電子的載流子生成層之間的擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)，其中擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)具有至少一種酞菁衍生物。
[0014]在一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，傳導(dǎo)空穴的載流子生成層能夠具有本征傳導(dǎo)空穴的材料或由其形成。
[0015]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，本征傳導(dǎo)空穴的載流子生成層的材料具有HAT-CN或由其形成。
[0016]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，本征傳導(dǎo)空穴的載流子生成層的材料能夠具有FieCuPc和/或LG-101或由其形成。
[0017]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，傳導(dǎo)空穴的載流子生成層能夠由基體和P型摻雜材料組成的材料混合物形成。
[0018]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，傳導(dǎo)空穴的載流子生成層的摻雜材料能夠是選自下述材料的材料:Mo0x、W0x、V0x、Cu(I)pFBz、F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9 等。
[0019]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，傳導(dǎo)空穴的載流子生成層的材料能夠在大約450nm至大約600nm的波長(zhǎng)范圍中具有大于大約90%的透射率。
[0020]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，傳導(dǎo)空穴的載流子生成層能夠具有在大約Inm至大約500nm的范圍中的層厚度。
[0021 ] 在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，傳導(dǎo)電子的載流子生成層能夠具有本征傳導(dǎo)電子的材料或由其形成。
[0022]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，本征傳導(dǎo)電子的載流子生成層的材料能夠具有選自下述材料的材料:NDN-1、NDN26、MgAg 等。
[0023]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，傳導(dǎo)電子的載流子生成層能夠由基體和η型摻雜材料組成的材料混合物形成。
[0024]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，傳導(dǎo)電子的載流子生成層的基體能夠具有選自下述材料的材料:ΝΕΤ18等。
[0025]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，傳導(dǎo)電子的載流子生成層的摻雜材料能夠具有選自下述材料的材料:NDN-1、NDN-26、Na、Ca、CS、L1、Mg、Cs2CO3' Cs3PO4 等。
[0026]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，傳導(dǎo)電子的載流子生成層具有在大約Inm至大約500nm的范圍中的層厚度。
[0027]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，傳導(dǎo)電子的載流子生成層的材料或材料混合物的價(jià)帶高于傳導(dǎo)空穴的載流子生成層的材料或材料混合物的導(dǎo)帶。
[0028]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)能夠具有無(wú)機(jī)材料或由其形成。
[0029]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)能夠具有有機(jī)材料或由其形成。
[0030]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)能夠由有機(jī)-無(wú)機(jī)混合材料形成。
[0031]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)能夠具有由兩種或更多種材料組成的材料混合物或由其形成，其中所述材料選自下述材料:無(wú)機(jī)材料、有機(jī)材料和有機(jī)-無(wú)機(jī)混合材料。
[0032]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)能夠具有與傳導(dǎo)空穴的電荷生成層的材料或材料混合物相同的材料或相同的材料混合物，或者由其形成，其中然而，材料或材料混合物能夠具有其他的物理結(jié)構(gòu)。
[0033]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)能夠具有與傳導(dǎo)電子的電荷生成層的材料或材料混合物相同的材料或相同的材料混合物，或者由其形成，其中然而，材料或材料混合物能夠具有其他的物理結(jié)構(gòu)。
[0034]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，物理結(jié)構(gòu)能夠包含至少一個(gè)下述參數(shù):材料或材料混合物的密度；材料或材料混合物的結(jié)晶度；材料或材料混合物的晶向；和/或材料或材料混合物的局部的摻雜密度。
[0035]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)能夠具有不均勻的層橫截面。
[0036]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，不均勻的層橫截面能夠具有材料或材料混合物的不同結(jié)晶度的區(qū)域或由其形成。
[0037]不同的不均勻的區(qū)域能夠是阻擋層結(jié)構(gòu)的材料或材料混合物的無(wú)定形部分中的部分或完全的結(jié)晶。
[0038]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，不均勻的層橫截面能夠具有材料或材料混合物的不同晶向的區(qū)域或由其形成。
[0039]擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)的阻擋效應(yīng)能夠通過(guò)阻擋層結(jié)構(gòu)的分子的至少局部的取向來(lái)提高，例如當(dāng)結(jié)晶區(qū)域的最長(zhǎng)的晶軸平行于通過(guò)阻擋層結(jié)構(gòu)連接的P型摻雜的和η型摻雜的載流子生成層的至少一個(gè)邊界面取向時(shí)如此。
[0040]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)的結(jié)晶的材料或材料混合物的最長(zhǎng)的晶軸平行于擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)與傳導(dǎo)電子的載流子生成層的邊界面取向。
[0041 ] 在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)的結(jié)晶的材料或材料混合物的最長(zhǎng)的晶軸平行于擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)與傳導(dǎo)空穴的載流子生成層的邊界面取向。
[0042]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，阻擋層結(jié)構(gòu)的不均勻的層橫截面具有兩個(gè)或多個(gè)由阻擋層結(jié)構(gòu)的材料混合物的各一種材料組成的層或具有阻擋層結(jié)構(gòu)的材料的不同的物理結(jié)構(gòu)。
[0043]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，物理的結(jié)構(gòu)差異能夠包含至少一個(gè)下述參數(shù):材料或材料混合物的密度、材料或材料混合物的結(jié)晶度、材料或材料混合物的晶向和/或材料或材料混合物的局部的摻雜密度。
[0044]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)具有大約Inm至大約200nm的層厚度。
[0045]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)與傳導(dǎo)空穴的載流子生成層的共同的邊界面具有相對(duì)于阻擋層結(jié)構(gòu)與傳導(dǎo)電子的載流子生成層的共同的邊界面的平面平行性。
[0046]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)能夠由電絕緣的材料或材料混合物形成并且擴(kuò)散阻擋層的價(jià)帶在能量方面高于實(shí)體連接的傳導(dǎo)空穴的載流子生成層的導(dǎo)帶和實(shí)體連接的傳導(dǎo)電子的載流子生成層的價(jià)帶，這就是說(shuō)，載流子傳導(dǎo)通過(guò)隧道電流進(jìn)行。
[0047]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)能夠在大約450nm至大約600nm的波長(zhǎng)范圍中影響光電子器件的光電效率至最多大約10%。
[0048]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)能夠在大約450nm至大約600nm的波長(zhǎng)范圍中具有大于大約90%的透射率。
[0049]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)的層橫截面能夠在結(jié)構(gòu)上直至大約120°C的溫度是穩(wěn)定的。
[0050]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，至少一種酞菁衍生物能夠具有至少一種金屬氧化物酞菁或由其構(gòu)成。
[0051]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，金屬氧化物酞菁選自下述金屬氧化物酞菁:V0Pc、T1Pc、CuOPc ο
[0052]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，光電子器件能夠構(gòu)建為有機(jī)發(fā)光二極管。
[0053]在不同的實(shí)施方式中，提出一種用于制造光電子器件的方法，其中所述方法具有:形成第一有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)；在第一有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)上或上方形成載流子生成層結(jié)構(gòu)；以及在載流子生成層結(jié)構(gòu)上或上方形成第二有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，其中形成載流子生成層結(jié)構(gòu)具有:形成傳導(dǎo)電子的載流子生成層；在傳導(dǎo)電子的載流子生成層上或上方形成擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)，其中擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)具有至少一種酞菁衍生物；以及在擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)上或上方形成傳導(dǎo)空穴的載流子生成層。
[0054]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，傳導(dǎo)空穴的載流子生成層具有本征傳導(dǎo)空穴的材料或由其構(gòu)成。
[0055]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，本征傳導(dǎo)空穴的載流子生成層的材料具有HAT-CN或由其形成。
[0056]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，本征傳導(dǎo)空穴的載流子生成層的材料能夠具有FieCuPc和/或LG-101或由其形成。
[0057]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，傳導(dǎo)空穴的載流子生成層能夠由基體和P型摻雜材料組成的材料混合物形成。
[0058]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，作為傳導(dǎo)空穴的載流子生成層的摻雜材料能夠是選自下述材料的材料:Mo0x、TOX、VOx, Cu (I) pFBz、F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9 等。
[0059]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，傳導(dǎo)空穴的載流子生成層的材料能夠在大約450nm至大約600nm的波長(zhǎng)范圍中具有大于大約90%的透射率。
[0060]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，傳導(dǎo)空穴的載流子生成層能夠具有在大約Inm至大約500nm的范圍中的層厚度。
[0061 ] 在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，傳導(dǎo)電子的載流子生成層能夠具有本征傳導(dǎo)電子的材料或由其形成。
[0062]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，本征傳導(dǎo)電子的載流子生成層的材料能夠具有選自下述材料的材料:NDN-1、NDN26、MgAg 等。
[0063]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，傳導(dǎo)電子的載流子生成層能夠由基體和η型摻雜材料組成的材料混合物形成。
[0064]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，用于傳導(dǎo)電子的載流子生成層的基體的能夠是選自下述材料的材料:ΝΕΤ18等。
[0065]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，選自下述材料的材料能夠作為傳導(dǎo)電子的載流子生成層的摻雜材料:NDN-1、NDN-26、Na、Ca、CS、L1、Mg、Cs2CO3、Cs3PO4 等。
[0066]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，傳導(dǎo)電子的載流子生成層以在大約Inm至大約500nm的范圍中的層厚度形成。
[0067]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，傳導(dǎo)電子的載流子生成層的材料或材料混合物的價(jià)帶高于傳導(dǎo)空穴的載流子生成層的材料或材料混合物的導(dǎo)帶。
[0068]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)能夠具有無(wú)機(jī)材料或由其形成。
[0069]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)能夠具有有機(jī)材料或由其形成。
[0070]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)能夠由有機(jī)-無(wú)機(jī)混合材料形成。
[0071]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)能夠具有由兩種或更多種材料組成的材料混合物或由其形成，其中所述材料選自下述材料:無(wú)機(jī)材料、有機(jī)材料和有機(jī)-無(wú)機(jī)混合材料。
[0072]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)能夠具有與傳導(dǎo)空穴的電荷生成層的材料或材料混合物相同的材料或相同的材料混合物，或者由其形成，其中然而，材料或材料混合物能夠具有其他的物理結(jié)構(gòu)。
[0073]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)能夠具有與傳導(dǎo)電子的電荷生成層的材料或材料混合物相同的材料或相同的材料混合物，或者由其形成，其中然而，材料或材料混合物能夠具有其他的物理結(jié)構(gòu)。
[0074]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)的物理結(jié)構(gòu)能夠包含至少一個(gè)其他的下述參數(shù):材料或材料混合物的密度；材料或材料混合物的結(jié)晶度；材料或材料混合物的晶向；和/或材料或材料混合物的局部的摻雜密度。
[0075]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)能夠具有不均勻的層橫截面。
[0076]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，不均勻的層橫截面能夠具有材料或材料混合物的不同結(jié)晶度的區(qū)域或由其形成。
[0077]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，不均勻的層橫截面能夠具有材料或材料混合物的不同晶向的區(qū)域或由其形成。
[0078]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層的材料的結(jié)晶度和/或晶向能夠借助于工藝參數(shù)來(lái)設(shè)定。
[0079]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，工藝參數(shù)能夠包含至少一個(gè)下述參數(shù):電磁場(chǎng)的存在和定向；在形成擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)之前在傳導(dǎo)電子層上形成成核核。
[0080]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)的結(jié)晶的材料或材料混合物的最長(zhǎng)的晶軸平行于擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)與傳導(dǎo)電子的載流子生成層的邊界面取向。
[0081 ] 在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)的結(jié)晶的材料或材料混合物的最長(zhǎng)的晶軸平行于擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)與傳導(dǎo)空穴的載流子生成層的邊界面取向。
[0082]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，阻擋層結(jié)構(gòu)的不均勻的層橫截面具有兩個(gè)或多個(gè)由阻擋層結(jié)構(gòu)的材料混合物的各一種材料組成的層或具有阻擋層結(jié)構(gòu)的材料的不同的物理結(jié)構(gòu)。
[0083]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，物理的結(jié)構(gòu)差異能夠包含至少一個(gè)下述參數(shù):材料或材料混合物的密度、材料或材料混合物的結(jié)晶度、材料或材料混合物的晶向和/或材料或材料混合物的局部的摻雜密度。
[0084]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)具有大約Inm至大約200nm的層厚度。
[0085]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)與傳導(dǎo)空穴的載流子生成層的共同的邊界面具有相對(duì)于阻擋層結(jié)構(gòu)與傳導(dǎo)電子的載流子生成層的共同的邊界面的平面平行性。
[0086]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)能夠由電絕緣的材料或材料混合物形成并且擴(kuò)散阻擋層的價(jià)帶在能量方面高于實(shí)體連接的傳導(dǎo)空穴的載流子生成層的導(dǎo)帶和實(shí)體連接的傳導(dǎo)電子的載流子生成層的價(jià)帶。
[0087]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)能夠在大約450nm至大約600nm的波長(zhǎng)范圍中影響光電子器件的光電效率至最多大約10%。
[0088]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)能夠在大約450nm至大約600nm的波長(zhǎng)范圍中具有大于大約90%的透射率。
[0089]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)的層橫截面能夠在結(jié)構(gòu)上直至大約120°C的溫度是穩(wěn)定的。
[0090]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)能夠具有至少一種酞菁衍生物，至少一種酞菁衍生物能夠具有至少一種金屬氧化物酞菁或由其構(gòu)成。
[0091]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)能夠具有選自下述金屬氧化物酞菁的金屬氧化物酞氰或由其形成:V0Pc、T1Pc、CuOPc。
[0092]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，該方法還能夠具有:形成傳導(dǎo)電子層；在傳導(dǎo)電子層上或上方形成傳導(dǎo)電子的載流子生成層；在傳導(dǎo)空穴的載流子生成層上或上方形成傳導(dǎo)空穴層。
[0093]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，該方法還能夠具有:形成第一電極；在第一電極上或上方形成第一有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)；在第二有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)上形成第二電極。
[0094]在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，光電子器件能夠作為有機(jī)發(fā)光二極管來(lái)制造。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0095]在附圖中示出并且在下文中詳細(xì)闡述本發(fā)明的實(shí)施例。
[0096]附圖示出:
[0097]圖1示出根據(jù)不同實(shí)施例的光電子器件的橫截面視圖；
[0098]圖2示出根據(jù)不同實(shí)施例的光電子器件的功能層系統(tǒng)的橫截面視圖；
[0099]圖3示出根據(jù)不同實(shí)施例的光電子器件的載流子生成層結(jié)構(gòu)的橫截面視圖；
[0100]圖4示出根據(jù)第一和第二實(shí)施方案的載流子生成層結(jié)構(gòu)的所測(cè)量的光學(xué)透射率；
[0101]圖5示出根據(jù)第一和第二實(shí)施方案的載流子生成層結(jié)構(gòu)的所測(cè)量的溫度/電壓穩(wěn)定性；并且
[0102]圖6示出根據(jù)第一和第二實(shí)施方案的載流子生成層結(jié)構(gòu)的所測(cè)量的電導(dǎo)率。

【具體實(shí)施方式】
[0103]在下面詳細(xì)的描述中參考附圖，所述附圖形成所述描述的一部分，并且在所述附圖中為了圖解說(shuō)明示出能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的具體的實(shí)施形式。在此方面，關(guān)于所描述的附圖的定向而應(yīng)用方向術(shù)語(yǔ)例如“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因?yàn)閷?shí)施形式的組成部分能夠以多個(gè)不同的取向來(lái)定位，所以方向術(shù)語(yǔ)用于圖解說(shuō)明并且不以任何方式受到限制。不言而喻，能夠使用其他的實(shí)施形式并且能夠進(jìn)行結(jié)構(gòu)上的或邏輯上的改變，而不偏離本發(fā)明的保護(hù)范圍。不言而喻，除非另作特別說(shuō)明，在此描述的不同的示例的實(shí)施形式的特征能夠互相組合。因此，下面詳細(xì)的描述不應(yīng)解釋為受限制的，并且本發(fā)明的保護(hù)范圍通過(guò)所附的權(quán)利要求來(lái)限定。
[0104]在本說(shuō)明書(shū)的范圍內(nèi)，術(shù)語(yǔ)“連接”、“聯(lián)接”以及“耦聯(lián)”用于描述直接的和間接的連接、直接的或間接的聯(lián)接以及直接的或間接的耦聯(lián)。在附圖中，只要是適宜的，相同的或類(lèi)似的元件就設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。
[0105]在不同的實(shí)施例中，光電子器件能夠構(gòu)成為發(fā)光器件，例如構(gòu)成為有機(jī)發(fā)光二級(jí)管(organic light emitting d1de, OLED)、或者構(gòu)成為有機(jī)發(fā)光晶體管。在不同的實(shí)施例中，光電子器件能夠是集成電路的一部分。此外，能夠設(shè)有多個(gè)發(fā)光器件，所述發(fā)光器件例如安裝在共同的殼體中。在不同的實(shí)施例中，光電子器件也能夠構(gòu)成為太陽(yáng)能電池。如果在下文中也根據(jù)OLED描述不同的實(shí)施例，那么這些實(shí)施例卻也能夠容易地用于其它的在上文中描述的光電子器件。
[0106]圖1示出根據(jù)不同實(shí)施例的光電子器件100的橫截面視圖。
[0107]發(fā)光器件形式的、例如有機(jī)發(fā)光二極管100的形式的光電子器件100能夠具有襯底102。襯底102例如能夠用作為用于電子元件或?qū)?、例如用于發(fā)光元件的載體元件。例如，襯底102能夠具有玻璃、石英和/或半導(dǎo)體材料或任意其他適合的材料或由其形成。此夕卜，襯底102能夠具有塑料薄膜或具有帶有一個(gè)或多個(gè)塑料薄膜的疊層或者由其形成。塑料能夠具有一種或多種聚烯烴(例如具有高密度或低密度的聚乙烯(PE)或聚丙烯(PP))或者由其形成。此外，塑料能夠具有聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯和/或聚碳酸酯(PC)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)和/或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或者由其形成。襯底102能夠具有一種或多種上述材料。襯底102能夠構(gòu)成為是半透明的或甚至是透明的。
[0108]術(shù)語(yǔ)“半透明”或“半透明層”在不同的實(shí)施例中能夠理解為:層對(duì)于光是可穿透的，例如對(duì)于由發(fā)光器件所產(chǎn)生的例如一個(gè)或多個(gè)波長(zhǎng)范圍的光是可穿透的，例如對(duì)于可見(jiàn)光的波長(zhǎng)范圍中的光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波長(zhǎng)范圍的局部范圍中)。例如術(shù)語(yǔ)“半透明層”在不同的實(shí)施例中理解為:全部的耦合輸入到結(jié)構(gòu)(例如層)中的光量基本上也從該結(jié)構(gòu)(例如層)中耦合輸出，其中光的一部分在此能夠散射。
[0109]術(shù)語(yǔ)“透明”或“透明層”在不同的實(shí)施例中能夠理解為:層對(duì)于光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波長(zhǎng)范圍的局部范圍中)，其中耦合輸入到結(jié)構(gòu)(例如層)中的光基本上在沒(méi)有散射或光轉(zhuǎn)換的情況下也從該結(jié)構(gòu)(例如層)中耦合輸出。因此，“透明”在不同的實(shí)施例中能夠視作為“半透明”的特殊情況。
[0110]對(duì)于例如應(yīng)當(dāng)提供單色發(fā)光的或發(fā)射光譜受限的電子器件的情況而言足夠的是:光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)至少在期望的單色光的波長(zhǎng)范圍的局部范圍中或者對(duì)于受限的發(fā)射光譜是半透明的。
[0111]在不同的實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光二極管100(或還有根據(jù)在上文中或還要在下文中描述的實(shí)施例的發(fā)光器件)能夠設(shè)計(jì)成所謂的頂部和底部發(fā)射器。頂部和底部發(fā)射器也能夠稱(chēng)作為光學(xué)透明器件，例如透明有機(jī)發(fā)光二級(jí)管。
[0112]不同的實(shí)施例中，能夠可選地在襯底102上或上方設(shè)置有阻擋層(未示出)。阻擋層能夠具有下述材料中的一種或多種或者由其制成:氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鉿、氧化鉭、氧化鑭、氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、招摻雜的氧化鋅、以及它們的混合物和合金。此外，阻擋層在不同的實(shí)施例中能夠具有在大約0.1nm(原子層)至大約5000nm的范圍中的層厚度，例如在大約1nm至大約200nm的范圍中的層厚度，例如為大約40nm的層厚度。
[0113]在阻擋層上或上方能夠設(shè)置有發(fā)光器件100的電有源區(qū)域104。電有源區(qū)域104能夠理解為發(fā)光器件100的其中有用于光電子器件、例如發(fā)光器件100的運(yùn)行的電流流動(dòng)的區(qū)域。在不同的實(shí)施例中，電有源區(qū)域104能夠具有第一電極106、第二電極108和有機(jī)功能層系統(tǒng)110，如其在下面更詳細(xì)闡明。
[0114]因此，在不同的實(shí)施例中，能夠在阻擋層上或上方(或者，當(dāng)不存在阻擋層時(shí)，在襯底102上或上方)施加(例如以第一電極層106的形式的)第一電極106。第一電極106(下面也稱(chēng)為下部電極106)能夠由導(dǎo)電材料形成或者是導(dǎo)電材料，例如由金屬或透明導(dǎo)電氧化物(transparent conductive oxide, TC0)形成或由相同金屬的或不同金屬的和/或相同TCO的或不同TCO的多個(gè)層的層堆來(lái)形成。透明導(dǎo)電氧化物是透明的、導(dǎo)電的材料，例如金屬氧化物，例如氧化鋅、氧化錫、氧化鎘、氧化鈦、氧化銦或銦錫氧化物(ITO)。除了二元的金屬氧化物例如ZnO、SnO2或In2O3以外，三元的金屬氧化物例如AlZnO、Zn2SnO4,CdSn03、ZnSn03、Mgln204、Galn03、Zn2In2O5或In4Sn3O12或不同的透明導(dǎo)電氧化物的混合物也屬于TCO族并且能夠在不同的實(shí)施例中使用。此外，TCO不強(qiáng)制符合化學(xué)計(jì)量的組分并且還能夠是P型摻雜的或η型摻雜的。
[0115]在不同的實(shí)施例中，第一電極106能夠具有金屬；例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ag、Au、Mg、Ca、Sm或L1、以及這些材料的化合物、組合或合金。
[0116]在不同的實(shí)施例中，能夠由在TCO層上的金屬的層的組合的層堆形成第一電極106，或者反之亦然。一個(gè)示例是施加在銦錫氧化物層(ITO)上的銀層(ΙΤ0上的Ag)或ITO-Ag-1TO 復(fù)層。
[0117]在不同的實(shí)施例中，替選于或除了上述材料之外，第一電極106能夠設(shè)有下述材料中的一種或多種:由金屬的納米線和納米微粒構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)、例如由Ag制成；由碳納米管構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)；石墨微粒和石墨層；由半導(dǎo)體納米線構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)。
[0118]此外，第一電極106能夠具有導(dǎo)電聚合物或過(guò)渡金屬氧化物或?qū)щ娡该餮趸铩?br> [0119]在不同的實(shí)施例中，第一電極106和襯底102能夠構(gòu)成為是半透明的或透明的。在第一電極106由金屬形成的情況下，第一電極106例如能夠具有小于或等于大約25nm的層厚度、例如小于或等于大約20nm的層厚度、例如小于或等于大約18nm的層厚度。此外，第一電極106例如能夠具有大于或等于大約1nm的層厚度、例如大于或等于大約15nm的層厚度。在不同的實(shí)施例中，第一電極106能夠具有在大約1nm至大約25nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約1nm至大約18nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約15nm至大約18nm范圍內(nèi)的層厚度。
[0120]此外,對(duì)于第一電極106由透明導(dǎo)電氧化物(TCO)形成的情況而言,第一電極106例如具有在大約50nm至大約500nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約75nm至大約250nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約10nm至大約150nm范圍內(nèi)的層厚度。
[0121]此外，對(duì)于第一電極106由例如由如Ag構(gòu)成的能夠與導(dǎo)電聚合物組合的金屬的納米線構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)形成、由能夠與導(dǎo)電聚合物組合的碳納米管構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)或者由石墨層和復(fù)合材料形成的情況而言，第一電極106例如能夠具有在大約Inm至大約500nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約1nm至大約400nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約40nm至大約250nm范圍內(nèi)的層厚度。
[0122]第一電極106能夠構(gòu)成為陽(yáng)極、即構(gòu)成為空穴注入的電極，或者構(gòu)成為陰極、即構(gòu)成為電子注入的電極。
[0123]第一電極106能夠具有第一電端子,第一電勢(shì)(由能量源(未不出)、例如電流源或電壓源提供)能夠施加到所述第一電端子上。替選地，第一電勢(shì)能夠已施加到或施加到襯底102上并且然后經(jīng)由此間接地已輸送給或輸送給第一電極106。第一電勢(shì)例如能夠是接地電勢(shì)或者不同地預(yù)設(shè)的參考電勢(shì)。
[0124]此外，發(fā)光器件100的電有源區(qū)域104能夠具有功能層系統(tǒng)110、也稱(chēng)作為有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)110,所述有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)施加在或已施加在第一電極106上或上方。
[0125]有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)110能夠具有多個(gè)有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)112、116。在不同的實(shí)施例中，有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)I1但是也能夠具有多于兩個(gè)的有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，例如具有3個(gè)、4個(gè)、5個(gè)、6個(gè)、7個(gè)、8個(gè)、9個(gè)、10個(gè)或甚至更多個(gè)有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)。
[0126]在圖1中示出第一有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)112和第二有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)116。
[0127]第一有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)112能夠設(shè)置在第一電極106上或上方。此外,第二有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)116能夠設(shè)置在第一有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)112上或上方。在不同的實(shí)施例中，能夠在第一有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)112和第二有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)116之間設(shè)置載流子生成層結(jié)構(gòu)114(英語(yǔ)為Charge Generat1n Layer,CGL)。在設(shè)有多于兩個(gè)有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)的實(shí)施例中，能夠在各兩個(gè)有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)之間設(shè)置相應(yīng)的載流子生成層結(jié)構(gòu)。
[0128]如在下文中還要詳細(xì)闡述的那樣，有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)112、116中的每個(gè)都能夠包含一個(gè)或多個(gè)發(fā)射體層、例如具有發(fā)熒光的和/或發(fā)磷光的發(fā)射體的發(fā)射體層，以及一個(gè)或多個(gè)傳導(dǎo)空穴層(在圖1中未示出)(也稱(chēng)作空穴傳輸層)。在不同的實(shí)施例中，替選地或附加地，能夠設(shè)有一個(gè)或多個(gè)傳導(dǎo)電子層(也稱(chēng)作電子傳輸層)。
[0129]能夠在根據(jù)不同實(shí)施例的發(fā)光器件100中用于發(fā)射體層的發(fā)射體材料的實(shí)例包括:有機(jī)的或有機(jī)金屬的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亞苯基的衍生物(例如2-或2，5-取代的聚-對(duì)-亞苯基乙烯撐)；以及金屬絡(luò)合物，例如銥絡(luò)合物，如發(fā)藍(lán)色磷光的FIrPic (雙(3，5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)-銥III)、發(fā)綠色磷光的Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)銥 III)、發(fā)紅色磷光的 Ru (dtb-bpy) 3*2 (PF6))(三[4，4’ - 二-叔-丁基-(2，2’)-聯(lián)吡啶]釕(III)絡(luò)合物)、以及發(fā)藍(lán)色熒光的DPAVBi (4，4-雙[4-(二-對(duì)-甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯)、發(fā)綠色熒光的TTPA(9，10-雙[N，N-二-(對(duì)-甲苯基)-氨基]蒽)和發(fā)紅色熒光的DCM2 (4-二氰基亞甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作為非聚合物發(fā)射體。這種非聚合物發(fā)射體例如能夠借助于熱蒸鍍沉積。此外，能夠使用聚合物發(fā)射體，所述聚合物發(fā)射體尤其能夠借助于濕法化學(xué)法、例如旋涂法(也稱(chēng)作Spin Coating)來(lái)沉積。
[0130]發(fā)射體材料能夠以適合的方式嵌在基體材料中。
[0131]需要指出的是，在其他的實(shí)施例中同樣設(shè)有其他適合的發(fā)射體材料。
[0132]發(fā)光器件100的發(fā)射體層的發(fā)射體材料例如能夠選擇為，使得發(fā)光器件100發(fā)射白光。一個(gè)或多個(gè)發(fā)射體層能夠具有多種發(fā)射不同顏色(例如藍(lán)色和黃色或者藍(lán)色、綠色和紅色)的發(fā)射體材料，替選地，發(fā)射體層也能夠由多個(gè)子層構(gòu)成，如發(fā)藍(lán)色熒光的發(fā)射體層或發(fā)藍(lán)色磷光的發(fā)射體層、發(fā)綠色磷光的發(fā)射體層和發(fā)紅色磷光的發(fā)射體層。通過(guò)不同顏色的混合，能夠得到具有白色的色彩印象的光的發(fā)射。替選地，也能夠提出，在通過(guò)這些層產(chǎn)生的初級(jí)發(fā)射的光路中設(shè)置有轉(zhuǎn)換材料，所述轉(zhuǎn)換材料至少部分地吸收初級(jí)輻射并且發(fā)射其他波長(zhǎng)的次級(jí)輻射，使得從(還不是白色的)初級(jí)輻射通過(guò)將初級(jí)輻射和次級(jí)輻射組合得到白色的色彩印象。不同的有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)的發(fā)射體材料也能夠選擇成或已選擇成，使得雖然各個(gè)發(fā)射體材料發(fā)射不同顏色的光(例如藍(lán)色、綠色或紅色或任意其他的顏色組合，例如任意其他的互補(bǔ)顏色組合)，但是例如總體上由所有有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)發(fā)射并且由OLED向外發(fā)射的整體光是預(yù)設(shè)顏色的光，例如是白光。
[0133]有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)112、116通常能夠具有一個(gè)或多個(gè)電致發(fā)光層。一個(gè)或多個(gè)電致發(fā)光層能夠具有有機(jī)聚合物、有機(jī)低聚物、有機(jī)單體、有機(jī)的、非聚合物的小的分子(“小分子(small molecules)")或這些材料的組合。例如,有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)110能夠具有構(gòu)成為空穴傳輸層的一個(gè)或多個(gè)電致發(fā)光層，使得例如在OLED的情況下能夠?qū)崿F(xiàn)將空穴有效地注入到進(jìn)行電致發(fā)光的層或進(jìn)行電致發(fā)光的區(qū)域中。替選地，在不同的實(shí)施例中，有機(jī)功能層機(jī)構(gòu)112、116能夠具有構(gòu)成為電子傳輸層的一個(gè)或多個(gè)功能層，使得例如在OLED中能夠?qū)崿F(xiàn)將電子有效地注入到進(jìn)行電致發(fā)光的層或進(jìn)行電致發(fā)光的區(qū)域中。例如能夠使用叔胺、咔唑衍生物、導(dǎo)電的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩作為用于空穴傳輸層的材料。在不同的實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)電致發(fā)光層能夠構(gòu)成為進(jìn)行電致發(fā)光的層。
[0134]如在圖2中示出的那樣，在不同的實(shí)施例中，第一有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)112具有空穴注入層202，所述空穴注入層能夠施加、例如沉積在第一電極106上或上方。
[0135]在空穴注入層202上或上方能夠施加或已施加、例如能夠沉積或已沉積第一空穴傳輸層204。
[0136]在空穴傳輸層204上或上方能夠施加、例如沉積第一發(fā)射體層206。例如能夠設(shè)為用于第一發(fā)射體層206的發(fā)射體材料已經(jīng)在上文中描述。
[0137]此外，能夠在第一發(fā)射體層206上或上方設(shè)置、例如沉積第一電子傳輸層208。在不同的實(shí)施例中，第一電子傳輸層208能夠具有一種或多種下述材料或由其構(gòu)成:NET-18、LG-201等。第一電子傳輸層208能夠具有在大約1nm至大約50nm范圍內(nèi)、例如在大約15nm至大約40nm范圍內(nèi)、例如在大約20nm至大約30nm范圍內(nèi)的層厚度。
[0138]如在上文中描述的那樣，(可選的)空穴注入層202、(可選的)第一空穴傳輸層204、第一發(fā)射體層106以及(可選的)第一電子傳輸層208形成第一有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)112。
[0139]在層結(jié)構(gòu)112中在第一有機(jī)功能層上或上方設(shè)置載流子生成層結(jié)構(gòu)(CGL) 114，所述載流子生成層結(jié)構(gòu)在下文中更詳細(xì)地描述。
[0140]在不同的實(shí)施例中，在載流子生成層結(jié)構(gòu)114上或上方設(shè)置第二有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)116。在不同的實(shí)施例中，第二有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)116能夠具有第二空穴傳輸層210，其中第二空穴傳輸層210設(shè)置在載流子生成層結(jié)構(gòu)114上或上方。例如，第二空穴傳輸層210能夠與載流子生成層結(jié)構(gòu)114的表面實(shí)體接觸，換言之，其共用共同的分界面。在不同的實(shí)施例中，第二空穴傳輸層210具有下述材料中的一種或多種或由其構(gòu)成:HT-508等。第二空穴傳輸層210能夠具有在大約1nm至大約50nm范圍內(nèi)、例如在大約15nm至大約40nm范圍內(nèi)、例如在大約20nm至大約30nm范圍內(nèi)的層厚度。
[0141]此外，第二有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)116能夠具有第二發(fā)射體層212，所述第二發(fā)射體層能夠設(shè)置在第二空穴傳輸層210上或上方。第二發(fā)射體層212能夠具有與第一發(fā)射體層206相同的發(fā)射體材料。替選地，第二發(fā)射體層212和第一發(fā)射體層206能夠具有不同的發(fā)射體材料。在不同的實(shí)施例中，第二發(fā)射體層212能夠構(gòu)建成，使得其發(fā)射與第一發(fā)射體層206相同波長(zhǎng)的電磁輻射、例如可見(jiàn)光。替選地，第二發(fā)射體層212能夠構(gòu)建成，使得其發(fā)射與第一發(fā)射體層206不同波長(zhǎng)的電磁福射、例如可見(jiàn)光。第二發(fā)射體層的發(fā)射體材料能夠是如在上文中描述的材料。
[0142]其他合適的發(fā)射體材料當(dāng)然能夠設(shè)為用于第一發(fā)射體層206和第二發(fā)射體層212。
[0143]此外,第二有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)116能夠具有第二電子傳輸層214,所述第二電子傳輸層能夠設(shè)置、例如沉積在第二發(fā)射體層212上或上方。
[0144]在不同的實(shí)施例中，第二電子傳輸層214能夠具有下述材料中的一種或多種或由其構(gòu)成:NET-18、LG-201 等。
[0145]第二電子傳輸層214能夠具有在大約1nm至大約50nm范圍內(nèi)、例如在大約15nm至大約40nm范圍內(nèi)、例如在大約20nm至大約30nm范圍內(nèi)的層厚度。
[0146]此外，能夠在第二電子傳輸層214上或上方施加、例如沉積電子注入層216。
[0147]如在上文中描述的那樣，(可選的)第二空穴傳輸層210、第二發(fā)射體層212、(可選的)第二電子傳輸層214以及(可選的)電子注入層216形成第二有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)116。
[0148]在不同的實(shí)施例中，有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)110(即例如空穴傳輸層和發(fā)射體層和電子傳輸層等的厚度的總和)具有最大為大約1.5 μ m的層厚度、例如最大為大約1.2 μ m的層厚度、例如最大為大約I μ m的層厚度、例如最大為大約800nm的層厚度、例如最大為大約500nm的層厚度、例如最大為大約400nm的層厚度、例如最大為大約300nm的層厚度。在不同的實(shí)施例中，有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)110例如能夠具有多個(gè)直接彼此相疊設(shè)置的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的堆疊，其中每個(gè)OLED例如能夠具有最大為大約1.5μπι的層厚度、例如最大為大約1.2 μ m的層厚度、例如最大為大約Iym的層厚度、例如最大為大約800nm的層厚度、例如最大為大約500nm的層厚度、例如最大為大約400nm的層厚度、例如最大為大約300nm的層厚度。在不同的實(shí)施例中，有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)110例如能夠具有兩個(gè)、三個(gè)或四個(gè)直接彼此相疊設(shè)置的OLED的堆，在此情況下，有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)110例如能夠具有最大為大約3 μ m的層厚度。
[0149]發(fā)光器件100可選地通常能夠具有另外的有機(jī)功能層，所述另外的有機(jī)功能層例如設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)發(fā)射體層上或其上方或設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)電子傳輸層上或其上方，用于進(jìn)一步改進(jìn)發(fā)光器件100的功能性進(jìn)而效率。
[0150]在有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)110上或上方或者必要時(shí)在一個(gè)或多個(gè)另外的有機(jī)功能層上或上方能夠施加第二電極108 (例如以第二電極層108的形式)，如在上文中描述的那樣。
[0151]在不同的實(shí)施例中，第二電極108能夠具有與第一電極106相同的材料或者由其形成，其中在不同的實(shí)施例中金屬是尤其適合的。
[0152]在不同的實(shí)施例中，第二電極108(例如對(duì)于金屬的第二電極108的情況而言)例如能夠具有小于或等于大約50nm的層厚度、例如小于或等于大約45nm的層厚度、例如小于或等于大約40nm的層厚度、例如小于或等于大約35nm的層厚度、例如小于或等于大約30nm的層厚度、例如小于或等于大約25nm的層厚度、例如小于或等于大約20nm的層厚度、例如小于或等于大約15nm的層厚度、例如小于或等于大約1nm的層厚度。
[0153]第二電極108通常能夠以與第一電極106類(lèi)似的或不同的方式構(gòu)成或已構(gòu)成。第二電極108在不同的實(shí)施例中能夠由一種或多種材料并且以相應(yīng)的層厚度構(gòu)成或已構(gòu)成，如這在上面結(jié)合第一電極106所描述的那樣。在不同的實(shí)施例中，第一電極106和第二電極108這兩者都透明地或半透明地構(gòu)成。因此，在圖1中示出的發(fā)光器件100能夠設(shè)計(jì)成頂部和底部發(fā)射器(換言之作為透明的發(fā)光器件100)。
[0154]第二電極108能夠構(gòu)成為陽(yáng)極、即構(gòu)成為注入空穴的電極，或者構(gòu)成為陰極、即構(gòu)成為注入電子的電極。
[0155]第二電極108能夠具有第二電端子，由能量源提供的第二電勢(shì)(所述第二電勢(shì)與第一電勢(shì)不同)能夠施加到所述第二電端子上。第二電勢(shì)例如能夠具有一定數(shù)值，使得與第一電勢(shì)的差具有在大約1.5V至大約20V范圍內(nèi)的數(shù)值、例如在大約2.5V至大約15V范圍內(nèi)的數(shù)值、例如在大約3V至大約12V范圍內(nèi)的數(shù)值。
[0156]在第二電極108上或上方進(jìn)而在電有源區(qū)域104上或上方可選地還能夠形成或已形成封裝件118，例如阻擋薄層/薄層封裝件118的形式的封裝件。
[0157]“阻擋薄層”或“阻擋薄膜”118在本申請(qǐng)的范圍中例如能夠理解為下述層或?qū)咏Y(jié)構(gòu)，所述層或?qū)咏Y(jié)構(gòu)適合于形成相對(duì)于化學(xué)雜質(zhì)或大氣材料、尤其相對(duì)于水(濕氣)和氧氣的阻擋。換言之，阻擋薄層118構(gòu)成為，使得其不能夠或至多極其少部分由損壞OLED的材料例如水、氧氣或溶劑穿過(guò)。
[0158]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層118能夠構(gòu)成單獨(dú)的層(換言之，構(gòu)成為單層)。根據(jù)一個(gè)替選的設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層118能夠具有多個(gè)彼此相繼構(gòu)成的子層。換言之，根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層120能夠構(gòu)成為層堆(Stack)。阻擋薄層118或阻擋薄層118的一個(gè)或多個(gè)子層例如能夠借助于適合的沉積方法來(lái)形成，例如根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案借助于原子層沉積方法(Atomic Layer Deposit1n(ALD))來(lái)形成,例如為等離子增強(qiáng)的原子層沉積方法(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposit1n(PEALD))或無(wú)等離子的原子層沉積方法(Plasma-less Atomic Layer Deposit1n (PLALD)),或根據(jù)另一個(gè)設(shè)計(jì)方案借助于化學(xué)氣相沉積方法(Chemical Vapor Deposit1n (CVD))來(lái)形成,例如為等離子增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積方法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n(PECVD))或無(wú)等離子的化學(xué)氣相沉積方法(Plasma-less Chemical Vapor Deposit1n (PLCVD)),或者替選地借助于另外適合的沉積方法來(lái)形成。
[0159]通過(guò)應(yīng)用原子層沉積(ALD)能夠沉積極其薄的層。特別地，能夠沉積層厚度位于原子層范圍內(nèi)的層。
[0160]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案，在具有多個(gè)子層的阻擋薄層118中，能夠借助于原子層沉積方法形成全部子層。僅具有ALD層的層序列也能夠稱(chēng)作“納米疊層(Nanolaminat) ”。
[0161]根據(jù)一個(gè)替選的設(shè)計(jì)方案，在具有多個(gè)子層的阻擋薄層118中，能夠借助于不同于原子層沉積方法的沉積方法來(lái)沉積阻擋薄層118的一個(gè)或多個(gè)子層，例如借助于氣相沉積方法來(lái)沉積。阻擋薄層118能夠根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案具有大約0.1nm ( 一個(gè)原子層)至大約100nm的層厚度,例如根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案為大約1nm至大約10nm的層厚度、例如根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案為大約40nm的層厚度。
[0162]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案，其中阻擋薄層118具有多個(gè)子層，全部子層能夠具有相同的層厚度。根據(jù)另一個(gè)設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層118的各個(gè)子層能夠具有不同的層厚度。換言之，至少一個(gè)子層能夠具有不同于一個(gè)或多個(gè)其他子層的層厚度。
[0163]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層118或阻擋薄層118的各個(gè)子層能夠構(gòu)成為是半透明的或透明的層。換言之，阻擋薄層118 (或阻擋薄層118的各個(gè)子層)能夠由半透明的或透明的材料(或半透明的或透明的材料組合)制成。
[0164]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層118或(在具有多個(gè)子層的層堆疊的情況下)阻擋薄層118的一個(gè)或多個(gè)子層具有下述材料中的一種或由下述材料中的一種制成:氧化鋁、氧化鋅、氧化錯(cuò)、氧化鈦、氧化鉿、氧化鉭、氧化鑭、氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁摻雜的氧化鋅、以及它們的混合物和合金。在不同的實(shí)施例中，阻擋薄層118或(在具有多個(gè)子層的層堆疊的情況下)阻擋薄層118的一個(gè)或多個(gè)子層具有一種或多種高折射率的材料，換言之具有一種或多種具有高折射率的材料，例如具有至少為2的折射率的材料。
[0165]在不同的實(shí)施例中，能夠在封裝件118上或上方設(shè)置粘接劑和/或保護(hù)漆120，借助于所述粘接劑和/或保護(hù)漆能夠?qū)⒏采w件122 (例如玻璃覆蓋件122)固定、例如粘貼在封裝件118上。在不同的實(shí)施例中，由粘接劑和/或保護(hù)漆120構(gòu)成的光學(xué)半透明的層具有大約Iym的層厚度、例如幾微米的層厚度。在不同的實(shí)施例中，粘接劑能夠具有疊層粘接劑或是疊層粘接劑。
[0166]在不同的實(shí)施例中，還能夠?qū)⑸⑸涔獾念w粒嵌入到粘接劑的層(也稱(chēng)作粘接層)中，所述散射光的顆粒能夠引起進(jìn)一步改進(jìn)色角畸變和耦合輸出效率。在不同的實(shí)施例中，例如能夠?qū)⒔殡姷纳⑸漕w粒設(shè)為散射光的顆粒，例如金屬氧化物，如氧化硅(S12)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋯(ZrO2)、銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)、氧化鎵(Ga20a)、氧化鋁或氧化鈦。其他顆粒也是適合的，只要其具有與半透明的層結(jié)構(gòu)的基體的有效折射率不同的折射率，例如氣泡、丙烯酸鹽或玻璃空心球。此外，例如能夠?qū)⒔饘俚募{米顆粒，金屬、如金、銀，鐵納米顆粒等設(shè)為散射光的顆粒。
[0167]在不同的實(shí)施例中，在第二電極108和由粘接劑和/或保護(hù)漆構(gòu)成的層120之間還能夠已施加有或施加有電絕緣層(未示出)，例如為SiN,例如具有在大約300nm至大約
1.5 μ m范圍中的層厚度，例如具有在大約500nm至大約I μ m范圍中的層厚度，以便例如在濕法化學(xué)工藝期間保護(hù)電學(xué)不穩(wěn)定的材料。
[0168]還需要指出的是，在不同的實(shí)施例中也能夠完全地棄用粘接劑120，例如在將由例如玻璃制成的覆蓋件122借助于等離子噴射來(lái)施加到封裝件118上的實(shí)施例中。
[0169]此外,在不同的實(shí)施例中，附加地,能夠在發(fā)光器件100中設(shè)有一個(gè)或多個(gè)抗反射層(例如與覆蓋件118、如薄層覆蓋件118組合)。
[0170]在圖3中示出根據(jù)不同實(shí)施例的載流子生成層114的構(gòu)造的橫截面視圖。
[0171]在不同的實(shí)施例中，載流子生成層結(jié)構(gòu)114能夠具有傳導(dǎo)空穴的載流子生成層302和傳導(dǎo)電子的載流子生成層306，其中傳導(dǎo)空穴的載流子生成層302能夠設(shè)置在第一電子傳輸層208上或上方，例如能夠與所述第一電子傳輸層實(shí)體接觸。傳導(dǎo)電子的載流子生成層306能夠設(shè)置在傳導(dǎo)空穴的載流子生成層302上或上方，其中在這兩個(gè)層302、306之間設(shè)有擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)304。在傳導(dǎo)空穴的載流子生成層306上或上方能夠設(shè)置或已設(shè)置第二空穴傳輸層210。
[0172]與在半導(dǎo)體器件中的無(wú)機(jī)層中不同，有機(jī)層能夠局部地相互擴(kuò)散到其他的層中(局部的層相互擴(kuò)散)，例如為OLED的光電器器件中的載流子生成層結(jié)構(gòu)302的傳導(dǎo)電子的載流子生成層302的一部分?jǐn)U散到傳導(dǎo)空穴的載流子生成層306中。為了抑制局部的層相互擴(kuò)散(這就是說(shuō)直觀地實(shí)現(xiàn)阻擋作用)能夠在各個(gè)有機(jī)層之間、例如在傳導(dǎo)空穴的載流子生成層306和傳導(dǎo)電子的載流子生成層302之間插入擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)304。在不同的實(shí)施例中，載流子生成層結(jié)構(gòu)114以載流子生成層302和306之間的擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)304 (也稱(chēng)作為“中間層”)擴(kuò)展，以便防止載流子生成層302和306之間的局部的層相互擴(kuò)散。
[0173]在不同的實(shí)施例中，傳導(dǎo)電子的載流子生成層302能夠由多種材料、即例如由材料混合物或由唯一的材料組成(基于所述原因，傳導(dǎo)電子的載流子生成層302也能夠稱(chēng)作為未摻雜的η型載流子生成層302)。形成傳導(dǎo)電子的載流子生成層302的材料、即例如用于構(gòu)成傳導(dǎo)電子的載流子生成層302的材料能夠具有高的傳導(dǎo)電子能力。
[0174]此外，傳導(dǎo)電子的載流子生成層302的材料能夠具有低的逸出功(例如，小于或等于大約3eV的逸出功)和對(duì)可見(jiàn)光的小的吸收。在不同的實(shí)施例中，設(shè)為傳導(dǎo)電子的載流子生成層302的材料能夠是每種滿足所述條件的材料，例如為NET-18基體連同NDN-26摻雜材料(材料混合物)或NDN-26 (材料)。
[0175]在不同的實(shí)施例中，傳導(dǎo)電子的載流子生成層302能夠具有在大約Inm至大約500nm范圍內(nèi)、例如在大約3nm至大約10nm范圍內(nèi)、例如在大約1nm至大約90nm范圍內(nèi)、例如在大約20nm至大約80nm范圍內(nèi)、例如在大約30nm至大約70nm范圍內(nèi)、例如在大約40nm至大約60nm范圍內(nèi)的層厚度,例如為大約50nm的層厚度。
[0176]在不同的實(shí)施例中，傳導(dǎo)空穴的載流子生成層306能夠由多種材料、即例如材料混合物或同樣由唯一的材料構(gòu)成(基于所述原因，傳導(dǎo)空穴的載流子生成層306也能夠稱(chēng)作為未摻雜的P型載流子生成層306)。形成傳導(dǎo)空穴的載流子生成層306的材料、即例如用于構(gòu)成傳導(dǎo)電子的載流子生成層306的材料能夠具有高的傳導(dǎo)空穴能力。此外，傳導(dǎo)空穴的載流子生成層306的材料能夠具有高的逸出功和對(duì)可見(jiàn)光的低的吸收。在不同的實(shí)施例中，設(shè)為傳導(dǎo)空穴的載流子生成層306的能夠是每種滿足所述條件的材料，例如HAT-CN、LG-101、F16CuPc 等。
[0177]在不同的實(shí)施例中，傳導(dǎo)空穴的載流子生成層306能夠具有在大約Inm至大約500nm范圍內(nèi)、例如在大約3nm至大約10nm范圍內(nèi)、例如在大約1nm至大約90nm范圍內(nèi)、例如在大約20nm至大約80nm范圍內(nèi)、例如在大約30nm至大約70nm范圍內(nèi)、例如在大約40nm至大約60nm范圍內(nèi)的層厚度,例如為大約50nm的層厚度。
[0178]P型載流子生成層306在不同的實(shí)施例中能夠是材料或材料混合物，所述材料或材料混合物相對(duì)于直接或間接相鄰的η型載流子生成層302的價(jià)帶(Highest OccupiedMolecule Orbital, HOMO,最高占據(jù)分子軌道)具有高的傳導(dǎo)空穴能力和更深能級(jí)的導(dǎo)帶(Lowest Unoccupied Molecule Orbital, LUM0,最低未占分子軌道)。換言之，P型載流子生成層306的材料或材料混合物具有LUM0，使得在能量方面位于與η型載流子生成層302的材料的Η0Μ0相比相同的水平或更低。
[0179]擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)304能夠具有在大約Inm至大約200nm范圍內(nèi)、例如在大約3nm至大約10nm范圍內(nèi)、例如在大約5nm至大約1nm范圍內(nèi)的層厚度,例如為大約6nm的層厚度。通過(guò)擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)304的載流子傳導(dǎo)能夠直接地或間接地進(jìn)行。
[0180]擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)304的材料或材料混合物能夠在間接的載流子傳導(dǎo)的情況下是電絕緣體。擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)304的電絕緣材料的Η0Μ0能夠高于直接相鄰的P型載流子生成層306的LUMO并且高于直接相鄰的η型載流子生成層302的Η0Μ0。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)通過(guò)擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)304的隧道電流。
[0181]適合于擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)304的材料是酞菁衍生物，例如金屬氧化物酞菁化合物，例如氧化f凡酞菁(VOPc)、氧化鈦酞菁(T1Pc)、或氧化銅酞菁(CuOPc)。
[0182]在不同實(shí)施例的然而不應(yīng)具有任何限制特性的第一具體實(shí)施方案中，載流子生成層結(jié)構(gòu)114具有下述層:
[0183]-η型載流子生成層302:ΝΕΤ_18基體中的NDN-26摻雜材料，具有大約5nm的層厚度；
[0184]-擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)304:V0Pc,具有大約6nm的層厚度；和
[0185]-P型載流子生成層306 =HAT-CN,具有大約5nm的層厚度。
[0186]在該實(shí)施方案中，第一電子傳輸層208能夠具有NET-18并且具有大約50nm的層厚度。此外，在該實(shí)施方案中，第二空穴傳輸層210能夠具有HT-508并且具有大約為50nm
的層厚度。
[0187]在不同實(shí)施例的然而不應(yīng)具有任何限制特性的第二具體實(shí)施方案中，載流子生成層結(jié)構(gòu)114具有下述層:
[0188]-η型載流子生成層302:ΝΕΤ_18基體中的NDN-26摻雜材料，具有大約3nm的層厚度；
[0189]-擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)304:T1Pc，具有大約6nm的層厚度；和
[0190]-P型載流子生成層306 =HAT-CN,具有大約15nm的層厚度。
[0191]在該實(shí)施方案中，第一電子傳輸層208能夠具有NET-18并且具有大約50nm的層厚度。此外，在該實(shí)施方案中，第二空穴傳輸層210能夠具有HT-508并且具有大約為50nm
的層厚度。
[0192]圖4示出根據(jù)載流子生成層結(jié)構(gòu)114的第一具體實(shí)施方案406和第二具體實(shí)施方案408的載流子生成層結(jié)構(gòu)114的所測(cè)量的光學(xué)透射率圖表400，其中在透射率圖表400中與具有迄今為止用于擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)304的材料NET-39的載流子生成層結(jié)構(gòu)114的光學(xué)透射率410進(jìn)行比較。以特性曲線406、408和410示出所測(cè)量的透射率402與射入的光404的波長(zhǎng)的相關(guān)性。示出，金屬氧化物酞菁V0Pc406和Ti0Pc408在大約450nm至大約600nm的光譜范圍中的透射率大于NET39的透射率410。
[0193]圖5示出根據(jù)載流子生成層結(jié)構(gòu)114的第一具體實(shí)施方案512和第二具體實(shí)施方案510的載流子生成層結(jié)構(gòu)114的所測(cè)量的溫度/電壓圖表500、以及具有迄今使用的材料NET-39的擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)304的所測(cè)量的溫度/電壓圖表508以及在載流子生成層結(jié)構(gòu)114中不具有擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)304的所測(cè)量的溫度/電壓圖表506。在溫度/電壓圖表500中，在預(yù)定的溫度(85°C )和預(yù)定的電流密度(lOmA/cm2)的條件下示出在載流子生成層結(jié)構(gòu)114之上測(cè)量的電壓降502作為時(shí)間504的函數(shù)。可看出具有VOPc 512和T1Pc 510作為用于擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)304的材料的載流子生成層結(jié)構(gòu)114與迄今使用的材料NET39 508或不具有506擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)304相比高的電壓穩(wěn)定性。
[0194]圖6示出根據(jù)載流子生成層結(jié)構(gòu)114的第一具體實(shí)施方案608和第二具體實(shí)施方案606的載流子生成層結(jié)構(gòu)114的電導(dǎo)率圖表600以及具有迄今使用的材料NET-39的擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)304的電導(dǎo)率圖表610。在電導(dǎo)率圖表600中所測(cè)量的電流密度602作為施加的電壓604的函數(shù)示出。
[0195]已證實(shí)的是，VOPc 608,T1Pc 606和NET-39 610的特性曲線具有pn 二極管的特性曲線的形狀。
[0196]在不同的實(shí)施例中，為光電子器件、例如為OLED提供載流子生成層結(jié)構(gòu)，其中載流子生成層結(jié)構(gòu)的光電阻與在迄今使用的載流子生成層結(jié)構(gòu)中相比更小。
[0197]在不同的實(shí)施例中，提供載流子生成層結(jié)構(gòu)，其中P型載流子生成層由唯一的材料進(jìn)而在沒(méi)有摻雜層的情況下形成，例如為HAT-CN。換言之，不在基體中實(shí)現(xiàn)具有摻雜材料的層。
[0198]在不同的實(shí)施例中，提供載流子生成層結(jié)構(gòu)，其中擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)具有一種或多種酞菁衍生物作為材料，例如金屬氧化物酞菁。
[0199]作為用于擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)的材料而使用的金屬氧化物酞菁、例如VOPc、T1Pc,CuOPc借助于其結(jié)晶結(jié)構(gòu)與迄今使用的材料NET-39相比具有更好的阻擋作用。這與擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)的材料相比示出具有金屬氧化物酞菁的載流子生成層結(jié)構(gòu)的更好的電壓穩(wěn)定性。由此，與在迄今用于擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)的材料NET-39的情況下相比，可以提高光電子器件的運(yùn)行時(shí)間。
[0200]在將HAT-CN(由唯一的材料構(gòu)成的P型載流子生成層)和金屬氧化物酞菁組合的情況下，光阻是尤其小的，這與在迄今用于擴(kuò)散阻擋層結(jié)構(gòu)的材料NET-39的情況下相比，在450nm至650nm的波長(zhǎng)范圍中表現(xiàn)出更高的透射率。
[0201]通過(guò)由HAT-CN和金屬氧化物酞菁組成的材料組合的更小的光電阻，即小的吸收和更高的電壓穩(wěn)定性，光電子器件的效率能夠相對(duì)于迄今使用的材料組合顯著增大。
[0202]根據(jù)不同實(shí)施例的所述方法的工藝優(yōu)點(diǎn)此外能夠在與，對(duì)于P型載流子生成層或?qū)τ讦切洼d流子生成層分別僅需要少量的有機(jī)材料，所述有機(jī)材料能夠在真空中在溫度低于500°C的情況下從蒸發(fā)源(也稱(chēng)作為材料源)中蒸發(fā)。
【權(quán)利要求】
1.一種光電子器件(100)，具有: 第一有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)(112)； 第二有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)(116);和 在所述第一有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)(112)和所述第二有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)(116)之間的載流子對(duì)生成層結(jié)構(gòu)(114)，其中所述載流子對(duì)生成層結(jié)構(gòu)(114)具有: ?第一傳導(dǎo)電子的載流子對(duì)生成層(306);其中所述第一傳導(dǎo)電子的載流子對(duì)生成層(306)具有本征傳導(dǎo)電子的材料或由其形成； ?第二傳導(dǎo)電子的載流子對(duì)生成層(302);和 ?在第一傳導(dǎo)電子的載流子對(duì)生成層(306)和第二傳導(dǎo)電子的載流子對(duì)生成層(302)之間的中間層(304);和 ?其中所述中間層(304)具有至少一種酞菁衍生物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子器件(100)， 其中所述第一本征傳導(dǎo)電子的載流子對(duì)生成層(306)的材料具有HAT-CN、Cu (I) pFBz、MoOx、TOx、VOx、ReOx、F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi (I I DpFBz 或 F16CuPc 或由其形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電子器件(100)， 其中第二有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)(116)具有空穴傳輸層(210)并且其中所述空穴傳輸層(210)在所述第一傳導(dǎo)電子的載流子對(duì)生成層(306)上或上方構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光電子器件(10)， 其中所述空穴傳輸層(210)由本征傳導(dǎo)空穴的材料或由基體和P型摻雜物組成的材料混合物形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的光電子器件(100)， 其中所述第二傳導(dǎo)電子的載流子對(duì)生成層(302)具有本征傳導(dǎo)電子的材料或由其形成，或者其中所述第二傳導(dǎo)電子的載流子對(duì)生成層(302)由基體和η型摻雜材料組成的材料混合物形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的光電子器件(100)， 其中所述中間層(304)具有選自下述組的一種材料或多種材料或由其形成: ?無(wú)機(jī)材料 ?有機(jī)材料 ?有機(jī)-無(wú)機(jī)混合材料
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的光電子器件(100)， 其中所述中間層(304)具有與所述第一傳導(dǎo)電子的載流子對(duì)生成層(306)的材料或材料混合物相同的材料或相同的材料混合物，或者由其形成，其中然而所述材料或所述材料混合物具有不同的物理結(jié)構(gòu)，或者其中所述中間層(304)具有與所述第二傳導(dǎo)電子的載流子對(duì)生成層(302)的材料或材料混合物相同的材料或相同的材料混合物，或者由其形成，其中然而所述材料或所述材料混合物具有不同的物理結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的光電子器件(100)， 其中至少一種所述酞菁衍生物具有至少一種金屬酞菁衍生物或金屬氧化物酞菁衍生物或未取代的酞菁衍生物或由其構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光電子器件(100)， 其中所述酞菁衍生物選自下述組:氧化釩酞菁(VOPc)、氧化鈦酞菁(T1Pc)、銅酞菁(CuPc)、未取代的酞菁(H2Pc)、鈷酞菁(CoPc)、招酞菁(AlPc)、鎮(zhèn)酞菁(NiPc)、鐵酞菁(FePc)、鋅酞菁(ZnPc)或猛酞菁(MnPc)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的光電子器件(100)， 其中所述光電子器件(100)構(gòu)建成有機(jī)發(fā)光二極管(100)。
11.一種用于制造光電子器件(100)的方法，所述方法具有: 形成第一有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)(112)； 在所述第一有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)(112)上或上方形成載流子對(duì)生成層結(jié)構(gòu)(114);和 在所述載流子對(duì)生成層結(jié)構(gòu)(114)上或上方形成第二有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)(116)， 其中形成所述載流子對(duì)生成層結(jié)構(gòu)(114)具有: ?形成第二傳導(dǎo)電子的載流子對(duì)生成層(302)； ?在所述第二傳導(dǎo)電子的載流子對(duì)生成層(302)上或上方形成中間層(304)； ?其中所述中間層(304)具有至少一種酞菁衍生物；和 ?在所述中間層(304)上或上方形成第一傳導(dǎo)電子的載流子對(duì)生成層(306)，其中所述第一傳導(dǎo)電子的載流子對(duì)生成層(306)具有本征傳導(dǎo)電子的材料或由其形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法， 其中所述第一本征傳導(dǎo)電子的載流子對(duì)生成層(306)的材料具有HAT-CN、Cu (I) pFBz、MoOx、TOx、VOx、ReOx、F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi (I I DpFBz 或 F16CuPc 或由其形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法， 其中所述中間層(304)的至少一種所述酞菁衍生物具有至少一種金屬酞菁衍生物或金屬氧化物酞菁衍生物或未取代的酞菁衍生物或由其構(gòu)成。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法， 其中所述中間層(304)的所述金屬氧化物酞菁選自下述組:氧化釩酞菁(VOPc)、氧化鈦酞菁(T1Pc)、銅酞菁(CuPc)、未取代的酞菁(H2Pc)、鈷酞菁(CoPc)、招酞菁(AlPc)、鎳酞菁(NiPc)、鐵酞菁(FePc)、鋅酞菁(ZnPc)或猛酞菁(MnPc)。
15.根據(jù)權(quán)利要求11至14中任一項(xiàng)所述的方法， 其中將所述光電子器件(100)制造為有機(jī)發(fā)光二極管(100)。
【文檔編號(hào)】H01L51/00GK104205394SQ201380015299
【公開(kāi)日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2013年3月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月19日
【發(fā)明者】阿恩特·耶格, 卡羅拉·迭斯, 烏爾里?！つ岬逻~爾, 斯特凡·塞德?tīng)? 托馬斯·多貝廷, 岡特·施密德 申請(qǐng)人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司