光照射裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種光照射裝置，防止因在一對外部電極間形成的電場的影響而在被處理體上的布線圖案處發(fā)生異常放電而受損傷。該光照射裝置具備在發(fā)光管的上下外表面上配置一對外部電極而成的準(zhǔn)分子燈、及收容該準(zhǔn)分子燈并且在下方設(shè)置有光取出開口的外殼，所述一對外部電極中的、與被處理體對置的下方的外部電極被施加低電壓，上方的外部電極被施加高電壓，其特征在于，在所述外殼的光取出開口上，在所述高壓側(cè)的外部電極與被處理體之間且沿著所述準(zhǔn)分子燈的長度方向的位置，具備電場遮蔽部件，該電場遮蔽部件對在所述高壓側(cè)的外部電極與所述低壓側(cè)的外部電極之間形成的電場進(jìn)行遮蔽。
【專利說明】光照射裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及具備具有外部電極的準(zhǔn)分子燈的光照射裝置，尤其涉及用于對表面形成有微細(xì)的布線圖案的玻璃基板等被處理體照射紫外線來進(jìn)行處理的光照射裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體基板、液晶基板等的制造工序中，作為除去在半導(dǎo)體基板即晶片、液晶基板即玻璃基板等被處理體的表面上附著的有機(jī)化合物等污垢的方法，廣泛利用使用了紫外線的干式洗凈方法。尤其在使用了真空紫外線的基于臭氧、活性氧的洗浄方法中，使用了更高效地以短時間進(jìn)行洗浄的光照射裝置，例如，已知有日本特開2010 - 125368號公報(專利文獻(xiàn)I)。
[0003]圖3、4是專利文獻(xiàn)I中公開的光照射裝置的概略構(gòu)成圖。
[0004]在光照射裝置21中，在鉛垂方向的下方側(cè)具有光取出開口的金屬制的燈罩22的內(nèi)部，作為光源而配置有封入了氙等發(fā)光氣體的準(zhǔn)分子燈23。在燈罩22的頂面附近，設(shè)置有用于供給惰性氣體的惰性氣體供給管24、24。
[0005]所述準(zhǔn)分子燈23配置在該氣體供給管24、24所夾的空間的鉛垂下方，作為被處理體(工件)的玻璃基板W在準(zhǔn)分子燈23的更下方通過。
[0006]所述準(zhǔn)分子燈23在放電容器25的上下外表面上具備一對外部電極26、27，該一對外部電極26、27夾著放電容器25內(nèi)的放電空間而對置配置，上方的外部電極26被施加高電壓從而作為高壓電極發(fā)揮功能，與被處理體W對置的下方的外部電極27被施加低電壓從而作為低壓電極發(fā)揮功能。而且，至少下方的外部電極27由于網(wǎng)眼構(gòu)造等而被設(shè)為光透射性。
[0007]在對上述外部電極26、27施加高頻高電壓時，在放電容器25內(nèi)發(fā)生氙氣體的準(zhǔn)分子發(fā)光，產(chǎn)生波長172nm的紫外線,從放電容器25的下方照射位于外殼21的下方的被處理體W。
[0008]被處理體W例如是液晶面板用的玻璃基板，當(dāng)通過輸送輥等輸送的被處理體W到達(dá)準(zhǔn)分子燈23的正下方時，被照射來自該準(zhǔn)分子燈23的真空紫外線。在被處理體W的表面上，紫外線以及在周圍生成的活性氧等起作用，從而有機(jī)物被分解除去，洗浄后的被處理體W被搬出到外殼22的外部。
[0009]此外，出于極力抑制從燈放射的紫外線的衰減的目的，經(jīng)由氣體供給管24、24向收容準(zhǔn)分子燈23的外殼22的內(nèi)部導(dǎo)入并填充氮?dú)獾榷栊詺怏w。
[0010]但是，在液晶面板用玻璃基板等作為所述被處理體W的情況下，光照射處理在被加工成液晶面板用之前的狀態(tài)下進(jìn)行，因此，如圖4所示，基板(被處理體)W上，有在表面上露出了以導(dǎo)電性物質(zhì)形成的布線圖案30的情況。這種情況下，在用上述光照射裝置21通過光照射來處理基板W時，有時會發(fā)生該導(dǎo)電性物質(zhì)破損等事故。
[0011]對于這種損傷，本發(fā)明的各發(fā)明人進(jìn)行了仔細(xì)研究，結(jié)果查清了這種損傷的原因是:通過對準(zhǔn)分子燈23的外部電極26、27施加的高電壓，在燈的周圍形成電場，并且該電場波及到被處理體W。
[0012]參照圖5、圖6對該現(xiàn)象進(jìn)行說明。
[0013]圖5是表示外殼22內(nèi)配設(shè)有準(zhǔn)分子燈23的光照射裝置21的作用的示意圖，外殼22以SUS板、鋁板構(gòu)成，在其內(nèi)部的下方收容有準(zhǔn)分子燈23。
[0014]在準(zhǔn)分子燈23的上下外表面上設(shè)置的一對外部電極26、27間，施加高頻高電壓，但通常在準(zhǔn)分子燈23的上方外部電極26施加高電壓，在與被處理體W對置的下方外部電極27施加低電壓。因此，在準(zhǔn)分子燈23的上表面?zhèn)刃纬奢^強(qiáng)的電場X。
[0015]也有準(zhǔn)分子燈23和被處理體W配置在接近的位置的情況，該電場X的一部分如圖5所示那樣，形成為其等電位線達(dá)到準(zhǔn)分子燈23的下方的被處理體W的位置。
[0016]圖6是將圖5所示的光照射裝置的準(zhǔn)分子燈23以及工件W沿著工件W的輸送方向切斷的局部放大剖視圖。
[0017]在玻璃基板等被處理體W上形成的導(dǎo)電性物質(zhì)的布線圖案30是各種各樣的，近來形成微細(xì)的布線圖案的情況很多，根據(jù)基板上的導(dǎo)電性物質(zhì)的配置狀態(tài)，如圖所示那樣接受由施加到準(zhǔn)分子燈23的高電壓所引起的電場，通過布線圖案30而在鄰接的導(dǎo)電性物質(zhì)之間產(chǎn)生電位差，這期間有時發(fā)生異常放電Y。
[0018]其結(jié)果是，可以推測到導(dǎo)電性物質(zhì)產(chǎn)生電火花而飛散并破損。
[0019]專利文獻(xiàn)1:日本特開2010 - 125368號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0020]本發(fā)明鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的問題點(diǎn)，提供一種光照射裝置的構(gòu)造，該光照射裝置在下方設(shè)置有光取出開口的外殼內(nèi)收容在放電容器的上下外表面上具備一對外部電極的準(zhǔn)分子燈而成，不會使在上下外部電極間產(chǎn)生的電場的影響波及到被處理體，能夠防止被處理體上的布線圖案發(fā)生異常放電，能夠防止布線圖案破損，可靠性高。
[0021]為了解決上述課題，本發(fā)明的光照射裝置，其特征在于，在所述外殼的光取出開口上，在高壓側(cè)的外部電極與被處理體之間且沿著所述準(zhǔn)分子燈的長度方向的位置，具備電場遮蔽部件，該電場遮蔽部件對在高壓側(cè)的外部電極與低壓側(cè)的外部電極之間形成的電場進(jìn)行遮蔽。
[0022]另外，特征在于，所述電場遮蔽部件與所述外殼電連接，并經(jīng)由該外殼接地。
[0023]另外，特征在于，在所述外殼內(nèi)，具備供給惰性氣體的氣體供給單元，所述電場遮蔽部件具備通風(fēng)孔，該通風(fēng)孔使所述惰性氣體朝向所述被處理體流出。
[0024]通過本發(fā)明的光照射裝置，起到如下效果:不會出現(xiàn)因施加至準(zhǔn)分子燈的高頻高電壓而在一對外部電極間形成的電場的影響波及到被處理體的情況，所以在對表面上形成有由導(dǎo)電性物質(zhì)構(gòu)成的布線圖案的被處理體進(jìn)行處理時，也不會在布線圖案間發(fā)生不期望的異常放電，能夠?qū)?gòu)成布線圖案的導(dǎo)電性物質(zhì)的損傷防患于未然。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1是本發(fā)明的光照射裝置的剖視圖。
[0026]圖2是說明本發(fā)明的作用的剖視圖。
[0027]圖3是以往的光照射裝置的剖視圖。[0028]圖4是其一部分的放大立體圖。
[0029]圖5是說明以往的光照射裝置的作用的剖視圖。
[0030]圖6是其一部分的放大剖視圖。
[0031]附圖標(biāo)記說明
[0032]I光照射裝置
[0033]2 外殼
[0034]2a光取出開口
[0035]3準(zhǔn)分子燈
[0036]4惰性氣體供給管
[0037]5放電容器
[0038]6高壓側(cè)外部電極
[0039]7低壓側(cè)外部電極
[0040]9外部電源
[0041]10電場遮蔽部件
[0042]11光取出窗
[0043]12通風(fēng)孔
[0044]W 工件
[0045]X 電場
[0046]Y異常放電
【具體實(shí)施方式】
[0047]圖1是表示本發(fā)明的光照射裝置的構(gòu)成的剖視圖。光照射裝置I在外殼2的內(nèi)部配設(shè)有準(zhǔn)分子燈3，被處理體W通過輸送機(jī)構(gòu)在準(zhǔn)分子燈3的下方進(jìn)行輸送，在通過準(zhǔn)分子燈3的正下方時，從該準(zhǔn)分子燈3放射出的紫外線例如波長172nm的真空紫外線照射到該被處理體W上，進(jìn)行表面的干式洗凈。
[0048]在所述外殼2內(nèi)的上方的頂面部附近，設(shè)置有惰性氣體供給管4、4，氮?dú)獾榷栊詺怏w被導(dǎo)入并填充到外殼2內(nèi)，抑制來自燈2的真空紫外線的衰減。
[0049]另外，所述外殼2的下端形成有來自準(zhǔn)分子燈3的光取出開口 2a。
[0050]準(zhǔn)分子燈3具備剖面呈扁平矩形形狀的放電容器5，在放電容器5的內(nèi)部，以規(guī)定的封入量封入了準(zhǔn)分子放電用的氣體作為發(fā)光氣體。在使用氙氣作為發(fā)光氣體的情況下，通常封入10?70kPa。
[0051]在該準(zhǔn)分子燈3的放電容器5的上下外表面上,設(shè)置有一對外部電極6、7，至少與被處理體W對置的下方的外部電極7由于網(wǎng)眼構(gòu)造等而被設(shè)為透光性。
[0052]所述外部電極6、7與外部電源9連接，以準(zhǔn)分子燈3的上側(cè)的外部電極6為高壓側(cè)且與被處理體W對置的下側(cè)的外部電極7為低壓側(cè)的方式被施加高頻高電壓。
[0053]在外殼2的下端的光取出開口 2a上，設(shè)置有電場遮蔽部件10。該電場遮蔽部件10由板狀部件構(gòu)成，在準(zhǔn)分子燈3的高壓側(cè)的外部電極6與被處理體W之間沿著所述準(zhǔn)分子燈3的長度方向設(shè)置，設(shè)置該電場遮蔽部件10，以遮蔽在所述高壓側(cè)的外部電極6與所述低壓側(cè)的外部電極7之間形成的電場。[0054]在該實(shí)施例中，所述電場遮蔽部件10在準(zhǔn)分子燈3的放電容器5的下表面?zhèn)取⑴c放電容器5的側(cè)面接近地、沿著放電容器5的長度方向設(shè)置。在該電場遮蔽部件10上，與準(zhǔn)分子燈3對應(yīng)地形成有光取出窗11，來自所述準(zhǔn)分子燈3的出射光從該光取出窗11向被處理體W照射。
[0055]該電場遮斷部件10與外殼2為電連接，經(jīng)由該外殼3被接地到地，始終處于GND電位。
[0056]另外，如圖1所示，在外殼2上設(shè)置有惰性氣體供給管4、4的情況下，也可以在所述電場遮蔽部件10上設(shè)置通風(fēng)孔12并向被處理體W吹送惰性氣體。此時，需要根據(jù)準(zhǔn)分子燈3的輸入電力等，以由該準(zhǔn)分子燈3所引起的電場不經(jīng)由通風(fēng)孔12漏出的程度設(shè)定通風(fēng)孔12的大小、間距。
[0057]基于圖2說明本發(fā)明的作用。在對準(zhǔn)分子燈3的外部電極6、7間施加高電壓時，在上述電極6、7間形成電場X，但電場X的一部分被所述電場遮蔽部件10遮蔽而止于外殼2內(nèi)，不會波及到被處理體W側(cè)。因此，即使在該被處理體W的表面上形成有布線圖案等導(dǎo)電性物質(zhì)，也不會在布線圖案間產(chǎn)生電位差，不會發(fā)生異常的放電，所以能夠?qū)?gòu)成布線圖案的導(dǎo)電性物質(zhì)的損傷防患于未然，能夠?qū)Ρ惶幚眢wW照射規(guī)定的紫外線并安全地進(jìn)行期望的處理。
[0058]此外，為了根據(jù)準(zhǔn)分子燈3按照與用途的關(guān)系來選擇來自燈的出射光的波長，也可以設(shè)為在放電容器5的內(nèi)表面涂敷有突光體的構(gòu)造。
[0059]以下，關(guān)于本發(fā)明所涉及的光照射裝置1，例示具體的數(shù)值。
[0060]準(zhǔn)分子燈3中，放電容器5的全長為2100mm，寬度方向的長度為42mm，高度方向的長度為15mm,構(gòu)成放電容器5的石英玻璃的壁厚為2.5mm。
[0061]在此，放電容器5的四角的彎曲部具有1.5mm以上的曲率半徑R。
[0062]對準(zhǔn)分子燈3的輸入負(fù)載為2?3W/cm。
[0063]外殼2的全長為2300mm、高度為50mm、寬度為150mm。
[0064]惰性氣體的流量為300L/分。在為該流量時，外殼2內(nèi)的氧濃度約為0.5?3%。
[0065]電場遮蔽板10是材質(zhì)由SUS構(gòu)成的板狀體，板的厚度為0.5?2mm。另外，中央的開口(光取出窗11)的尺寸例如是2100mmX45mm。
[0066]并且，電場遮蔽部件10與高壓側(cè)的外部電極6的距離約為15mm，與低壓側(cè)的外部電極7的距離約為O?5mm。
[0067]該電場遮蔽部件10例如以沖壓金屬(punching metal)形成，并具有由交錯狀(日語:千鳥狀)地形成的圓孔構(gòu)成的通風(fēng)孔12。關(guān)于通風(fēng)孔12，若舉出一例，則孔的直徑為6mm,中心間距為8mm,開口率為51 %,若舉出另一例，則孔的直徑為1.5mm,中心間距為2mm,開口率同樣為51%。
[0068]如以上說明，在本發(fā)明中，收容了準(zhǔn)分子燈的外殼的光取出開口上，在所述準(zhǔn)分子燈的高壓側(cè)的外部電極與被處理體之間，具備對在該高壓側(cè)的外部電極與低壓側(cè)的外部電極之間形成的電場進(jìn)行遮蔽的電場遮蔽部件，由此對一對外部電極間施加了高頻高電壓時所形成的電場的一部分被所述電場遮蔽部件遮蔽，而不會波及被處理體側(cè)，不會在被處理體上的布線圖案間引起異常放電，能夠防止布線圖案的損傷。
【權(quán)利要求】
1.一種光照射裝置，具備: 準(zhǔn)分子燈，在封入了發(fā)光氣體的發(fā)光管的上下外表面上配置一對外部電極而成；以及 外殼，收容該準(zhǔn)分子燈并且在下方設(shè)置有光取出開口， 所述一對外部電極中的、與被處理體對置的下方的外部電極被施加低電壓，上方的外部電極被施加高電壓， 該光照射裝置的特征在于， 在所述外殼的光取出開口上，在所述高壓側(cè)的外部電極與被處理體之間且沿著所述準(zhǔn)分子燈的長度方向的位置，具備電場遮蔽部件，該電場遮蔽部件對在所述高壓側(cè)的外部電極與所述低壓側(cè)的外部電極之間形成的電場進(jìn)行遮蔽。
2.如權(quán)利要求1所述的光照射裝置，其特征在于， 所述電場遮蔽部件與所述外殼電連接，并經(jīng)由該外殼接地。
3.如權(quán)利要求1或2所述的光照射裝置，其特征在于， 在所述外殼內(nèi)，具備供給惰性氣體的氣體供給單元， 所述電場遮蔽部件具備通風(fēng)孔，該通風(fēng)孔使所述惰性氣體朝向所述被處理體流出。
【文檔編號】H01L21/67GK103943536SQ201410007906
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2014年1月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月21日
【發(fā)明者】千賀岳人 申請人:優(yōu)志旺電機(jī)株式會社