晶片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法
【專利摘要】一種晶片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，該晶片封裝結(jié)構(gòu)包含晶片、間隔單元、板體、多個第一導(dǎo)體、封裝膠、多個第一導(dǎo)電層、絕緣層與多個第一電極。間隔單元設(shè)置于晶片的表面上，且位于焊墊之間。板體位于間隔單元上，使一空間形成于板體、間隔單元與晶片之間。第一導(dǎo)體分別電性接觸晶片上的焊墊。封裝膠覆蓋于晶片的表面上，且板體與第一導(dǎo)體包覆于封裝膠中。第一導(dǎo)電層位于封裝膠相對晶片的表面上，且分別電性接觸第一導(dǎo)體。絕緣層位于封裝膠與第一導(dǎo)電層上。第一電極分別電性接觸第一導(dǎo)電層，且凸出于絕緣層。本發(fā)明的晶片封裝結(jié)構(gòu)的尺寸得以縮小。此外，本發(fā)明的晶片封裝結(jié)構(gòu)能防止電磁干擾，且在制作時，能直接以晶圓級尺寸出貨。
【專利說明】晶片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)一種晶片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]已知應(yīng)用于微機(jī)電(MEMS)的晶片封裝結(jié)構(gòu)一般以四方平面無引腳封裝(QuadFlat No Leads ；QFN)的技術(shù)來制作。晶片具有焊墊，可通過打線的方式與外部電路接點(diǎn)電性連接，接著再以封裝膠將覆蓋打完線的晶片與外部電路接點(diǎn)。
[0003]然而，此種晶片封裝結(jié)構(gòu)會受限于打線的拉線范圍而難以降低其厚度與寬度，使得晶片封裝結(jié)構(gòu)的尺寸難以縮小。此外，已知晶片封裝結(jié)構(gòu)無法以晶圓級(wafer level)直接封裝出貨，亦無法在切割(dicing)后不經(jīng)其他制程而成為晶片尺寸封裝元件(ChipScale Package)出貨。
[0004]再者，已知晶片封裝結(jié)構(gòu)并無防電磁干擾(Electromagnetic Disturbance ；EMI)的元件，因此容易受其他電子元件的干擾。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的一技術(shù)態(tài)樣為一種晶片封裝結(jié)構(gòu)。
[0006]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，一種晶片封裝結(jié)構(gòu)包含晶片、間隔單元、板體、多個第一導(dǎo)體、封裝膠、多個第一導(dǎo)電層、絕緣層與多個第一電極。晶片其一表面具有多個焊墊。間隔單元設(shè)置于晶片的表面上，且位于焊墊之間。間隔單元圍繞晶片的有源區(qū)。板體位于間隔單元上，使一空間形成于板體、間隔單元與晶片之間。第一導(dǎo)體分別電性接觸焊墊。封裝膠覆蓋于晶片的表面上，且板體與第一導(dǎo)體包覆于封裝膠中。第一導(dǎo)電層位于封裝膠相對晶片的表面上，且分別電性接觸第一導(dǎo)體。絕緣層位于封裝膠與第一導(dǎo)電層上。第一電極分別電性接觸第一導(dǎo)電層，且凸出于絕緣層。
[0007]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述每一第一導(dǎo)電層具有延伸部。延伸部位于封裝膠中，且分別電性接觸第一導(dǎo)體。
[0008]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述板體為玻璃板或另一晶片。
[0009]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述第一導(dǎo)體的材質(zhì)包含銅或金。
[0010]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述第一導(dǎo)電層的材質(zhì)包含鋁或銅。
[0011]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述第一電極為錫球。
[0012]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述封裝膠的材質(zhì)包含環(huán)氧化物。
[0013]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述晶片封裝結(jié)構(gòu)還包含屏蔽層、第二導(dǎo)體、第二導(dǎo)電層與第二電極。屏蔽層位于板體相對晶片的表面上。第二導(dǎo)體電性接觸屏蔽層，且與屏蔽層包覆于封裝膠中。第二導(dǎo)電層位于封裝膠相對晶片的表面上，且電性接觸第二導(dǎo)體。第二電極電性接觸第二導(dǎo)電層，且凸出于絕緣層。
[0014]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述屏蔽層的材質(zhì)包含鋁或銅。
[0015]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述第二導(dǎo)體的材質(zhì)包含銅或金。[0016]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述第二導(dǎo)電層的材質(zhì)包含鋁或銅。
[0017]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述第二電極為錫球。
[0018]本發(fā)明的一技術(shù)態(tài)樣為一種晶片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法。
[0019]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，一種晶片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法包含下列步驟:提供晶圓與板體，其中板體通過多個間隔單元設(shè)置于晶圓的表面上。于晶圓的多個焊墊上分別固定多個第一導(dǎo)體。于晶圓的表面上形成封裝膠覆蓋，使板體與第一導(dǎo)體包覆于封裝膠中。研磨封裝膠相對晶圓的表面。于封裝膠上形成多個開口，使第一導(dǎo)體露出。于研磨后的封裝膠的表面上形成多個第一導(dǎo)電層，使第一導(dǎo)電層分別電性接觸第一導(dǎo)體。于封裝膠與第一導(dǎo)電層上形成絕緣層。于絕緣層中固定多個第一電極，使第一電極分別電性接觸第一導(dǎo)電層且凸出于絕緣層。
[0020]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述晶片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法還包含于板體相對晶圓的表面上形成屏蔽層。
[0021]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述晶片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法還包含于屏蔽層上固定第二導(dǎo)體，使第二導(dǎo)體電性接觸屏蔽層。
[0022]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述晶片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法還包含于研磨后的封裝膠的表面上形成第二導(dǎo)電層，使第二導(dǎo)電層電性接觸第二導(dǎo)體。
[0023]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述晶片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法還包含于絕緣層中固定第二電極，使第二電極電性接觸第二導(dǎo)電層且凸出于絕緣層。
[0024]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述晶片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法還包含切割晶圓，使晶圓形成多個晶片。
[0025]在本發(fā)明上述實(shí)施方式中，由于第一導(dǎo)體電性接觸焊墊，第一導(dǎo)電層電性接觸第一導(dǎo)體，且第一電極電性接觸第一導(dǎo)電層，因此第一電極能與晶片電性連接。此晶片封裝結(jié)構(gòu)的封裝膠不會受限于已知打線的拉線范圍，因此封裝膠的厚度與寬度可以降低，使晶片封裝結(jié)構(gòu)的尺寸得以縮小。此外，封裝膠覆蓋于晶片上，且絕緣層位于封裝膠與第一導(dǎo)電層上，因此晶片、第一導(dǎo)體與第一導(dǎo)電層均被保護(hù)，僅第一電極凸出于絕緣層。如此一來，晶片封裝結(jié)構(gòu)在制作時，能不需經(jīng)切割制程而直接以晶圓級尺寸出貨，或在切割后直接以晶片尺寸封裝元件出貨。
[0026]另外，晶片封裝結(jié)構(gòu)還可具有屏蔽層、第二導(dǎo)體、第二導(dǎo)電層與第二電極。由于第二導(dǎo)體電性接觸屏蔽層，第二導(dǎo)電層電性接觸第二導(dǎo)體，且第二電極電性接觸第二導(dǎo)電層，因此第二電極能與屏蔽層電性連接。如此一來，晶片封裝結(jié)構(gòu)具有接地的效果，能防止電磁干擾。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]圖1繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的晶片封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。
[0028]圖2繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的晶片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的流程圖。
[0029]圖3繪示圖1的板體設(shè)置于晶圓時的剖面圖。
[0030]圖4繪示圖3的焊墊設(shè)置第一導(dǎo)體時的剖面圖。
[0031]圖5繪示圖4的晶圓被封裝膠覆蓋時的剖面圖。
[0032]圖6繪示圖5的封裝膠研磨后的剖面圖。[0033]圖7繪示圖6的第一導(dǎo)體電性接觸第一導(dǎo)電層時的剖面圖。
[0034]圖8繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的晶片封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。
[0035]圖9繪示圖8的板體設(shè)置于晶圓時的剖面圖。
[0036]圖10繪示圖9的焊墊設(shè)置第一導(dǎo)體時且屏蔽層設(shè)置第二導(dǎo)體時的剖面圖。
[0037]圖11繪示圖10的晶圓被封裝膠覆蓋時的剖面圖。
[0038]圖12繪示圖11的封裝膠研磨后的剖面圖。
[0039]圖13繪示圖12的第一導(dǎo)體電性接觸第一導(dǎo)電層時且第二導(dǎo)體電性接觸第二導(dǎo)電層時的剖面圖。
[0040]附圖中符號的簡單說明如下:
[0041]100a:晶片封裝結(jié)構(gòu)100b:晶片封裝結(jié)構(gòu)
[0042]110:晶圓IlOa:晶片
[0043]112:表面114:焊墊
[0044]116:有源區(qū)120:間隔單元
[0045]122:空間130:板體
[0046]132:表面140:第一導(dǎo)體
[0047]142:開口150:封裝膠
[0048]152:表面160:第一導(dǎo)電層
[0049]162:延伸部170:絕緣層
[0050]180:第一電極192:屏蔽層
[0051]194:第二導(dǎo)體196:第二導(dǎo)電層
[0052]198:第二電極D:方向
[0053]S1:步驟S2:步驟
[0054]S3:步驟S4:步驟
[0055]S5:步驟S6:步驟
[0056]S7:步驟S8:步驟。
【具體實(shí)施方式】
[0057]以下將以圖式揭露本發(fā)明的多個實(shí)施方式，為明確說明起見，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實(shí)施方式中，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些已知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示。
[0058] 圖1繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的晶片封裝結(jié)構(gòu)IOOa的剖面圖。晶片封裝結(jié)構(gòu)IOOa包含晶片110a、間隔單元120、板體130、多個第一導(dǎo)體140、封裝膠150、多個第一導(dǎo)電層160、絕緣層170與多個第一電極180。其中，晶片IlOa的表面112具有多個焊墊114。間隔單元120設(shè)置于晶片IlOa的表面112上，且位于焊墊114之間。間隔單元120圍繞晶片IlOa的有源區(qū)116。其中有源區(qū)116可以為影像感測元件、微機(jī)電(MEMS)系統(tǒng)元件、運(yùn)算處理元件等，但并不以限制本發(fā)明。板體130位于間隔單元120上，使一空間122形成于板體130、間隔單元120與晶片IlOa之間。其中板體130可以為另一影像感測元件、微機(jī)電(MEMS)系統(tǒng)元件、運(yùn)算處理元件等，但并不以限制本發(fā)明。[0059]第一導(dǎo)體140分別電性接觸焊墊114。封裝膠150覆蓋于晶片IlOa的表面112上，且板體130與第一導(dǎo)體140包覆于封裝膠150中。此外,第一導(dǎo)電層160位于封裝膠150相對晶片IlOa的表面152上，且具有延伸部162。其中，延伸部162位于封裝膠150中，可用來電性接觸第一導(dǎo)體140。絕緣層170位于封裝膠150與第一導(dǎo)電層160上。第一電極180分別電性接觸第一導(dǎo)電層160，且凸出于絕緣層170。
[0060]在本實(shí)施方式中，晶片IlOa可以為晶圓(wafer)經(jīng)切割(dicing)制程后所形成多個晶片中的一片。晶片封裝結(jié)構(gòu)IOOa可應(yīng)用于微機(jī)電(MEMS)的電子裝置中，但不以限制本發(fā)明。板體130可以為玻璃板或另一晶片，依照設(shè)計者需求而定。第一導(dǎo)體140的材質(zhì)可以包含銅、金或其他可導(dǎo)電的材料。第一導(dǎo)電層160的材質(zhì)包含鋁、銅或其他可導(dǎo)電的材料。第一電極180可以為錫球或其他可導(dǎo)電的材料。封裝膠150的材質(zhì)可以包含環(huán)氧化物(epoxycompound),絕緣層170可以為光阻,但并不以限制本發(fā)明。
[0061]具體而言，由于第一導(dǎo)體140電性接觸焊墊114，第一導(dǎo)電層160電性接觸第一導(dǎo)體140,且第一電極180電性接觸第一導(dǎo)電層160,因此第一電極180能與晶片IlOa電性連接。此晶片封裝結(jié)構(gòu)IOOa的封裝膠150不會受限于已知打線的拉線范圍，因此封裝膠150的厚度與寬度可以降低，使晶片封裝結(jié)構(gòu)IOOa的尺寸得以縮小。此外，封裝膠150覆蓋于晶片IlOa上，且絕緣層170位于封裝膠150與第一導(dǎo)電層160上，因此晶片110a、第一導(dǎo)體140與第一導(dǎo)電層160均被保護(hù)，僅第一電極180凸出于絕緣層170。如此一來，晶片封裝結(jié)構(gòu)IOOa在制作時,能不需經(jīng)切割制程而直接以晶圓級尺寸(wafer level)出貨，或在切割后以晶片尺寸封裝元件出貨。其中，晶圓級尺寸意指多個彼此相連接的晶片封裝結(jié)構(gòu)IOOa (也就是晶圓尚未被切割成多個晶片IlOa的狀態(tài))。晶片尺寸意指單一個晶片封裝結(jié)構(gòu) IOOa0
[0062]圖2繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的晶片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的流程圖。首先在步驟Si中，提供晶圓與板體，其中板體通過多個間隔單元設(shè)置于晶圓的表面上。接著在步驟S2中，于晶圓的多個焊墊上分別固定多個第一導(dǎo)體。之后在步驟S3中，于晶圓的表面上形成封裝膠覆蓋，使板體與第一導(dǎo)體包覆于封裝膠中。接著在步驟S4中，研磨封裝膠相對晶圓的表面。之后在步驟S5中，于封裝膠上形成多個開口，使第一導(dǎo)體露出。接著在步驟S6中，于研磨后的封裝膠的表面上形成多個第一導(dǎo)電層，使第一導(dǎo)電層分別電性接觸第一導(dǎo)體。之后在步驟S7中，形成絕緣層于封裝膠與第一導(dǎo)電層上。最后在步驟S8中，于絕緣層中固定多個第一電極，使第一電極分別電性接觸第一導(dǎo)電層且凸出于絕緣層。
[0063]在本實(shí)施方式中，晶片封裝結(jié)構(gòu)是運(yùn)用晶圓級封裝方法制作的。在以下敘述中，將說明上述各步驟的【具體實(shí)施方式】。
[0064]圖3繪示圖1的板體130設(shè)置于晶圓110時的剖面圖。為求圖式簡潔清楚,本文所有圖式中的晶圓110僅繪示單一個晶片單元，實(shí)際上晶圓110在切割前由多個圖1的晶片IlOa組成。板體130可通過多個間隔單元120設(shè)置于晶圓110的表面112上，晶圓110的表面112具有焊墊114位于間隔單元120的外側(cè)。其中，間隔單元120的材質(zhì)可以包含環(huán)氧樹脂，但并不以此為限。
[0065]圖4繪示圖3的焊墊114設(shè)置第一導(dǎo)體140時的剖面圖。同時參閱圖3與圖4，第一導(dǎo)體140可通過銅膠圓化(Cu pillar)的制程來形成,或通過打金球(gold pump)的方式固定于焊墊114上，依設(shè)計者需求而定。[0066]圖5繪示圖4的晶圓110被封裝膠150覆蓋時的剖面圖。同時參閱圖4與圖5，待第一導(dǎo)體140固定于焊墊114后，可利用涂布、噴灑或注模(molding)等方式將封裝膠150形成于晶圓110的表面112上,使板體130與第一導(dǎo)體140包覆于封裝膠150中。之后，以方向D研磨封裝膠150相對晶圓110的表面152。
[0067]圖6繪示圖5的封裝膠150研磨后的剖面圖。同時參閱圖5與圖6，當(dāng)封裝膠150研磨后，封裝膠150厚度會減薄，使對齊第一導(dǎo)體140的封裝膠150形成開口 142。又或者通過雷射鉆孔(laser drilling)的方式于封裝膠150形成開口 142。如此一來,第一導(dǎo)體140便可通過開口 142露出。
[0068]圖7繪示圖6的第一導(dǎo)體140電性接觸第一導(dǎo)電層160時的剖面圖。同時參閱圖6與圖7,第一導(dǎo)電層160可通過派鍍(sputter)的方式形成于封裝膠150的表面152上，使第一導(dǎo)電層160的延伸部162可電性接觸第一導(dǎo)體140。在本實(shí)施方式中，第一導(dǎo)電層160還可搭配光刻制程與蝕刻制程來形成。
[0069]同時參閱圖1與圖7，當(dāng)圖1的晶片IlOa尚未切割時，多個彼此相連的晶片IlOa可視為圖7的晶圓110。待第一導(dǎo)電層160形成于封裝膠150上后，絕緣層170可通過阻焊模(solder mask)形成于封裝膠150與第一導(dǎo)電層160上。其中阻焊模的開口對齊第一導(dǎo)電層160的位置。最后可利用植球技術(shù)或印刷的方式將第一電極180固定于絕緣層170中，使第一電極180電性接觸第一導(dǎo)電層160，便能以晶圓級尺寸(即多個彼此相連接的晶片封裝結(jié)構(gòu)100a)直接出貨。此外，當(dāng)晶圓110切割后，晶圓110會形成多個晶片110a，便能以晶片尺寸的單一晶片封裝結(jié)構(gòu)IOOa出貨。
[0070]應(yīng)了解到，在以上敘述中，已敘述過的元件材料與元件連接關(guān)系將不在重復(fù)贅述。在以下敘述中，將敘述晶片封裝結(jié)構(gòu)IOOa還可包含的其他元件與制作方法。
[0071]圖8繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的晶片封裝結(jié)構(gòu)IOOb的剖面圖。晶片封裝結(jié)構(gòu)IOOb包含晶片110a、間隔單元120、板體130、多個第一導(dǎo)體140、封裝膠150、多個第一導(dǎo)電層160、絕緣層170與多個第一電極180。與圖1實(shí)施方式不同的地方在于:晶片封裝結(jié)構(gòu)IOOb還包含屏蔽層192、第二導(dǎo)體194、第二導(dǎo)電層196與第二電極198。其中，屏蔽層192位于板體130相對晶片IlOa的表面132上。第二導(dǎo)體194電性接觸屏蔽層192，且與屏蔽層192包覆于封裝膠150中。第二導(dǎo)電層196位于封裝膠150相對晶片IlOa的表面152上，且電性接觸第二導(dǎo)體194。第二電極198電性接觸第二導(dǎo)電層196，且凸出于絕緣層170。
[0072]在本實(shí)施方式中，屏蔽層192的材質(zhì)可以包含鋁、銅或其他可導(dǎo)電的材料。第二導(dǎo)體194的材質(zhì)可以包含銅、金或其他可導(dǎo)電的材料，可與第一導(dǎo)體140的材質(zhì)相同。第二導(dǎo)電層196的材質(zhì)可以包含招、銅或其他可導(dǎo)電的材料,可與第一導(dǎo)電層160的材質(zhì)相同。第二電極198可以為錫球或其他可導(dǎo)電的材料，可與第一電極180的材質(zhì)相同。
[0073]具體而言，由于晶片封裝結(jié)構(gòu)IOOb還可具有屏蔽層192、第二導(dǎo)體194、第二導(dǎo)電層196與第二電極198，且第二導(dǎo)體194電性接觸屏蔽層192，第二導(dǎo)電層196電性接觸第二導(dǎo)體194，第二電極198電性接觸第二導(dǎo)電層196，因此第二電極198能與屏蔽層192電性連接。如此一來，晶片封裝結(jié)構(gòu)IOOb具有接地的效果，能防止外部電子元件的電磁干擾(Electromagnetic Disturbance ；EMI)。
[0074]圖9繪示圖8的板體130設(shè)置于晶圓110時的剖面圖。與圖3實(shí)施方式不同的地方在于:屏蔽層192形成于板體130相對晶圓110的表面132上。[0075]圖10繪示圖9的焊墊114設(shè)置第一導(dǎo)體140時且屏蔽層192設(shè)置第二導(dǎo)體194時的剖面圖。與圖4實(shí)施方式不同的地方在于:第二導(dǎo)體194可通過銅膠圓化的制程來形成，或通過打金球(gold pump)的方式固定于屏蔽層192上，使第二導(dǎo)體194電性接觸屏蔽層 192。
[0076]圖11繪示圖10的晶圓110被封裝膠150覆蓋時的剖面圖。與圖5實(shí)施方式不同的地方在于:除了板體130與第一導(dǎo)體140包覆于封裝膠150中外，第二導(dǎo)體194也包覆于封裝膠150中。
[0077]圖12繪示圖11的封裝膠150研磨后的剖面圖。同時參閱圖11與圖12，當(dāng)封裝膠150以方向D研磨后，封裝膠150厚度會減薄，使第二導(dǎo)體194露出封裝膠150。接著可在對齊第一導(dǎo)體140的封裝膠150上通過雷射鉆孔形成開口 142。如此一來，第一導(dǎo)體140便可通過開口 142露出。
[0078]圖13繪示圖12的第一導(dǎo)體140電性接觸第一導(dǎo)電層160時且第二導(dǎo)體194電性接觸第二導(dǎo)電層196時的剖面圖。與圖7實(shí)施方式不同的地方在于:第二導(dǎo)電層196可通過濺鍍(sputter)的方式形成于研磨后的封裝膠150的表面152上，使第二導(dǎo)電層196電性接觸第二導(dǎo)體194。在本實(shí)施方式中，第二導(dǎo)電層196還可搭配光刻制程與蝕刻制程來形成。
[0079]同時參閱圖8與圖13，待第一導(dǎo)電層160、第二導(dǎo)電層196形成于封裝膠150上后，絕緣層170可通過阻焊模(solder mask)形成于封裝膠150、第一導(dǎo)電層160與第二導(dǎo)電層196上。其中阻焊模的開口對齊第一導(dǎo)電層160與第二導(dǎo)電層196的位置。最后可利用植球技術(shù)或印刷的方式將第一電極180與第二電極198固定于絕緣層170中，使第一電極180電性接觸第一導(dǎo)電層160，第二電極198電性接觸第二導(dǎo)電層196。
[0080]以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含: 一晶片，其一表面具有多個焊墊； 一間隔單元，設(shè)置于該晶片的該表面上，且位于所述焊墊之間，其中所述間隔單元圍繞該晶片的一有源區(qū)； 一板體，位于該間隔單元上，且使一空間形成于該板體、該間隔單元與該晶片之間； 多個第一導(dǎo)體，分別電性接觸所述焊墊； 一封裝膠，覆蓋于該晶片的該表面上，且該板體與所述第一導(dǎo)體包覆于該封裝膠中； 多個第一導(dǎo)電層，位于該封裝膠相對該晶片的表面上，且分別電性接觸所述第一導(dǎo)體； 一絕緣層，位于該封裝膠與所述第一導(dǎo)電層上；以及 多個第一電極，分別電性接觸所述第一導(dǎo)電層，且凸出于該絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一該第一導(dǎo)電層具有一延伸部，所述延伸部位于 該封裝膠中，且分別電性接觸所述第一導(dǎo)體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該板體為玻璃板或另一晶片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)體的材質(zhì)包含銅或金。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層的材質(zhì)包含鋁或銅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電極為錫球。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該封裝膠的材質(zhì)包含環(huán)氧化物。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含: 一屏蔽層，位于該板體相對該晶片的表面上； 一第二導(dǎo)體，電性接觸該屏蔽層，且與該屏蔽層包覆于該封裝膠中； 一第二導(dǎo)電層，位于該封裝膠相對該晶片的表面上，且電性接觸該第二導(dǎo)體；以及 一第二電極，電性接觸該第二導(dǎo)電層，且凸出于該絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該屏蔽層的材質(zhì)包含鋁或銅。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二導(dǎo)體的材質(zhì)包含銅或金。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二導(dǎo)電層的材質(zhì)包含鋁或銅。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二電極為錫球。
13.一種晶片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包含下列步驟: (a)提供一晶圓與一板體，其中該板體通過多個間隔單元設(shè)置于該晶圓的一表面上； (b)于該晶圓的多個焊墊上分別固定多個第一導(dǎo)體； (c)于該晶圓的該表面上形成一封裝膠覆蓋，使該板體與所述第一導(dǎo)體包覆于該封裝月父中; (d)研磨該封裝膠相對該晶圓的表面； (e)于該封裝膠上形成多個開口，使所述第一導(dǎo)體露出； (f)于研磨后的該封裝膠的該表面上形成多個第一導(dǎo)電層，使所述第一導(dǎo)電層分別電性接觸所述第一導(dǎo)體； (g)于該封裝膠與所述第一導(dǎo)電層上形成一絕緣層；以及 (h)于該絕緣層中固定多個第一電極，使所述第一電極分別電性接觸所述第一導(dǎo)電層且凸出于該絕緣層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，還包含: 于該板體相對該晶圓的表面上形成一屏蔽層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，還包含: 于該屏蔽層上固定一第二導(dǎo)體，使該第二導(dǎo)體電性接觸該屏蔽層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，還包含: 于研磨后的該封裝膠的該表面上形成一第二導(dǎo)電層，使該第二導(dǎo)電層電性接觸該第二導(dǎo)體。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，還包含: 于該絕緣層中固 定一第二電極，使該第二電極電性接觸該第二導(dǎo)電層且凸出于該絕緣層。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，還包含: 切割該晶圓，使該晶圓形成多個晶片。
【文檔編號】H01L23/488GK103985684SQ201410046344
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年2月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月8日
【發(fā)明者】劉建宏, 溫英男 申請人:精材科技股份有限公司