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      Qd-led像素顯示器件、制作方法及顯示面板的制作方法

      文檔序號(hào):7042901閱讀:593來源:國知局
      Qd-led像素顯示器件、制作方法及顯示面板的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種QD-LED像素顯示器件、制作方法及顯示面板。本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)或者有益效果:本發(fā)明將無機(jī)量子點(diǎn)材料應(yīng)用到OLED中作為發(fā)光層形成一種新型的QD-LED像素顯示器件,并將其應(yīng)用于顯示面板中,其發(fā)光波長覆蓋波長范圍廣,可以制備出可見光區(qū)域任何顏色的器件,可以提高顯示屏幕的NTSC,穩(wěn)定性優(yōu)于有機(jī)EL器件,且機(jī)械強(qiáng)度增加;此外,采用無機(jī)材料作為電子傳輸層,使得本發(fā)明QD-LED像素顯示器件的封裝標(biāo)準(zhǔn)遠(yuǎn)低于OLED,大幅縮減封裝成本和工序,且色純度高。
      【專利說明】QD-LED像素顯示器件、制作方法及顯示面板
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種QD-LED像素顯示器件、制作方法及顯示面板。
      【背景技術(shù)】
      [0002]近年來,量子點(diǎn)(Quantum Dot, QD) LED技術(shù)得到廣泛發(fā)展,量子點(diǎn)是一種尺寸在2~20nm半導(dǎo)體納米晶體材料,是由CdSe (S/Te)、ZnSe (S)等元素組成。在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體中,電子和空穴可用波函數(shù)來描述,在量子點(diǎn)限制系統(tǒng)中,波函數(shù)被限制在一個(gè)很小的區(qū)域中,導(dǎo)致載流子能量升高。當(dāng)限制程度提高時(shí),這個(gè)能量會(huì)增加,對量子點(diǎn)來說,限制程度由量子點(diǎn)的粒徑?jīng)Q定,當(dāng)量子點(diǎn)尺寸減小時(shí),電子與空穴波函數(shù)增加,也就是說電子與空穴輻射復(fù)合所產(chǎn)生的能量將隨著量子點(diǎn)尺寸的減小而增加。
      [0003]現(xiàn)在LTPS技術(shù)成為制備高畫質(zhì)顯示器的前提條件,很多機(jī)構(gòu)都在開發(fā)OLED顯示屏,通常使用的OLED發(fā)光層材料為有機(jī)發(fā)光材料,且OLED器件層次結(jié)構(gòu)多為有機(jī)材料,其發(fā)光波長覆蓋波長范圍較窄,色域(NTSC)較小,穩(wěn)定性和色純度均不高,此外,封裝成本較高、工序較復(fù)雜。
      [0004]中國專利(
      【發(fā)明者】翟保才 申請人:上海和輝光電有限公司
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