改善剝脫襯底的表面質(zhì)量的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及改善剝脫襯底的表面質(zhì)量的方法。在進(jìn)行受控剝脫工藝之前在基礎(chǔ)襯底和支撐結(jié)構(gòu)之間形成順從材料。通過將順從材料設(shè)置在基礎(chǔ)襯底和支撐結(jié)構(gòu)之間，可以減少表面擾動(dòng)（顆粒、晶片制品等）對剝脫模式斷裂的局域效果。因此，本公開的方法導(dǎo)致了剝脫材料層和剩余基礎(chǔ)襯底的表面質(zhì)量的改善。另外，本公開的方法還能減少劈裂制品的密度。
【專利說明】改善剝脫襯底的表面質(zhì)量的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及襯底制造方法和由其制造的襯底。更具體地，本發(fā)明涉及在可控剝脫工藝期間改善襯底表面質(zhì)量的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]例如，如可以制造成薄膜形式的光伏和電光器件，其具有相對于體對應(yīng)物的三個(gè)明顯的優(yōu)點(diǎn)。第一，因?yàn)槭褂酶俚牟牧希∧て骷p少器件制造中的材料成本。第二，低器件重量是激發(fā)寬范圍薄膜應(yīng)用的工業(yè)級努力的明確優(yōu)點(diǎn)。第三，如果尺寸足夠小，在其薄膜形式中器件會(huì)表現(xiàn)出機(jī)械撓性。另外，如果從可以重復(fù)使用的襯底去除器件層，可以實(shí)現(xiàn)附加的制造成本降低。
[0003](i)從體材料(B卩，半導(dǎo)體)制造薄膜襯底并且(ii)通過從在其上繼續(xù)形成器件的下面的體襯底去除器件層形成薄膜器件層的努力正在進(jìn)行。最新進(jìn)展，參見，例如Bedell等人的稱為“受控剝脫技術(shù)”的新穎層轉(zhuǎn)移方法的U.S.專利申請N0.2010/0311250A1，已經(jīng)允許通過從基礎(chǔ)襯底去除表面層進(jìn)行低成本、薄膜、高質(zhì)量襯底的制造。通過此受控剝脫技術(shù)去除的薄膜襯底層可以用于I)增加傳統(tǒng)光伏技術(shù)每瓦特成本值(the cost per Wattvalue)或者2)允許制造撓性的并且可以用于制造新產(chǎn)品的新穎的、高效率光伏、電子和光電材料。
[0004]盡管能夠制造薄膜襯底，但仍需要一種在受控剝脫之后改善基礎(chǔ)襯底的可循環(huán)利用性以及改善剝脫表面的表面質(zhì)量的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]在進(jìn)行受控剝脫工藝之前在基礎(chǔ)襯底和支撐結(jié)構(gòu)之間形成順從(compliant)材料。通過將順從材料設(shè)置在基礎(chǔ)襯底和支撐結(jié)構(gòu)之間，可以減少表面擾動(dòng)(顆粒、晶片制品(artifact)等)對剝脫模式斷裂的局域效果。因此，本公開的方法導(dǎo)致剝脫材料層和剩余基礎(chǔ)襯底的表面質(zhì)量的改善。另外，本公開的方法還能減少劈裂制品(cleaving artifact)的密度。
[0006]本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了 一種用于從基礎(chǔ)襯底去除材料層的方法。在一個(gè)實(shí)施例中，本公開的方法包括在基礎(chǔ)襯底的第一表面頂上形成應(yīng)力源層。然后，將與所述基礎(chǔ)襯底的所述第一表面相對的所述基礎(chǔ)襯底的第二表面固定到支撐結(jié)構(gòu)上，其中在所述基礎(chǔ)襯底的所述第二表面和所述支撐結(jié)構(gòu)之間形成插入的順從層；下一步，通過剝脫去除基礎(chǔ)襯底的材料層。根據(jù)本公開，從基礎(chǔ)襯底去除的材料層被至少附著到應(yīng)力源層。
[0007]在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，該方法包括在基礎(chǔ)襯底的第一表面頂上形成金屬應(yīng)力源層。下一步，將與所述基礎(chǔ)襯底的所述第一表面相對的所述基礎(chǔ)襯底的第二表面固定到支撐結(jié)構(gòu)，其中在所述基礎(chǔ)襯底的所述第二表面和所述支撐結(jié)構(gòu)之間形成插入的順從層。然后，在金屬應(yīng)力源層頂上形成處理襯底。下一步，通過剝脫去除基礎(chǔ)襯底的材料層。根據(jù)此實(shí)施例，材料層被至少附著到應(yīng)力源層，并且剝脫包括從頂部金屬應(yīng)力源層拉或者剝離處理襯底。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1A示出了(通過截面圖)可以在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中應(yīng)用的具有最上表面和最下表面的基礎(chǔ)襯底的不意圖。
[0009]圖1B示出了(通過截面圖)根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的同樣包括在基礎(chǔ)襯底的邊緣處的邊緣排斥(exclus1n)材料的如圖1A示出的基礎(chǔ)襯底的示意圖。
[0010]圖2示出了(通過截面圖)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在基礎(chǔ)襯底的最上表面上形成含金屬粘接層之后的圖1A的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0011]圖3示出了(通過截面圖)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在含金屬粘接層的表面上形成應(yīng)力源層之后的圖2的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖4示出了(通過截面圖)用插入基礎(chǔ)襯底的最下表面和支撐結(jié)構(gòu)之間的順從層將基礎(chǔ)襯底的最下表面固定到支撐結(jié)構(gòu)之后的圖3的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖5示出了(通過截面圖)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在應(yīng)力源層的表面上形成處理襯底之后的圖4的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖6A示出了(通過截面圖)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在進(jìn)行剝脫工藝之后的圖5的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖6B示出了(通過截面圖)根據(jù)其中使用了圖1B中示出的結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的實(shí)施例的在進(jìn)行剝脫工藝之后形成的另一個(gè)結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0016]圖7A示出了使用現(xiàn)有剝脫工藝從4英寸Ge晶片(175μπι)剝脫的17μπι厚的GaAs/Ge層的圖像，其中在Ge晶片的最下表面和真空卡盤的表面之間沒有形成順從(compliant)層。
[0017]圖7B示出了使用剝脫工藝從4英寸Ge晶片(175 μ m)剝脫的17 μ m厚的GaAs/Ge層的圖像，其中在Ge晶片的最下表面和真空卡盤的表面之間形成順從層。
【具體實(shí)施方式】
[0018]現(xiàn)在，通過參考本發(fā)明附帶的隨后的討論和附圖更詳細(xì)的描述本發(fā)明。注意，提供本發(fā)明的附圖用于說明目的并且因此沒有按比例畫出。在隨后的描述中，解釋了大量具體細(xì)節(jié)，例如具體結(jié)構(gòu)、部件、材料、尺寸、工藝步驟和技術(shù)，目的是提供對本發(fā)明的全面理解。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，本公開可以用沒有這些具體細(xì)節(jié)的可行的可選工藝選項(xiàng)執(zhí)行。在其它實(shí)例中，為了避免模糊本發(fā)明的各種實(shí)施例，沒有詳細(xì)描述已公知的結(jié)構(gòu)或工藝步驟。
[0019]因?yàn)樵谝r底的背面和支撐結(jié)構(gòu)(S卩，真空或者靜電卡盤)的表面之間捕獲的顆粒，如Bedell等人的美國專利申請N0.2010/0311250A1公開的對很薄的襯底(小于300 μ m)施加可控剝脫技術(shù)使得斷裂深度對擾動(dòng)更敏感。不希望被任何理論束縛，相信上述敏感性是因?yàn)橐r底中發(fā)生斷裂的表面下的深度處是剪切應(yīng)力最小化的區(qū)域并且源于局域化曲率改變(捕獲的顆粒)的局域應(yīng)力場扭曲了初始應(yīng)力場的空間分布。當(dāng)斷裂傳播時(shí)，斷裂通過改變斷裂深度以維護(hù)在開裂頂端處等于零的模式II (既，剪切)應(yīng)力而響應(yīng)于局域應(yīng)力擾動(dòng)。
[0020]對于具有300 μ m或者更厚的厚度的較厚襯底或者鑄錠，僅有的非平面應(yīng)力擾動(dòng)來自應(yīng)力源層本身或者處理襯底中內(nèi)容物。對于固定到支撐結(jié)構(gòu)的厚襯底，在厚襯底和支撐結(jié)構(gòu)之間存在的顆粒導(dǎo)致局域化曲率變化，該局域化曲率改變在量值上更小且如果襯底很薄在空間上更加擴(kuò)展。
[0021]本發(fā)明提供了一種方法，用于當(dāng)使用薄基礎(chǔ)襯底(小于300 μ m的厚度)時(shí)，減少在可控剝脫技術(shù)中的深度擾動(dòng)。在一些實(shí)施例中，進(jìn)行本發(fā)明公開的剝脫工藝的基礎(chǔ)襯底具有從ΙΟΟμπι增加到包括250 μ m的厚度。在本發(fā)明中，可以通過形成插入基礎(chǔ)襯底的最下表面和支撐結(jié)構(gòu)的表面之間的順從材料減少上述深度擾動(dòng)問題。在整個(gè)發(fā)明中使用的術(shù)語“順從材料”或者“順從層”指當(dāng)向其施加力時(shí)具有形變能力的任意撓性材料。
[0022]通過插入基礎(chǔ)襯底的最下表面和支撐結(jié)構(gòu)的表面之間的順從材料，可以減少在剝脫軌跡上的表面擾動(dòng)效應(yīng)。這改善了剝脫材料層和基礎(chǔ)襯底剩余部分的表面質(zhì)量。“改善的表面質(zhì)量”意味著在剝脫后剝脫材料層和基礎(chǔ)襯底的剩余部分在剝脫深度上具有整體減少的偏差，特別是在靠近在襯底的背面和支撐結(jié)構(gòu)之間吸附的顆粒附近的區(qū)域中。另外，本發(fā)明的方法可以減少劈裂制品(artifact)的密度；劈裂制品可以限定為從幾個(gè)微米到幾個(gè)厘米長度范圍上存在的斷裂深度的任意可檢測的變化。
[0023]現(xiàn)在參考圖1A、1B、2_5、6A和6B，其示出了本公開的用于在受控剝脫期間在薄基礎(chǔ)襯底中的深度擾動(dòng)的方法的基本處理步驟。
[0024]首先參考圖1A,其不出了可以用于本公開的一個(gè)實(shí)施例的具有最上表面11和最下表面10的基礎(chǔ)襯底12。如所示，基礎(chǔ)襯底12的最上表面11 (其還可以稱為第一表面)與基礎(chǔ)襯底12的最下表面10 (其在這里還可以稱為第二表面)相對。
[0025]可以在本公開中使用的基礎(chǔ)襯底12可以包括半導(dǎo)體材料、玻璃、陶瓷或者斷裂韌度小于隨后將形成的應(yīng)力源層的任意其它材料。斷裂韌度是一種性能，其描述含開裂的材料抵抗斷裂的能力。斷裂韌度標(biāo)記為KIc;。下標(biāo)Ic表示在垂直于開裂的法向拉伸應(yīng)力下的模式I開裂開口，并且c標(biāo)記其為臨界值。典型地，模式I斷裂韌度典型為最重要的值，因?yàn)閯兠撃Ｊ綌嗔淹ǔ０l(fā)生在襯底中模式II應(yīng)力(剪切)為零的區(qū)域中。斷裂韌度為表示當(dāng)存在開裂時(shí)材料抵抗脆性斷裂的定量方式。
[0026]當(dāng)基礎(chǔ)襯底12包括半導(dǎo)體材料時(shí)，半導(dǎo)體材料可以包括但不僅限于S1、Ge、SiGe、SiGeC, SiC, Ge 合金、GaSb、GaP、GaN、GaAs、InAs, InP, AlN 以及所有其它 II1-V 或者 I1-VI化合物半導(dǎo)體。在一些實(shí)施例中，基礎(chǔ)襯底12是體半導(dǎo)體材料。在其它實(shí)施例中，基礎(chǔ)襯底12可以包括層狀半導(dǎo)體材料，例如，如絕緣體上半導(dǎo)體或者聚合襯底上的半導(dǎo)體?？梢杂米骰A(chǔ)襯底12的絕緣體上半導(dǎo)體襯底的示出實(shí)例包括絕緣體上娃和絕緣體上娃鍺。在一些實(shí)施例中，基礎(chǔ)襯底12包括半導(dǎo)體材料的多層疊層。這樣的基礎(chǔ)襯底的示范性實(shí)例是從底到頂?shù)逆N層和砷化鎵層的多層疊層。當(dāng)基礎(chǔ)襯底12包括半導(dǎo)體材料時(shí)，半導(dǎo)體材料可以被摻雜、未摻雜或者包含摻雜區(qū)域和未摻雜區(qū)域。
[0027]在一個(gè)實(shí)施例中，可以用作基礎(chǔ)襯底12的半導(dǎo)體材料可以是單晶(即，整個(gè)樣品的晶格到樣品的邊緣是連續(xù)的并且沒有破裂，沒有晶粒邊界的材料)。在另一個(gè)實(shí)施例中，可以用作基礎(chǔ)襯底12的半導(dǎo)體材料可以是多晶(即，有許多不同尺寸和取向的晶粒組成的材料；方向的變化是隨機(jī)的(稱為，隨機(jī)織構(gòu))或者被定向的，可能歸因于生長和處理?xiàng)l件)。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，可以用作基礎(chǔ)襯底12的半導(dǎo)體材料可以是非晶(即，缺乏晶體的長程有序特性的非結(jié)晶材料)。典型地，可以用作基礎(chǔ)襯底12的半導(dǎo)體材料是單晶材料。
[0028]當(dāng)基礎(chǔ)襯底12包括玻璃時(shí)，玻璃可以是S12基玻璃，其可以未摻雜或者用合適的摻雜劑摻雜。可以用作基礎(chǔ)襯底12的S12基玻璃的實(shí)例包括未摻雜硅酸鹽玻璃、硼硅酸鹽玻璃、磷硅酸鹽玻璃、氟硅酸鹽玻璃以及硼磷硅酸鹽玻璃。
[0029]當(dāng)基礎(chǔ)襯底12包括陶瓷時(shí)，陶瓷可以是任意無機(jī)、非金屬固體，例如，如包括但不僅限于鋁、鈹、鈰和鋯的氧化物，包括但不僅限于碳化物、硼化物、氮化物或者硅化物的非氧化物；或者包括氧化物和非氧化物的組合的合成物。
[0030]在本公開的一些實(shí)施例中，可以利用本領(lǐng)域的技術(shù)人員已公知的技術(shù)在基礎(chǔ)襯底12上和/或內(nèi)處理一個(gè)或多個(gè)器件，其包括但不僅限于晶體管、電容器、二極管、BiCMOS、電阻器等?？梢岳帽竟_的方法去除包括一個(gè)或多個(gè)器件的基礎(chǔ)襯底12的上部區(qū)域。基礎(chǔ)襯底12的上部區(qū)域還可以包括一個(gè)或多個(gè)可以用作光伏器件的II1-V化合物半導(dǎo)體層。
[0031]在本公開的一些實(shí)施例中，可以在進(jìn)一步的處理前清潔基礎(chǔ)襯底12的最上表面11以去除表面氧化物和/或源于此的其它污染物。在本公開的一個(gè)實(shí)施例中，通過向基礎(chǔ)襯底12的最上表面11施加例如，如能夠從基礎(chǔ)襯底12的最上表面11去除污染物和/或表面氧化物的丙酮和異丙醇的溶劑清潔基礎(chǔ)襯底12的最上表面11。
[0032]在本公開的一些實(shí)施例中，通過將基礎(chǔ)襯底12的最上表面11浸入氫氟酸的使用前的氧化物去除，可以使基礎(chǔ)襯底12的最上表面11疏水化。疏水或者非氧化物表面在所述清潔表面和將要沉積的特定的應(yīng)力源層之間提供改善的粘接。
[0033]參考圖1B，其示出了在基礎(chǔ)襯底12的最上表面11上和垂直邊緣V1、V2處形成的在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中采用的邊緣排斥材料之后的基礎(chǔ)襯底12。如所示，邊緣排斥材料14具有與基礎(chǔ)襯底12的垂直邊緣V1、V2垂直一致的邊緣，而邊緣排斥材料14的另一個(gè)邊緣從邊緣V1、V2向內(nèi)并且在基礎(chǔ)襯底12的最上表面11上。在整個(gè)本公開中使用的術(shù)語“邊緣排斥區(qū)域”指基礎(chǔ)襯底12頂上的區(qū)域，在其中不存在隨后形成的應(yīng)力源層或者如果存在，那么應(yīng)力源層不會(huì)顯著地粘附到基礎(chǔ)襯底12的最上表面11。邊緣排斥材料14的形成最小化在剝脫期間與邊緣相關(guān)的襯底破裂。
[0034]在本公開的一個(gè)實(shí)施例中，邊緣排斥材料14可以是粘接降低物(adhes1ndemoter)0 “粘接降低物”指能夠減小隨后形成的可選含金屬粘接層或者應(yīng)力源層粘附(即，粘貼)到基礎(chǔ)襯底12的最上表面11的能力的任何材料?？梢栽诒竟_中用作邊緣排斥材料14的粘接降低物包括但不僅限于光致抗蝕劑材料、聚合物、碳?xì)浠衔锊牧?、墨、粉末、漿糊或者非粘接金屬。在一個(gè)實(shí)施例中，可以在本公開中用作邊緣排斥材料14的粘接降低物是墨。
[0035]可以用作粘接降低物的光致抗蝕劑材料包括任意公知的正調(diào)(positive-tone)材料和/或負(fù)調(diào)(negative-tone)材料?？梢杂米髡辰咏档臀锏木酆衔锇ǖ粌H限于，以帶或膜的形式沉積或者施加的如橡膠、蟲漆、纖維素的天然聚合物，如尼龍、聚乙烯和聚丙烯的合成聚合物?？梢杂米髡辰咏档臀锏奶?xì)浠衔锊牧习ǖ幌抻冢柡吞細(xì)浠衔?即，烷烴)、未飽和碳?xì)浠衔?即，烯或者炔)、環(huán)烷烴以及芳香烴(即，芳烴)?？梢杂米髡辰咏档臀锏哪ǖ粌H限于通常在商業(yè)永久標(biāo)記中得到的乙醇或者水基墨，或者用于噴墨印刷技術(shù)的墨?？梢杂米髡辰咏档臀锏姆钦辰咏饘侔ǖ粌H限于Au、Ag、焊料或者低熔點(diǎn)合金?？梢杂米髡辰咏档臀锏臐{糊包括但不僅限于金屬基漿糊、部分固化的環(huán)氧、真空脂(vacuum grease)或者類似的材料。
[0036]可以利用本領(lǐng)域的技術(shù)人員公知的技術(shù)在基礎(chǔ)襯底12的鄰近邊緣V1、V2的最上表面上形成在本公開中作為邊緣排斥材料14使用的粘接降低物。例如，可以通過化學(xué)氣相沉積、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、原子層沉積、旋涂、刷涂、噴涂、絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷或者織物頂端(fabric-tip)施加來形成可以在本公開中作為邊緣排斥材料14使用的粘接降低物。在使用墨作為粘接降低物的一些實(shí)施例中，可以從筆或者包括其的記號器施加墨。在一個(gè)實(shí)施例中，邊緣排斥材料14具有由從一個(gè)側(cè)壁邊緣到另一個(gè)側(cè)壁邊緣確定的從0.0lmm到1mm的寬度。在另一個(gè)實(shí)施例中，邊緣排斥材料14具有從0.1mm到5mm的寬度。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，基礎(chǔ)襯底12直接位于邊緣排斥材料14之下的部分限定邊緣排斥區(qū)域，其存在將最小化在隨后的剝脫工藝期間的與邊緣相關(guān)的破碎。
[0037]現(xiàn)在參考圖2，其示出了在基礎(chǔ)襯底12的最上表面11上形成可選含金屬粘接層16后的圖1A的基礎(chǔ)襯底12。雖然現(xiàn)在利用在圖1A中示出的結(jié)構(gòu)描述并示出了本發(fā)明，但是可以使用具有類似結(jié)構(gòu)的圖1B中示出的結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖3-6A中示出的相同的工藝步驟。
[0038]在隨后形成的應(yīng)力源層與基礎(chǔ)襯底12的最上表面11具有較差粘接的實(shí)施例中使用可選含金屬粘接層16。典型地，當(dāng)采用由金屬構(gòu)成的應(yīng)力源層時(shí)使用含金屬粘接層16。在一些實(shí)施例中，可以在基礎(chǔ)襯底12的最上表面11頂上直接形成可選鍍敷種子層(未不出)?？蛇x鍍敷種子層可以與含金屬粘接層16—起使用或者被其替代。
[0039]在本公開中使用的可選含金屬粘接層16包括任意金屬粘接材料，例如但不僅限于Ti/W、T1、Cr、Ni或其任意組合?？蛇x含金屬粘接層16可以包括單層或者其可以包括包含不同金屬粘接材料的至少兩層的多層結(jié)構(gòu)。
[0040]當(dāng)存在時(shí)，可以在從15°C到40°C即288K到313K或以上的溫度下形成可選含金屬粘接層16。在一個(gè)實(shí)施例中，可以在從20°C (293K)到180°C (353K)的溫度下形成可選含金屬粘接層16。在另一個(gè)實(shí)施例中，可以在從20°C (293K)到6(TC (333K)的溫度下形成可選含金屬粘接層16。
[0041]可以利用本領(lǐng)域的技術(shù)人員已公知的技術(shù)沉積形成可選采用的含金屬粘接層16。例如，可以利用濺射、化學(xué)氣相沉積、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、化學(xué)溶液沉積、物理氣相沉積和鍍敷形成可選含金屬粘接層16。當(dāng)使用濺射沉積時(shí)，濺射沉積工藝還可以包括在沉積前的原位濺射清潔工藝。
[0042]當(dāng)使用時(shí)，可選含金屬粘接層16典型地具有從5nm到300nm的厚度，更典型從10nm到150nm的厚度。對于可選含金屬粘接層16,在本發(fā)明中還可以使用小于和/或高于前述厚度范圍的其它厚度。
[0043]典型地在實(shí)施例中使用可選鍍敷種子層(未示出)，在該實(shí)施例中隨后形成的應(yīng)力源層是金屬并且使用鍍敷形成含金屬應(yīng)力源層。使用可選鍍敷種子層以選擇性促進(jìn)預(yù)先選擇的含金屬應(yīng)力源層的鍍敷?？蛇x鍍敷種子層可以包括，例如Ni單層或者如Al (底)/Ti/Ni (頂)的兩個(gè)或更多金屬的層狀結(jié)構(gòu)。可選鍍敷種子層的厚度可以根據(jù)可選鍍敷種子層的材料或者多種材料以及其形成技術(shù)變化。典型地，可選鍍敷種子層具有從2nm到500nm的厚度?？梢酝ㄟ^包括例如，化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、原子層沉積(ALD)和可以包括蒸鍍和/或?yàn)R射的物理氣相沉積(PVD)技術(shù)的常規(guī)沉積工藝形成可選鍍敷種子層。[0044]根據(jù)本發(fā)明，在基礎(chǔ)襯底中不發(fā)生自發(fā)剝脫的溫度下形成可選含金屬粘接層16和/或可選鍍敷種子層。
[0045]現(xiàn)在參考圖3，其示出了在可選含金屬粘接層16的最上表面上形成應(yīng)力源層18后的圖2的結(jié)構(gòu)。在不存在可選含金屬粘接層16的一些實(shí)施例中，可以在基礎(chǔ)襯底12的最上表面11上直接形成應(yīng)力源層18 ;沒有在附圖中示出此特殊實(shí)施例，但是可以從本發(fā)明示出的附圖中容易地推斷出。在使用可選鍍敷種子層的另一個(gè)實(shí)施例中，可以在可選鍍敷種子層的最上表面上直接形成應(yīng)力源層18 ;同樣沒有在附圖中示出此特殊實(shí)施例，但是可以從本發(fā)明示出的附圖中容易地推斷出。
[0046]可以在本發(fā)明中使用的應(yīng)力源層18包括在沉積后在基礎(chǔ)襯底12上處于拉伸應(yīng)力下的任意材料。應(yīng)力源層18還指應(yīng)力誘導(dǎo)層。根據(jù)本發(fā)明，應(yīng)力源層18具有導(dǎo)致在基礎(chǔ)襯底12中發(fā)生剝脫模式斷裂的臨界厚度和應(yīng)力值。具體地，應(yīng)力源層18具有臨界厚度，其中在基礎(chǔ)襯底12的最上表面11下以及基礎(chǔ)襯底12中的一些區(qū)域開始剝脫?！芭R界”意味著對于給定的應(yīng)力源材料和基礎(chǔ)襯底材料組合，選擇應(yīng)力源層的厚度值和應(yīng)力源值以便可能發(fā)生剝脫模式斷裂(可以產(chǎn)生大于襯底的Krc值的K1值)?？梢酝ㄟ^調(diào)整應(yīng)力源層18的沉積條件來調(diào)節(jié)應(yīng)力值。例如，在濺射沉積應(yīng)力源層18的情況下，氣體壓力可以用于調(diào)整應(yīng)力值，如在 Thorton 和 Hoffman 的 J.Vac.Sc1.Technol., 14 (1977) p.164 中所描述的。
[0047]選擇應(yīng)力源層18的厚度以在基礎(chǔ)襯底12的部分區(qū)域中提供期望的斷裂深度。例如，如果選擇Ni為應(yīng)力源層18，那么斷裂將在應(yīng)力源層18下面，Ni厚度的約2到3倍的深度處發(fā)生。然后選擇應(yīng)力源層18的應(yīng)力值以滿足剝脫模式斷裂的臨界條件。這可以通過經(jīng)驗(yàn)公式t*=[(2.5xl06) (Krc3/2)] / σ 2估計(jì)，其中t*為臨界應(yīng)力源層厚度(微米)，Krc是基礎(chǔ)襯底12的斷裂韌度(單位MPa.m1/2)，σ是應(yīng)力源層的應(yīng)力值(MPa或者兆帕)。上述表達(dá)是一個(gè)指導(dǎo)，實(shí)際中，會(huì)在上述表達(dá)預(yù)測的值小20%的應(yīng)力或者厚度值處發(fā)生。
[0048]當(dāng)在基礎(chǔ)襯底12上施加時(shí)處于拉伸應(yīng)力下并且因此可以用作應(yīng)力源層18的這樣的材料的示范性實(shí)例包括但不僅限于金屬、例如剝脫誘導(dǎo)帶層的聚合物，或者任意其組合?？梢允褂冒▎螒?yīng)力源層或者包括不同應(yīng)力源材料的至少兩層的多層應(yīng)力源層結(jié)構(gòu)的應(yīng)力源層18。
[0049]在一個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)力源層18是金屬并且在可選含金屬粘接層16的最上表面上形成該金屬。在另一個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)力源層18是剝脫誘導(dǎo)帶并且剝脫誘導(dǎo)帶被直接施加到基礎(chǔ)襯底12的最上表面11。在另一個(gè)實(shí)施例中，例如，應(yīng)力源層18可以包括包含下部和上部的兩部分應(yīng)力源層。兩部分應(yīng)力源層的上部可以由剝脫誘導(dǎo)帶層構(gòu)成。
[0050]當(dāng)金屬用作應(yīng)力源層18時(shí)，金屬可以包括，例如N1、Cr、Fe、Mo、Ti或者W。還可以使用這些金屬的合金。在一個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)力源層18包括至少一個(gè)含Ni層。
[0051]當(dāng)聚合物用作應(yīng)力源層18時(shí)，聚合物是由重復(fù)結(jié)構(gòu)單元構(gòu)成的大高分子。典型地通過共價(jià)化學(xué)鍵連接子單元?？梢杂米鲬?yīng)力源層18的聚合物的示范性實(shí)例包括但不僅限于聚酰亞胺聚酯、聚烯烴、聚丙烯酸脂、聚氨酯、聚乙酸乙烯脂和聚氯乙烯。
[0052]當(dāng)剝脫誘導(dǎo)非金屬層(S卩，如帶的聚合材料)用作應(yīng)力源層18時(shí)，剝脫誘導(dǎo)層包括任意壓力敏感帶，其在形成帶的第一溫度處撓性、軟并且無應(yīng)力，然而在去除期間即剝脫基礎(chǔ)襯底12的上部期間使用的第二溫度處，其強(qiáng)勁、易于延展并且拉伸?！皦毫γ舾袔А币馑际鞘┘訅毫⒄迟N而不需要溶劑、熱或者水以激活的粘接帶。因?yàn)榛A(chǔ)襯底12(具有更低的熱膨脹系數(shù))和帶(具有更高的熱膨脹系數(shù))之間的熱膨脹錯(cuò)配，在第二溫度下帶中的拉伸應(yīng)力是主要的。
[0053]典型地，在本發(fā)明中作為應(yīng)力源層18使用的壓力敏感帶至少包括粘接層和基礎(chǔ)層。用于壓力敏感帶的粘接層和基礎(chǔ)層的材料包括聚合材料，例如，如，具有或者不具有合適的塑化劑的丙烯酸酯、聚酯、烯烴和乙烯基單體(vinyls)。塑化劑是添加劑，該添加劑可以增加添加有其的聚合材料的塑性。
[0054]在一個(gè)實(shí)施例中，在室溫下(15°C -40°C，即288K-313K)形成本公開中使用的應(yīng)力源層18。在另一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)使用帶層時(shí)，可以在從15°C (288K)到6(TC (333K)的溫度下形成帶層。
[0055]當(dāng)應(yīng)力源層16是金屬或者聚合物時(shí)，可以利用本領(lǐng)域的技術(shù)人員公知的沉積技術(shù)形成應(yīng)力源層18，沉積技術(shù)包括，例如浸涂、旋涂、刷涂、濺射、化學(xué)氣相沉積、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、化學(xué)溶液沉積、物理氣相沉積以及鍍敷。
[0056]當(dāng)應(yīng)力源層18是剝脫誘導(dǎo)帶層時(shí)，可以通過手動(dòng)或者機(jī)械方式施加帶層?？梢岳帽绢I(lǐng)域的技術(shù)人員已公知的技術(shù)形成剝脫誘導(dǎo)帶或者可以通過任意已知粘接帶制造者那里商業(yè)購買它們?？梢栽诒景l(fā)明中用作應(yīng)力源層18的剝脫誘導(dǎo)帶的一些實(shí)例包括，例如Nitto Denko3193MS 熱釋放帶、Kapton KPT-1^PDiversified B1tech，s CLEAR-170 (烯酸粘接劑，乙烯基)。
[0057]在一個(gè)實(shí)施例中，可以在基礎(chǔ)襯底12的最上表面11上形成兩部分應(yīng)力源層，其中在室溫或者略高(例如，從15°C (288K)到60°C (333K))的第一溫度下形成兩部分應(yīng)力源層的下部，其中在室溫的輔 助溫度下形成包括剝脫誘導(dǎo)帶層的兩部分應(yīng)力源層的上部。
[0058]如果應(yīng)力源層18具有金屬特性，其典型地具有從3 μ m到50 μ m的厚度，更典型具有從4 μ m到7 μ m的厚度。對于應(yīng)力源層18，在本發(fā)明中還可以使用小于和/或高于前述厚度范圍的其它厚度。
[0059]如果應(yīng)力源層18具有聚合物特性，其典型地具有從10 μ m到200 μ m的厚度，更典型具有從50 μ m到10ym的厚度。對于應(yīng)力源層18，在本發(fā)明中還可以使用小于和/或高于前述厚度范圍的其它厚度。
[0060]現(xiàn)在參考圖4，示出了圖3用插入到基礎(chǔ)襯底12的最下表面10和支撐結(jié)構(gòu)50之間的順從層52將基礎(chǔ)襯底12的最下表面10固定到支撐結(jié)構(gòu)50上之后的結(jié)構(gòu)。
[0061]在本公開中使用支撐結(jié)構(gòu)50以在隨后的受控剝脫工藝期間保持(即，固定)基礎(chǔ)襯底12。可以在本發(fā)明中使用的支撐結(jié)構(gòu)50優(yōu)選包括包含保持基礎(chǔ)襯底的裝置的鋼性(即，非撓性)表面?？梢栽诒竟_中使用的支撐結(jié)構(gòu)包括，例如真空卡盤、靜電卡盤、粘接劑或者邊緣卡具。支撐結(jié)構(gòu)50特別是其上表面，可以由包括如鋁的任意金屬構(gòu)成。在一些實(shí)施例中，支撐結(jié)構(gòu)50特別是其上表面由不銹鋼構(gòu)成。
[0062]在本公開中使用的順從層52是楊氏模量小于支撐結(jié)構(gòu)50的楊氏模量的彈性材料。楊氏模量又稱為拉伸模量或者彈性模量，是彈性材料的剛性尺度。楊氏模量定義為在適用胡克定律的應(yīng)力范圍內(nèi)單軸應(yīng)力與單軸應(yīng)變的比。在一個(gè)實(shí)施例中，在本公開中使用的順從層52具有從50kPa到5GPa的楊氏模量。在另一個(gè)實(shí)施例中，在本公開中使用的順從層52具有從10kPa到500MPa的楊氏模量。當(dāng)順從層52因?yàn)橥饬ψ冃螘r(shí)，其經(jīng)歷與變形相對的內(nèi)力并且如果不再施加外力，其回到初始狀態(tài)。[0063]如上所述，插入支撐結(jié)構(gòu)50和基礎(chǔ)襯底12的最下表面10之間形成的順從層52包括可變形材料。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，順從層52由彈性體構(gòu)成。彈性體是具有粘彈性的聚合物，與其它材料相比通常具有低楊氏模量和高屈服應(yīng)變。鏈接形成聚合物的每一個(gè)單體優(yōu)選由碳、氫、氧和/或硅構(gòu)成。彈性體在其玻璃轉(zhuǎn)變溫度之上以非晶聚合物存在，以便可能出現(xiàn)相當(dāng)?shù)牟糠诌\(yùn)動(dòng)?？梢栽诒景l(fā)明中作為順從層52使用的彈性體的實(shí)例包括但不僅限于天然或合成橡膠、硅酮、聚烯烴、聚乙酸乙烯脂、聚丙烯酸甲酯、粘彈凝膠或者泡沫。
[0064]在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，順從層52可以是如上述用于作為應(yīng)力源層使用的帶。
[0065]在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，當(dāng)支撐結(jié)構(gòu)50包括真空卡盤時(shí)，順從層52可以包含多個(gè)孔或者小孔洞的陣列?？椎淖饔檬窃试S真空傳遞到基礎(chǔ)襯底12的最下表面10.[0066]可以通過手動(dòng)或者機(jī)械裝置形成在支撐結(jié)構(gòu)50和基礎(chǔ)襯底12的最下表面10之間插入的順從層52。在一些實(shí)施例中，可以通過浸涂、旋涂和/或刷涂形成順從層52。
[0067]典型地，在支撐結(jié)構(gòu)50的表面上形成順從層52并且隨后向順從層52施加至少包括應(yīng)力源層和基礎(chǔ)襯底的層狀結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，可以在支撐結(jié)構(gòu)的表面上形成順從層之前在基礎(chǔ)襯底12的最下表面10上形成順從層52。
[0068]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，順從層52具有從ΙΟμπι到5mm的厚度。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，順從層52具有從約25 μ m到約500 μ m的厚度。大于或者小于上述范圍的其它厚度同樣可以用作順從層52。
[0069]在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，順從層52可以包括彈性體材料的多層。
[0070]參考圖5，示出了在應(yīng)力源層18頂上形成可選處理襯底20之后的圖4的結(jié)構(gòu)。在本公開中使用的可選處理襯底20包括具有小于30cm的最小曲率半徑的任意撓性材料?？梢杂米骺蛇x處理襯底20的撓性材料的示范性實(shí)例包括金屬箔或者聚亞胺箔。在一些實(shí)施例中，如上所述的帶可以用作處理襯底20。
[0071]可選的處理襯底20可以用于提供更好的斷裂控制以及處理基礎(chǔ)襯底12的剝脫部分的更好的自由度(versatility)。另外，可選的處理襯底20可以用于在本公開的剝脫工藝期間導(dǎo)引開裂傳播。典型但不必需，在處于室溫(15°C (288K)-40°C (313K))的第一溫度下形成本公開的可選的處理襯底20。
[0072]可以利用本領(lǐng)域的技術(shù)人員公知的沉積技術(shù)形成可選的處理襯底20，沉積技術(shù)包括，例如，機(jī)械壓力、浸涂、旋涂、刷涂、濺射、化學(xué)氣相沉積、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、化學(xué)溶液沉積、物理氣相沉積以及鍍敷。
[0073]可選的處理襯底20典型地具有從5 μ m到500 μ m的厚度，更典型具有從10 μ m到150 μ m的厚度。對于可選的處理襯底20，在本發(fā)明中還可以使用小于和/或高于前述厚度范圍的其它厚度。
[0074]參考圖6A，示出了通過剝脫去除基礎(chǔ)襯底12的上部12A之后的圖5的結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，剝脫工藝包括拉或者剝離處理襯底20以去除至少包括應(yīng)力源層18和基礎(chǔ)襯底12的上部的剝脫結(jié)構(gòu)。通過剝脫從原始基礎(chǔ)襯底12去除的基礎(chǔ)襯底的上部加載這里可以稱為剝脫材料層12A。原始基礎(chǔ)襯底12的剩余部分這里可以稱為剩余基礎(chǔ)襯底12B。
[0075]剝脫工藝包括開裂在基礎(chǔ)襯底12中的形成和傳播。在基本上室溫(B卩15°C到40°C)下開始剝脫工藝。在其它實(shí)施例中，可以在100°C和更低的溫度下進(jìn)行剝脫。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，可以通過固定的連續(xù)速率降低溫度來初始化剝脫?！肮潭ǖ倪B續(xù)速率”指例如20°C每秒，利用電子控制的冷卻臺(tái)或者室。此冷卻方法允許樣品達(dá)到預(yù)定溫度，在此溫度下用戶限定的剝脫初始化可以誘導(dǎo)預(yù)定的剝脫深度，該深度可能與只通過結(jié)構(gòu)參數(shù)(即，應(yīng)力源層應(yīng)力和厚度以及襯底的斷裂韌度)確定的不同。
[0076]剝脫后，可以從剝脫材料層12A去除可選的處理襯底20、應(yīng)力源層18以及如果存在的可選的鍍敷種子層和可選的含金屬粘接層16?？梢岳帽绢I(lǐng)域的技術(shù)人員公知的常規(guī)技術(shù)從由基礎(chǔ)襯底12去除的剝脫材料層12A去除可選處理襯底20、應(yīng)力源層18以及如果存在的可選鍍敷種子層和可選含金屬粘接層16。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，王水(HN03/HC1)被用于去除可選的處理襯底20、應(yīng)力源層18以及可選鍍敷種子層和可選含金屬粘接層16。在另一個(gè)實(shí)例中，UV或者熱處理被用于去除處理可選的襯底20，接著進(jìn)行化學(xué)蝕刻以去除應(yīng)力源層18，接著進(jìn)行不同的化學(xué)蝕刻以去除可選鍍敷種子層和可選含金屬粘接層16。
[0077]關(guān)于剩余基礎(chǔ)襯底12B，可以從支撐結(jié)構(gòu)50釋放剩余基礎(chǔ)襯底12B并且隨后在真空卡盤的情況下可以通過釋放真空或者在靜電卡盤的情況下去掉電功率從剩余基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)12去除順從層52。
[0078]從基礎(chǔ)襯底12去除的剝脫材料層12A的厚度根據(jù)應(yīng)力源層18的材料和基礎(chǔ)襯底12本身的材料變化。在一個(gè)實(shí)施例中，從基礎(chǔ)襯底12去除的剝脫材料層12A具有小于100微米的厚度。在另一個(gè)實(shí)施例中，從基礎(chǔ)襯底12去除的剝脫材料層12A具有小于50微米
的厚度。
[0079]在基礎(chǔ)襯底的邊緣處存在邊緣排斥材料的一些實(shí)施例中，剝脫的結(jié)構(gòu)還包括在基礎(chǔ)襯底12的剝脫材料層12A的頂上或者與其鄰近的邊緣排斥材料。例如在圖6B中示出了這樣的結(jié)構(gòu)。在此實(shí)施例中，基礎(chǔ)襯底12的位于應(yīng)力源層之下且沒有被邊緣排斥材料覆蓋的部分將被去除。在一些實(shí)施例中，如丙酮的有機(jī)溶劑可以用于從剝脫結(jié)構(gòu)去除邊緣排斥材料14。
[0080]本公開可以用于制造各種類型的薄膜器件，包括但不僅限于，半導(dǎo)體器件、光伏器件以及撓性電子和光子器件。
[0081]現(xiàn)在參考圖7A,其為使用在Ge晶片的最下表面和真空卡盤的表面之間沒有形成順從層的現(xiàn)有技術(shù)剝脫工藝從4英寸Ge晶片(175 μ m)剝脫的17 μ m厚的GaAs/Ge層的圖像，以及圖7B示出了使用在Ge晶片的最下表面和真空卡盤的表面之間形成順從層的剝脫工藝從4英寸Ge晶片(175 μ m)剝脫的17 μ m厚的GaAs/Ge層的圖像。在圖7B中示出的實(shí)例中，順從層是包括50 μ m Kapton表面層和10ym硅酮基粘接材料的厚層的帶。每個(gè)實(shí)例中的剝脫都在名義室溫(15°C到40°C )下使用Ni應(yīng)力源層和Kapton帶處理層進(jìn)行。如圖7B所示，與沒有使用順從層的圖7A中示出的樣品相比，使用順從層的樣品中的表面制品減少。
[0082]雖然根據(jù)其優(yōu)選實(shí)施例具體示出和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)可以進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的前述和其它變化。因此，其旨在本發(fā)明不限于描述和示出的具體形式和細(xì)節(jié)而是落入權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于從基礎(chǔ)襯底去除材料層的方法，所述方法包括: 在基礎(chǔ)襯底的第一表面頂上形成應(yīng)力源層； 將與所述基礎(chǔ)襯底的所述第一表面相對的所述基礎(chǔ)襯底的第二表面固定到支撐結(jié)構(gòu)上，其中形成在所述基礎(chǔ)襯底的所述第二表面和所述支撐結(jié)構(gòu)之間插入的順從層；以及通過剝脫去除所述基礎(chǔ)襯底的材料層，其中所述材料層被附著到至少所述應(yīng)力源層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括在形成所述應(yīng)力源層之前，在所述基礎(chǔ)襯底的所述第一表面上且在所述基礎(chǔ)襯底的每個(gè)垂直邊緣處形成邊緣排斥材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中所述邊緣排斥材料包括光致抗蝕劑材料、聚合物、碳?xì)浠衔锊牧?、墨、金屬或者漿糊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中所述邊緣排斥材料包括所述墨并且所述墨選自乙醇和水基墨O
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括在所述應(yīng)力源層和所述基礎(chǔ)襯底之間形成含金屬粘接層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述應(yīng)力源層包括金屬、聚合物、剝脫誘導(dǎo)帶及其任意組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括在所述應(yīng)力源層的暴露表面上形成處理襯底。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在室溫下進(jìn)行所述剝脫。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述應(yīng)力源層由Ni組成。
10.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中所述剝脫包括拉或者剝離所述處理襯底。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括從所述材料層至少去除所述應(yīng)力源層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述支撐結(jié)構(gòu)是真空卡盤或者靜電卡盤。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述順從層包括具有楊氏模量小于所述支撐結(jié)構(gòu)的楊氏模量的彈性體。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中所述彈性體選自天然或合成橡膠、硅酮、粘接劑、粘彈凝膠、聚酰亞胺聚脂、聚烯烴、聚丙烯酸脂、聚氨酯、聚乙酸乙烯脂和聚氯乙烯。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述順從層包括帶。
16.一種用于從基礎(chǔ)襯底去除材料層的方法，所述方法包括: 在基礎(chǔ)襯底的第一表面頂上形成金屬應(yīng)力源層； 將與所述基礎(chǔ)襯底的所述第一表面相對的所述基礎(chǔ)襯底的第二表面固定到支撐結(jié)構(gòu)，其中形成在所述基礎(chǔ)襯底的所述第二表面和所述支撐結(jié)構(gòu)之間插入的順從層； 在所述金屬應(yīng)力源層頂上形成處理襯底；以及 通過剝脫去除所述基礎(chǔ)襯底的材料層，其中所述材料層被附著到至少所述應(yīng)力源層，以及其中所述剝脫包括從所述金屬應(yīng)力源層頂部拉或者剝離所述處理襯底。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，還包括在形成所述金屬應(yīng)力源層之前，在所述基礎(chǔ)襯底的所述第一表面上且在所述基礎(chǔ)襯底的每個(gè)垂直邊緣處形成邊緣排斥材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中所述邊緣排斥材料包括光致抗蝕劑材料、聚合物、碳?xì)浠衔锊牧?、墨、金屬或者漿糊。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中所述邊緣排斥材料包括所述墨并且所述墨選自乙醇和水基墨。
20.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，還包括在所述金屬應(yīng)力源層和所述基礎(chǔ)襯底之間形成含金屬粘接層。
21.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中所述金屬應(yīng)力源層包括Ni。
22.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中在室溫下進(jìn)行所述剝脫。
23.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，還包括從所述材料層至少去除所述金屬應(yīng)力源層。
24.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中所述支撐結(jié)構(gòu)是真空卡盤或者靜電卡盤。
25.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中所述順從層包括具有楊氏模量小于所述支撐結(jié)構(gòu)的楊氏模量的彈性體。
26.根據(jù)權(quán)利要 求16的方法，其中所述順從層包括帶。
【文檔編號】H01L21/302GK104037059SQ201410074514
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年3月3日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月5日
【發(fā)明者】S·W·比德爾, K·E·福格爾, P·A·勞羅, D·K·薩達(dá)那 申請人:國際商業(yè)機(jī)器公司