一種雙環(huán)3dB電橋的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種雙環(huán)3dB電橋。通過設置的圓環(huán)形的第一耦合部和第二耦合部及第三耦合部和第四耦合部，可使得環(huán)形耦合效果大大增強，其通過仿真軟件測算出的耦合系數(shù)高，耦合頻率可以達2950KHZ，大大的滿足了目前主流LTE技術標準的要求，其實用性大大的增加，另外其結構簡單，不易損壞，使用壽命長。
【專利說明】—種雙環(huán)3dB電橋
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及同頻合路器配件【技術領域】，具體涉及一種雙環(huán)3dB電橋。
【背景技術】
[0002]在同頻合路器中，主要的元部件就是3dB電橋，3dB電橋是一種將兩種頻率相同的信號進行耦合成一路信號輸出的電器件；其要求耦合度高，精確，頻段寬；在通信行業(yè)中被廣泛使用，其中，通信行業(yè)的新增標準LTE中，LTE標準要求的頻段為2570MHz-2750MHz，目前市場上的同頻合路器中，所采用的3dB電橋普遍耦合頻率寬度為600MHz-2400MHz，不能滿足新增LTE標準要求的頻段。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明的目的在于克服以上所述的缺點，提供一種耦合頻率寬能達到2950MHZ、且兩個耦合線形狀相同，節(jié)省成本、隔離度大的雙環(huán)3dB電橋。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的具體方案如下:雙環(huán)3dB電橋，包括有第一耦合線和第二耦合線，所述第一耦合線包括圓環(huán)形的第一耦合部及從第一耦合部底端向下延伸出的第三耦合部；所述第一耦合線還包括有從第一耦合部一側斜向上延伸出的第一輸出腳、從第三耦合部相對于第一輸出腳的一側斜向下延伸出的第一輸入腳；所述第一輸出腳的自由端設第一輸出端，第一輸入腳的自由端設第一輸入端；
所述第二耦合線包括圓環(huán)形的第二耦合部及從第二耦合部底端向下延伸出的第四耦合部；所述第二I禹合線還包括從第二I禹合部一側斜向上延伸出的第二輸出腳、從第四I禹合部相對于第二輸出腳的一側斜向下延伸出的第二輸入腳；所述第二輸出腳的自由端設第二輸出端，第一輸入腳的自由端設第二輸入端；
所述第一耦合線和第二耦合線平行且重疊設置，第一耦合部與第二耦合部重之間距離為 4mm-8mm ；
所述第一耦合部與第二耦合部的兩側分別設有安裝孔，所述第一耦合部的安裝孔與第二耦合部的對應的安裝孔之間設有絕緣支柱，所述第一耦合部與第二耦合部之間通過絕緣支柱固定。
[0005]其中，所述第一耦合部和第二耦合部的內(nèi)環(huán)直徑均為25mm。
[0006]其中，每個絕緣支柱上均設有兩道卡槽，并且每個絕緣柱體的兩道卡槽距離相等。
[0007]其中，第一耦合部與第二耦合部重之間距離為5_。
[0008]其中，第一耦合部的一側斜向下延伸出有第五分離桿；所述第三耦合部相對于第五分離桿的一側斜向上延伸出有第六分離桿。
[0009]其中，第二耦合部的一側斜向下延伸出有第七分離桿；所述第四耦合部相對于第七分離桿的一側斜向上延伸出有第八分離桿。
[0010]本發(fā)明的有益效果為:通過設置的圓環(huán)形的第一耦合部和第二耦合部及第三耦合部和第四耦合部，可使得環(huán)形耦合效果大大增強，其通過仿真軟件測算出的耦合系數(shù)高，耦合頻率可以達2950KHZ，大大的滿足了目前主流LTE技術標準的要求，其實用性大大的增力口，另外其結構簡單，不易損壞，使用壽命長。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0011]圖1是本發(fā)明的正視圖；
圖2是第一耦合線的正視圖；
圖3是第二耦合線的正視圖；
圖4是利用本發(fā)明制作的同頻合路器的正視圖；
圖5是第一耦合線、第二耦合線及絕緣支柱配合時的剖面圖；
圖6是本發(fā)明在仿真軟件中達到最高耦合頻率的曲線示意圖；
圖1至圖6中的附圖標記說明:
1-第一稱合線；lla-第一稱合部；llb-第三稱合部；12_第一輸出腳；13_第一輸入腳；
14-第一輸出端；15a-第一互擾部；15b-第三互擾部；15c_第一分離塊；16a_第五分離桿；16b-第六分離桿；
2-第二耦合線；21a-第二耦合部；21b-第四耦合部；22_第二輸出腳；23_第二輸入腳；24-第二輸出端；25a-第二互擾部；25b-第四互擾部；25c_第二分離塊；26a_第七分離桿；26b-第八分離桿；
3-安裝孔；3a-絕緣支柱；
4-殼體。
【具體實施方式】
[0012]下面結合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步詳細的說明，并不是把本發(fā)明的實施范圍局限于此。
[0013]如圖1至圖6所示，本實施例所述的雙環(huán)3dB電橋，包括有第一耦合線I和第二耦合線2,所述第一稱合線I包括圓環(huán)形的第一稱合部Ila及從第一稱合部Ila底端向下延伸出的第三耦合部Ilb ;所述第一耦合線I還包括有從第一耦合部Ila—側斜向上延伸出的第一輸出腳12、從第三耦合部Ilb相對于第一輸出腳12的一側斜向下延伸出的第一輸入腳13 ;所述第一輸出腳12的自由端設第一輸出端14,第一輸入腳13的自由端設第一輸入端；所述第二耦合線2包括圓環(huán)形的第二耦合部21a及從第二耦合部21a底端向下延伸出的第四耦合部21b ;所述第二耦合線2還包括從第二耦合部21a —側斜向上延伸出的第二輸出腳22、從第四耦合部21b相對于第二輸出腳22的一側斜向下延伸出的第二輸入腳23 ；所述第二輸出腳22的自由端設第二輸出端24，第一輸入腳13的自由端設第二輸入端；所述第一耦合線I和第二耦合線2平行且重疊設置，第一耦合部Ila與第二耦合部21a重之間距離為4mm-8mm。所述第一稱合部Ila與第二稱合部21a的兩側分別設有安裝孔3,所述第一耦合部Ila的安裝孔3與第二耦合部21a的對應的安裝孔3之間設有絕緣支柱3a，所述第一耦合部Ila與第二耦合部21a之間通過絕緣支柱3a固定；通過設置的圓環(huán)形的第一耦合部Ila和第二耦合部21a，可使得環(huán)形耦合效果大大增強，其通過仿真軟件測算出的耦合系數(shù)高，耦合頻率可以達2950KHZ，大大的滿足了目前主流LTE技術標準的要求，其實用性大大的增加，另外其結構簡單，不易損壞，使用壽命長。[0014]進一步的，利用本實施例所述的3dB電橋制作的與之對應的同頻合路器，包括有殼體4及上述所述3dB電橋；上述的3dB電橋固定于殼體4內(nèi)形成同頻合路器。
[0015]進一步的，本實施例所述的一種雙環(huán)3dB電橋，所述第一耦合部Ila和第二耦合部21a的內(nèi)環(huán)直徑均為25_ ;通過計算機軟件仿真測算，當?shù)谝环Q合部Ila和第二稱合部21a的內(nèi)環(huán)直徑均為25_時，其頻率寬帶最優(yōu)，效果最好。
[0016]進一步的，本實施例所述的一種雙環(huán)3dB電橋，每個絕緣支柱3a上均設有兩道卡槽，并且每個絕緣柱體的兩道卡槽距離相等；如此設置，可精準的控制第一耦合部Ila和第二耦合部21a之間的距離，防止距離的變化產(chǎn)生效果的失真。
[0017]進一步的，本實施例所述的一種雙環(huán)3dB電橋，第一耦合部Ila與第二耦合部21a重之間距離為5mm。通過計算機軟件仿真測算，當一耦合部與第二耦合部21a重之間距離為5mm時,其頻率寬帶最優(yōu),效果最好。
[0018]進一步的，本實施例所述的一種雙環(huán)3dB電橋，所述第一耦合部Ila的內(nèi)環(huán)頂端向下延伸出有一長方形的第一分離桿，所述第三耦合部Ilb的內(nèi)環(huán)底端向上延伸出有一長方形的第三分離桿，所述第一分離桿及第三分離桿的橫向寬度為2mm，豎直高度為3mm;所述第一分離桿向第一輸出腳12的一側斜向下延伸有一第一互擾部15a，所述第一互擾部15a的自由端向下延伸有一正方形的第一分離塊15c ;所述第三分離桿向相對于第一輸出腳12的一側斜向上延伸有一第三互擾部15b，所述第三互擾部15b的自由端向上延伸有一正方形的第是三分離塊；通過設置的第一分離桿、第三分離桿可使得電橋的隔離度大大增加，通過計算機軟件仿真，可知，如此設置可達到25db的隔離度，而梯形的第三互擾部15b、圓形的第三分離塊、梯形的第一互擾部15a及圓形的第一分離塊15c起到了更大的隔離度，通過計算機軟件仿真，其達到了 30db的隔離度。
[0019]進一步的，本實施例所述的一種雙環(huán)3dB電橋，所述第四耦合部21b的內(nèi)環(huán)頂端向下延伸出有一長方形的第四分離桿，所述第二耦合部21a的內(nèi)環(huán)底端向上延伸出有一長方形的第二分離桿，所述第四分離桿及第二分離桿的橫向寬度為2mm，豎直高度為3mm ;所述第二分離桿向相對于第一輸出腳12的一側斜向上延伸有一第二互擾部25，所述第二互擾部25的自由端向上延伸有一正方形的第二分離塊25c ;所述第四分離桿向第一輸出腳12的一側斜向上延伸有一第四互擾部25b，所述第四互擾部25b的自由端向下延伸有一正方形的第是四分離塊；同上通過設置的第二分離桿、第四分離桿可使得電橋的隔離度大大增力口，通過計算機軟件仿真，可知，如此設置可達到25db的隔離度，而梯形的第二互擾部25、圓形的第二分離塊25c、梯形的第四互擾部25b及圓形的第四分離塊起到了更大的隔離度，通過計算機軟件仿真，其達到了 30db的隔離度。
[0020]進一步的，第一耦合部Ila的一側斜向下延伸出有第五分離桿16a ;所述第三耦合部Ilb相對于第五分離桿16a的一側斜向上延伸出有第六分離桿16b。進一步的,第二率禹合部21a的一側斜向下延伸出有第七分離桿26a ;所述第四耦合部21b相對于第七分離桿26a的一側斜向上延伸出有第八分離桿26b ;通過設置的第二分離桿及第四分離桿，可使得電橋的隔離度大大增加，通過計算機軟件仿真，可知，如此設置可增加1.2%的隔離度。
[0021]以上所述僅是本發(fā)明的一個較佳實施例，故凡依本發(fā)明專利申請范圍所述的構造、特征及原理所做的等效變化或修飾，包含在本發(fā)明專利申請的保護范圍內(nèi)。
【權利要求】
1.一種雙環(huán)3dB電橋，包括有第一耦合線(I)和第二耦合線(2)，其特征在于:所述第一率禹合線(I)包括圓環(huán)形的第一 I禹合部(Ila)及從第一 I禹合部(Ila)底端向下延伸出的第三耦合部(I Ib);所述第一耦合線(I)還包括有從第一耦合部(Ila) —側斜向上延伸出的第一輸出腳(12)、從第三耦合部(Ilb)相對于第一輸出腳(12)的一側斜向下延伸出的第一輸入腳(13);所述第一輸出腳(12)的自由端設第一輸出端(14),第一輸入腳(13)的自由端設第一輸入端； 所述第二耦合線(2)包括圓環(huán)形的第二耦合部(21a)及從第二耦合部(21a)底端向下延伸出的第四耦合部(21b);所述第二耦合線(2)還包括從第二耦合部(21a)—側斜向上延伸出的第二輸出腳(22)、從第四耦合部(21b)相對于第二輸出腳(22)的一側斜向下延伸出的第二輸入腳(23);所述第二輸出腳(22)的自由端設第二輸出端(24)，第一輸入腳(13)的自由端設第二輸入端； 所述第一耦合線(I)和第二耦合線(2 )平行且重疊設置，第一耦合部(Ila)與第二耦合部(21a)重之間距離為4mm-8_ ； 所述第一耦合部(Ila)與第二耦合部(21a)的兩側分別設有安裝孔(3)，所述第一耦合部(I Ia)的安裝孔(3)與第二耦合部(21a)的對應的安裝孔(3)之間設有絕緣支柱(3a)，所述第一耦合部(Ila)與第二耦合部(21a)之間通過絕緣支柱(3a)固定。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種雙環(huán)3dB電橋，其特征在于:所述第一耦合部(IIa)和第二耦合部(21a)的內(nèi)環(huán)直徑均為25mm。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種雙環(huán)3dB電橋，其特征在于:每個絕緣支柱(3a)上均設有兩道卡槽，并且每個絕緣柱體的兩道卡槽距離相等。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種雙環(huán)3dB電橋，其特征在于:第一耦合部(IIa)與第二耦合部(21a)重之間距離為5mm。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種雙環(huán)3dB電橋，其特征在于:第一耦合部(Ila)的一側斜向下延伸出有第五分離桿(16a);所述第三耦合部(Ilb)相對于第五分離桿(16a)的一側斜向上延伸出有第六分尚桿(16b)。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種雙環(huán)3dB電橋，其特征在于:第二耦合部(21a)的一側斜向下延伸出有第七分離桿(26a);所述第四耦合部(21b)相對于第七分離桿(26a)的一側斜向上延伸出有第八分離桿(26b)。
【文檔編號】H01P5/18GK103915672SQ201410137649
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2014年4月8日 優(yōu)先權日:2014年4月8日
【發(fā)明者】吳俊偉 申請人:吳俊偉