排氣環(huán)組件以及包含其的基板處理裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種基板處理裝置。上述基板處理裝置包括：處理腔；卡盤，其位于上述處理腔的內(nèi)部，且支持基板；擋板，與上述卡盤相對(duì)地配置于上述卡盤的上部，且形成有可分配提供至上述處理腔內(nèi)部的工藝氣體的分配孔；以及側(cè)部排氣環(huán)，其位于比上述卡盤更高的位置，環(huán)繞經(jīng)上述分配孔的工藝氣體流入的處理空間，且其為形成有排氣孔的環(huán)狀。
【專利說(shuō)明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種基板處理裝置，更具體地說(shuō)，涉及一種包含排氣環(huán)組件的基板處 理裝置。 排氣環(huán)組件以及包含其的基板處理裝置

【背景技術(shù)】
[0002] 等離子體是指由離子或者電子、自由基（Radical)等構(gòu)成的，發(fā)生離子化的氣體 狀態(tài)。等離子體可由極高溫、很強(qiáng)的電場(chǎng)或者高頻電磁場(chǎng)（RF Electromagnetic Fields) 而產(chǎn)生。
[0003] 上述等離子體以多種方式在使用光阻材料（photoresist)的平板印刷 (lithography)工藝中使用，所述工藝是為了制備半導(dǎo)體元件而進(jìn)行。作為一例，其在基板 上形成如線（line)或者空間（space)圖案等微細(xì)的電路圖案時(shí)，或者去除在離子注入（ion implantation)工藝中作為掩膜（mask)使用的光阻材料的灰化（ashing)工藝中的利用度 逐漸增加。
[0004] 韓國(guó)公開(kāi)專利第10-2007-0118482號(hào)公開(kāi)了一種利用等離子體對(duì)基板進(jìn)行工藝 處理的裝置。該裝置的處理腔的中央配置有靜電卡盤，而靜電卡盤的周圍配置有排氣部件， 從而可排出氣體。由于通過(guò)排氣部件排出的氣體的流動(dòng)會(huì)發(fā)生變化，控制排氣部件對(duì)于工 藝的均一性會(huì)產(chǎn)生很大的影響。
[0005] 如果是上述公開(kāi)專利所公開(kāi)的排氣部件，其使氣體均勻流動(dòng)的能力有限，因此氣 體的流動(dòng)會(huì)發(fā)生偏向，從而導(dǎo)致工藝的均一性較差。并且，大部分的工藝氣體以較快的流速 通過(guò)排氣部件而排出，停留于處理腔內(nèi)部的時(shí)間較短，因此工藝效率也較低。
[0006] 現(xiàn)有摶術(shù)f獻(xiàn)
[0007] 專利文獻(xiàn)：韓國(guó)公開(kāi)專利第10-2007-0118482號(hào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明要解決的摶術(shù)問(wèn)是頁(yè)
[0009] 本發(fā)明提供一種可提高基板處理效率的基板處理裝置。
[0010] 并且，本發(fā)明提供一種可提升工藝均一性的基板處理裝置。
[0011] 并且，本發(fā)明提供一種可提升煙氣的排出效果的排氣環(huán)組件。
[0012] 摶術(shù)方案
[0013] 根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基板處理裝置，包括：處理腔；卡盤，其位于上述處理腔的內(nèi) 部，且支持基板；擋板，與上述卡盤相對(duì)地配置于上述卡盤的上部，且形成有可分配提供至 上述處理腔內(nèi)部的工藝氣體的分配孔；以及側(cè)部排氣環(huán)，其位于比上述卡盤更高的位置，環(huán) 繞經(jīng)上述分配孔的工藝氣體流入的處理空間，且其為形成有排氣孔的環(huán)狀。
[0014] 并且，多個(gè)上述側(cè)部排氣環(huán)可間隔地，沿上下方向發(fā)生層疊。
[0015] 并且，上述側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔可沿上下方向，排列于同一條直線上。
[0016] 并且，上述側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔可不沿上下方向，排列于同一條直線上。
[0017] 并且，上述側(cè)部排氣環(huán)至少可區(qū)分為兩個(gè)以上的群組，屬于相同群組的上述側(cè)部 排氣環(huán)的上述排氣孔沿上下方向排列于同一條直線上，而與屬于其他群組的上述側(cè)部排氣 環(huán)的排氣孔，可不沿上下方向，排列于同一條直線上。
[0018] 并且，上述側(cè)部排氣環(huán)具有自下而上按順序?qū)盈B的第1側(cè)部排氣環(huán)至第4側(cè)部排 氣環(huán)，上述第1側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔和上述第3側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔沿上下方向排列于同 一條直線上；上述第2側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔和上述第4側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔沿上下方向排 列于同一條直線上；而上述第1側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔與上述第2側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔可不 沿上下方向，排列于同一條直線上。
[0019] 并且，可進(jìn)一步包括：下部排氣環(huán)，相比于上述卡盤，其設(shè)置于相同高度的位置或 者更低的位置，且其形成有排氣孔。
[0020] 并且，至少提供兩個(gè)以上的上述下部排氣環(huán)，可間隔地，沿上下方向發(fā)生層疊，且 上述下部排氣環(huán)的排氣孔可沿上下方向，排列于同一條直線上。
[0021] 并且，至少提供兩個(gè)以上的上述下部排氣環(huán)，可間隔地，沿上下方向發(fā)生層疊，上 述下部排氣環(huán)的排氣孔可不沿上下方向，排列于同一條直線上。
[0022] 根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的基板處理裝置，其包括：處理腔，其內(nèi)部形成有空間；卡 盤，其位于上述處理腔的內(nèi)部，且支持基板；等離子體發(fā)生部，其具有可產(chǎn)生等離子體的放 電空間，可將等離子體提供至上述處理腔內(nèi)部；擋板，其位于上述卡盤的上部，且形成有可 分配提供至上述處理腔內(nèi)部的等離子體的分配孔；以及側(cè)部排氣環(huán)，其位于比上述卡盤更 高的位置，環(huán)繞通過(guò)上述分配孔的等離子體流入的處理空間，且其為形成有排氣孔的環(huán)狀。
[0023] 并且，可進(jìn)一步包括：下部排氣環(huán)，相比于所述卡盤，其設(shè)置于相同高度的位置或 者更低的位置，且其形成有排氣孔。
[0024] 并且，提供多個(gè)上述側(cè)部排氣環(huán)，其可間隔地，沿上下方向發(fā)生層疊。
[0025] 并且，上述側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔可沿上下方向，排列于同一條直線上。
[0026] 并且，上述側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔可不沿上下方向，排列于同一條直線上。
[0027] 并且，上述側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔和上述下部排氣環(huán)的排氣孔可沿上下方向，排列 于同一條直線上。
[0028] 并且，上述側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔和上述下部排氣環(huán)的排氣孔可不沿上下方向，排 列于同一條直線上。
[0029] 根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的排氣環(huán)組件，可包括：側(cè)部排氣環(huán)，其配置于較放置基板的卡 盤更高的位置，環(huán)繞上述卡盤的上部區(qū)域，且其為形成有排氣孔的環(huán)狀。
[0030] 并且，可進(jìn)一步包括：下部排氣環(huán)，相比于上述卡盤，其設(shè)置于相同高度的位置或 者更低的位置，且其為形成有排氣孔的環(huán)狀。
[0031] 并且，提供多個(gè)上述側(cè)部排氣環(huán)，其可間隔地，沿上下方向發(fā)生層疊。
[0032] 并且，上述側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔可沿上下方向，排列于同一條直線上。
[0033] 并且，上述側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔可不沿上下方向，排列于同一條直線上。
[0034] 并且，上述側(cè)部排氣環(huán)至少可區(qū)分為兩個(gè)以上的群組，屬于相同群組的上述側(cè)部 排氣環(huán)的上述排氣孔沿上下方向排列于同一條直線上，而與屬于其他群組的上述側(cè)部排氣 環(huán)的排氣孔，可不沿上下方向，排列于同一條直線上。
[0035] 有益效果
[0036] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提升了排氣環(huán)組件的使工藝氣體停留的功能，從而基板處 理效率隨之提升。
[0037] 并且，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，基板感受到的煙氣的流動(dòng)速率減慢，故能提升工藝均 一性。
[0038] 并且，根據(jù)本發(fā)明，可改善煙氣的流動(dòng)，從而提升煙氣的排出效果。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0039] 圖1是簡(jiǎn)要說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的基板處理設(shè)備的平面圖。
[0040] 圖2是簡(jiǎn)要說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的基板處理裝置的剖視圖。
[0041] 圖3至圖8是放大圖2的A部分的附圖，表示根據(jù)本發(fā)明多種實(shí)施例的排氣環(huán)組 件。
[0042] 圖9是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基板處理裝置的附圖。

【具體實(shí)施方式】
[0043] 以下，將結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。本發(fā)明的實(shí)施例可發(fā)生多種形態(tài)的 變形，且本發(fā)明的范圍不能解釋為僅限于下述實(shí)施例。本實(shí)施例僅是為了向具有本領(lǐng)域普 通知識(shí)的技術(shù)人員更加清楚的說(shuō)明本發(fā)明而提供的。因此，為了強(qiáng)調(diào)以及更加明確的說(shuō)明， 夸張地表示了附圖中要素的形態(tài)。
[0044] 圖1是簡(jiǎn)要說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的基板處理設(shè)備的平面圖。參見(jiàn)圖1，基板處理設(shè)備1 包括：設(shè)備前端模塊（equipment front end module, EFEM) 10;以及工藝處理室20。設(shè)備 前端模塊10與工藝處理室20配置于一個(gè)方向。以下，將設(shè)備前端模塊10和工藝處理室20 排列的方向定義為第1方向X，而將從上部觀察時(shí)，垂直于第1方向X的方向定義為第2方 向Y。
[0045] 設(shè)備前端模塊10配置于工藝處理室20的前方，在容納有基板的載體16和工藝處 理室20之間移送基板W。設(shè)備前端模塊10包括：裝載端口 12和框架14。
[0046] 裝載端口 12配置于框架14的前方，且可提供多個(gè)裝載端口 12。裝載端口 12相 互間隔一定距離，沿第2方向Y，排列成一列。載體16(例如晶圓盒，前開(kāi)式晶圓盒（F0UP) 等）分別裝置于裝載端口 12。載體16可容納要進(jìn)行工藝處理的基板W以及完成工藝處理 的基板W。
[0047] 框架14配置于裝載端口 12和裝載閉鎖腔22之間。框架14的內(nèi)部配置有可在裝 載端口 12和裝載閉鎖腔22之間移送基板的移送機(jī)械臂18。移送機(jī)械臂18可沿著移送軌 道19移動(dòng)，其中移送軌道19沿著第2方向Y而配置。
[0048] 工藝處理室20可包括：裝載閉鎖腔22 ;傳送腔24 ;以及多個(gè)基板處理裝置30。
[0049] 裝載閉鎖腔22配置于傳送腔24與框架14之間，其為在移送至基板處理裝置30 之前的待進(jìn)行工藝處理的基板W，或者為移送至載體16之前的完成了工藝處理的基板W提 供等待的空間?？商峁┮粋€(gè)或者多個(gè)裝載閉鎖腔22。根據(jù)實(shí)施例提供兩個(gè)裝載閉鎖腔22。 一個(gè)裝載閉鎖腔22可容納有為進(jìn)行工藝處理而提供至基板處理裝置30的基板W ;而另一 個(gè)裝載閉鎖腔22則可以容納有在基板處理裝置30中完成了工藝的基板W。
[0050] 傳送腔24沿第1方向X配置于裝載閉鎖腔22的后方，從上部觀察時(shí)其具有多角 形的本體25。圍繞本體25的外側(cè)配置有裝載閉鎖腔22和多個(gè)基板處理裝置30。根據(jù)實(shí) 施例，從上部進(jìn)行觀察時(shí)，傳送腔24具有六角星的本體。與設(shè)備前端模塊10相鄰的兩個(gè)側(cè) 壁分別配置有裝載閉鎖腔22,而其余側(cè)壁均配置了基板處理裝置30。本體25的各個(gè)側(cè)壁 形成有基板W可出入的通道（未圖示）。通道在傳送腔24和裝載閉鎖腔22之間，或者傳送 腔24和基板處理裝置30之間，為基板提供可出入的空間。各個(gè)通道配置了可對(duì)通道進(jìn)行 開(kāi)關(guān)的門裝置（未圖示）。傳送腔24可根據(jù)所需要的工藝模塊，以多種不同的形狀提供。
[0051] 傳送腔24的內(nèi)部配置有搬送機(jī)械臂26。搬送機(jī)械臂26可將在裝載閉鎖腔22內(nèi) 等待備用的未處理基板W移送至基板處理裝置30，或者將在基板處理裝置30中完成了工藝 處理的基板W移送至裝載閉鎖腔22。搬送機(jī)械臂26可按順序地向基板處理裝置30提供基 板W。
[0052] 基板處理裝置30可將等離子體狀態(tài)的氣體提供至基板，從而進(jìn)行工藝處理。等離 子體氣體可在半導(dǎo)體制備工藝中以多種形式被使用。
[0053] 以下，以基板處理裝置30進(jìn)行的灰化工藝進(jìn)行說(shuō)明。然而，基板處理裝置30還可 進(jìn)行蝕刻（etching)工藝和沉積（deposition)工藝等多種利用等離子體的工藝，而并不僅 限于此。
[0054] 圖2是簡(jiǎn)要說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的基板處理裝置的剖視圖。
[0055] 參照?qǐng)D2,基板處理裝置30可提供電感耦合等離子體型裝置（Inductively Coupled Plasma :ICP)?；逄幚硌b置30包括：工藝處理部100和等離子體供給部200。工 藝處理部100可提供處理基板W的空間，而等離子體供給部200可產(chǎn)生用于基板W處理工 藝的等離子體，以向下順流（Down Stream)的方式將等離子體供給至基板W。以下，將詳細(xì) 說(shuō)明各個(gè)構(gòu)成。
[0056] 工藝處理部100包括：處理腔110 ;卡盤120 ;擋板130 ;以及排氣環(huán)組件140。
[0057] 處理腔110提供進(jìn)行處理的空間。處理腔110具有主體111和密閉蓋115。主體 111的上面開(kāi)放，其內(nèi)部形成有空間。主體111的側(cè)壁上形成有基板W可出入的開(kāi)口（未 圖示），且開(kāi)口由狹縫門（slit door)(未圖示）等開(kāi)閉部件實(shí)現(xiàn)開(kāi)閉。開(kāi)閉部件在處理腔 110內(nèi)對(duì)基板W進(jìn)行處理期間封閉開(kāi)口，而在基板W搬入處理腔110內(nèi)部以及向處理腔110 外部搬出時(shí)則開(kāi)放開(kāi)口。主體111的下部壁形成有排氣孔112。排氣孔112與排氣管線113 相連接。通過(guò)排氣管線113可調(diào)節(jié)處理腔110內(nèi)部的壓力，也可將工藝過(guò)程中產(chǎn)生的煙氣 (fume)和反應(yīng)副產(chǎn)物排出至處理腔110外部。
[0058] 密閉蓋115可與主體111的上部壁結(jié)合，蓋住開(kāi)放的主體111的上面，從而使主體 111內(nèi)部密閉。密閉蓋115的上端與等離子體供給部200相連接。密閉蓋115內(nèi)部形成有 誘導(dǎo)空間116。誘導(dǎo)空間116為倒置的漏斗形狀。其可使從等離子體供給部200流入的等 離子體擴(kuò)散，并移動(dòng)至擋板130。卡盤120位于處理腔110內(nèi)部，其可支持基板W。卡盤120 可提供通過(guò)靜電力固定基板W的靜電卡盤（Electro Static Chuck)。此外，卡盤120還可 提供通過(guò)真空而固定基板W的真空卡盤（Vaccum Chuck)等多種形態(tài)的卡盤。卡盤120還 可形成升降孔（未圖示）。升降孔可分別配置有升降銷（未圖示）。當(dāng)基板W在卡盤120 上裝載/卸載時(shí)，升降銷可沿升降孔發(fā)生升降。卡盤120的內(nèi)部可提供加熱器。加熱器可 對(duì)基板W進(jìn)行加熱，從而維持適合于工藝的溫度。
[0059] 擋板130與主體111的上部壁向結(jié)合。擋板130為較薄的圓盤形狀，其與卡盤120 的上面相對(duì)地并行排列。與卡盤120的上面相對(duì)的擋板130的一面平坦。擋板130可具有 與基板W對(duì)應(yīng)的半徑。擋板130形成有分配孔131。分配孔131是從擋板130的上面向底 面延長(zhǎng)的貫通孔，其均勻的形成于擋板130的各個(gè)區(qū)域。從等離子體供給部200向處理腔 110內(nèi)部提供的等離子體通過(guò)分配孔131，可均勻地分配于處理腔110內(nèi)部。
[0060] 排氣環(huán)組件140配置于處理腔110內(nèi)部。排氣環(huán)組件140發(fā)揮封存等離子體，從 而使其停留于處理空間114的作用，并且還可使產(chǎn)生于工藝過(guò)程的煙氣均勻地流動(dòng)。處理 空間114為位于基板W上部的空間，是經(jīng)過(guò)擋板130的大部分等離子體流入的空間。排氣 環(huán)組件140可包括：側(cè)部排氣環(huán)150和下部排氣環(huán)160。
[0061] 側(cè)部排氣環(huán)150是厚度較薄的圓環(huán)狀的板。側(cè)部排氣環(huán)150的內(nèi)徑可與卡盤120 的外徑相對(duì)應(yīng)，或者具有大于其的半徑。側(cè)部排氣環(huán)150位于比卡盤120更高的位置。根 據(jù)實(shí)施例，可提供多個(gè)側(cè)部排氣環(huán)150,它們互相相對(duì)，且沿上下方向發(fā)生層疊。側(cè)部排氣環(huán) 150與相鄰的側(cè)部排氣環(huán)維持一定的間隔。側(cè)部排氣環(huán)150可配置于自相鄰于卡盤120的 區(qū)域至相鄰于擋板130的區(qū)域。側(cè)部排氣環(huán)150圍繞處理空間114,可發(fā)揮使等離子體停留 于處理空間114的作用。
[0062] 側(cè)部排氣環(huán)150形成有排氣孔151。排氣孔151是從側(cè)部排氣環(huán)150的上面向底 面配置的貫通孔，其沿著側(cè)部排氣環(huán)150的周圍均勻地形成。排氣孔151可具有圓形截面。 此外，排氣孔151也可以其他形狀形成。
[0063] 分別形成于側(cè)部排氣環(huán)150的排氣孔151，可沿上下方向排列于同一直線上。此 夕卜，分別形成于側(cè)部排氣環(huán)150的排氣孔151也可不沿上下方向排列于同一直線上。并且， 側(cè)部排氣環(huán)150中的一部分排氣孔151可沿上下方向排列于同一直線上，而其余排氣孔151 可不沿上下方向排列于同一直線上。
[0064] 下部排氣環(huán)160是厚度較薄的圓環(huán)狀的板。相比于卡盤120,下部排氣環(huán)160可 配置于相同的高度，或者較低的高度。根據(jù)實(shí)施例，下部排氣環(huán)160位于與卡盤120的上面 相應(yīng)的高度。下部排氣環(huán)160具有與卡盤120的外徑相應(yīng)的內(nèi)徑，其沿著卡盤120的周圍 而配置。下部排氣環(huán)160形成有排氣孔161。排氣孔161是從下部排氣環(huán)160的上面向底 面配置的貫通孔，其沿著下部排氣環(huán)160的周圍均勻地形成。排氣孔161可具有圓形截面。 此外，排氣孔161也可以其他形狀形成。
[0065] 等離子體供給部200位于處理腔110上部，可由工藝氣體產(chǎn)生等離子體。等離子 體供給部200可包括：反應(yīng)器210 ;氣體注入端口 220 ;感應(yīng)線圈230 ;電源240 ;以及氣體供 給部250。
[0066] 反應(yīng)器250為圓筒狀，上面以及下面開(kāi)放，內(nèi)部形成有空間。反應(yīng)器210的內(nèi)部形 成有工藝氣體放電的放電空間211。反應(yīng)器210的下端與密閉蓋115的上端相連，而放電空 間211與誘導(dǎo)空間116相連。在放電空間211中放電的工藝氣體通過(guò)誘導(dǎo)空間116流入至 處理腔110內(nèi)部。
[0067] 反應(yīng)器210的上端與氣體注入端口 220結(jié)合。氣體注入端口 220與氣體供給部 250相連，并流入氣體。氣體注入端口 220的底面形成有誘導(dǎo)空間221。誘導(dǎo)空間211與為 倒置的漏斗形狀，與放電空間211相通。流入誘導(dǎo)空間221的氣體發(fā)生擴(kuò)散，并流入至放電 空間211。
[0068] 感應(yīng)線圈230多次沿反應(yīng)器210的周圍纏繞于反應(yīng)器210。感應(yīng)線圈230的一端 與電源240相連，另一端接地。電源240向感應(yīng)線圈230施加高頻電源或者微波電源。 [0069] 氣體供給部250向放電空間211提供氣體。儲(chǔ)存于氣體儲(chǔ)藏部251的工藝氣體通 過(guò)氣體供給管線252提供至放電空間211。
[0070] 工藝氣體可包括選自nh3、o2、n2、h 3、nf3ch4中的一種以上。工藝氣體可進(jìn)行灰化工 藝。
[0071] 圖3至圖8是放大圖2A的附圖，表示根據(jù)本發(fā)明多種實(shí)施例的排氣環(huán)組件。
[0072] 首先，參照?qǐng)D3,排氣環(huán)組件140a包括多個(gè)側(cè)部排氣環(huán)150a和單個(gè)下部排氣環(huán) 160a。側(cè)部排氣環(huán)150a可提供4個(gè)側(cè)部排氣環(huán)311、312、313、314。側(cè)部排氣環(huán)311、312、 313、314的排氣孔321、322、323、324不沿上下方向彼此對(duì)齊。并且，側(cè)部排氣環(huán)311、312、 313、314的排氣孔321、322、323、324也可不與下部排氣環(huán)160a的排氣孔161對(duì)齊。此時(shí)， 側(cè)部排氣環(huán)311、312、313、314使處理空間114內(nèi)的等離子體停留的功能提升，故基板處理 率（例如灰化率）也隨之提升。并且，基板W感受到的煙氣的流動(dòng)速率也減小，因此工藝均 一·I"生提升。
[0073] 參照?qǐng)D4,與圖3的實(shí)施例不同，側(cè)部排氣環(huán)331、332、333、334的排氣孔341、342、 343、344沿上下方向?qū)R。并且，側(cè)部排氣環(huán)331、332、333、334的排氣孔341、342、343、344 也可與下部排氣環(huán)160b的排氣孔162對(duì)齊。此時(shí)，對(duì)處理空間114內(nèi)產(chǎn)生的煙氣的排出效 果優(yōu)異，煙氣的流動(dòng)也較均勻。并且，基板W感受到的煙氣的流動(dòng)速率也減小，因此工藝均 一·I"生提升。
[0074] 參照?qǐng)D5,側(cè)部排氣環(huán)150c可根據(jù)排氣孔的對(duì)其與否區(qū)分成多個(gè)群組。根據(jù)實(shí)施 例，側(cè)部排氣環(huán)150c自下而上為側(cè)部排氣環(huán)351、352、353、354，其按順序發(fā)生層疊。形成于 第1側(cè)部排氣環(huán)351以及第3側(cè)部排氣環(huán)353的排氣孔361、363沿上下方向，排列于同一 條直線上，因此被視為同一群組。而形成于第2側(cè)部排氣環(huán)352以及第4側(cè)部排氣環(huán)354 的排氣孔362、364沿上下方向，排列于同一條直線上，因此被視為同一群組。而第1排氣環(huán) 351以及第3側(cè)部排氣環(huán)353的排氣孔361、363與第2側(cè)部排氣環(huán)352以及第4側(cè)部排氣 環(huán)354的排氣孔362、364不互相對(duì)其，因此被視為是不同群組。排氣孔361、362、363、364相 互間不對(duì)齊的側(cè)部排氣環(huán)351、352、353、354可以交替反復(fù)地形式配置。在包含于同一群組 的側(cè)部排氣環(huán)150c中，煙氣的流動(dòng)相類似，相反，在包含于不同群組的側(cè)部排氣環(huán)150c中， 煙氣的流動(dòng)則以不同的形態(tài)發(fā)生。此時(shí)，不僅側(cè)部排氣環(huán)150c使等離子體在處理空間內(nèi)停 留的功能提升，還由于改善了煙氣的流動(dòng)，其排出效果也將提升。并且，基板W感受到的煙 氣的流動(dòng)速率減慢，故能提升基板處理均一性。
[0075] 并且，可提供多個(gè)下部排氣環(huán)160b。下部排氣環(huán)160b間隔地，沿上下方向發(fā)生層 疊。根據(jù)實(shí)施例，兩個(gè)下部排氣環(huán)171U72可環(huán)繞于卡盤的周圍。形成于下部排氣環(huán)171、 172的排氣孔181U82可沿上下方向，排列于同一條直線上。這些排氣孔181U82可改善煙 氣的流動(dòng)。
[0076] 與此不同地，圖6的下部排氣環(huán)173、174的排氣孔183、184可不沿上下方向，排列 于同一條直線上。
[0077] 如圖7所示，排氣環(huán)組件140e可僅由側(cè)部排氣環(huán)150d構(gòu)成。根據(jù)產(chǎn)生的煙氣的 流動(dòng)，可不在相比于卡盤120的相同高度的位置或者更低的位置形成排氣環(huán)。
[0078] 并且，上述實(shí)施例中，僅說(shuō)明了提供有4個(gè)側(cè)部排氣環(huán)的情況，但如圖8所示，還可 僅提供一個(gè)側(cè)部排氣環(huán)150e。排氣環(huán)組件140f可考慮側(cè)部排氣環(huán)150e使等離子體停留的 性能和所排出煙氣的流動(dòng)，從而決定側(cè)部排氣環(huán)150e的數(shù)量。
[0079] 圖9是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基板處理裝置的附圖。
[0080] 參照?qǐng)D9,基板處理裝置40可配置有電容稱合等離子體（Capacitively Coupled Plasma :CCP)型裝置?；逄幚硌b置40包括：處理腔510 ;卡盤520 ;下部電極530 ;電源 540 ;擋板550 ;氣體供給部560 ;以及排氣環(huán)組件560。
[0081] 處理腔510的內(nèi)部形成空間?？ūP520在處理腔510的內(nèi)部支持基板W?？ūP520 的內(nèi)部配置有下部電極530。下部電極530連接于外部電源540。擋板550位于卡盤520的 上部，其底面與卡盤520的上部相對(duì)。擋板550的內(nèi)部形成緩沖空間551，而底面形成有分 配孔552。擋板550接地，被設(shè)置為是上部電極。氣體供給部560連接于擋板550,向緩沖 空間551提供工藝氣體。工藝氣體在緩沖空間551擴(kuò)散后，通過(guò)分配孔552提供至處理腔 510內(nèi)部的處理空間511。停留于處理空間511的工藝氣體，由于下部電極530施加電力， 通過(guò)形成于擋板550和卡盤520之間的電場(chǎng)，被激發(fā)為等離子體狀態(tài)。
[0082] 排氣環(huán)組件570包括側(cè)部排氣環(huán)610和下部排氣環(huán)620。側(cè)部排氣環(huán)610在比卡 盤520更高的位置環(huán)繞處理空間511。相比于卡盤520,下部排氣環(huán)620配置于相同高度的 位置，或者更低的位置。排氣環(huán)組件570也可與上述圖3至圖8的實(shí)施例相同，配置有側(cè)部 排氣環(huán)和下部排氣環(huán)的多種組合。
[0083] 以上的詳細(xì)說(shuō)明僅為例示本發(fā)明。并且，上述內(nèi)容表示本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施形態(tài)，而 本發(fā)明可在多種不同的組合、變更以及環(huán)境下使用。即在本說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的發(fā)明的概念范 圍、與上述公開(kāi)內(nèi)容等同的范圍以及/或者本領(lǐng)域技術(shù)或者知識(shí)的范圍內(nèi)，可進(jìn)行變更或 者修改。上述實(shí)施例是為了體現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)思想而說(shuō)明的本發(fā)明的最佳狀態(tài)，可根據(jù)本 發(fā)明具體適用領(lǐng)域以及用途，進(jìn)行所需要的多種變更。因此，以上的發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明并不是 以公開(kāi)的實(shí)施狀態(tài)限制本發(fā)明。并且，應(yīng)解釋為所附的權(quán)利要求書(shū)還可包括其他實(shí)施狀態(tài)。
[0084] 附圖標(biāo)記
[0085] 1 ： 基板處理設(shè)備
[0086] 10 ： 設(shè)備前端模塊
[0087] 12: 裝載端口
[0088] 14 ： 框架
[0089] 16 ： 載體
[0090] 18 ： 移送機(jī)械手
[0091] 19: 移送軌道
[0092] 20 ： 工藝處理室
[0093] 22： 裝載閉鎖腔
[0094] 24 ： 傳送腔
[0095] 25 ： 本體
[0096] 26 ： 搬送機(jī)械臂
[0097] 30,40 ： 基板處理裝置
[0098] 100 ： 工藝處理部
[0099] 110、510: 處理腔
[0100] 111 ： 主體
[0101] 112、151、161、162、181、182、
[0102] 183、184、321、322、323、324、
[0103] 341、342、343、344、361、362、
[0104] 363、364: 排氣孔
[0105] 113 ： 排氣管線
[0106] 114,511 ： 處理空間
[0107] 115 ： 密閉蓋
[0108] 116,221 ： 誘導(dǎo)空間
[0109] 120、520 : 卡盤
[0110] 130、550: 擋板
[0111] 13U552 ： 分配孔
[0112] 140、140a、140e、140f、570 : 排氣環(huán)組件
[0113] 150、150a、150c、150d、150e、
[0114] 311、312、313、314、331、332、
[0115] 333,334,610 ： 側(cè)部排氣環(huán)
[0116] 160、160a、160b、170、171、
[0117] 172、173、174、620 : 下部排氣環(huán)
[0118] 200 ： 等離子體供給部
[0119] 210 ： 反應(yīng)器
[0120] 211 ： 放電空間
[0121] 220 ： 氣體注入端口
[0122] 230 ： 感應(yīng)線圈
[0123] 240、540: 電源
[0124] 250,560 ： 氣體供給部
[0125] 351 ： 第1側(cè)部排氣環(huán)
[0126] 352 ： 第2側(cè)部排氣環(huán)
[0127] 353 ： 第3側(cè)部排氣環(huán)
[0128] 354 ： 第4側(cè)部排氣環(huán)
[0129] 530 ： 下部電極
[0130] 551 ： 緩沖空間
[0131] W ： 基板
[0132] X： 第1方向
[0133] Y： 第2方向
【權(quán)利要求】
1. 一種基板處理裝置，其特征在于，包括： 處理腔； 卡盤，其位于所述處理腔的內(nèi)部，且支持基板； 擋板，與所述卡盤相對(duì)地配置于所述卡盤的上部，且形成有可分配提供至所述處理腔 內(nèi)部的工藝氣體的分配孔；以及 側(cè)部排氣環(huán)，其位于比所述卡盤更高的位置，環(huán)繞經(jīng)所述分配孔的工藝氣體流入的處 理空間，且其為形成有排氣孔的環(huán)狀。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，多個(gè)所述側(cè)部排氣環(huán)間隔地，沿 上下方向發(fā)生層疊。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，所述側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔沿上 下方向，排列于同一條直線上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，所述側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔不沿 上下方向，排列于同一條直線上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，所述側(cè)部排氣環(huán)至少區(qū)分為兩 個(gè)以上的群組，屬于相同群組的所述側(cè)部排氣環(huán)的所述排氣孔沿上下方向排列于同一條直 線上，而與屬于其他群組的所述側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔，不沿上下方向，排列于同一條直線 上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，所述側(cè)部排氣環(huán)具有自下而上 按順序?qū)盈B的第1側(cè)部排氣環(huán)至第4側(cè)部排氣環(huán)，所述第1側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔和所述第 3側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔沿上下方向排列于同一條直線上；所述第2側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔和 所述第4側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔沿上下方向排列于同一條直線上；而所述第1側(cè)部排氣環(huán)的 排氣孔與所述第2側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔可不沿上下方向，排列于同一條直線上。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6的任意一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，包括：下部排氣 環(huán)，相比于所述卡盤，其設(shè)置于相同高度的位置或者更低的位置，且其形成有排氣孔。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，至少提供兩個(gè)以上的所述下部 排氣環(huán)，其彼此間隔地，沿上下方向發(fā)生層疊，且所述下部排氣環(huán)的排氣孔沿上下方向，排 列于同一條直線上。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，至少提供兩個(gè)以上的所述下部 排氣環(huán)，其彼此間隔地，沿上下方向發(fā)生層疊，所述下部排氣環(huán)的排氣孔可不沿上下方向， 排列于同一條直線上。
10. -種基板處理裝置，其特征在于，其包括： 處理腔，其內(nèi)部形成有空間； 卡盤，其位于所述處理腔的內(nèi)部，且支持基板； 等離子體發(fā)生部，其具有可產(chǎn)生等離子體的放電空間，可將等離子體提供至所述處理 腔內(nèi)部； 擋板，其位于所述卡盤的上部，且形成有可分配提供至所述處理腔內(nèi)部的等離子體的 分配孔；以及 側(cè)部排氣環(huán)，其位于比所述卡盤更高的位置，環(huán)繞通過(guò)所述分配孔的等離子體流入的 處理空間，且其為形成有排氣孔的環(huán)狀。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理裝置，其特征在于，包括：下部排氣環(huán)，相比于所 述卡盤，其設(shè)置于相同高度的位置或者更低的位置，且其形成有排氣孔。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10或者11所述的基板處理裝置，其特征在于，提供多個(gè)所述側(cè)部排 氣環(huán)，其彼此間隔地，沿上下方向發(fā)生層疊。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于，所述側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔沿 上下方向，排列于同一條直線上。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于，所述側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔不 沿上下方向，排列于同一條直線上。
15. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板處理裝置，其特征在于，所述側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔和 所述下部排氣環(huán)的排氣孔沿上下方向，排列于同一條直線上。
16. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板處理裝置，其特征在于，所述側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔和 所述下部排氣環(huán)的排氣孔不沿上下方向，排列于同一條直線上。
17. -種排氣環(huán)組件，其特征在于，包括：側(cè)部排氣環(huán)，其配置于較放置基板的卡盤更 高的位置，環(huán)繞所述卡盤的上部區(qū)域，且其為形成有排氣孔的環(huán)狀。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的排氣環(huán)組件，其特征在于，進(jìn)一步包括：下部排氣環(huán)，相比 于所述卡盤，其設(shè)置于相同高度的位置或者更低的位置，且其為形成有排氣孔的環(huán)狀。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17或者18所述的排氣環(huán)組件，其特征在于，提供多個(gè)所述側(cè)部排氣 環(huán)，其彼此間隔地，沿上下方向發(fā)生層疊。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的排氣環(huán)組件，其特征在于，所述側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔沿上 下方向，排列于同一條直線上。
21. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的排氣環(huán)組件，其特征在于，所述側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔不沿 上下方向，排列于同一條直線上。
22. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的排氣環(huán)組件，其特征在于，所述側(cè)部排氣環(huán)至少區(qū)分為兩 個(gè)以上的群組，屬于相同群組的所述側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔沿上下方向排列于同一條直線 上，而與屬于其他群組的所述側(cè)部排氣環(huán)的排氣孔，不沿上下方向，排列于同一條直線上。
【文檔編號(hào)】H01L21/67GK104124187SQ201410166157
【公開(kāi)日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2014年4月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月23日
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