復合鐵氧體組合物以及電子部件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及含有磁性體材料和非磁性體材料的復合鐵氧體組合物。磁性體材料與所述非磁性體材料的混合比例為20重量％︰80重量％～80重量％︰20重量％。磁性體材料為Ni-Cu-Zn系鐵氧體。非磁性體材料的主成分含有選自Zn、Cu和Si中的至少1種元素的氧化物。非磁性體的副成分含有硼硅酸玻璃。
【專利說明】復合鐵氧體組合物以及電子部件

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及在高頻特性上優(yōu)異的復合鐵氧體組合物、以及應用了該復合鐵氧體組 合物的電子部件。

【背景技術】
[0002] 近年來，移動電話或PC等所使用的高頻帶正在高頻化，已存在多個數(shù)GHz的規(guī)格。 與這些高頻信號相對應的噪聲除去制品受到追求。作為其代表可以例示層疊貼片線圈。
[0003] 層疊貼片線圈的電特性可以由阻抗來評價。阻抗特性直至100MHz帶對素體材料 的磁導率及其頻率特性影響大。此外，GHz帶上的阻抗對層疊貼片線圈的相對電極間的雜 散電容也有影響。作為減少層疊貼片線圈的相對電極間的雜散電容的方法，可以列舉相對 電極間的距離的延長、相對電極的面積的縮小、相對電極間的介電常數(shù)的減小這3種。
[0004] 在下述所示的專利文獻1中，為了降低雜散電容，在由線圈通電所產(chǎn)生的磁通方 向的兩端形成端子。在該專利文獻1所示的發(fā)明中，可以延長內(nèi)部電極與端子電極間的距 離，并且能夠實現(xiàn)內(nèi)部電極與端子電極的相對面積的縮小，并期待高頻特性延伸至高頻。
[0005] 但是，在專利文獻1的發(fā)明中，不能減少內(nèi)部電極間的雜散電容，在該部分仍有進 一步改善的余地。此外，內(nèi)部電極間的距離的延長和內(nèi)部電極的面積的縮小是進行構造的 變更的改善方法，對其它的特性或大小·形狀的影響大。由于內(nèi)部電極間的距離的延長影 響制品的大小，因此難以適用于要求小型化的貼片部件。此外，內(nèi)部電極的面積的縮小具有 直流電阻增大這樣的問題。
[0006] 現(xiàn)在，作為層疊貼片線圈的素體材料，大多使用Ni-Cu-Zn系鐵氧體。由于進行 與作為內(nèi)部電極使用的Ag的同時燒成，因此從能夠在900°C下燒成的磁性體陶瓷中選 擇。Ni-Cu-Zn系鐵氧體的介電常數(shù)為14?15左右，可以說還有減小的余地。但是，降低 Ni-Cu-Zn系鐵氧體的介電常數(shù)是困難的，需要某些改善方法。
[0007] 此外，如下面所示的專利文獻2中，混合Ni-Cu-Zn系鐵氧體與低介電常數(shù)非磁性 體，制作復合材料，將其作為素體材料應用。作為低介電常數(shù)非磁性體，可以列舉二氧化硅 玻璃、硼硅酸玻璃、滑石、氧化鋁、鎂橄欖石、鋯石。
[0008] 在專利文獻2所示的發(fā)明中，通過混合鐵氧體與低介電常數(shù)非磁性體，介電常數(shù) 得以減小。此外，在專利文獻3所示的發(fā)明中，表示了發(fā)泡鐵氧體的應用。即，在專利文獻3 中，在磁性陶瓷中混合灼減材料，燒結后制作空孔，并使樹脂或玻璃含浸于空孔。通過使用 空孔，低介電常數(shù)化得以實現(xiàn)。此外，通過在空孔中含浸樹脂或玻璃，從而彌補了強度變?nèi)?的發(fā)泡鐵氧體的缺點。
[0009] 但是，在專利文獻2中，在以玻璃類材料為主成分的情況下，磁導率μ的降低變得 顯著。這可以認為是由于引起磁性體的顆粒生長或磁路隔斷的緣故。另外，鐵氧體與玻璃 的反應大，形成異相而絕緣電阻劣化。因此，在與Ag類導體的同時燒成下短路的可能性高， 不適用于應用Ag類導體的層疊線圈。
[0010] 另一方面，雖然在滑石、氧化鋁、鎂橄欖石、鋯石的陶瓷材料中，可以認為上述的絕 緣電阻的劣化小，但是認為在燒結性上存在問題，且在與內(nèi)部電極Ag的同時燒成可能的燒 成溫度900°C下復合材料的燒結是困難的。
[0011] 另外，在專利文獻3所示的發(fā)明中，特性和燒結性上均沒有問題。但是，由于在鐵 氧體中包含很多空孔，不能直接裝上端子電極。因此，使用在形成端子電極的部分空孔少的 鐵氧體等構造有變得復雜的缺點。另外，燒成后的鐵氧體粒徑與空孔少的鐵氧體相比較變 小，因而耐濕性等劣化的可能性高。
[0012] 因此，在磁性體與低介電常數(shù)非電磁體的復合的方法中，以下的5點成為技術問 題。即，燒結性的降低、磁導率μ的降低、磁導率μ的頻率特性的低頻化、介電常數(shù)的減小 效果小、以及絕緣電阻的降低。可以認為同時解決這些問題并提供GHz帶上阻抗高的層疊 線圈是困難的。
[0013] 專利文獻1 :日本特開平11-026241號公報
[0014] 專利文獻2 :日本特開2002-175916號公報
[0015] 專利文獻3 :日本特開2004-297020號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0016] 本發(fā)明有鑒于所述現(xiàn)狀，，其目的在于提供一種在燒結性上優(yōu)異、高磁導率、高絕 緣電阻和低介電常數(shù)且在高頻特性上優(yōu)異的復合鐵氧體組合物，以及應用了該復合鐵氧體 組合物的電子部件。
[0017] 解決技術問題的手段
[0018] 為了實現(xiàn)所述目的，本發(fā)明所涉及的復合鐵氧體組合物是含有磁性體材料與非磁 性體材料的復合鐵氧體組合物，所述磁性體材料與所述非磁性體材料的混合比例為20重 量％ : 80重量％?80重量％ : 20重量％，所述磁性體材料為Ni-Cu-Zn系鐵氧體，所述非 磁性體材料的主成分至少含有Zn、Cu和Si的氧化物，所述非磁性體材料的副成分含有硼硅 酸玻璃。
[0019] 在本發(fā)明所涉及的復合鐵氧體組合物中，使用了 Ni-Cu-Zn系鐵氧體，因而在較低 溫下的燒結性上優(yōu)異。另外，本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，在本發(fā)明中，通過相對于Ni-Cu-Zn系鐵氧體 按規(guī)定比例含有規(guī)定的非磁性體材料，從而能夠實現(xiàn)在燒結性上優(yōu)異、高磁導率、高絕緣電 阻和低介電常數(shù)且在頻率特性上優(yōu)異的復合鐵氧體組合物。
[0020] S卩，根據(jù)本發(fā)明，可以認為，通過相對于Ni-Cu-Zn系鐵氧體按規(guī)定比例含有流動 性低的非磁性體材料，從而能夠減小Ni-Cu-Zn系鐵氧體的磁壁移動區(qū)域的減少和磁路隔 斷。另外，通過選擇流動性低的陶瓷材料當中含有以Zn的氧化物為主要組成的陶瓷材料的 非磁性體陶瓷材料作為非磁性體材料，從而能夠減小元素的相互擴散的影響。非磁性體材 料含有很多Ni-Cu-Zn系鐵氧體中所包含的Zn，可以認為兩材料間的元素相互擴散變少。另 夕卜，即使發(fā)生元素的相互擴散，原來所含有的元素的量也僅是稍微變化，對特性的影響小。
[0021] 此外，還有能夠通過任意改變磁性體材料中的Ni-Cu-Zn系鐵氧體的組成、非磁性 體材料的組成、磁性體材料與非磁性體材料的混合比來調(diào)整磁導率（20?1. 4)和介電常數(shù) (11?7)這樣的優(yōu)點。
[0022] 優(yōu)選地，所述非磁性體材料的主成分由通式a(bZnO · cMgO · dCuO) · Si02表示，所 述通式中的 a、b、c 和 d 滿足 a = 1· 5 ?2· 4, b = 0· 2 ?0· 98, d = 0· 02 ?0· 15 (b+c+d = 1. 00) 〇
[0023] 優(yōu)選地，所述非磁性體材料含有0. 5?17. 0重量％的M0-Si02-B203玻璃（Μ0為堿 土金屬氧化物）作為副成分。
[0024] 通過按規(guī)定重量比例添加 M0-Si02-B203類玻璃作為非磁性體材料，從而通過提高 復合材料整體的燒結性來兼顧高的磁導率和絕緣電阻，并可以適用于層疊線圈部件。
[0025] 本發(fā)明所涉及的電子部件是通過層疊線圈導體和陶瓷層而構成的電子部件，所述 線圈包含Ag，所述陶瓷層由上述所記載的復合鐵氧體組合物構成。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026] 圖1是作為本發(fā)明的一個實施方式所涉及的電子部件的層疊貼片線圈的內(nèi)部透 視立體圖。
[0027] 圖2是作為本發(fā)明的另一個實施方式所涉及的電子部件的層疊貼片線圈的內(nèi)部 透視立體圖。
[0028] 圖3是表示本發(fā)明的實施例和比較例的阻抗特性的圖表。
[0029] 符號的說明：
[0030] 1、la…層疊貼片線圈
[0031] 2…陶瓷層
[0032] 3、3a…內(nèi)部電極層
[0033] 4、4a…貼片主體
[0034] 5…端子電極
[0035] 6…端子連接用通孔電極
[0036] 6a…引出電極
[0037] 3〇、3〇a…線圈導體

【具體實施方式】
[0038] 以下，基于附圖所示的實施方式說明本發(fā)明。
[0039] 如圖1所示，作為本發(fā)明的一個實施方式的電子部件的層疊貼片線圈1，具有陶瓷 層2與內(nèi)部電極層3在Y軸方向上交替層疊而成的貼片主體4。
[0040] 各內(nèi)部電極層3具有四角狀環(huán)或C字形狀或=字形狀，被貫通相鄰的陶瓷層2的 內(nèi)部電極連接用通孔電極（圖示略）或高低狀電極螺旋狀地連接，并構成線圈導體30。
[0041] 在貼片主體4的Y軸方向的兩端部，分別形成有端子電極5、5。在各端子電極5， 連接有貫通層疊陶瓷層2的端子連接用通孔電極6的端部，各端子電極5、5連接于構成閉 磁路線圈（卷線圖案）的線圈導體30的兩端。
[0042] 本實施方式中，陶瓷層2和內(nèi)部電極層3的層疊方向與Y軸一致，端子電極5、5的 端面與X軸和Z軸平行。X軸、Y軸和Z軸相互垂直。在圖1所示的層疊貼片線圈1中，線 圈導體30的卷繞軸與Y軸大體一致。
[0043] 貼片主體4的外形或尺寸沒有特別限制，能夠根據(jù)用途來適當設定，通常外形形 成為大致長方體，例如，X軸尺寸為〇· 15?0· 8mm、Y軸尺寸為0· 3?1. 6mm、Z軸尺寸為 0. 1 ~ 1. 0mm〇
[0044] 另外，陶瓷層2的電極間厚度和基底厚度沒有特別限制，電極間厚度（內(nèi)部電極層 3、3的間隔）可以設定為3?50 μ m，基底厚度（端子連接用通孔電極6的Y軸方向長度） 可以設定為5?300 μ m左右。
[0045] 本實施方式中，作為端子電極5,沒有特別限定，可以通過使以Ag、Pd等為主成分 的導電性膏體附著于主體4的外表面后進行燒接，再實施電鍍來形成。在電鍍中可以使用 Cu、Ni、Sn 等。
[0046] 線圈導體30包含Ag (包含Ag的合金），例如由Ag單質、Ag-Pd合金等構成。作為 線圈導體的副成分，可以包含Zr、Fe、Mn、Ti、以及它們的氧化物。
[0047] 陶瓷層2由本發(fā)明的一個實施方式所涉及的復合鐵氧體組合物構成。以下，就復 合鐵氧體組合物進行詳細說明。
[0048] 本實施方式的復合鐵氧體組合物含有磁性體材料和非磁性體材料，磁性體材料與 非磁性體材料的混合比例為20重量％ : 80重量％?80重量％ : 20重量％，優(yōu)選為40重 量％ : 60重量％?60重量％ : 40重量％。若磁性體材料的比例過多，則介電常數(shù)變高， 難以得到在GHz帶上高的阻抗，且高頻特性變差。另外，若磁性體材料的比例過少，則磁導 率變低，且從100MHz到GHz帶上的阻抗變低。
[0049] 作為磁性體材料，可以使用Ni-Cu-Zn系鐵氧體。作為Ni-Cu-Zn系鐵氧體，沒有 特別限制，只要根據(jù)目的選擇各種組成的鐵氧體即可，優(yōu)選按燒成后的鐵氧體的燒結體中 的 mol % 計，F(xiàn)e203 :40 ?50mol %,特別是 45 ?50mol % ;NiO :4 ?50mol %,特別是 10 ? 40mol % ;CuO :4 ?20mol %，特別是 6 ?13mol % ;以及 ZnO :0 ?40mol %，特別是 1 ? 30mol %的鐵氧體組合物。另外，可以按10重量％以下的范圍包含Co氧化物。
[0050] 磁性鐵氧體的磁特性，組成依賴性強，在Fe203、NiO、CuO和ZnO的組成在落在上述 的范圍之外的區(qū)域中，存在磁導率、品質系數(shù)Q降低的傾向。具體而言，例如，若Fe 203量過 少則磁導率降低，接近化學計量組成的磁導率上升，從化學計量組成附近磁導率急劇降低。 另外，伴隨著NiO量的減少或者ZnO量的增加，磁導率變高。但是，若ZnO量過多，則居里溫 度為100°C以下，難以滿足作為電子部件所要求的溫度特性。另外，若CuO量變少，則低溫燒 成（930°C以下）變得困難，相反若過多，則鐵氧體的固有電阻降低而品質系數(shù)Q劣化。
[0051] 鐵氧體粉的平均粒徑優(yōu)選在0. 1?1. 0 μ m的范圍內(nèi)。若平均粒徑過小，則鐵氧體 粉變成比表面積大的微粉，印刷層疊中所使用的膏狀涂料或薄片層疊中所使用的薄片涂料 化變得非常困難。而且，為了減小粉的粒徑，需要利用球磨機等粉碎裝置進行的長時間的粉 碎，但是由于長時間的粉碎，存在來自球磨機和粉碎容器的污染增大，發(fā)生鐵氧體粉的組成 偏差，并引起特性的劣化的擔憂。另外，若平均粒徑過大，則燒結性降低，與包含Ag的內(nèi)部 導體的同時燒成變得困難。
[0052] 再有，鐵氧體粉的平均粒徑能夠將磁性鐵氧體粉在純水中加入，用超聲波儀分散， 使用激光衍射式粒度分布測定裝置（日本電子株式會社制HEL0S SYSTEM)等進行測定。
[0053] 非磁性體材料的主成分至少含有Zn、Cu和Si的氧化物。非磁性體材料的主成分 可以例示由通式a(bZn0*cMg0*dCu0) ?SiC^所表示的復合氧化物。該通式中的a優(yōu)選 1.5?2. 4,更優(yōu)選1.8?2. 2。該通式中的b優(yōu)選0.2?0.98,更優(yōu)選0.95?0.98。該通 式中的d優(yōu)選0.02?0· 15,更優(yōu)選0.02?0.05。其中，滿足b+c+d= 1.00。
[0054] 作為非磁性體材料的副成分的硼硅酸玻璃，例如可以例示M0-Si02-B 203玻璃（M0 為堿土金屬氧化物）。在硼硅酸玻璃中，作為其它成分，也可以包含Zn0、Al203、K 20、Na20等。
[0055] 作為本實施方式所涉及的非磁性體材料的副成分的硼硅酸玻璃所要求的特性，可 以例示線膨脹系數(shù)、玻璃轉變溫度Tg等。在本實施方式中，硼硅酸玻璃所要求的膨脹系數(shù)， 優(yōu)選為7. 5 X 10_6?8. 5 X 10_6,玻璃轉變溫度Tg優(yōu)選為600?700°C。
[0056] 作為本實施方式所涉及的非磁性體材料的副成分的硼硅酸，在以非磁性體材料整 體為100重量％的情況下，優(yōu)選包含0. 5?17. 0重量％，更優(yōu)選包含2. 0?6. 0重量％。若 玻璃的添加量過少，則燒結性降低，且900°C以下的燒成困難。畢竟在無硼硅酸玻璃下，低介 電常數(shù)費磁性體材料難以進行900°C以下的燒成。
[0057] 再有，硼娃酸玻璃的含量隨著磁性體材料的混合比例,優(yōu)選的含量范圍變化。例 如，在磁性體材料的混合比率相對于非磁性體材料高的情況下，硼硅酸玻璃的含量優(yōu)選在 比較高的范圍，在磁性體材料的混合比率低的情況下，硼硅酸玻璃的含量優(yōu)選在比較低的 范圍。
[0058] 若列舉硅鋅礦[(也稱為硅酸鋅、鋅硅酸鹽）：Zn2Si04]作為以不含玻璃的Zn的氧 化物為主要組成的非磁性體材料的例子,則硅鋅礦單獨的燒結溫度為1300°C以上。因此， 通過以M0-Si0 2-B203類玻璃作為燒結助劑，即使硅鋅礦單獨也能在燒成溫度900°C下燒結。 即使與磁性體復合化，該效果也能保持。
[0059] 若硼硅酸玻璃的添加量過多，則存在磁導率降低的傾向，無法得到足夠的阻抗。其 原因被認為是由于存在Ni-Cu-Zn系鐵氧體的磁壁移動區(qū)域的減少和磁路隔斷的緣故。通 過流動性高的M0-Si0 2-B203類玻璃通過侵入Ni-Cu-Zn系鐵氧體晶界，從而Ni-Cu-Zn系鐵 氧體的磁路被隔斷。另外，通過阻礙Ni-Cu-Zn系鐵氧體的顆粒生長，從而減少磁壁移動區(qū) 域。
[0060] 非磁性體材料的主成分的平均粒徑和作為副成分的硼硅酸玻璃的平均粒徑?jīng)]有 特別限定，主成分的平均粒徑優(yōu)選為0. 2?0. 6 μ m。硼硅酸玻璃的平均粒徑優(yōu)選為0. 3? 0. 7 μ m。平均粒徑的測定方法與鐵氧體粉的情況同樣。
[0061] 圖1所示的層疊貼片線圈1可以由一般的制造方法制造。即，將本發(fā)明的鐵氧體 組合物與粘合劑和溶劑一起混煉而得到的復合鐵氧體組合物膏體與包含Ag等的內(nèi)部電極 膏體交替地印刷層疊后，進行燒成，由此能夠形成貼片主體4 (印刷法）?；蛘撸部梢允褂?復合鐵氧體膏體制作生坯薄片，在生坯薄片的表面印刷內(nèi)部電極膏體，將它們層疊并進行 燒成，由此形成貼片主體4(薄片法）。任一種方法只要在形成貼片主體后，燒接端子電極5 或以鍍層等形成即可。
[0062] 復合鐵氧體膏體中的粘合劑和溶劑的含量沒有限制，例如能夠在粘合劑的含量為 1?10重量％,溶劑的含量為10?50重量％左右的范圍下設定。此外，在膏體中，可以根 據(jù)需要按10重量％以下的范圍含有分散劑、可塑劑、介電質、絕緣體等。包含Ag等的內(nèi)部 電極膏體也能夠同樣地制作。另外，燒成條件等沒有特別限制，在內(nèi)部電極層中包含Ag等 的情況下，燒成溫度優(yōu)選為930°C以下，更優(yōu)選為900°C以下。
[0063] 此外，本發(fā)明不限定于上述的實施方式，能夠在本發(fā)明的范圍內(nèi)進行各種各樣的 改變。
[0064] 例如，也可以使用上述的實施方式的復合鐵氧體組合物來構成圖2所示的層疊貼 片線圈la的陶瓷層2。在圖2所示的層疊貼片線圈la中，具有陶瓷層2與內(nèi)部電極層3a 在Z軸方向上交替層疊而成的貼片主體4a。
[0065] 各內(nèi)部電極層3a具有四角狀環(huán)或C字形狀或=字形狀，被貫通相鄰的陶瓷層2的 內(nèi)部電極連接用通孔電極（圖示略）或高低狀電極螺旋狀連接，并構成線圈導體30a。
[0066] 在貼片主體4a的Y軸方向的兩端部，分別形成有端子電極5、5。在各端子電極5， 連接有位于Z軸方向的上下的引出電極6a的端部，各端子電極5、5連接于構成閉磁路線圈 (卷線圖案）的線圈導體30a的兩端。
[0067] 在本實施方式中，陶瓷層2和內(nèi)部電極層3的層疊方向與Z軸一致，端子電極5、5 的端面與X軸和Z軸平行。X軸、Y軸和Z軸相互垂直。在圖2所示的層疊貼片線圈la中， 線圈導體30a的卷繞軸與Z軸大體一致。
[0068] 在圖1所示的層疊貼片線圈1中，在貼片主體4的長度方向即Y軸方向上有線圈 導體30的卷軸，因此，與圖2所示的層疊貼片線圈la相比較，具有能夠增加卷數(shù)，并容易地 謀求直至高頻帶的高阻抗化的優(yōu)點。在圖2所示的層疊貼片線圈la中，其它的結構和作用 效果，與圖1所示的層疊貼片線圈1同樣。
[0069] 此外，本發(fā)明的復合鐵氧體組合物可以作為與用于除了圖1或圖2所示的貼片感 應器以外的電子部件的線圈導體一起層疊的陶瓷層來使用。
[0070] 以下，基于更詳細的實施例說明本發(fā)明，但是本發(fā)明不限定于這些實施例。
[0071] (實施例1)
[0072] 首先，作為磁性體材料，準備在900°C下單獨燒成時為μ = 110、ε = 14. 0的 Ni-Cu-Zn系鐵氧體（平均粒徑0· 3 μ m)。
[0073] 接著，準備在900°C下單獨燒成時μ = 1、ε = 6的非磁性體材料。該非磁 性體材料是將作為主成分的2(0. 98Ζη0 · 0. 02Cu0) · Si02 (平均粒徑0. 5 μ m)與作為副 成分的Sr0-Si02-B203類玻璃（平均粒徑0. 5μπι)以相對于非磁性體材料100重量％按 Sr0-Si02-B203類玻璃的含量為3.8重量％的方式混合并調(diào)制而成的材料。再有，作為 Sr0-Si02-B203類玻璃，使用市售的玻璃。
[0074] 然后，以上述磁性體材料與非磁性體材料的混合比成為表1所示的比例的方式分 別稱量上述磁性體材料和非磁性體材料，由球磨機進行濕式混合24小時，將所得到的漿料 用干燥機干燥，得到復合體材料。
[0075] 在所得到的復合體材料中添加丙烯樹脂類粘合劑并成為顆粒之后，進行加壓成 型，分別得到圓環(huán)（toroidal)形狀（尺寸=外徑18mmX內(nèi)徑10mmX高度5mm)的成型體、 以及圓盤形狀（尺寸=直徑25mmX厚度5mm)的成型體。將該成型體在空氣中在900°C下 燒成2小時，得到燒結體（復合鐵氧體組合物）。對所得到的燒結體，進行以下的評價。
[0076] ML
[0077] [相對密度]
[0078] 就成型為圓盤形狀而得到的燒結體，從燒成后的燒結體的尺寸和重量算出燒結體 密度，算出相對于理論密度的燒結體密度作為相對密度。本實施例中，令相對密度為90%以 上為良好。在表1中表不結果。
[0079] [磁導率]
[0080] 在成型為圓環(huán)形狀而得到的燒結體，卷繞10匝銅線繞線，使用LCR測試儀（安捷 倫公司制，商品名：4991A)測定初始磁導率μ i。作為測定條件，測定頻率為10MHz，測定溫 度為20°C。本實施例中，令10MHz中磁導率為1.4以上為良好。在表1中表示結果。
[0081] [共振頻率]
[0082] 在成型為圓環(huán)形狀而得到的燒結體，卷繞10匝銅線繞線，使用阻抗分析儀（安捷 倫公司制，商品名：4991A)測定室溫下的磁導率的共振頻率（MHz)。在本實施例中，令磁導 率的共振頻率為50MHz以上為良好。在表1中表示結果。
[0083] [介電常數(shù)]
[0084] 對成型為圓環(huán)形狀而得到的燒結體，使用網(wǎng)絡分析儀（惠普公司制8510C)，利用 共振法（JIS R1627)算出介電常數(shù)（無單位）。本實施例中,令介電常數(shù)為11以下為良好。 在表1中表不結果。
[0085] [電阻率]
[0086] 在所得到的成型為圓盤形狀的燒結體的兩面，涂覆In-Ga電極，測定直流電阻值， 求出電阻率P (單位：Ωπι)。測定使用IR測試儀（惠普公司制4329A)進行。本實施例中， 令電阻率為1〇6 Ω · m以上為良好。在表1中表不結果。
[0087] 表 1
[0088]

【權利要求】
1. 一種復合鐵氧體組合物，其特征在于： 是含有磁性體材料和非磁性體材料的復合鐵氧體組合物， 所述磁性體材料與所述非磁性體材料的混合比例為20重量％ : 80重量％?80重 量％ : 20重量％， 所述磁性體材料為Ni-Cu-Zn系鐵氧體， 所述非磁性體材料的主成分至少含有Zn、Cu和Si的氧化物， 所述非磁性體材料的副成分含有硼硅酸玻璃。
2. 如權利要求1所述的復合鐵氧體組合物，其特征在于： 所述非磁性體材料的主成分由通式a(bZnO · cMgO · dCuO) · Si02表示， 所述通式中的a、b、c和d滿足a = L 5?2. 4，b = 0· 2?0· 98，d = 0· 02?0· 15,其 中，b+c+d = 1· 00。
3. 如權利要求1所述的復合鐵氧體組合物，其特征在于： 所述非磁性體材料含有〇. 5?17. 0重量％的M0-Si02-B203玻璃作為副成分，其中，Μ0 為堿土金屬氧化物。
4. 如權利要求2所述的復合鐵氧體組合物，其特征在于： 所述非磁性體材料含有〇. 5?17. 0重量％的M0-Si02-B203玻璃作為副成分，其中，M0 為堿土金屬氧化物。
5. -種電子部件，其特征在于： 是層疊線圈導體與陶瓷層而構成的電子部件， 所述線圈導體包含Ag， 所述陶瓷層由權利要求1?4中的任一項所述的復合鐵氧體組合物構成。
6. -種復合電子部件，其特征在于： 是層疊線圈導體與陶瓷層而構成的電子部件， 所述線圈導體包含Ag， 所述陶瓷層由權利要求1?4中的任一項所述的復合鐵氧體組合物構成。
【文檔編號】H01F1/34GK104143404SQ201410195616
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2014年5月9日 優(yōu)先權日:2013年5月10日
【發(fā)明者】長東大樹, 鈴木孝志, 近藤真一, 大島由也, 遠藤政宏, 高橋圣樹 申請人:Tdk株式會社