一種半導(dǎo)體產(chǎn)品封裝工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體產(chǎn)品封裝工藝，其過程包括，前制程工序和后制程工序，前制程工序依次為研磨、貼片、焊線；后制程工序依次包括貼膜、注塑、撕膜、電鍍、切割；在撕膜后，電鍍前，還包括拋光工序：使用防靜電纖維輪對半導(dǎo)體產(chǎn)品先進(jìn)行粗拋，接著進(jìn)行精拋，最后把精拋后的半導(dǎo)體產(chǎn)品進(jìn)行水洗、烘干。本發(fā)明所述的半導(dǎo)體產(chǎn)品封裝工藝，對半導(dǎo)體產(chǎn)品引腳面的殘膠，注塑溢膠具有很好的清潔效果；對引腳面、散熱片區(qū)域的刮傷有很強(qiáng)的修復(fù)效果，并且工藝簡單，操作方便，對不同厚度的產(chǎn)品可以通過調(diào)整防靜電纖維輪轉(zhuǎn)速進(jìn)行控制，通用性強(qiáng)。
【專利說明】一種半導(dǎo)體產(chǎn)品封裝工藝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體產(chǎn)品封裝工藝，尤其涉及一種半導(dǎo)體產(chǎn)品QFN封裝工藝。

【背景技術(shù)】
[0002]封裝工藝一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)，它不僅起著安放、固定、密封、保護(hù)芯片和增強(qiáng)導(dǎo)熱性能的作用，而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁:芯片上的接點(diǎn)用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導(dǎo)線與其他器件建立連接。因此，對于很多集成電路產(chǎn)品而言，封裝技術(shù)都是非常關(guān)鍵的一環(huán)。
[0003]封裝工藝按照封裝外型可分為TSSOP(Thin Small Shrink Outline Package薄小外形封裝)、QFN(Quad Flat No-lead Package 四方無引腳扁平封裝)、QFP(Quad Flat Package四方引腳扁平式封裝)、等。QFN是一種無引腳封裝，呈正方形或矩形，封裝底部中央位置有一個大面積裸露焊盤用來導(dǎo)熱，圍繞大焊盤的封裝外圍四周有實(shí)現(xiàn)電氣連結(jié)的導(dǎo)電焊盤。由于體積小、重量輕、加上杰出的電性能和熱性能，這種封裝特別適合任何一個對尺寸、重量和性能都有的要求的應(yīng)用。
[0004]半導(dǎo)體QFN封裝工藝流程分為前制程工序和后制程工序，前制程工序依次包括研磨、貼片、焊線；后制程工序依次包括貼膜、注塑、撕膜、電鍍、切割。在電鍍工序前，由于撕膜后薄膜殘膠，或注塑過程中樹脂溢膠的存在，將影響半導(dǎo)體產(chǎn)品的導(dǎo)電性，不去除將造成殘次品，如電性和沾錫測試失敗。在電鍍前的生產(chǎn)中對于引腳面、散熱片的刮傷如不修復(fù)，將造成產(chǎn)品外觀殘次品。
[0005]在半導(dǎo)體封裝行業(yè)中通常采用的是藥水浸泡，手動擦拭，高壓水清洗的方式進(jìn)行引腳面的清潔；但是效果不好，對于殘膠，注塑溢膠無法起到去除作用，對于引腳面刮傷無法進(jìn)行修復(fù)。
[0006]鑒于上述缺陷，實(shí)有必要提出一種改進(jìn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品封裝工藝。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于:提供一種半導(dǎo)體產(chǎn)品封裝工藝，能夠很好的對撕膜后薄膜殘膠或注塑過程中樹脂溢膠進(jìn)行清潔處理，修復(fù)引腳面、散熱片區(qū)域的刮傷，提聞廣品的良率，節(jié)省生廣資源。
[0008]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是:
[0009]一種半導(dǎo)體產(chǎn)品封裝工藝，分為前制程工序和后制程工序，前制程工序依次包括研磨、貼片、焊線；后制程工序依次包括貼膜、注塑、撕膜、電鍍、切割；在撕膜工序后，電鍍工序前，還包括拋光工序:使用防靜電纖維輪對半導(dǎo)體產(chǎn)品先進(jìn)行粗拋，目的是去除殘膠，刮傷，注塑溢膠，接著進(jìn)行精拋，目的是把引腳面拋光至所需粗糙度，最后把精拋后的半導(dǎo)體產(chǎn)品進(jìn)行水洗、烘干。精拋和粗拋均使用防靜電纖維輪，精拋工序的防靜電纖維輪的轉(zhuǎn)速小于粗拋工序的轉(zhuǎn)速。
[0010]更進(jìn)一步，本發(fā)明所述的封裝工藝，使用的防靜電纖維輪為復(fù)合導(dǎo)電纖維輪；水洗采用蒸餾水進(jìn)行；烘干的溫度為80°c?120°C，烘干時間為20min?30min。
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比，采用本發(fā)明所述的半導(dǎo)體產(chǎn)品封裝工藝，對半導(dǎo)體產(chǎn)品引腳面的殘膠，注塑溢膠具有很好的清潔效果；對引腳面、散熱片區(qū)域的刮傷有很強(qiáng)的修復(fù)效果，并且工藝簡單，操作方便，對不同厚度的產(chǎn)品可以通過調(diào)整防靜電纖維輪轉(zhuǎn)速進(jìn)行控制，通用性強(qiáng)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是本發(fā)明所述的半導(dǎo)體產(chǎn)品封裝工藝流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)一步說明。
[0014]請參閱圖1所示，一種符合本發(fā)明所述的半導(dǎo)體產(chǎn)品封裝工藝，其過程包括，前制程工序和后制程工序，前制程工序依次為研磨、貼片、焊線；后制程工序依次包括貼膜、注塑、撕膜、電鍍、切割；在撕膜后，電鍍前，還包括拋光工序:使用防靜電纖維輪對半導(dǎo)體產(chǎn)品先進(jìn)行粗拋，接著進(jìn)行精拋，把引腳面拋光至所需的粗糙度，最后把精拋后的半導(dǎo)體產(chǎn)品進(jìn)行水洗、烘干。精拋和粗拋均使用防靜電纖維輪，精拋工序的防靜電纖維輪的轉(zhuǎn)速小于粗拋工序的轉(zhuǎn)速。
[0015]更進(jìn)一步，本發(fā)明所述的封裝工藝，使用的防靜電纖維輪為復(fù)合導(dǎo)電纖維輪；水洗采用蒸餾水進(jìn)行；烘干的溫度為80°C?120°C，烘干時間為20min?30min。
[0016]本發(fā)明所述的半導(dǎo)體產(chǎn)品封裝工藝，對半導(dǎo)體產(chǎn)品引腳面的殘膠，注塑溢膠具有很好的清潔效果；對引腳面、散熱片區(qū)域的刮傷有很強(qiáng)的修復(fù)效果，并且工藝簡單，操作方便，對不同厚度的產(chǎn)品可以通過調(diào)整防靜電纖維輪轉(zhuǎn)速進(jìn)行控制，通用性強(qiáng)。
[0017]本發(fā)明不局限于上述具體的實(shí)施方式，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員從上述構(gòu)思出發(fā)，不經(jīng)過創(chuàng)造性的勞動，所作出的種種變換，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體產(chǎn)品封裝工藝，分為前制程工序和后制程工序，后制程工序依次包括貼膜、注塑、撕膜、電鍍、切割；其特征在于:在所述的撕膜工序后和電鍍工序前，還包括拋光工序，所述的拋光工序?yàn)?先使用防靜電纖維輪對半導(dǎo)體產(chǎn)品先進(jìn)行粗拋，接著對半導(dǎo)體產(chǎn)品進(jìn)行精拋，最后把精拋后的半導(dǎo)體產(chǎn)品進(jìn)行水洗、烘干。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體產(chǎn)品封裝工藝，其特征在于:所述的防靜電纖維輪為復(fù)合導(dǎo)電纖維輪。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體產(chǎn)品封裝工藝，其特征在于:所述的烘干過程為:烘干溫度為80°C?120°C，時間為20min?30min。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體產(chǎn)品封裝工藝，其特征在于:所述的水洗過程采用的是蒸餾水。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體產(chǎn)品封裝工藝，其特征在于:所述的前制程工序依次包括研磨、貼片、焊線。
【文檔編號】H01L21/50GK104282579SQ201410203352
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年5月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月14日
【發(fā)明者】陸洪飛 申請人:蘇州中搏成機(jī)電設(shè)備有限公司