功率容量為100瓦的1dB衰減片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種功率容量為100瓦的1dB衰減片，其包括一8.9*5.7*1mm的氮化鋁陶瓷基板，所述氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有銀漿背導(dǎo)層，所述氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有銀漿導(dǎo)線及5個(gè)黑色電阻，所述銀漿導(dǎo)線連接所述電阻形成衰減電路，所述5個(gè)黑色電阻的面積根據(jù)吸收功率的不同大小不一，所述5個(gè)黑色電阻采用兩次絲網(wǎng)印刷而成，所述背導(dǎo)層和所述銀漿導(dǎo)線采用端接地漿料導(dǎo)通。該衰減片在設(shè)計(jì)思路上考慮了衰減片從輸入到輸出衰減各個(gè)電阻對(duì)功率的吸收，定義了各個(gè)電阻的面積，同時(shí)優(yōu)化了銀漿導(dǎo)線的走向，改善了電路的駐波，同時(shí)通過(guò)電阻值的精確修改，得到高精度的衰減值。該功率容量為100瓦的1dB衰減片，各項(xiàng)指標(biāo)優(yōu)良，滿足了目前4G網(wǎng)絡(luò)的使用要求。
【專利說(shuō)明】 功率容量為100瓦的IdB哀減片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種功率衰減片，特別涉及一種功率容量為100瓦的IdB衰減片。

【背景技術(shù)】
[0002]目前大多數(shù)通訊基站都是應(yīng)用大功率陶瓷負(fù)載片來(lái)吸收通信部件中反向輸入功率，大功率陶瓷負(fù)載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而無(wú)法對(duì)基站的工作狀況做實(shí)時(shí)的監(jiān)控，當(dāng)基站工作發(fā)生故障時(shí)無(wú)法及時(shí)地做出判斷，對(duì)設(shè)備沒(méi)有保護(hù)作用。而衰減片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率，而且能夠抽取通信部件中部分信號(hào)，對(duì)基站進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控，從而對(duì)設(shè)備形成有效保護(hù)。
[0003]衰減片作為一個(gè)功率消耗元件，不能對(duì)兩端電路有影響，也就是說(shuō)其應(yīng)與兩端電路都是匹配的。目前國(guó)內(nèi)10W-1dB的氮化鋁陶瓷衰減片，其衰減精度不僅大多只能做到IG頻率以內(nèi)，少數(shù)能做到2G，且衰減精度和設(shè)備配備的VSWR較難控制，輸出端得到的信號(hào)不符合實(shí)際要求。特別是在衰減片使用頻段高于2G時(shí)，其衰減精度往往達(dá)不到要求，回波損耗變大，滿足不了 2G以上的頻段應(yīng)用要求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種阻值滿足436.3±3% Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為1±0.5dB，駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足1.20:1max，能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求的功率容量為100瓦的IdB衰減片。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0006]其包括一 8.9*5.7*1MM的氮化鋁陶瓷基板，所述氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有銀漿背導(dǎo)層，所述氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有銀漿導(dǎo)線及5個(gè)黑色電阻，所述銀漿導(dǎo)線連接所述電阻形成衰減電路，所述5個(gè)黑色電阻的面積根據(jù)吸收功率的不同大小不一，所述5個(gè)黑色電阻采用兩次絲網(wǎng)印刷而成，所述背導(dǎo)層和所述銀漿導(dǎo)線采用端接地漿料導(dǎo)通優(yōu)選的，所述端接地所用漿料為低溫烘烤銀漿。
[0007]優(yōu)選的，氮化鋁陶瓷基板采用低熱膨脹系數(shù)氮化鋁陶瓷基板。
[0008]上述技術(shù)方案具有如下有益效果:該衰減片以8.9*5.7*1MM的氮化鋁基板作為基準(zhǔn)，在設(shè)計(jì)思路上充分考慮了各個(gè)電阻對(duì)功率的吸收狀況，根據(jù)吸收功率的不同設(shè)計(jì)了不同的電阻面積，最大程度地優(yōu)化了產(chǎn)品的功率容量，同時(shí)改善了電路結(jié)構(gòu)，改善了電路的駐波，并且通過(guò)電阻值的精確修改，得到了高精度的衰減值。同時(shí)該衰減片在上述氮化鋁基板的尺寸規(guī)格下可到達(dá)阻值436.3±3% Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為l±0.5dB，駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足1.20: lmax,能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受100瓦的功率的技術(shù)要求，打破了原來(lái)衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于4G的網(wǎng)絡(luò)。
[0009]上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0011]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。
[0012]如圖1所示，該功率容量為100瓦的IdB衰減片包括一氮化鋁基板I，氮化鋁基板I的背面印刷有導(dǎo)體層，導(dǎo)體層由印刷銀漿印刷而成。氮化鋁基板I的正面印刷有電阻R1、R2、R3、R4、R5及銀漿導(dǎo)線2，銀漿導(dǎo)線2將電阻Rl、R2、R3、R4、R5連接起來(lái)形成衰減電路，電阻R1、R2、R3、R4、R5上均印刷有高溫透明保護(hù)膜3，高溫透明保護(hù)膜3用于保護(hù)電阻R1、R2、R3、R4、R5。在整個(gè)電路即銀漿導(dǎo)線2及高溫透明保護(hù)膜3的上表面還印刷有一層保護(hù)膜4，保護(hù)膜4上再印刷有一層保護(hù)膜5，這樣可對(duì)整個(gè)電路進(jìn)行包括，保護(hù)膜5上還可印刷品牌和型號(hào)。
[0013]該衰減片輸入端和接地的阻值為436.3±3% Ω，輸出端和接地端的阻值為436.3±3% Ω。信號(hào)從輸入端進(jìn)入衰減片，從輸出端經(jīng)過(guò)1?1、1?2、1?5、1?3、1?4對(duì)功率的逐步吸收，從輸出端輸出實(shí)際所需要的信號(hào)。
[0014]該衰減片以8.9*5.7*1麗的氮化鋁基板作為基準(zhǔn)，在設(shè)計(jì)思路上充分考慮了各個(gè)電阻對(duì)功率的吸收狀況，根據(jù)吸收功率的不同設(shè)計(jì)了不同的電阻面積，最大程度地優(yōu)化了產(chǎn)品的功率容量，同時(shí)改善了電路結(jié)構(gòu)，改善了電路的駐波，并且通過(guò)電阻值的精確修改，得到了高精度的衰減值。同時(shí)該衰減片在上述氮化鋁基板的尺寸規(guī)格下可到達(dá)阻值436.3±3% Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為1±0.5dB，駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足
1.20: lmax,能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受100瓦的功率的技術(shù)要求，打破了原來(lái)衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于4G的網(wǎng)絡(luò)。
[0015]以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種功率容量為100瓦的IdB衰減片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種功率容量為100瓦的IdB衰減片，其特征在于:其包括一 8.9*5.7*1MM的氮化鋁陶瓷基板，所述氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有銀漿背導(dǎo)層，所述氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有銀漿導(dǎo)線及5個(gè)黑色電阻，所述銀漿導(dǎo)線連接所述電阻形成衰減電路，所述5個(gè)黑色電阻的面積根據(jù)吸收功率的不同大小不一，所述5個(gè)黑色電阻采用兩次絲網(wǎng)印刷而成，所述背導(dǎo)層和所述銀漿導(dǎo)線采用端接地漿料導(dǎo)通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率容量為100瓦的IdB衰減片，其特征在于:所述端接地所用漿料為低溫烘烤銀漿。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率容量為100瓦的IdB衰減片，其特征在于:氮化鋁陶瓷基板采用低熱膨脹系數(shù)氮化鋁陶瓷基板。
【文檔編號(hào)】H01P1/22GK104241789SQ201410235855
【公開(kāi)日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月29日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請(qǐng)人:蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司