發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、至少一發(fā)光二極管芯片與封裝膠體。封裝膠體具有多個(gè)弧形表面，而弧形表面分別具有相對遠(yuǎn)離基板的最高點(diǎn)，且弧形表面之間定義出多個(gè)凹陷區(qū)。發(fā)光二極管芯片在基板上的正投影與最高點(diǎn)的連線所圍成的區(qū)域在基板上的正投影至少部分重疊。每一凹陷區(qū)相對鄰近基板的最低點(diǎn)至基板的垂直距離為T，而每一弧形表面具有與基板相連接的弧形邊緣，且弧形邊緣的半徑為R，最高點(diǎn)相對于基板的最大垂直高度為H，T/R＝0.2～0.9且H/R＝0.1～2，以使發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光半角大于130度。
【專利說明】發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001〕 本發(fā)明是有關(guān)于一種封裝結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來，由于發(fā)光二極管的發(fā)光亮度與發(fā)光效率持續(xù)地提升，所以逐漸有發(fā)光二極管被使用作為照明用途，并開始有將發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)應(yīng)用于燈源(如燈泡、路燈、手電筒等)或是相關(guān)照明設(shè)備被開發(fā)出來。
[0003]然而，發(fā)光二極管屬于正向發(fā)光的發(fā)光兀件,也就是發(fā)光二極管所發(fā)出的光線朝向其法線方向射出。因此，發(fā)光二極管所發(fā)出的光線在其法線方向有最大的發(fā)光亮度，且其發(fā)光亮度從發(fā)光二極管的法線方向朝向法線的兩側(cè)逐漸降低至零。換言之，發(fā)光二極管的外側(cè)的光線強(qiáng)度較弱，甚至在發(fā)光角度較大的外側(cè)區(qū)域完全沒有光線，進(jìn)而限制了發(fā)光二極管的應(yīng)用。因此，如何增加發(fā)光二極管的發(fā)光角度，也逐漸成為發(fā)展發(fā)光二極管技術(shù)中值得關(guān)注的焦點(diǎn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其具有較大的發(fā)光角度。
[0005]本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括基板、至少一發(fā)光二極管芯片以及封裝膠體。發(fā)光二極管芯片配置于基板上。封裝膠體配置于基板上，并且覆蓋發(fā)光二極管芯片。封裝膠體具有多個(gè)弧形表面，弧形表面分別具有相對遠(yuǎn)離基板的最高點(diǎn)，且弧形表面之間定義出多個(gè)凹陷區(qū)。發(fā)光二極管芯片在基板上的正投影與最高點(diǎn)的連線所圍成的區(qū)域在基板上的正投影至少部分重疊。每一凹陷區(qū)相對鄰近基板的最低點(diǎn)至基板的垂直距離為I'，而每一弧形表面具有與基板相連接的弧形邊緣，且弧形邊緣的半徑為I最高點(diǎn)相對于基板的最大垂直高度為札1/? = 0.2?0.9且11/? = 0.1?2，以使發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光半角大于130度。
[0006]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的發(fā)光二極管芯片在基板上的正投影與凹陷區(qū)在基板上的正投影重疊。
[0007]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的每一弧形表面為曲率連續(xù)的弧形表面。
[0008]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的弧形表面的曲率半徑相同。
[0009]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的弧形表面的曲率半徑不同。
[0010]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的發(fā)光二極管芯片的邊長為匕而8/1 = 0.25?20。
[0011]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還包括至少一熒光膠層，配置于發(fā)光二極管芯片的上方，其中熒光膠層位于封裝膠體與發(fā)光二極管芯片之間。
[0012]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還包括熒光罩，配置于發(fā)光二極管芯片的上方，且熒光罩包覆發(fā)光二極管芯片與封裝膠體。
[0013]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的突光罩與封裝膠體之間存在有空氣間隙。
[0014]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的17? = 0.565?0.8。
[0015]基于上述，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的封裝膠體具有凹陷區(qū)。封裝膠體的最高點(diǎn)相對于基板的最大垂直高度為II，凹陷區(qū)相對鄰近基板的最低點(diǎn)至基板的垂直距離為I'，且弧形表面具有與基板相連接的弧形邊緣，弧形邊緣的半徑為117? = 0.2?0.9且!1/尺=0.1?2。上述封裝膠體覆蓋發(fā)光二極管芯片，且發(fā)光二極管芯片在基板上的正投影與弧形表面的最高點(diǎn)的連線所圍成的區(qū)域在基板上的正投影至少部分重疊，可使發(fā)光二極管芯片所發(fā)出的光線穿透封裝膠體后的發(fā)光半角仏“？冊06)超過130度。據(jù)此，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)具有較大的發(fā)光角度。
[0016]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0018]圖2是圖1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖；
[0019]圖3是圖1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0020]圖4是本發(fā)明再一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖；
[0021]圖5是本發(fā)明又一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
[0022]附圖標(biāo)記說明:
[0023]200、20012006:發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)；
[0024]210:基板；
[0025]220:發(fā)光二極管芯片；
[0026]230,2308:封裝膠體；
[0027]232、2323:弧形表面；
[0028]234:最聞點(diǎn)；
[0029]236:凹陷區(qū)；
[0030]2368:最低點(diǎn)；
[0031]238:弧形邊緣；
[0032]240:突光罩；
[0033]250:熒光膠層；
[0034]8:區(qū)域；
[0035]6:空氣間隙；
[0036]?。?最大垂直高度；
[0037]1:邊長；
[0038]I？:半徑；
[0039]丁:垂直距離。

【具體實(shí)施方式】
[0040]圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2是圖1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。圖3是圖1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。為了方便說明起見，圖1與圖3中省略示出部分構(gòu)件。請參考圖1至圖3，在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200包括基板210、至少一發(fā)光二極管芯片(圖1中示意地示出四個(gè)發(fā)光二極管芯片220)以及封裝膠體230。發(fā)光二極管芯片220配置于基板210上。封裝膠體230配置于基板210上，并且覆蓋發(fā)光二極管芯片220。封裝膠體230具有多個(gè)弧形表面232，且每個(gè)弧形表面232分別具有相對遠(yuǎn)離基板210的最高點(diǎn)234(如圖2所示)，這些最高點(diǎn)234具有相對于基板210的最大垂直高度為1特別是，本實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片220在基板210上的正投影與最高點(diǎn)234的連線所圍成的區(qū)域8在基板210上的正投影至少部分重疊，如圖3所示。弧形表面232之間定義出多個(gè)凹陷區(qū)236，也就是每個(gè)弧形表面232和與其相鄰的弧形表面232之間都能定義出凹陷區(qū)236。凹陷區(qū)236可視為弧形表面232之間的交會(huì)處，故凹陷區(qū)236的凹陷程度取決于弧形表面232各自的尺寸(例如是曲率半徑)與相鄰的弧形表面232之間的距離，各凹陷區(qū)236的凹陷程度可相同也可不同(也就是各弧形表面232的尺寸與距離可相同也可不同)。再者，凹陷區(qū)236具有相對鄰近基板210的最低點(diǎn)236^而凹陷區(qū)236的最低點(diǎn)2363至基板210的垂直距離為I'，而各弧形表面232具有與基板210相連接的弧形邊緣238，且弧形邊緣238的半徑為8。在本實(shí)施例中，較佳地，封裝膠體230符合17? = 0.2?0.9且!1/? = 0.1?2的設(shè)計(jì)。
[0041]此外，在本實(shí)施例中，各弧形表面232為曲率連續(xù)的弧形表面(例如是半球狀)，且弧形表面232的曲率半徑相同(例如是半徑相同的半球面)，故弧形表面232的最高點(diǎn)234可視為是呈現(xiàn)半球狀的弧形表面232的頂點(diǎn)，而凹陷區(qū)236可視為是位于呈現(xiàn)半球狀的弧形表面232之間。因此，封裝膠體230的弧形表面232在垂直剖面上為兩個(gè)對稱且相接的圓弧線。另外，發(fā)光二極管芯片220的邊長為匕在本實(shí)施例中，較佳地，封裝膠體230符合尺凡大于0.25且小于20的條件，原因在于若弧形表面232與基板210相連接的弧形邊緣238的半徑I？小于0.25倍的發(fā)光二極管芯片220邊長匕則封裝膠體230無法包覆住發(fā)光二極管芯片220，造成部分光線未經(jīng)封裝膠體230的光學(xué)作用(如折射、反射)而直接射出，如此不但出光效率不佳，出光角度也狹小。若弧形邊緣238的半徑I？大于20倍的發(fā)光二極管芯片220邊長匕則過大的封裝膠體230體積容易造成光線在封裝膠體230內(nèi)繞射而折損出光效率，還會(huì)阻擋散熱，不利于元件的組裝。
[0042]在本實(shí)施例中，上述的封裝膠體230覆蓋在發(fā)光二極管芯片220上，其中本實(shí)施例的四個(gè)發(fā)光二極管芯片220分別對應(yīng)于封裝膠體230的四個(gè)呈現(xiàn)半球狀的弧形表面232，且發(fā)光二極管芯片220在基板210上的正投影與弧形表面232的最高點(diǎn)234的連線所圍成的區(qū)域8在基板210上的正投影至少部分重疊。詳細(xì)而言，在本實(shí)施例中，封裝膠體230的弧形表面232的最高點(diǎn)234的連線所圍成的區(qū)域8具體化為矩形，如圖3所示。此時(shí)，四個(gè)發(fā)光二極管芯片220對應(yīng)于弧形表面232的最高點(diǎn)234，也就是對應(yīng)于呈現(xiàn)半球狀的弧形表面232的頂點(diǎn)。因此，本實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片220在基板210上的正投影與最高點(diǎn)234的連線所圍成的區(qū)域8在基板210上的正投影至少部分重疊，例如是對應(yīng)于區(qū)域8在基板210上的正投影的角落。
[0043]然而，在其他未示出的實(shí)施例中，發(fā)光二極管芯片220在基板210上的正投影也可以與最高點(diǎn)234的連線所圍成的區(qū)域8在基板210上的正投影完全重疊，例如是四個(gè)發(fā)光二極管芯片220完全位于區(qū)域8在基板210上的正投影內(nèi)。此時(shí)，發(fā)光二極管芯片220對應(yīng)設(shè)置于具有最低點(diǎn)2363的凹陷區(qū)236內(nèi)。此外，在其他未示出的實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200也可僅配置一個(gè)發(fā)光二極管芯片220，且發(fā)光二極管芯片220對應(yīng)具有最低點(diǎn)2363凹陷區(qū)236配置，此仍屬于本發(fā)明可采用的技術(shù)方案，不脫離本發(fā)明所要保護(hù)的范圍。
[0044]此外，本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200還包括突光罩240(突光罩240不于圖2)。具體來說，熒光罩240配置于發(fā)光二極管芯片220的上方，且熒光罩240包覆發(fā)光二極管芯片220與封裝膠體230，使得封裝膠體230位于熒光罩240與發(fā)光二極管芯片220之間。熒光罩240可將發(fā)光二極管芯片220所射出的發(fā)光波長轉(zhuǎn)換成介于450?750納米之間的放射光，較佳地，本發(fā)明可以是在發(fā)光波長介于300?490納米之間的發(fā)光二極管芯片220上先配置封裝膠體230，再蓋上熒光罩240，熒光罩240可將發(fā)光二極管芯片220的發(fā)光波長轉(zhuǎn)換成介于500?570納米之間的發(fā)光波長，而形成出光半角大于130度的白光發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。如圖2所示，熒光罩240與封裝膠體230之間存在有空氣間隙，其中空氣間隙6沒有固定尺寸的間距。然而，在其他實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200可配置其他種類的熒光罩240，也可省略配置熒光罩240，本發(fā)明不限制熒光罩240的配置與否。
[0045]在本實(shí)施例中，封裝膠體230符合丁/? = 0.2?0.9且!1/? = 0.1?2的條件，如此一來，可使發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200的發(fā)光半角大于130度，較佳地，當(dāng)1/? = 0.565?0.8時(shí)，發(fā)光二極管芯片220的發(fā)光半角可達(dá)148度以上，使出射光的出光角度能更廣。在封裝膠體230不符合17? = 0.2?0.9的情況下，例如是垂直距離I大于0.9倍的半徑尺，封裝膠體230的弧形表面232之間的距離太接近，使得封裝膠體230的兩個(gè)弧形表面232近似于一個(gè)弧形表面，也就是由多個(gè)半球狀外型所構(gòu)成封裝膠體230趨近于由一個(gè)半球狀外型所構(gòu)成。此時(shí)，發(fā)光二極管芯片220所發(fā)出的光線經(jīng)由封裝膠體230射出后的發(fā)光半角約120度。而在封裝膠體230不符合11/? = 0.1?2的情況下，若11/?值太小，封裝膠體
230外型呈現(xiàn)扁平狀，封裝膠體230對發(fā)光二極管芯片220所產(chǎn)生的光線無法進(jìn)行有效的折射及反射，如此一來，會(huì)如同沒有設(shè)置封裝膠體230 —般，發(fā)光半角約為120度^若!!/!?值太大，封裝膠體230外型呈現(xiàn)尖頭狀，封裝膠體230會(huì)因?yàn)樘穸斐晒饩€在封裝膠體230內(nèi)折損，降低出光效率。由上述丁作及只作的關(guān)系式，可以推算出丁與只的關(guān)系，也就是凹陷區(qū)236的最低點(diǎn)2363到基板210的距離與封裝膠體230的最高點(diǎn)234到基板210的距離的關(guān)系，較佳地，17?介于0.1到0.9之間，若17?大于0.9，封裝膠體230凹陷的效果不明顯，因此對光線進(jìn)行全反射的效果也不明顯，無法增加出光角度，當(dāng)I太小時(shí)，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200發(fā)生疊影(鬼影)的機(jī)會(huì)大增，對使用者視力將有不良影響，最佳地，17?介于0.3到0.7之間。如此，由于本實(shí)施例的封裝膠體230符合17? = 0.2?0.9且!1/? = 0.1?2的條件，以及發(fā)光二極管芯片220在基板210上的正投影與區(qū)域8在基板210上的正投影至少部分重疊，使得發(fā)光二極管芯片220所發(fā)出的光線經(jīng)由封裝膠體230射出后的發(fā)光半角超過130度。據(jù)此，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200可具有較大的發(fā)光角度。
[0046]圖4是本發(fā)明再一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。請參考圖4，在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2003與圖2的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200的主要差異在于，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2003的封裝膠體2303的每一弧形表面2323的曲率半徑皆不相同。換言之，封裝膠體2303的弧形表面2323的半徑不相同，使得封裝膠體2303呈現(xiàn)大小不一的半球狀。由此可知，本發(fā)明并不限制弧形表面2323的曲率半徑需相同。此外，本發(fā)明也不限制各弧形表面2323為曲率連續(xù)的弧形表面，弧形表面2323的形狀可依據(jù)需求調(diào)整。由于本實(shí)施例的封裝膠體2303符合17? = 0.2?0.9且!1/? = 0.1?2的條件，且發(fā)光二極管芯片220在基板210上的正投影與區(qū)域8在基板210上的正投影至少部分重疊，使得發(fā)光二極管芯片220所發(fā)出的光線經(jīng)由封裝膠體2303射出后的發(fā)光半角超過130度。據(jù)此，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2003可具有較大的發(fā)光角度。
[0047]圖5是本發(fā)明又一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。請參考圖5，在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2006與圖2的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200的主要差異在于，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2006未配置圖2中的熒光罩240。相對地，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2006包括至少一個(gè)突光膠層250。突光膠層250分別配置于發(fā)光二極管芯片220的上方，且突光膠層250位于封裝膠體230與發(fā)光二極管芯片220之間，熒光膠層250可將發(fā)光二極管芯片220所射出的發(fā)光波長轉(zhuǎn)換成介于450?750納米之間的放射光，較佳地，本發(fā)明可以是在發(fā)光波長介于300?490納米之間的發(fā)光二極管芯片220上涂布熒光膠層250，熒光膠層250可將發(fā)光二極管芯片220的發(fā)光波長轉(zhuǎn)換成介于500?570納米之間的發(fā)光波長，之后再配置封裝膠體230于突光膠層250上，而形成發(fā)光半角大于130度的白光發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。在其他實(shí)施例中，熒光膠層250可以完全包覆發(fā)光二極管芯片220，或省略配置熒光膠層250，本發(fā)明并不以此為限制。另外，也可以摻雜熒光粒子(未示出)于具有凹陷區(qū)236的封裝膠體230中，無需配置熒光罩240或熒光膠層250，也可以達(dá)到轉(zhuǎn)換波長且具大發(fā)光半角的功效。
[0048]綜上所述，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的封裝膠體具有凹陷區(qū)。封裝膠體的最高點(diǎn)相對于基板的最大垂直高度為II，凹陷區(qū)相對鄰近基板的最低點(diǎn)至基板的垂直距離為I'，而弧形表面具有與基板相連的弧形邊緣，且弧形邊緣的半徑為1較佳地，!1/? = 0.1?2且17? = 0.2?0.9。上述封裝膠體覆蓋發(fā)光二極管芯片，且發(fā)光二極管芯片在基板上的正投影與弧形表面的最高點(diǎn)的連線所圍成的區(qū)域在基板上的正投影至少部分重疊，可使發(fā)光二極管芯片所發(fā)出的光線穿透封裝膠體后的發(fā)光半角仏“？冊06)超過130度。據(jù)此，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)具有較大的發(fā)光角度。
[0049]最后應(yīng)說明的是:以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 基板； 至少一發(fā)光二極管芯片，配置于該基板上；以及 封裝膠體，配置于該基板上，并且覆蓋該發(fā)光二極管芯片，其中該封裝膠體具有多個(gè)弧形表面，該些弧形表面分別具有相對遠(yuǎn)離該基板的最高點(diǎn)，且該些弧形表面之間定義出多個(gè)凹陷區(qū)，而該發(fā)光二極管芯片在該基板上的正投影與該些最高點(diǎn)的連線所圍成的區(qū)域在該基板上的正投影至少部分重疊，各該凹陷區(qū)相對鄰近該基板的最低點(diǎn)至該基板的垂直距離為T，而各該弧形表面具有與該基板相連接的弧形邊緣，該弧形邊緣的半徑為R，該些最高點(diǎn)相對于該基板的最大垂直高度為H，T/R = 0.2?0.9且H/R = 0.1?2，以使該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光半角大于130度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片在該基板上的正投影與該凹陷區(qū)在該基板上的正投影重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，各該弧形表面為曲率連續(xù)的弧形表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些弧形表面的曲率半徑相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些弧形表面的曲率半徑不同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片的邊長為 L，而 R/L = 0.25 ?20。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括: 至少一突光膠層，配置于該發(fā)光二極管芯片的上方，其中該突光膠層位于該封裝膠體與該發(fā)光二極管芯片之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括: 熒光罩，配置于該發(fā)光二極管芯片的上方，且該熒光罩包覆該發(fā)光二極管芯片與該封裝膠體。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該熒光罩與該封裝膠體之間存在有空氣間隙。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，T/R= 0.565?0.8。
【文檔編號】H01L33/48GK104425474SQ201410268152
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年6月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月11日
【發(fā)明者】吳宗澤, 吳協(xié)展, 蘇柏仁, 廖冠詠, 許國君 申請人:新世紀(jì)光電股份有限公司