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      單極化振子的制作方法

      文檔序號:7052933閱讀:286來源:國知局
      單極化振子的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開一種單極化振子;通過優(yōu)良的結(jié)構(gòu)設(shè)計,設(shè)計五邊形金屬振子片以及外圍設(shè)有半導(dǎo)體圈,以及金屬振子片上的結(jié)構(gòu)設(shè)計,其輻射信號流在金屬振子片流向長度和速度都得到較大改善,通過大量計算機(jī)軟件的仿真得出其具有工作頻帶達(dá)到了近3000MHz,完全滿足4G對頻率要求標(biāo)準(zhǔn),相對帶寬達(dá)到65.9%,且其具有良好的增益、前后比、交叉極化比特性。
      【專利說明】單極化振子

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及天線領(lǐng)域,具體涉及一種單極化振子。

      【背景技術(shù)】
      [0002]目前,4G網(wǎng)絡(luò)越來越普及,有些國家也出現(xiàn)了 5G網(wǎng)絡(luò);從運(yùn)營商的角度來講,為節(jié)省投資及考慮后續(xù)如何實現(xiàn)可擴(kuò)容性、兼容性、多系統(tǒng)、多制式共存已越來越成為一種趨勢。如此對基站天線也提出了更高的要求,為滿足不同制式的頻率,200(Γ3000ΜΗζ頻段等超寬頻帶基站天線被廣泛提出;而要實現(xiàn)基站天線的寬帶化,首先要面臨的就是作為其核心部件的輻射單元的帶寬擴(kuò)展問題,如何在整個寬帶頻帶內(nèi),保持較高增益、波束收斂一致性、良好的前后比及高交叉極化比是一個不小的挑戰(zhàn);尤其是超寬頻帶問題,滿足5G和4G(LTE)等高頻段要求的振子和以該振子制作的天線均是亟需要解決的問題。


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]本發(fā)明的目的在于克服以上所述的缺點,提供一種超寬輻射頻率、良好的前后比以及高交叉極化特性的單極化振子。
      [0004]為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的具體方案如下:單極化振子,包括有一支撐巴倫板,所述支撐巴倫板上設(shè)有上下兩個呈正五邊形的金屬振子片;所述上下兩個金屬振子片用于單極化信號;所述上下兩個金屬振子片之間設(shè)有第一饋電帶線;所述支撐巴倫板上設(shè)有第一同軸電纜饋電孔,所述第一同軸電纜饋電孔與第一饋電帶線電連接;
      所述每個金屬振子片的邊緣設(shè)有外隔離圈,所述每個金屬振子片上靠近兩側(cè)分別設(shè)有復(fù)數(shù)個并排設(shè)置的第一隔離阻斷孔,所述每個金屬振子片上的中部還設(shè)有復(fù)數(shù)個并排設(shè)置的第二隔離阻斷孔,第二隔離阻斷孔均為矩形;所述外隔離圈為半導(dǎo)體,所述第一隔離阻斷孔以及第二隔離阻斷孔內(nèi)均填充設(shè)有半導(dǎo)體;
      所述每個金屬振子片遠(yuǎn)離支撐巴倫板的一側(cè)設(shè)有用于整流的整流結(jié)構(gòu),所述整流結(jié)構(gòu)為三角形,所述整流結(jié)構(gòu)包括有復(fù)數(shù)個并排設(shè)置的整流槽,整流槽之間設(shè)有整流道;所述整流槽內(nèi)也均填充設(shè)有半導(dǎo)體。
      [0005]其中,所述第一隔離阻斷孔為平行四邊形;所述第一隔離阻斷孔的上下邊的長度均為 4mm-7mnin
      [0006]其中,所述半導(dǎo)體為砷化鎵半導(dǎo)體。
      [0007]其中,所述每個金屬振子片的厚度為2mm-2.5mm。
      [0008]其中,所述第二隔離阻斷孔的上下邊的長度為22mm-25mm。
      [0009]其中,所述第一隔離阻斷孔的數(shù)量為六個。
      [0010]其中,所述第二隔離阻斷孔的數(shù)量為五個。
      [0011]其中,所述支撐巴倫板為圓形;所述支撐巴倫板為PCB板,其直徑為10cm。
      [0012]其中,所述金屬振子片的每一條邊長為6cm。
      [0013]本發(fā)明的有益效果為:通過優(yōu)良的結(jié)構(gòu)設(shè)計,創(chuàng)造性的將半導(dǎo)體運(yùn)用到振子片上,將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與振子結(jié)合,通過不斷的實驗,設(shè)計五邊形金屬振子片以及外圍設(shè)有半導(dǎo)體圈,以及金屬振子片上的結(jié)構(gòu)設(shè)計,其輻射信號流在金屬振子片流向長度和速度都得到較大改善,通過大量計算機(jī)軟件的仿真得出其具有工作頻帶達(dá)到了 3000MHz,完全滿足4G以及下一代5G對頻率要求標(biāo)準(zhǔn),相對帶寬達(dá)到65.9%,且其具有良好的增益、前后比、交叉極化比特性。

      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0014]圖1是本發(fā)明的俯視圖;
      圖2是圖1的局部放大圖;
      圖3是輻射信號在遇到整流機(jī)構(gòu)的分流圖;
      圖4是本發(fā)明的剖面圖;
      圖5是本發(fā)明的帶寬仿真實驗數(shù)據(jù)圖;
      圖6是本發(fā)明的增益仿真實驗數(shù)據(jù)圖;
      圖1至圖6中的附圖標(biāo)記說明:
      1-支撐巴倫板;10_收斂缺口;
      I1-第一饋電帶線;
      Ila-第一同軸電纜饋電;
      3-金屬振子片;
      4_外隔尚圈;
      5-整流結(jié)構(gòu);51-整流道;
      6-第一隔離阻斷孔;
      7-第二隔離阻斷孔;
      9-阻擾孔。

      【具體實施方式】
      [0015]下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明,并不是把本發(fā)明的實施范圍局限于此。
      [0016]如圖1至圖6所示,本實施例所述的單極化振子,包括有一支撐巴倫板I,所述支撐巴倫板I上設(shè)有上下兩個呈正五邊形的金屬振子片3 ;所述上下兩個金屬振子片3用于單極化信號;所述上下兩個金屬振子片3之間設(shè)有第一饋電帶線11 ;所述支撐巴倫板I上設(shè)有第一同軸電纜饋電Ila孔,所述第一同軸電纜饋電Ila孔與第一饋電帶線11電連接;所述每個金屬振子片3的邊緣設(shè)有外隔離圈4,所述每個金屬振子片3上靠近兩側(cè)分別設(shè)有復(fù)數(shù)個并排設(shè)置的第一隔離阻斷孔6,所述每個金屬振子片3上的中部還設(shè)有復(fù)數(shù)個并排設(shè)置的第二隔離阻斷孔7,第二隔離阻斷孔7均為矩形;所述外隔離圈4為半導(dǎo)體,所述第一隔離阻斷孔6以及第二隔離阻斷孔7內(nèi)均填充設(shè)有半導(dǎo)體;所述每個金屬振子片3遠(yuǎn)離支撐巴倫板I的一側(cè)設(shè)有用于整流的整流結(jié)構(gòu)5,所述整流結(jié)構(gòu)5為三角形,所述整流結(jié)構(gòu)5包括有復(fù)數(shù)個并排設(shè)置的整流槽,整流槽之間設(shè)有整流道51 ;所述整流槽內(nèi)也均填充設(shè)有半導(dǎo)體。本實施例所述的單極化振子中,所述第一隔離阻斷孔6為平行四邊形;所述第一隔離阻斷孔6的上下邊的長度均為4mm-7mm。進(jìn)一步的,第一同軸電纜饋電Ila孔的同軸電纜與其饋電連接后,與第一饋電帶線11連接實現(xiàn)饋電,輻射電流分布式擴(kuò)散,其信號走向通過第一隔離阻斷孔6以及第二隔離阻斷孔7后,其具備了較高的收斂性和超高增益以及超寬的頻帶,通過計算機(jī)軟件仿真,其縱向增益達(dá)到了近13dBi ;所述第二隔離阻斷孔7均為矩形,使其具有良好的增益擴(kuò)展性,橫向增益也接近6dBi ;通過大量計算機(jī)軟件的仿真得出其具有工作頻帶達(dá)到了 3000MHz,遠(yuǎn)高于目前4G頻率范圍,所述信號擾流較大的情況下,其在金屬振子片3遠(yuǎn)離支撐巴倫板I的一側(cè)設(shè)有用于整流的整流結(jié)構(gòu)5,所述整流結(jié)構(gòu)5為三角形,所述整流結(jié)構(gòu)5包括有復(fù)數(shù)個并排設(shè)置的整流槽,整流槽之間設(shè)有整流道51,經(jīng)過整流通道,其具備了更加平穩(wěn)的邊緣輻射信號,通過計算機(jī)軟件仿真得知,使其增益更加穩(wěn)定,收斂比高,前后比突出的特點;所述每個金屬振子片3的邊緣設(shè)有外隔離圈4,所述外隔離圈4為半導(dǎo)體,外隔離圈4為半導(dǎo)體能有效增加振子隔離度,其通過計算機(jī)軟件仿真得知,其隔離度達(dá)到50db,遠(yuǎn)高于普通振子,運(yùn)用半導(dǎo)體的外隔離圈4,其還具備較優(yōu)的波束收斂一致性。所述第一隔離阻斷孔6以及第二隔離阻斷孔7內(nèi)均填充設(shè)有半導(dǎo)體,增加了增益性,進(jìn)一步的增加了頻率帶寬,通過大量計算機(jī)軟件的仿真得出其具有工作頻帶達(dá)到了近3000MHz ;通過優(yōu)良的結(jié)構(gòu)設(shè)計,創(chuàng)造性的將半導(dǎo)體運(yùn)用到振子片上,將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與振子結(jié)合,通過不斷的實驗,設(shè)計五邊形金屬振子片3以及外圍設(shè)有半導(dǎo)體圈,以及金屬振子片3上的結(jié)構(gòu)設(shè)計,其輻射信號流在金屬振子片3流向長度和速度都得到較大改善,通過大量計算機(jī)軟件的仿真得出其具有工作頻帶達(dá)到了 3000MHz,完全滿足4G以及下一代5G對頻率要求標(biāo)準(zhǔn),相對帶寬達(dá)到65.9%,且其具有良好的增益、前后比、交叉極化比特性。所述金屬振子片3呈正五邊形,可在保持最大振子片間距的情況下,使其電流展寬更寬,增加其頻率特性,增加帶寬。
      [0017]本實施例所述的單極化振子中,所述半導(dǎo)體為砷化鎵半導(dǎo)體;通過實驗以及計算機(jī)軟件仿真得知,砷化鎵半導(dǎo)體的效果最佳,其優(yōu)良的半導(dǎo)體特性增加了本發(fā)明的頻帶范圍和提聞了振子福射穩(wěn)定性。
      [0018]本實施例所述的單極化振子中,所述每個金屬振子片3的厚度為2mm-2.5mm ;通過多次的仿真實驗及結(jié)構(gòu)設(shè)計調(diào)整,當(dāng)金屬振子片3的厚度為2mm-2.5mm時,其福射電流最為平穩(wěn),輻射最為穩(wěn)定,不易產(chǎn)生駐波等干擾波段,收斂性一致。
      [0019]所述第二隔離阻斷孔7的上下邊的長度為22mm-25mm ;通過多次的仿真實驗及結(jié)構(gòu)設(shè)計調(diào)整,所述第二隔離阻斷孔7的上下邊的長度為22mm-25mm時,在最少雜波產(chǎn)生的限制下其延長電流效果最好,因而其最容易滿足超寬的輻射帶寬。所述第一隔離阻斷孔6的數(shù)量為六個;所述第二隔離阻斷孔7的數(shù)量為五個,通過計算機(jī)仿真,此數(shù)量時,其效果更佳。
      [0020]所述支撐巴倫板I為圓形;所述支撐巴倫板I為PCB板,其直徑為1cm;如此設(shè)計,通過計算機(jī)軟件仿真得知,其隔離度更大。
      [0021]所述金屬振子片3的每一條邊長為6cm ;當(dāng)每一條邊長為6cm時,其縱向長度正好為輻射波長的半波長度,因此其穩(wěn)定性好,不產(chǎn)生雜波。
      [0022]本實施例所述的單極化振子中,所述兩個相鄰的第二隔離阻斷孔7之間還設(shè)有復(fù)數(shù)個阻擾孔9,所述阻擾孔9內(nèi)填充設(shè)有半導(dǎo)體;所述阻擾孔9能進(jìn)一步增加擾流效果,增加帶寬,通過計算機(jī)軟件仿真得知,其能增加約3%帶寬。
      [0023]本實施例所述的單極化振子中,所述外隔離圈4的靠近整流機(jī)構(gòu)的兩側(cè)設(shè)有V形的收斂缺口 10,其能有效增加收斂性和隔離度,通過計算機(jī)仿真,其表現(xiàn)有良好的收斂性。
      [0024]以上所述僅是本發(fā)明的一個較佳實施例,故凡依本發(fā)明專利申請范圍所述的構(gòu)造、特征及原理所做的等效變化或修飾,包含在本發(fā)明專利申請的保護(hù)范圍內(nèi)。
      【權(quán)利要求】
      1.一種單極化振子,包括有一支撐巴倫板(1),其特征在于:所述支撐巴倫板(I)上設(shè)有上下兩個呈正五邊形的金屬振子片(3);所述上下兩個金屬振子片(3)用于單極化信號;所述上下兩個金屬振子片(3)之間設(shè)有第一饋電帶線(11);所述支撐巴倫板(I)上設(shè)有第一同軸電纜饋電(Ila)孔,所述第一同軸電纜饋電(Ila)孔與第一饋電帶線(11)電連接; 所述每個金屬振子片(3)的邊緣設(shè)有外隔離圈(4),所述每個金屬振子片(3)上靠近兩側(cè)分別設(shè)有復(fù)數(shù)個并排設(shè)置的第一隔離阻斷孔(6),所述每個金屬振子片(3)上的中部還設(shè)有復(fù)數(shù)個并排設(shè)置的第二隔離阻斷孔(7),第二隔離阻斷孔(7)均為矩形;所述外隔離圈(4)為半導(dǎo)體,所述第一隔離阻斷孔(6)以及第二隔離阻斷孔(7)內(nèi)均填充設(shè)有半導(dǎo)體; 所述每個金屬振子片(3)遠(yuǎn)離支撐巴倫板(I)的一側(cè)設(shè)有用于整流的整流結(jié)構(gòu)(5),所述整流結(jié)構(gòu)(5)為三角形,所述整流結(jié)構(gòu)(5)包括有復(fù)數(shù)個并排設(shè)置的整流槽,整流槽之間設(shè)有整流道(51);所述整流槽內(nèi)也均填充設(shè)有半導(dǎo)體。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單極化振子,其特征在于:所述第一隔離阻斷孔(6)為平行四邊形;所述第一隔離阻斷孔(6)的上下邊的長度均為4mm-7mm。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單極化振子,其特征在于:所述半導(dǎo)體為砷化鎵半導(dǎo)體。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單極化振子,其特征在于:所述每個金屬振子片(3)的厚度為 2mm~2.5mm。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單極化振子,其特征在于:所述第二隔離阻斷孔(7)的上下邊的長度為22mm-25mm。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單極化振子,其特征在于:所述第一隔離阻斷孔(6)的數(shù)量為六個。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單極化振子,其特征在于:所述第二隔離阻斷孔(7)的數(shù)量為五個。
      8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單極化振子,其特征在于:所述支撐巴倫板(I)為圓形;所述支撐巴倫板(I)為PCB板,其直徑為10cm。
      9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單極化振子,其特征在于:所述金屬振子片(3)的每一條邊長為6cm。
      【文檔編號】H01Q1/50GK104134853SQ201410316604
      【公開日】2014年11月5日 申請日期:2014年7月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月6日
      【發(fā)明者】胡潔維 申請人:胡潔維
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