基板處理方法和基板處理裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明的課題在于提供一種基板處理方法和基板處理裝置，其能夠有效地除去受到會(huì)在摩擦處理中產(chǎn)生的氟離子的影響而產(chǎn)生的污染成分。一種基板處理方法，其對(duì)液晶顯示面板中使用的摩擦處理完成后的基板進(jìn)行處理，該基板處理方法為下述構(gòu)成：其包括利用氮?dú)馊芙馑畬?duì)上述基板進(jìn)行清洗的第1工序(11)，該氮?dú)馊芙馑鞘怪辽侔獨(dú)獾臍怏w溶解于水中而成的，上述氮?dú)馊芙馑臏囟缺徽{(diào)整為40℃以上且80℃以下的范圍內(nèi)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】基板處理方法和基板處理裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及對(duì)液晶顯示面板中使用的基板進(jìn)行處理的基板處理方法和基板處理裝置，特別涉及對(duì)摩擦處理完成后的上述基板進(jìn)行處理的基板處理方法和基板處理裝置。
[0002]在液晶顯示面板的制造工序中，通常對(duì)在表面形成有取向膜(例如聚酰亞胺膜)的液晶基板進(jìn)行摩擦處理。該摩擦處理中，在上述基板的取向膜的表面按壓卷繞有例如尼龍制的摩擦布的輥，使該輥旋轉(zhuǎn)從而使得上述摩擦布摩擦上述取向膜的表面。通過(guò)如此對(duì)基板的取向膜擦蹭摩擦布，取向膜(例如聚酰亞胺膜)表面的高分子鏈在一定方向被壓壞，因此取向膜(高分子膜)產(chǎn)生各向異性，通過(guò)該取向膜的各向異性而規(guī)定了液晶分子的取向方向。
[0003]通過(guò)這樣的摩擦處理，取向膜(聚酰亞胺膜)的被磨削掉的渣料或受到來(lái)自尼龍制的摩擦布的氟離子的影響的取向膜成分(聚酰亞胺)會(huì)使基板表面被污染。此外，聚酰亞胺本身所含有的氟離子有時(shí)也會(huì)與其它物質(zhì)結(jié)合，從而成為污染物質(zhì)(氟化合物)。因此，需要對(duì)摩擦處理完成后的基板進(jìn)行清洗。在該清洗摩擦處理完成后的基板的現(xiàn)有方法(例如參見(jiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)I)中，在基板中的取向膜的表面形成有純水的遮蔽層的狀態(tài)下，將試劑覆蓋在該基板表面。由此，在試劑的表面漂浮移動(dòng)的塵垢不會(huì)以靜電方式附著于被純水的遮蔽層所被覆的取向膜表面，而被上述試劑沖洗掉。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0006]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2008-299234號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]發(fā)明所要解決的問(wèn)題
[0008]在上述摩擦處理完成后的基板的清洗中，不僅是取向膜的被磨削掉的渣料，能夠有效地除去受到會(huì)在上述摩擦處理中產(chǎn)生的氟離子的影響而產(chǎn)生的污染成分(氟化合物)也很重要。但是，在上述現(xiàn)有的基板的清洗方法(處理方法)中，并未特別考慮受到氟離子的影響而產(chǎn)生的污染成分。
[0009]本發(fā)明是鑒于這樣的情況而進(jìn)行的，提供一種基板處理方法和基板處理裝置，其能夠有效地除去受到會(huì)在摩擦處理中產(chǎn)生的氟離子的影響而產(chǎn)生的污染成分。
[0010]用于解決問(wèn)題的手段
[0011]本發(fā)明的基板處理方法為下述構(gòu)成:其是對(duì)液晶顯示面板中使用的摩擦處理完成后的基板進(jìn)行處理的基板處理方法，其包括利用氮?dú)馊芙馑畬?duì)上述基板進(jìn)行清洗的第I工序，該氮?dú)馊芙馑菍⒅辽侔獨(dú)獾臍怏w溶解于水中而成的，上述氮?dú)馊芙馑臏囟缺徽{(diào)整為40°C以上且80°C以下的范圍內(nèi)。
[0012]通過(guò)這樣的構(gòu)成，利用被調(diào)整為40°C以上且80°C以下的范圍內(nèi)的某個(gè)溫度的氮?dú)馊芙馑畞?lái)清洗摩擦處理完成后的基板。在該清洗過(guò)程中，氮?dú)馊芙馑闹辽俚煞趾退煞峙c受到會(huì)在摩擦處理中產(chǎn)生的氟離子的影響而產(chǎn)生的污染成分在40°C以上且80°C以下的范圍內(nèi)的某個(gè)溫度下能夠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
[0013]本發(fā)明的基板處理方法中，可以為以下構(gòu)成:包括利用特定的試劑對(duì)通過(guò)上述第I工序清洗后的上述基板進(jìn)行清洗的第2工序。
[0014]通過(guò)這樣的構(gòu)成，利用上述氮?dú)馊芙馑逑春蟮哪Σ镣瓿珊蟮幕暹M(jìn)一步用特定的試劑進(jìn)行清洗。
[0015]上述氮?dú)馊芙馑臏囟雀鼉?yōu)選可以調(diào)整為45°C以上且80°C以下的范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選可以調(diào)整為60°C以上且80°C以下的范圍內(nèi)。
[0016]此外，本發(fā)明的基板處理裝置為下述構(gòu)成:其為對(duì)液晶顯示面板中使用的摩擦處理完成后的基板進(jìn)行處理的基板處理裝置，所述基板處理裝置具有:氮?dú)馊芙馑刹?，其使至少包含氮?dú)獾臍怏w溶解于水中而生成氮?dú)馊芙馑?；溫度維持裝置，其將在該氮?dú)馊芙馑刹可傻牡獨(dú)馊芙馑S持為40°C以上且80°C以下的范圍內(nèi)的溫度；和第I清洗部，其利用維持為上述溫度范圍內(nèi)的溫度的上述氮?dú)馊芙馑畞?lái)清洗上述基板。
[0017]通過(guò)這樣的構(gòu)成，在第I清洗部，利用維持為40°C以上且80°C以下的范圍內(nèi)的某個(gè)溫度的氮?dú)馊芙馑畞?lái)清洗摩擦處理完成后的基板。該清洗過(guò)程中，氮?dú)馊芙馑闹辽俚煞趾退煞峙c受到會(huì)在摩擦處理中產(chǎn)生的氟離子的影響而產(chǎn)生的污染成分在40°C以上且80°C以下的范圍內(nèi)的某個(gè)溫度下能夠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
[0018]發(fā)明的效果
[0019]根據(jù)本發(fā)明的基板處理方法和基板處理裝置，氮?dú)馊芙馑闹辽俚煞趾退煞峙c受到會(huì)在摩擦處理中產(chǎn)生的氟離子的影響而產(chǎn)生的污染成分在40°C以上且80°C以下的范圍內(nèi)的某個(gè)溫度下能夠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，因此能夠有效地除去受到會(huì)在上述摩擦處理中產(chǎn)生的氟離子的影響而產(chǎn)生的污染成分。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1是示出本發(fā)明的基板處理裝置的基本構(gòu)成的圖。
[0021]圖2是示出利用氮?dú)馊芙馑M(jìn)行清洗時(shí)的該氮?dú)馊芙馑臏囟扰c基板表面的粉粒(污染成分)的除去率的關(guān)系Q1、以及利用純水進(jìn)行清洗時(shí)的該純水的溫度與基板表面的粉粒(污染成分)的除去率的關(guān)系Q2的圖。

【具體實(shí)施方式】
[0022]利用附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
[0023]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的基板處理裝置如圖1所示而構(gòu)成。
[0024]圖1中，該基板處理裝置10具有第I清洗室11 (第I清洗部)、第2清洗室12 (第2清洗部)、漂洗室13和空氣干燥室14。作為清洗對(duì)象的摩擦處理完成后的液晶基板S利用搬運(yùn)裝置(圖示略)依次通過(guò)串聯(lián)排列的第I清洗室11、第2清洗室12、漂洗室13和空氣干燥室14而進(jìn)行搬運(yùn)。被投入在該基板處理裝置10中的基板S在表面形成有成為取向膜的聚酰亞胺膜，其表面為經(jīng)摩擦處理后的狀態(tài)。
[0025]基板處理裝置10還具有罐20，在罐20內(nèi)貯存純水(H2O)，同時(shí)供給氮?dú)?N2氣體)。在罐20 (氮?dú)馊芙馑刹?內(nèi)，氮?dú)庠诩兯泄呐荻傻獨(dú)馊芙馑Ｔ诠?0附設(shè)有加熱器裝置21，基于來(lái)自設(shè)置于罐20內(nèi)的溫度檢測(cè)器(圖示略)的檢測(cè)信號(hào)通過(guò)圖示外的控制裝置對(duì)加熱器裝置21進(jìn)行通電控制，由此在罐20內(nèi)生成的氮?dú)馊芙馑臏囟缺徽{(diào)整為特定的溫度。
[0026]在第I清洗室11設(shè)置有具有兩個(gè)以上的噴嘴的噴嘴裝置111。上述兩個(gè)以上的噴嘴在作為清洗對(duì)象物的基板S的搬運(yùn)路徑的上側(cè)和下側(cè)分別配置有特定數(shù)量。貯存于罐20中的氮?dú)馊芙馑ㄟ^(guò)泵22供給至噴嘴裝置111，該氮?dú)馊芙馑畯膰娮煅b置111的各噴嘴向搬運(yùn)路徑噴出。從第I清洗室11的噴嘴裝置111噴出的氮?dú)馊芙馑换厥罩凉?0，通過(guò)泵22再次從罐20被供給至第I清洗室11的噴嘴裝置111。這樣，在第I清洗室11與罐20之間形成循環(huán)路徑，貯存于罐20中的氮?dú)馊芙馑磸?fù)，被用于在第I清洗室11中的基板S的清洗。
[0027]在第2清洗室12也設(shè)置有噴嘴裝置121，其具有配置于基板S的搬運(yùn)路徑的上側(cè)和下側(cè)的兩個(gè)以上的噴嘴。向第2清洗室12的噴嘴裝置121供給特定的試劑，試劑從噴嘴裝置121的各噴嘴向搬運(yùn)路徑噴出。上述試劑是在摩擦處理完成后的基板S的清洗中通常使用的試劑，例如通過(guò)將1，2-己二醇或醇類(lèi)、特定的添加物以及純水按照特定比例調(diào)配來(lái)制作。
[0028]在漂洗室13也設(shè)置有噴嘴裝置131，其具有配置于基板S的搬運(yùn)路徑的上側(cè)和下側(cè)的兩個(gè)以上的噴嘴。向漂洗室13的噴嘴裝置131供給純水，純水從噴嘴裝置131的各噴嘴向搬運(yùn)路徑噴出。此外，在空氣干燥室14設(shè)置兩個(gè)以上的氣刀，高壓空氣從該兩個(gè)以上的氣刀向搬運(yùn)路徑噴出。
[0029]在上述那樣的基板處理裝置10中，利用圖示外的控制裝置如下進(jìn)行動(dòng)作控制。在利用搬運(yùn)裝置所搬運(yùn)的基板S通過(guò)第I清洗室11時(shí)，從噴嘴裝置111的各噴嘴噴出的氮?dú)馊芙馑粐娭粱錝的兩面。氮?dú)馊芙馑诠?0內(nèi)被調(diào)整為特定溫度，在第I清洗室11中，基板S被該調(diào)整為特定溫度的氮?dú)馊芙馑逑?第I工序)。
[0030]第I清洗室11中的基于氮?dú)馊芙馑奶幚?清洗)結(jié)束，利用搬運(yùn)裝置所搬運(yùn)的基板S在通過(guò)第2清洗室12時(shí)，從噴嘴裝置121的各噴嘴噴出的試劑(含有1，2-己二醇或醇類(lèi))被噴至基板S的兩面?；錝在第2清洗室12中被上述試劑所清洗(第2工序)。
[0031]第2清洗室12中的基于試劑的處理(清洗)結(jié)束，利用搬運(yùn)裝置所搬運(yùn)的基板S在通過(guò)漂洗室13時(shí)，從噴嘴裝置131的各噴嘴噴出的純水被噴至基板S的兩面。由此，殘留于基板S的兩面的氮?dú)馊芙馑?、試劑以及被氮?dú)馊芙馑驮噭┧サ某ノ锉患兯疀_洗掉。
[0032]漂洗室13中的基于純水的處理(沖洗)結(jié)束，利用搬運(yùn)裝置所搬運(yùn)的基板S在通過(guò)空氣干燥室14時(shí)，由于從各氣刀噴出的高壓空氣，附著于基板S上的純水被吹跑，使基板S的表面被干燥。其后，基板S被搬運(yùn)裝置搬運(yùn)至下一工序(液晶面板的組裝工序等)。
[0033]根據(jù)上述的基板處理裝置10，即使是在聚酰亞胺膜(取向膜)的表面附著有因摩擦處理中的利用摩擦布的機(jī)械性摩擦而產(chǎn)生的臟物或受到氟離子的影響而產(chǎn)生的污染成分(氟化合物)的基板S，在第I清洗室11中也被調(diào)整為特定溫度的氮?dú)馊芙馑逑?，其后，在?清洗室12中被含有1，2-己二醇或醇類(lèi)的試劑所清洗，因此能夠有效地除去這些臟物和污染成分(氟化合物)。
[0034]特別是，通過(guò)第I清洗室11中的利用氮?dú)馊芙馑那逑?，能夠有效地除去氟化合物等污染成分。其原因可推測(cè)為:氮?dú)馊芙馑泻械腍2(H2O)、N2以及污染成分中含有的氟離子F-結(jié)合，生成氟化銨離子NH4+F_。
[0035]需要說(shuō)明的是，在上述實(shí)施方式中，作為生成氮?dú)馊芙馑姆椒ǎe出使氮?dú)庠诠?0內(nèi)的純水中鼓泡并溶解的例子來(lái)進(jìn)行了說(shuō)明，但不限于此，可以為利用中空纖維膜的方法等使氮?dú)馊芙庥诩兯卸軌蛏傻獨(dú)馊芙馑姆椒ā?br> [0036]此外，在上述實(shí)施方式中，舉出將氮?dú)馊芙馑鳛槿芙馑睦觼?lái)進(jìn)行了說(shuō)明，但溶解于純水的氣體不僅限于氮?dú)猓灰前獨(dú)獾臍怏w且為與基板S上的氟化合物等污染成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的氣體即可。
[0037]需要說(shuō)明的是，在上述實(shí)施方式中，對(duì)于作為處理對(duì)象物的基板S說(shuō)明了對(duì)兩面進(jìn)行處理的例子，但不限于此，可以為僅對(duì)一個(gè)面進(jìn)行處理等根據(jù)工序而對(duì)必要的面進(jìn)行處理。
[0038]下面，示出在圖1所示的基板處理裝置10中進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)例。
[0039].條件
[0040]將氮(N2)氣以INL (納升)/分鐘供給至罐20
[0041]氮?dú)馊芙馑牡?N2)氣濃度:8ppm
[0042].測(cè)定方法
[0043]使用通過(guò)光而測(cè)定基板S的粉粒(污染成分)的尺寸和個(gè)數(shù)的裝置，將基板處理裝置10中的處理前的測(cè)定值與其處理后的測(cè)定值的比例作為除去率)。
[0044].結(jié)果
[0045]如圖2的特性Ql所示，若第I清洗室11中使用的氮?dú)馊芙馑臏囟葹?0°C以上，則除去率急劇地上升，其溫度約為80°C時(shí)除去率達(dá)到90%，在超過(guò)該溫度的溫度下沒(méi)有較大變化。氮?dú)馊芙馑臏囟葹?5°C時(shí)，除去率特別大幅地變化，進(jìn)而若氮?dú)馊芙馑臏囟瘸^(guò)60°C，則除去率接近飽和狀態(tài)。由此可知，第I清洗室11中使用的氮?dú)馊芙馑臏囟葍?yōu)選調(diào)整為40°C以上且80°C以下的范圍內(nèi)的溫度。在該調(diào)整范圍中，特別優(yōu)選為45°C以上且800C以下的范圍、進(jìn)一步優(yōu)選為60°C以上且80°C以下的范圍。
[0046]需要說(shuō)明的是，在第I清洗室11中代替氮?dú)馊芙馑褂眉兯那闆r下，該純水的溫度與除去率的關(guān)系如圖2的特性Q2那樣。在純水的情況下，如使用氮?dú)馊芙馑那闆r(參照Ql)那樣，除去率不會(huì)因溫度而大幅變動(dòng)。
[0047]在上述實(shí)驗(yàn)例中，氮?dú)馊芙馑牡?N2)氣濃度值為8ppm，但本發(fā)明不限定于此。在氮?dú)馊芙馑疄榈蜏貐^(qū)域的情況下，認(rèn)為由于基板上的氟化合物等粉粒的分解進(jìn)展慢，因此粉粒除去率低。另一方面，在氮?dú)馊芙馑疄橐欢囟纫陨系母邷貐^(qū)域的情況下，認(rèn)為對(duì)于液溫所溶入的氣體的量達(dá)到飽和狀態(tài)，因此粉粒除去率也達(dá)到飽和狀態(tài)，粉粒除去率達(dá)到最大限度。因此，認(rèn)為圖2所示的特性Ql如上所述為氮?dú)馊芙馑牡獨(dú)鉂舛戎禐?ppm時(shí)的結(jié)果，但即使氮?dú)鉂舛戎禐?ppm以外,也表現(xiàn)出與該特性Ql同樣傾向的特性。
[0048]關(guān)于氮?dú)馊芙馑牡?N2)氣濃度，從與氟化合物等污染成分充分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而提高該污染成分的除去率的方面出發(fā)，優(yōu)選在某種程度上為高濃度。但是，即便過(guò)高，也只是無(wú)助于化學(xué)反應(yīng)的量增加，氮?dú)獗焕速M(fèi)。實(shí)際上，氮?dú)馊芙馑牡?N2)氣濃度在5ppm?25ppm的范圍進(jìn)行調(diào)整。
[0049]需要說(shuō)明的是，在氮?dú)夤呐輹r(shí)，只要使氮?dú)庖约{米氣泡等微細(xì)氣泡的形式混入純水中，則不需要特別考慮濃度設(shè)定。這是因?yàn)?，從以往已知的是，納米氣泡為極小的氣泡，因此長(zhǎng)時(shí)間持續(xù)停留與液體中。若利用該性質(zhì)，則純水中的氮?dú)忾L(zhǎng)時(shí)間持續(xù)為飽和狀態(tài)，因此氟化合物等污染成分的除去效率也維持為飽和狀態(tài)。
[0050]符號(hào)的說(shuō)明
[0051]10 基板處理裝置
[0052]11 第I清洗室(第I清洗部)
[0053]12 第2清洗室(第2清洗部)
[0054]13 漂洗室
[0055]14 空氣干燥室
[0056]20 罐
[0057]21 加熱器裝置
[0058]22 泵
[0059]111、121、131 噴嘴裝置
【權(quán)利要求】
1.一種基板處理方法，其為對(duì)液晶顯示面板中使用的摩擦處理完成后的基板進(jìn)行處理的基板處理方法，其中， 所述基板處理方法包括第I工序:利用使至少包含氮?dú)獾臍怏w溶解于水中而成的氮?dú)馊芙馑畬?duì)所述基板進(jìn)行清洗， 所述氮?dú)馊芙馑臏囟缺徽{(diào)整為40°c以上且80°C以下的范圍內(nèi)。
2.一種基板處理方法，其為對(duì)液晶顯示面板中使用的摩擦處理完成后的基板進(jìn)行處理的基板處理方法，其中， 所述基板處理方法包括以下工序: 第I工序，利用使至少包含氮?dú)獾臍怏w溶解于水中而成的氮?dú)馊芙馑畬?duì)所述基板進(jìn)行清洗； 第2工序，利用試劑對(duì)通過(guò)所述第I工序清洗后的所述基板進(jìn)行清洗；和 干燥工序，使通過(guò)所述第2工序清洗后的所述基板干燥， 所述氮?dú)馊芙馑臏囟缺徽{(diào)整為40°C以上且80°C以下的范圍內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理方法，其中，所述氮?dú)馊芙馑臏囟缺徽{(diào)整為450C以上且80°C以下的范圍內(nèi)。
4.如權(quán)利要求3所述的基板處理方法，其中，所述氮?dú)馊芙馑臏囟缺徽{(diào)整為60°C以上且80°C以下的范圍內(nèi)。
5.一種基板處理裝置，其為對(duì)液晶顯示面板中使用的摩擦處理完成后的基板進(jìn)行處理的基板處理裝置，其中， 所述基板處理裝置具有: 氮?dú)馊芙馑刹?，其使至少包含氮?dú)獾臍怏w溶解于水中而生成氮?dú)馊芙馑? 溫度維持裝置，其將在該氮?dú)馊芙馑刹可傻牡獨(dú)馊芙馑S持為40°C以上且80°C以下的范圍內(nèi)的溫度；和 第I清洗部，其利用維持為所述溫度范圍內(nèi)的溫度的所述氮?dú)馊芙馑畞?lái)清洗所述基板。
6.一種基板處理裝置，其為對(duì)液晶面板中使用的摩擦處理完成后的基板進(jìn)行處理的基板處理裝置，其中， 所述基板處理裝置具有: 氮?dú)馊芙馑刹浚涫怪辽侔獨(dú)獾臍怏w溶解于水中而生成氮?dú)馊芙馑? 溫度維持裝置，其將在所述氮?dú)馊芙馑刹可傻牡獨(dú)馊芙馑S持為40°C以上且80°C以下的范圍內(nèi)的溫度； 第I清洗部，其利用維持為所述溫度范圍內(nèi)的溫度的所述氮?dú)馊芙馑畞?lái)清洗所述基板； 第2清洗部，其利用特定的試劑對(duì)通過(guò)所述第I清洗部清洗后的基板進(jìn)行清洗；和 干燥室，其使通過(guò)所述第2清洗部清洗后的所述基板干燥。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK104517806SQ201410490569
【公開(kāi)日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2014年9月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月30日
【發(fā)明者】大森圭悟, 磯明典, 今岡裕一, 千島理惠 申請(qǐng)人:芝浦機(jī)械電子裝置股份有限公司